×
27.10.2018
218.016.972b

Результат интеллектуальной деятельности: Способ осаждения кремнезема из термальных вод

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Предложен способ осаждения кремнезема из термальных вод, включающий обработку воды при постоянном электрическом токе и высокочастотном электрическом импульсе в электролизёре с алюминиевыми электродами. Технический результат - осаждение кремнезема из гидротермального раствора при сокращении расхода электроэнергии и электродного материала. 1 ил.

Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Кремнеземсодержащий материал может найти применение в производстве цемента, сорбентов, стекла, в результате чего становится возможным повышение рентабельности использования ресурсов гидротермальных теплоносителей.

Известны способы извлечения кремнезема из термальных вод, которые основаны на использовании осадителей в режиме хлопьеобразования.

В качестве осадителей кремнезема используется известь с одновременным добавлением морской воды (RU №2219127 от 06.03.2003 г. "Способ осаждения кремнезема из гидротермального теплоносителя с одновременным добавлением извести и морской воды"). Способ включает перемешивание раствора, образование хлопьев, их осаждение и отделение осадка от раствора.

Недостатком данного способа является необходимость обеспечения и хранения большого количества коррозионно-активных химических веществ. Кроме того, расход реагентов зависит от химического состава и температуры обрабатываемого гидротермального раствора, которые отличаются на каждом месторождении.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности и достигаемому техническому решению является способ осаждения кремнезема из термальных вод электрохимическим путем (RU №2185334 от 20.07.2002 г. "Способ электрохимической обработки гидротермального теплоносителя"). В данном способе осадитель вводится путем обработки гидротермального теплоносителя постоянным электрическим током с использованием анодов из растворимого металла при анодной плотности тока 50-250 А/м2. В ходе обработки при растворении материала анода образуются хлопья, которые осаждаются с кремнеземом из раствора.

Недостатком данного способа является большой расход электроэнергии, вследствие этого, повышенный удельный расход металла анода.

Техническим результатом является осаждение кремнезема из гидротермального раствора при сокращении расхода электроэнергии и электродного материала.

Технический результат достигается тем, что для осаждения кремнезема проводится электрохимическая обработка гидротермальной воды Ханкальского месторождения при постоянном электрическом токе 25 А/м2, высокочастотном электрическом импульсе 30 В, частотой 12,5 МГц.

Содержание кремнезема H4SiO4 в пробах термальных вод составляла 350 мг/л. Типичный химический состав проб раствора следующий (мг/кг): Na+K+- 248,4; Са+2 - 17,67; Mg+2 - 0,96; Cl - 32,2; SO4+2 - 185; НСО3- -427, рН 8,0.

Обработка раствора проведена в лаборатории при температуре 20°С. Объем обрабатываемой пробы раствора равен 1 л. Электрическая схема (Рис. ) экспериментов включала источник постоянного тока, вольтметр, амперметр 2 ш.т., генератор частоты и электролизер. Расстояние между электродами - 10 мм, температура раствора - 20°С. Площадь части пластин электродов, погруженной в раствор, составляла S =0,0133 м2=(0,157 м × 0,085 м). Корпус электролизера цилиндрической формы из прозрачного полиэтилена с плоским дном. Высота корпуса h =0,245 м, диаметр d =0,091 м. В экспериментах по осаждению кремнезема использовались электроды из алюминия.

Описание рисунка.

Рис. 1. Схема устройства осаждения кремнезема из термальных вод. 1-источник постоянного напряжения, 2-амперметр, 3-вольтметр, 4-бак для жидкости, 5-источник высокочастотного импульса, 6-кран подачи жидкости, 7-электроды, 8-кран слива жидкости.

При силе тока - 0,5 А, плотности тока - 25 А/м2, высокочастотном напряжении 30 В, частоте 12,5 МГц полное осаждение кремнезема происходит в течение пяти минут.

Подготовка и работа данной схемы заключается в следующем: заполняя бак для жидкости перекрываем краны подачи (6) и слива (8), после чего подаем постоянный ток от источника постоянного тока (1) до 5-7 А с напряжением до 30 В на вольтметре (3), далее подаем высокочастотный импульс от источника высокочастотного импульса (5) плавно меняя частоту до того, пока потребляемый постоянный ток не снизится до 0,5 А на амперметре (2).

В процессе электрохимической обработки наблюдалось образование хлопьев. После обработки хлопья осаждались. Осадок отделяли от раствора грубым фильтром. Остаточную концентрацию кремнезема в фильтрате определяли желтомолибдатным методом.

Способ осаждения кремнезема из термальных вод, отличающийся тем, что проводят электрохимическую обработку термальной воды в электролизёре, снабжённом алюминиевыми электродами, при плотности тока 25 А/м, высокочастотном напряжении 30 В, при резонансных частотах 12,5 МГц.
Способ осаждения кремнезема из термальных вод
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 46.
05.07.2019
№219.017.a5ce

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002693506
Дата охранного документа: 03.07.2019
11.07.2019
№219.017.b2c2

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки. Изобретение обеспечивает снижение значения токов утечек, повышение технологичности и качества, улучшение параметров приборов и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694160
Дата охранного документа: 09.07.2019
03.08.2019
№219.017.bbe8

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002696356
Дата охранного документа: 01.08.2019
01.09.2019
№219.017.c5a7

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии с высоким кпд

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления преобразователя солнечной энергии. Способ изготовления полупроводникового прибора со структурой с р, i, n слоями, включающий процессы легирования, при этом формирование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698491
Дата охранного документа: 28.08.2019
02.11.2019
№219.017.de05

Кормовая добавка для ягнят

Изобретение относится к ветеринарии, в частности к кормовой добавке для ягнят. Добавка содержит "Биобактон" и "Бифидумбактерин", растворенные в воде при температуре 37°С, минеральную добавку, включающую глюконат кальция и активированный уголь, взятые в соотношении 2:1, и растительную добавку,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704855
Дата охранного документа: 31.10.2019
21.12.2019
№219.017.efe5

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709603
Дата охранного документа: 18.12.2019
22.12.2019
№219.017.f0e1

Модифицированный способ повышения приживаемости и укореняемости травянистых черенков с полуодревесневшей пяткой клоновых подвоев косточковых культур

Изобретение относится к области сельского хозяйства, в частности к садоводству. В способе травянистые черенки длиной 15 см объединяют в пучки по 20 шт. и держат их на свету. Периодически на черенки воздействуют искусственным туманом в пределах 5-25 мин и величиной капель воды до 5 мкм в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709685
Дата охранного документа: 19.12.2019
23.02.2020
№220.018.058a

Кормовая добавка для телят

Изобретение относится к кормопроизводству, в частности к кормовой добавке для телят. Добавка содержит «Басулифор™-Ж» в количестве 10,0 мг/кг, который смешивают с минеральной добавкой, содержащей мел кормовой, соль кормовую и костную муку в соотношении 1:1:2, и растительной добавкой, включающей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002714766
Дата охранного документа: 19.02.2020
23.04.2020
№220.018.1831

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора с пониженными токами утечки. Сущность: на пластинах кремния n-типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом⋅см выращивался слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002719622
Дата охранного документа: 21.04.2020
18.07.2020
№220.018.338b

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов со слоем карбида кремния с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора на пластинах кремния после формирования областей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002726904
Дата охранного документа: 16.07.2020
Показаны записи 1-5 из 5.
20.11.2013
№216.012.8203

Пьезоэлектрический керамический материал

Изобретение относится к производству пьезоэлектрических керамических материалов и может быть использовано для создания высокочастотных электромеханических преобразователей, применяемых, в частности, в ультразвуковых линиях задержки (эксплуатируемых в частотном диапазоне (20÷30) мГц),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498959
Дата охранного документа: 20.11.2013
10.01.2015
№216.013.175a

Способ осаждения кремнезема из термальных вод

Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Предложен способ осаждения кремнезема из термальных вод, включающий ввод осадителя - кремнеземсодержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537406
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.04.2015
№216.013.418c

Пьезоэлектрический керамический материал

Изобретение относится к пьезоэлектрическим керамическим материалам и может быть использовано при создании высокочастотных акустоэлектрических преобразователей. Пьезоэлектрический керамический материал содержит оксиды натрия, ниобия, стронция, лития, алюминия, висмута и железа при следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548278
Дата охранного документа: 20.04.2015
15.05.2023
№223.018.5d36

Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция

Изобретение относится к бессвинцовым сегнетоэлектрическим керамическим материалам с нелинейной зависимостью диэлектрической постоянной от напряженности приложенного электрического поля и может быть использовано для изготовления низкочастотных электронных устройств различного назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751527
Дата охранного документа: 14.07.2021
15.05.2023
№223.018.5d37

Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция

Изобретение относится к бессвинцовым сегнетоэлектрическим керамическим материалам с нелинейной зависимостью диэлектрической постоянной от напряженности приложенного электрического поля и может быть использовано для изготовления низкочастотных электронных устройств различного назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751527
Дата охранного документа: 14.07.2021
+ добавить свой РИД