×
27.10.2018
218.016.972b

Результат интеллектуальной деятельности: Способ осаждения кремнезема из термальных вод

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Предложен способ осаждения кремнезема из термальных вод, включающий обработку воды при постоянном электрическом токе и высокочастотном электрическом импульсе в электролизёре с алюминиевыми электродами. Технический результат - осаждение кремнезема из гидротермального раствора при сокращении расхода электроэнергии и электродного материала. 1 ил.

Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Кремнеземсодержащий материал может найти применение в производстве цемента, сорбентов, стекла, в результате чего становится возможным повышение рентабельности использования ресурсов гидротермальных теплоносителей.

Известны способы извлечения кремнезема из термальных вод, которые основаны на использовании осадителей в режиме хлопьеобразования.

В качестве осадителей кремнезема используется известь с одновременным добавлением морской воды (RU №2219127 от 06.03.2003 г. "Способ осаждения кремнезема из гидротермального теплоносителя с одновременным добавлением извести и морской воды"). Способ включает перемешивание раствора, образование хлопьев, их осаждение и отделение осадка от раствора.

Недостатком данного способа является необходимость обеспечения и хранения большого количества коррозионно-активных химических веществ. Кроме того, расход реагентов зависит от химического состава и температуры обрабатываемого гидротермального раствора, которые отличаются на каждом месторождении.

Наиболее близким к заявляемому изобретению по технической сущности и достигаемому техническому решению является способ осаждения кремнезема из термальных вод электрохимическим путем (RU №2185334 от 20.07.2002 г. "Способ электрохимической обработки гидротермального теплоносителя"). В данном способе осадитель вводится путем обработки гидротермального теплоносителя постоянным электрическим током с использованием анодов из растворимого металла при анодной плотности тока 50-250 А/м2. В ходе обработки при растворении материала анода образуются хлопья, которые осаждаются с кремнеземом из раствора.

Недостатком данного способа является большой расход электроэнергии, вследствие этого, повышенный удельный расход металла анода.

Техническим результатом является осаждение кремнезема из гидротермального раствора при сокращении расхода электроэнергии и электродного материала.

Технический результат достигается тем, что для осаждения кремнезема проводится электрохимическая обработка гидротермальной воды Ханкальского месторождения при постоянном электрическом токе 25 А/м2, высокочастотном электрическом импульсе 30 В, частотой 12,5 МГц.

Содержание кремнезема H4SiO4 в пробах термальных вод составляла 350 мг/л. Типичный химический состав проб раствора следующий (мг/кг): Na+K+- 248,4; Са+2 - 17,67; Mg+2 - 0,96; Cl - 32,2; SO4+2 - 185; НСО3- -427, рН 8,0.

Обработка раствора проведена в лаборатории при температуре 20°С. Объем обрабатываемой пробы раствора равен 1 л. Электрическая схема (Рис. ) экспериментов включала источник постоянного тока, вольтметр, амперметр 2 ш.т., генератор частоты и электролизер. Расстояние между электродами - 10 мм, температура раствора - 20°С. Площадь части пластин электродов, погруженной в раствор, составляла S =0,0133 м2=(0,157 м × 0,085 м). Корпус электролизера цилиндрической формы из прозрачного полиэтилена с плоским дном. Высота корпуса h =0,245 м, диаметр d =0,091 м. В экспериментах по осаждению кремнезема использовались электроды из алюминия.

Описание рисунка.

Рис. 1. Схема устройства осаждения кремнезема из термальных вод. 1-источник постоянного напряжения, 2-амперметр, 3-вольтметр, 4-бак для жидкости, 5-источник высокочастотного импульса, 6-кран подачи жидкости, 7-электроды, 8-кран слива жидкости.

При силе тока - 0,5 А, плотности тока - 25 А/м2, высокочастотном напряжении 30 В, частоте 12,5 МГц полное осаждение кремнезема происходит в течение пяти минут.

Подготовка и работа данной схемы заключается в следующем: заполняя бак для жидкости перекрываем краны подачи (6) и слива (8), после чего подаем постоянный ток от источника постоянного тока (1) до 5-7 А с напряжением до 30 В на вольтметре (3), далее подаем высокочастотный импульс от источника высокочастотного импульса (5) плавно меняя частоту до того, пока потребляемый постоянный ток не снизится до 0,5 А на амперметре (2).

В процессе электрохимической обработки наблюдалось образование хлопьев. После обработки хлопья осаждались. Осадок отделяли от раствора грубым фильтром. Остаточную концентрацию кремнезема в фильтрате определяли желтомолибдатным методом.

Способ осаждения кремнезема из термальных вод, отличающийся тем, что проводят электрохимическую обработку термальной воды в электролизёре, снабжённом алюминиевыми электродами, при плотности тока 25 А/м, высокочастотном напряжении 30 В, при резонансных частотах 12,5 МГц.
Способ осаждения кремнезема из термальных вод
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-30 из 46.
29.05.2018
№218.016.57f4

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора. Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654960
Дата охранного документа: 23.05.2018
29.05.2018
№218.016.5802

Способ изготовления легированных областей

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления легированных областей с пониженной дефектностью. В способе изготовления легированных областей в исходные пластины фосфида индия для формирования легированной n-области...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654984
Дата охранного документа: 23.05.2018
01.07.2018
№218.016.6980

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления биполярных транзисторов с высоким коэффициентом усиления. Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р-типа проводимости наращивают эпитаксиальный слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659328
Дата охранного документа: 29.06.2018
28.07.2018
№218.016.75f9

Способ оперативного сопровождения и управления наземными транспортными средствами

Изобретение относится к контролю движения транспортных средств (ТС). Способ оперативного сопровождения и управления наземными ТС заключается в том, что на соответствующем ТС принимают навигационные сигналы со спутников глобальной системы радионавигации, формируют пакет информации с данными,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002662623
Дата охранного документа: 26.07.2018
22.09.2018
№218.016.89df

Реактор для непрерывного перемешивания жидких растворов

Изобретение относится к реактору для непрерывного перемешивания жидких растворов и может быть использовано в промышленности, при производстве жидких продуктов: хозяйственных очистителей, этанола, пропилена, а также для очистки бензина. Реактор включает шесть труб одного размера с одинаковым...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002667453
Дата охранного документа: 19.09.2018
01.11.2018
№218.016.9878

Способ получения микроклубней картофеля in vitro

Изобретение относится к области биотехнологии. Изобретение представляет собой способ получения микроклубней картофеля in vitro, включающий черенкование пробирочных растений и высадку одноузловых черенков на агаризованную питательную среду, содержащую макро- и микроэлементы и витамины на основе...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671102
Дата охранного документа: 29.10.2018
01.11.2018
№218.016.98fb

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671294
Дата охранного документа: 30.10.2018
12.12.2018
№218.016.a59c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления подзатворного диэлектрика с пониженной плотностью дефектов. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674413
Дата охранного документа: 07.12.2018
19.01.2019
№219.016.b1a1

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677500
Дата охранного документа: 17.01.2019
03.03.2019
№219.016.d23f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженной дефектностью. Изобретение обеспечивает снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002680989
Дата охранного документа: 01.03.2019
Показаны записи 1-5 из 5.
20.11.2013
№216.012.8203

Пьезоэлектрический керамический материал

Изобретение относится к производству пьезоэлектрических керамических материалов и может быть использовано для создания высокочастотных электромеханических преобразователей, применяемых, в частности, в ультразвуковых линиях задержки (эксплуатируемых в частотном диапазоне (20÷30) мГц),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498959
Дата охранного документа: 20.11.2013
10.01.2015
№216.013.175a

Способ осаждения кремнезема из термальных вод

Изобретение относится к способам извлечения кремнезема из термальных вод и может быть применено в химической, нефтеперерабатывающей промышленности, в геотермальной энергетике. Предложен способ осаждения кремнезема из термальных вод, включающий ввод осадителя - кремнеземсодержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537406
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.04.2015
№216.013.418c

Пьезоэлектрический керамический материал

Изобретение относится к пьезоэлектрическим керамическим материалам и может быть использовано при создании высокочастотных акустоэлектрических преобразователей. Пьезоэлектрический керамический материал содержит оксиды натрия, ниобия, стронция, лития, алюминия, висмута и железа при следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002548278
Дата охранного документа: 20.04.2015
15.05.2023
№223.018.5d36

Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция

Изобретение относится к бессвинцовым сегнетоэлектрическим керамическим материалам с нелинейной зависимостью диэлектрической постоянной от напряженности приложенного электрического поля и может быть использовано для изготовления низкочастотных электронных устройств различного назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751527
Дата охранного документа: 14.07.2021
15.05.2023
№223.018.5d37

Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция

Изобретение относится к бессвинцовым сегнетоэлектрическим керамическим материалам с нелинейной зависимостью диэлектрической постоянной от напряженности приложенного электрического поля и может быть использовано для изготовления низкочастотных электронных устройств различного назначения....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751527
Дата охранного документа: 14.07.2021
+ добавить свой РИД