×
20.03.2019
219.016.e7b4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПИРОЛИТИЧЕСКОГО ВЫРАЩИВАНИЯ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ ГРАФИТА

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002429315
Дата охранного документа
20.09.2011
Аннотация: Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированной пластине кремния при давлении 10-30 Торр и температуре 1200-1350°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через две параллельные ленты из углеродной фольги, в зазоре между которыми размещается пластина кремния. Изобретение позволяет получать нанокристаллические слои графита высокого качества. 1 ил.

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на подложке и может быть использовано для производства приборов оптоэлектроники, а также для получения графена.

Известен способ получения слоев пироуглерода на поверхности углеродных изделий, включающий схему нагрева внешним нагревателем покрываемых изделий в среде углеводородов (Фиалков А.С., Бавер А.И., Сидоров Н.М., Чайкун М.И. Пирографит. «Успехи химии», 1965, т.34, №1, с.132-153).

К недостаткам известного способа можно отнести преимущественное осаждение пироуглерода на внешнем нагревателе и подвод к поверхности обрабатываемого изделия реакционных продуктов разложения исходного углеводорода, что снижает качество получаемых покрытий.

Другим недостатком является повышенный расход электроэнергии, связанный с необходимостью значительного перегрева внешнего нагревателя относительно обрабатываемых изделий.

Применение данного способа не позволяет получать слои графита с монокристаллической структурой, поскольку образуется достаточно плотный аморфный углерод, пропитывающий поры заготовки.

Известен способ пиролитического уплотнения лент из графитовой фольги, включающий нагрев ленты и термическое разложение углеводородного реагента на ее поверхности, причем нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через участок ленты, проходящий между двумя графитовыми электродами и прижимными элементами при температуре 1800-2000°С и давлении углеводородного реагента от 8 до 50 Торр (по патенту №2315710, бюл. №3, опубл. 27.01.10).

Вышеприведенный способ пиролитического уплотнения лент из графитовой фольги наиболее близок по технической сущности к заявляемому способу, поэтому выбран в качестве прототипа.

Технический результат, получаемый при осуществлении настоящего способа, выражается в повышении качества пиролитического графита и выращивания нанокристаллических его слоев.

Для достижения названного технического результата в предлагаемом способе, включающем нагрев лент из графитовой фольги и термическое разложение углеводородного реагента на поверхности лент, нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через две параллельные ленты, в зазоре между которыми размещена подложка из механически полированного кремния, причем температуру подложки поддерживают в пределах 1200-1350°С, а давление углеводородного реагента - от 10 до 30 Торр.

В качестве углеводородного агента используется метан СВЧ. Пиролиз метана происходит как на лентах из углеродной фольги, нагретых до существенно более высокой температуры, так и на кремниевой подложке. Специфический характер газотранспортных процессов с учетом крайне малых зазоров между углеродными лентами и кремниевой подложкой, а также влиянием электрического и магнитного полей способствует осаждению на кремниевой подложке нанокристаллического слоистого графита. Полировка поверхностей кремниевой подложки необходима для обеспечения нанокристаллической структуры первично осажденных слоев графита.

Если парциальное давление метана ниже 10 Торр, то его концентрации в атмосфере камеры недостаточно для получения плотного слоя пирографита.

Если поднять парциальное давление метана выше 30 Торр, то на поверхности кремниевой подложки высаживается сажа, что делает выращивание нанокристаллического графита невозможным.

Если температура прогреваемого участка ленты фольги будет ниже 1200°С, то в указанном диапазоне давлений метана заметного осадка пирографита не возникнет.

При превышении температуры свыше 1350°С кремниевая подложка вступает в химическое взаимодействие с окружающими ее углеродными лентами и начинается ее частичное оплавление.

Схема практического осуществления заявляемого способа иллюстрируется рисунком.

В зазоре между двумя параллельными лентами 1 и 2 из углеродной фольги размещена пластина 3 из полированного кремния. Ток подается к лентам 1 и 2 через графитовые электроды 4 и 5. На поверхностях пластины 3 постепенно вырастают слои нанокристаллического графита 6 и 7.

Пример 1

Между двумя графитовыми электродами 4 и 5 закрепили две ленты из углеродной фольги 1 и 2 толщиной 200 мкм, шириной 30 мм и длиной 160 мм каждая с зазором 1 мм. В зазоре установили полированную пластину 3 из кремния КСД-3 толщиной 200 мкм и размерами 15×30 мм. После герметизации и откачки реакционной камеры в нее напустили метан квалификации СВЧ до давления 15 Торр и включили нагрев путем пропускания переменного тока через ленты 1 и 2. Температура пластины составила 1270±20°С. Длительность цикла нагрева составила 2,5 часа. После извлечения пластины 3 на ее поверхностях обнаружены блестящие пленки толщиной 80±20 мкм каждая. Рентгеновская съемка показала монокристаллическую структуру поверхности пленок с преимущественной ориентацией поверхности (100). Электронно-микроскопическое исследование продемонстрировало, что слои осажденного графита сформированы отдельными частицами с характерным размером от 30 до 50 нм. Рентгенофазовый анализ показал присутствие в выращенном графите кремния в количестве 5 ат.%.

Пример 2

То же, что и в примере 1, но давление метана в реакционной камере поддерживали на уровне 7 Торр. После извлечения кремниевой пластины на ней обнаружена аморфная пленка желтого цвета, легко удаляемая органическими растворителями.

Пример 3

То же, что и в примере 1, но давление метана в реакционной камере поддерживали на уровне 45 Торр. Поверхность кремниевой пластины покрыта плотным слоем сажи. После удаления сажи следов кристаллического слоя не обнаружено.

Пример 4

То же, что и в примере 1, но температура кремниевой пластины поддерживалась на уровне 1200±20°С. После извлечения пластины 3 на ее поверхностях обнаружены блестящие пленки толщиной 65±20 мкм каждая. Рентгеновская съемка показала монокристаллическую структуру поверхности пленок с преимущественной ориентацией поверхности (100).

Пример 5

То же, что и в примере 1, но температура кремниевой пластины поддерживалась на уровне 1350±20°С. После извлечения пластины 3 на ее поверхностях обнаружены блестящие пленки толщиной 105±20 мкм каждая. Рентгеновская съемка показала монокристаллическую структуру поверхности пленок с преимущественной ориентацией поверхности (100).

Пример 6

То же, что и в примере 1, но температура кремниевой пластины поддерживалась на уровне 1100±20°С. На поверхности кремниевой пластины обнаружен тонкий слой осадка желто-серого цвета, не имеющий металлического блеска.

Пример 7

То же, что и в примере 1, но температура кремниевой пластины поддерживалась на уровне 1380±20°С. Извлеченная из реакционной камеры кремниевая пластина подплавлена по краям и не отделяется от нижней ленты фольги, внешние поверхности темно-серые и неровные.

Способ пиролитического выращивания нанокристаллических слоев графита, включающий нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием электрического тока и термическое разложение углеводородного реагента, отличающийся тем, что в узком зазоре между двумя параллельными углеродными лентами размещают полированную кремниевую пластину, нагревая ее до температуры 1200-1350°С, а в качестве углеводородного реагента используют метан при давлении в диапазоне от 10 до 30 Торр.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-5 из 5.
10.04.2019
№219.017.08a7

Способ получения иглы из монокристаллического вольфрама для сканирующей туннельной микроскопии

Изобретение относится к области физики поверхности, а именно к способам получения острий из монокристаллического вольфрама для сканирующей туннельной микроскопии. Способ заключается в том, что электрохимическое травление монокристаллической заготовки с поперечным сечением 0,5×0,5 мм проводят в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002437104
Дата охранного документа: 20.12.2011
29.05.2019
№219.017.69ae

Способ получения кристаллов фуллерена с особой чистоты

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к выращиванию кристаллов из парогазовой фазы. Способ включает низкотемпературную обработку порошка фуллерена С в динамическом вакууме 10 Па при температуре 720 K в течение 3 часов, затем обработанный порошок подвергают сублимации в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442847
Дата охранного документа: 20.02.2012
09.06.2019
№219.017.7f4e

Способ получения сверхпроводящего соединения кальций-фосфор-кислород

Изобретение относится к области химической технологии, а именно к получению новых сверхпроводящих соединений в области высоких давлений от 17 ГПа до 160 ГПа. Проводят синтез механической смеси кальция с оксидом фосфора РO или кальция с фосфатом кальция Са(РO). Смеси кальция с оксидом фосфора и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002442749
Дата охранного документа: 20.02.2012
29.06.2019
№219.017.a0c0

Устройство для получения газообразного хлора

Изобретение может быть использовано в области неорганической химии. Устройство для получения газообразного хлора включает реактор, термостат, устройство для очистки хлора и устройство для регулирования температуры. В качестве накопителя хлора установлена демпфирующая емкость с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002436728
Дата охранного документа: 20.12.2011
29.06.2019
№219.017.a0d8

Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней

Изобретение относится к области металлургии цветных металлов, в частности к способу получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней. Способ включает восстановление хлорида кобальта водородом при нагревании до получения металлического кобальта в виде порошка или губки. После...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002434955
Дата охранного документа: 27.11.2011
Показаны записи 11-17 из 17.
09.08.2018
№218.016.78ff

Материал шпонки для высокотемпературных применений

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано в устройствах, при работе которых возможно выделение большого количества тепла, приводящего к тепловому расширению шпонки и заклиниванию устройства. Композиционный материал шпонки представляет собой матрицу из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663146
Дата охранного документа: 01.08.2018
14.03.2019
№219.016.dfbb

Способ прочного соединения изделий из графита

Изобретение относится к области химической технологии и может быть использовано для изготовления блоков из графитовых деталей, способных использоваться при высоких температурах. Сначала на торцевые поверхности подлежащих соединению графитовых деталей наносят слои поливинилацетата, в полученный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681628
Дата охранного документа: 11.03.2019
17.02.2020
№220.018.0385

Способ получения нанокристаллического муассанита

Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714344
Дата охранного документа: 14.02.2020
29.05.2020
№220.018.217a

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002722136
Дата охранного документа: 26.05.2020
20.04.2023
№223.018.4a6f

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002780375
Дата охранного документа: 22.09.2022
20.04.2023
№223.018.4a7d

Способ получения водорода

Изобретение может быть использовано для получения газообразного чистого водорода в установках, связанных с системами транспортировки газа. Способ получения водорода из природного газа включает нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786070
Дата охранного документа: 16.12.2022
20.04.2023
№223.018.4b41

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773320
Дата охранного документа: 01.06.2022
+ добавить свой РИД