×
07.02.2019
219.016.b7e4

Результат интеллектуальной деятельности: СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОЕ ПОГЛОЩАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая решетка из полосок металла. Эти решетки располагаются на всех поверхностях слоев за исключением внешней поверхности последнего слоя, на которой расположен проводящий отражающий экран. Оптическая толщина диэлектрических слоев равна четверти длины волны на центральной частоте рабочего диапазона поглощающего покрытия. Технический результат заключается в расширении полосы рабочих частот поглощающего покрытия. 4 ил.

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например, летательных аппаратов.

Известно сверхширокополосное радиопоглощающее покрытие [Патент RU №2571906, МКИ7 В32В 7/02, H01Q 17/00 бюл. №36 от 27.12.2015], выполненное в виде многослойного металлополимероматричного композиционного материала, слои которого имеют различную толщину. При этом в каждом слое в качестве наполнителя используется комплекс ферромагнитных частиц с различными формами (чешуйчатой, сфероидальной) и разными размерами. Значительное ступенчатое снижение диэлектрической проницаемости от первого к последнему слою при плавном снижении магнитной проницаемости от второго к последнему слою обеспечивают плавное снижение коэффициента отражения при подборе толщин слоев покрытия. Сложная частотная дисперсия магнитной проницаемости слоев покрытия в совокупности с плавной дебаевской частотной зависимостью диэлектрической проницаемости слоев обеспечивает условия для ступенчатого уменьшения импеданса слоев покрытия от верхнего слоя к металлической подложке, что позволяет получить низкие значения коэффициента отражения в широкой полосе частот. Недостатками покрытия является низкая технологичность изготовления, сложность обеспечения повторяемости параметров слоев и, в некоторых случаях, недостаточно широкая полоса рабочих частот.

Наиболее близким аналогом является поглощающее покрытие [Патент RU №2271058, МКИ7 H01Q 17/00, бюл. №6 от 27.02.2006 (прототип)]. Поглощающее покрытие содержит первый и второй диэлектрические слои, управляемый слой, третий диэлектрический слой, на одной стороне которого расположен проводящий отражающий экран. Управляемый слой выполнен в виде тонкой пленки напыленного графита и расположен между первым и вторым диэлектрическими слоями. На внешней стороне первого диэлектрического слоя расположена первая двумерно-периодическая решетка из полосок напыленного металла, между вторым и третьим диэлектрическими слоями расположена вторая двумерно-периодическая решетка из полосок напыленного металла. Параметры слоев выбраны из условий обеспечения минимума уровня отраженного сигнала в требуемой полосе частот. Недостатком такого поглощающего покрытия является недостаточно широкая рабочая полоса частот.

Техническим результатом изобретения является расширение полосы рабочих частот поглощающего покрытия.

Указанный технический результат достигается тем, что в поглощающем покрытии, содержащем диэлектрические слои с напыленными двумерно-периодическими решетками из полосок металла и проводящий отражающий экран на внешней поверхности последнего слоя, новым является то, что толщина диэлектрических слоев равна четверти длины волны на центральной частоте рабочей полосы частот.

Отличие заявляемого устройства от наиболее близкого аналога заключается в том, что толщина диэлектрических слоев равна четверти длины волны на центральной частоте рабочей полосы частот.

Таким образом, отмеченный выше отличительный от прототипа признак позволяет сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Сущность изобретения поясняется рисунками:

На фиг. 1 показана конструкция заявляемого сверхширокополосного покрытия с топологией проводников двумерно-периодической металлической решетки.

На фиг. 2 изображена рассчитанная зависимость модуля коэффициента отражения от ширины металлических проводников решетки при разном количестве диэлектрических слоев.

На фиг. 3 представлена рассчитанная зависимость модуля коэффициента отражения от периода решетки при разном количестве диэлектрических слоев.

На фиг. 4 изображена рассчитанная в программе электродинамического анализа амплитудно-частотная характеристика коэффициента отражения заявляемого поглощающего покрытия в широкой полосе частот.

Заявляемое сверхширокополосное поглощающее покрытие (Фиг. 1) содержит диэлектрические слои 1, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая решетка из полосок 2 выполненных из металла или другого проводящего материала. Такие решетки имеются на всех поверхностях, за исключением внешней поверхности последнего слоя, на которую нанесен проводящий отражающий экран 3.

Предлагаемое поглощающее покрытие работает следующим образом. Падающая на покрытие электромагнитная волна по мере прохождения многослойной структуры за счет интерференции волн, отраженных от границ диэлектрических слоев, испытывает резонансное поглощение в проводниках двумерно-периодической решетки. Уровень отражения электромагнитных волн и ширина полосы рабочих частот поглощающего покрытия определяются параметрами двумерно-периодической решетки и диэлектрических слоев. При соответствующем выборе этих параметров коэффициент отражения электромагнитных волн с частотами, попадающими в рабочую полосу поглощающего покрытия, значительно снижается.

Как известно, поиск новых высокоэффективных широкополосных радиопоглощающих материалов становится весьма актуальным для решения проблемы уменьшения помех и электромагнитной совместимости устройств. Одним из перспективных направлений является применение многослойных покрытий из различных материалов.

В заявляемом поглощающем покрытии, как и в покрытии-прототипе, используется слоистая структура из нескольких диэлектрических слоев. Внешняя сторона последнего слоя полностью металлизирована, а на остальных поверхностях нанесены двумерно-периодические решетки из металла, полученные, например, методом вакуумного напыления. Существенным отличием от покрытия-прототипа является то, что оптическая толщина диэлектрических слоев h в заявляемой конструкции равна четверти длины волны на центральной частоте рабочего диапазона и может быть найдена по формуле:

Здесь h - толщина диэлектрика (м), с - скорость света (м/с), ƒ0 - центральная частота рабочего диапазона (Гц), ε - относительная диэлектрическая проницаемость материала слоев.

Таким образом, каждый из диэлектрических слоев заявляемого поглощающего покрытия является электродинамическим резонатором, а двумерно-периодические решетки служат зеркалами с заданными отражательными свойствами, обеспечивающими необходимую связь между резонаторами, а также связь первого резонатора с пространством. Исследования показывают, что подбором конструктивных параметров заявляемого покрытия можно достигнуть малой (менее - 10 дБ) величины коэффициента отражения в широкой полосе частот. Более протяженная рабочая полоса частот заявляемой конструкции поглощающего покрытия по сравнению с покрытием-прототипом достигается за счет резонансного поглощения электромагнитных волн в результате их интерференции в сильно связанных электродинамических слоях-резонаторах. Благодаря сильному взаимодействию этих слоев-резонаторов происходит расталкивание частот резонансов в заявляемой много-резонаторной структуре и формирование широкой рабочей полосы с малым коэффициентом отражения электромагнитных волн. В покрытии-прототипе толщина диэлектрических слоев много меньше длины волны, поэтому ширина полосы рабочих частот в нем существенно меньше.

На фиг. 2 изображена рассчитанная в программе электродинамического анализа зависимость коэффициента отражения заявляемого поглощающего покрытия от ширины металлических проводников двумерно-периодической решетки. Зависимость рассчитана для центральной частоты (10 ГГц) рабочего диапазона при следующих конструктивных параметрах структуры: относительная диэлектрическая проницаемость слоев ε=2, толщина слоев h=5.3 мм, период двумерно-периодической решетки Т=2 мм, толщина металлизации проводников равнялась 1 мкм, проводимость материала решетки σ=10 кСм / м, количество слоев N=13. Видно, что при выбранных конструктивных параметрах существует оптимальное значение ширины проводников двумерно-периодической решетки W=0.1 мм, которое соответствует минимальному значению коэффициента отражения покрытия. На фиг. 3 представлена рассчитанная зависимость коэффициента отражения от периода двумерно-периодической решетки. Зависимость рассчитана для центральной частоты рабочего диапазона при следующих конструктивных параметрах структуры: относительная диэлектрическая проницаемость слоев ε=2, толщина слоев h=5.3 мм, ширина проводников решетки W=80 мкм, толщина металлизации проводников равнялась 1 мкм, проводимость материала решетки σ=14кСм/м. Видно, что при выбранных конструктивных параметрах существует оптимальное значение периода решетки Т=1.5 мм, которое соответствует минимальному значению коэффициента отражения покрытия.

На фиг. 4 изображена рассчитанная в программе электродинамического анализа амплитудно-частотная характеристика коэффициента отражения заявляемого поглощающего покрытия в широкой полосе частот. Зависимость получена после оптимизации конструктивных параметров поглощающего покрытия по критерию максимальной рабочей полосы при заданном коэффициенте отражения - 10 дБ. Конструктивные параметры поглощающего покрытия были следующими: относительная диэлектрическая проницаемость слоев ε=2, толщина слоев h=5.3 мм, ширина проводников решетки W=80 мкм, толщина металлизации проводников равнялась 1 мкм, проводимость материала решетки изменялась от σ=27 кСм / м до σ=8 кСм / м от первого к последнему слою, период решетки Т=3.9 мм.

Из представленной зависимости видно, что заявляемое поглощающее покрытие имеет широкую рабочую полосу частот с перекрытием по частоте ƒв / ƒн = 22 при коэффициенте отражения не более - 10 дБ, что значительно лучше, чем у представленных аналогов и подтверждает заявляемый технический результат.

Сверхширокополосное поглощающее покрытие, содержащее диэлектрические слои с напыленными двумерно-периодическими решетками из полосок металла и проводящий отражающий экран на внешней поверхности последнего слоя, отличающееся тем, что толщина диэлектрических слоев равна четверти длины волны на центральной частоте рабочей полосы частот.
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОЕ ПОГЛОЩАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОЕ ПОГЛОЩАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ
СВЕРХШИРОКОПОЛОСНОЕ ПОГЛОЩАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 55.
22.08.2018
№218.016.7e56

Держатель образца для сквид-магнитометра типа mpms для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений. Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов содержит цилиндрическую трубку из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664421
Дата охранного документа: 20.08.2018
13.09.2018
№218.016.873c

Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов

Изобретение относится к нанотехнологии. Синтез эндоэдральных фуллеренов проводят в водоохлаждаемой металлической герметичной камере в плазме высокочастотной дуги с использованием переменного тока при атмосферном давлении. В нижней камере 4 установлен один вертикальный графитовый электрод 2 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666856
Дата охранного документа: 12.09.2018
28.10.2018
№218.016.97a3

Оксидный керамический магнитный материал на основе натрия, ванадия, железа и никеля

Изобретение относится к разработке новых материалов, которые могут быть полезны для химической промышленности, материаловедения, спинтроники. Оксидный керамический магнитный материал содержит кислород, железо и ванадий и дополнительно натрий и никель при следующем соотношении компонентов, ат....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670973
Дата охранного документа: 26.10.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
13.03.2019
№219.016.de94

Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку

Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681587
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df47

Способ получения нанокристаллов силицида железа α-fesi с изменяемой преимущественной ориентацией

Изобретение относится к технологии получения материалов нанометрового размера, состоящих из нанокристаллов силицида железа α-FeSi с контролируемо изменяемой преимущественной кристаллографической ориентацией, формой и габитусом, и может применяться для разработки новых функциональных элементов в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681635
Дата охранного документа: 11.03.2019
14.03.2019
№219.016.df5e

Способ получения композиционного материала на основе сверхвысокомолекулярного полиэтилена

Изобретение относится к полимерному материаловедению и может быть использовано в радиоэлектронике для изготовления морозостойких изделий, обладающих высокой диэлектрической проницаемостью и низкими диэлектрическими потерями. Описан способ получения композиционного материала на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681634
Дата охранного документа: 11.03.2019
16.03.2019
№219.016.e1a8

Датчик слабых магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения слабых магнитных полей, и может использоваться, в первую очередь, в магнитометрии. Датчик слабых магнитных полей содержит СВЧ-генератор, чувствительный элемент на основе тонкой магнитной пленки, помещенной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682076
Дата охранного документа: 14.03.2019
21.03.2019
№219.016.eaa9

Устройство для калибровки дихрографов кругового дихроизма

Изобретение относится к оптическим устройствам, имитирующим вещество, обладающее круговым дихроизмом (КД), с возможностью регулирования величины задаваемого эффекта в широком диапазоне значений на выбранной длине волны, сохраняющее ход светового луча строго по оптической оси в процессе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682605
Дата охранного документа: 19.03.2019
17.05.2019
№219.017.52bc

Тонкопленочный градиентометр

Изобретение относится к области измерительной техники, более конкретно – к устройствам для измерения градиентов слабых магнитных полей. Раскрыт тонкопленочный градиентометр, для измерения градиентов слабых магнитных полей, включающий два чувствительных элемента, разнесенных в пространстве и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687557
Дата охранного документа: 15.05.2019
Показаны записи 21-30 из 69.
26.08.2017
№217.015.e2db

Способ измерения напряженности электрического поля

Способ измерения напряженности электрического поля относится к измерительной технике и может использоваться для исследования электрических полей земной атмосферы и космического пространства. Способ измерения напряженности электрического поля, основанный на том, что в датчике напряженности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626065
Дата охранного документа: 21.07.2017
26.08.2017
№217.015.e408

Широкополосный полосковый фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Фильтр, содержащий диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые с одного конца полосковые проводники, а на вторую сторону нанесены короткозамкнутые с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626224
Дата охранного документа: 24.07.2017
20.01.2018
№218.016.1d86

Полосковый резонатор

Изобретение относится к технике высоких и сверхвысоких частот и предназначено для создания частотно-селективных устройств. Полосковый резонатор содержит две диэлектрические подложки, подвешенные между экранами корпуса, на обе поверхности которых нанесены полосковые металлические проводники,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640968
Дата охранного документа: 12.01.2018
04.04.2018
№218.016.30bb

Микрополосковый широкополосный фильтр

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644976
Дата охранного документа: 15.02.2018
14.06.2018
№218.016.61d3

Полосно-пропускающий свч фильтр

Полосно-пропускающий СВЧ фильтр относится к технике сверхвысоких частот и может быть использован в селективных трактах приемных и передающих систем. Фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую - нанесены полосковые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657311
Дата охранного документа: 13.06.2018
01.07.2018
№218.016.69a9

Миниатюрный полосковый фильтр

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к микрополосковым фильтрам. Фильтр содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые на экран с одного края подложки полосковые проводники резонаторов, а на вторую сторону подложки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659321
Дата охранного документа: 29.06.2018
23.10.2018
№218.016.9529

Микрополосковый фильтр верхних частот

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Микрополосковый фильтр верхних частот содержит диэлектрическую подложку, одна поверхность которой полностью металлизирована и служит заземляемым основанием, а на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670366
Дата охранного документа: 22.10.2018
21.11.2018
№218.016.9f8e

Полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое металлизированное основание, а на вторую нанесен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672821
Дата охранного документа: 19.11.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
16.01.2019
№219.016.aff0

Микрополосковый фильтр нижних частот

Изобретение относится к технике СВЧ. Фильтр содержит подложку с относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной, с одной стороны которой выполнен металлический экран, на противоположной стороне подложки расположен свернутый в форме меандра нерегулярный полосковый проводник, широкие и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677103
Дата охранного документа: 15.01.2019
+ добавить свой РИД