×
29.05.2018
218.016.56a7

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ И МЕХАНИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТИ ВАКУУМНО-ПЛОТНЫХ ОКОН ВВОДА/ВЫВОДА СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЙ (ВАРИАНТЫ)

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной и ускорительной технике для повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода и/или вывода энергии СВЧ-излучения в волноводные ускоряющие структуры и может быть использовано при создании/эксплуатации мощных современных ускорителей электронов. Одновременное повышение электрической и механической прочности диэлектрических окон ввода/вывода СВЧ-излучения достигается нанесением на одну или обе поверхности окна защитного покрытия в виде слоя клея на основе поливинилацетата толщиной 1,5-2 мм, обладающего малыми значениями коэффициентов вторичной и фотоэлектронной эмиссии, высокой адгезионной способностью к диэлектрическим материалам и высокими вакуум-прочностными свойствами. Механическая прочность вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения обеспечивается и при ее потере в результате тепловых, электрических и СВЧ-пробоев или суммарного их воздействия. Технический результат - повышение электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения в ускоряющие структуры электронных ускорителей и увеличение тем самым надежности их работы, продление сроков безаварийной эксплуатации, а также восстановление работоспособности вышедших из строя СВЧ-окон, экономии материальных и временных ресурсов при простоте реализации предлагаемого способа. 2 н.п. ф-лы.

Изобретение относится к ускорительной технике, точнее к способам повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных диэлектрических окон ввода/вывода СВЧ-излучения в последующие ускоряющие волноводные структуры. Оно может быть использовано при создании/эксплуатации мощных ускорителей электронов, в которых вакуумно-плотные окна ввода/вывода СВЧ-излучения дополнительно подвергаются действию интенсивных радиационных полей.

Из литературы известны три главные причины механического разрушения диэлектрических окон, приводящие к потере вакуума и, как следствие, к серьезным авариям (Л.Г. Суходолец. Мощные вакуумные СВЧ-приборы. Москва, 2014). Ниже кратко рассмотрены механизмы процессов, приводящих к потерям электрической и механической прочности диэлектрических окон ввода/вывода СВЧ-излучения, на снижение вероятности проявления которых направлено предлагаемое изобретение.

1. Тепловой пробой вследствие нагрева диэлектрика за счет в принципе неустранимого поглощения части проходящей энергии СВЧ-излучения (активные потери), приводящий к необходимости принудительного отвода тепла и применению диэлектриков с малым значением тангенса угла диэлектрических потерь. Эта проблема решена несколькими известными способами. Основу большинства из них составляет принудительное охлаждение волноводной секции с диэлектрическим диском охлаждающей жидкостью (Патент №2451362 РФ «Баночное окно ввода и/или вывода СВЧ-энергии». Гришин С.И. и др. Заявл. 02.02.2011). Известно также решение этой проблемы за счет обеспечения теплопроводящего контакта окна с торцами прямоугольных волноводов (Патент №2207655 РФ «Баночное окно ввода и/или вывода энергии СВЧ». Галкин B.C. и др. Опубл. 27. 06. 2003).

2. Электрический пробой волновода (СВЧ-пробой) на вакуумной стороне окна или со стороны волновода с избыточным давлением элегаза (SF6) при плохом его качестве. «СВЧ-пробой» - это процесс, при котором возникает высокотемпературная дуга, мгновенно или со временем разрушающая диэлектрик окна. Основной причиной возникновения СВЧ-пробоя является вторично-эмиссионный резонансный разряд (ВЭРР). Явление возникает вследствие электронного процесса, связанного как с параметрами проходящей СВЧ волны, так и с качеством поверхности диэлектрика на вакуумной (или не вакуумной) стороне окна. Возникновение ВЭРР связывают с появлением свободного электрона на поверхности диэлектрика, наличие его всегда вероятно в пространстве, где действуют большие электрические поля. Вероятность появления свободного электрона на поверхности диэлектрика особенного высока в присутствии ионизирующих излучений, сопровождающих работу ускорителей. Под действием электрической составляющей СВЧ-поля электрон будет ускоряться вдоль поверхности, а при его ударе, например, о микровыступы на поверхности окна возникает вторичная электронная эмиссия, характеризуемая коэффициентом вторичной электронной эмиссии σ, как отношение числа вторичных электронов к числу первичных. Большинство диэлектриков, применяемых в окнах ввода/вывода СВЧ-мощности, имеют σ=3-7, т.е. много больше единицы. При изменении полярности электрического поля вторичные электроны повторят весь цикл движения в обратном направлении, сопровождаемый бомбардировкой поверхности и рождением новых вторичных электронов. Таким образом, область колеблющегося пространственного заряда у поверхности диэлектрика получает энергию от СВЧ-поля и выделяет ее при ударе электронов о поверхность окна, которое, в итоге, нагревается и разрушается. Дополнительным эффектом, сопровождающим ВЭРР и способствующим появлению первичных электронов, является люминесценция на вакуумной стороне окна, выполняемого, как правило, из керамики Al2O3, BeO, BN и др. Описанные процессы, приводящие к СВЧ-пробою, могут происходить и не на вакуумной стороне окон. В случае применения избыточного давления элегаза (SF6) при его плохом качестве в поле ионизирующего излучения СВЧ-пробою дополнительно способствует ионизация элегаза с образованием химически активных ионов фтора и серы, бомбардирующих поверхность окна, вызывая появление вторичных электронов, способствующих возникновению СВЧ-пробоя.

3. Электрические пробои объема диэлектриков, связанные с накоплением зарядов под действием ионизирующих излучений. Радиационное заряжение диэлектриков известно, как самостоятельное физическое явление и достаточно подробно описано в литературе (Громов В.В. «Электрический заряд в облученных материалах». М, 1982. 112 с.). Следствием электрических пробоев объема вакуумно-плотного диэлектрического окна ввода/вывода СВЧ-излучения является его механическое разрушение, приводящее к потере вакуумной плотности.

Известны технические решения, близкие к предлагаемому способу.

Пример 1

Суть способа заключается в снижении величины коэффициента стоячей волны в волноводном тракте по напряжению (КСВН). При этом уменьшаются амплитуды отраженных волн и паразитных резонансов, поскольку большие отражения вызывают существенный рост амплитуды напряженности электрического поля, в котором находится окно ввода/вывода. Снижение амплитуды напряженности электрического поля приводит к снижению энергии вторичных электронов, снижению коэффициента вторичной электронной эмиссии и, как следствие, уменьшению вероятности СВЧ-пробоя (Патент РФ № 226851 «Способ изготовления ввода/вывода энергии СВЧ приборов с баночным окном». Копылов В.В. и др. Опубликован 20.01.2006). Недостатком способа являются его сложность и трудоемкость в достижении малых значений КСВН.

Пример 2

Суть способа снижения коэффициента вторичной электронной эмиссии (КВЭЭ) заключается в нанесении на диэлектрик покрытий из металлов с более низким, чем у подложки, коэффициентом вторичной эмиссии. В качестве покрытия окон ввода/вывода СВЧ-энергии используют проводящую титаносодержащую глазурь с пониженным коэффициентом вторичной электронной эмиссии, наносимую на вакуумную поверхность диэлектрика (А.С. СССР «Антидинатронное покрытие». В.Н. Батыгин и др. Опубликовано 1973. Бюллетень №17). Такое покрытие способствует стеканию объемного заряда, накопленного в диэлектрике, снижая тем самым вероятность электрического пробоя в объеме окна. Недостатком этого способа является то, что увеличение проводимости покрытия автоматически влечет за собой рост тангенса угла диэлектрических потерь и, следовательно, дополнительное поглощение СВЧ-энергии и нагрев диэлектрического окна, способствующий его разрушению.

Пример 3

В способе подавления вторичной электронной эмиссии на керамические окна наносят порошкообразный диэлектрик с низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии, например нитрид бора. Покрытие не ухудшает диэлектрических свойств керамики и, следовательно, не вызывает дополнительных тепловых потерь. Последнее обусловлено высокими диэлектрическими свойствами самого покрытия из нитрида бора (А.С. СССР «Способ получения антидинатронного покрытия на керамике». В.Г. Аветиков и др. Опубликовано 15.XI.1968. Бюллетень №35). Недостатком способа является проблема закрепления на стекле защитного порошкообразного покрытия, что снижает надежность получаемого устройства.

Способы, описанные в примерах 1-2, направлены на снижение вероятности СВЧ-пробоя за счет снижения напряженности электрического поля у поверхности окна (Пример 1), увеличения проводимости поверхности окон, снижение коэффициента вторичной электронной эмиссии (Пример 2). Недостатком способов, приведенных в примерах 1-2, является то, что каждый из них направлен на снижение вероятности проявления только одного механизма, приводящего к снижению СВЧ-пробоя. Ни в одном из способов (Примеры 1-2) не обеспечивается механическая прочность вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения в случае ее потери в результате тепловых, электрических и СВЧ-пробоев или суммарного их воздействия.

Задачей, решаемой в предлагаемом изобретении, вытекающем из анализа причин, приводящих к потере электрической и механической прочности вакуумно-плотных диэлектрических окон ввода/вывода СВЧ-энергии, является разработка способа одновременного повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных СВЧ-окон за счет снижения вероятности возникновения СВЧ-пробоев и сохранения вакуумной плотности при механическом разрушении диэлектрических окон в результате электрических пробоев их объемов.

Поставленная задача повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения решается тем, что

1) на поверхность диэлектрического окна со стороны источника СВЧ-излучения наносят слой клея на основе поливинилацетата в жидкой фазе толщиной 1,5-2 мм, после чего высушивают покрытие в течение 24 часов до получения гладкой твердофазной поверхности покрытия,

2) на обе поверхности диэлектрического окна наносят слой клея на основе поливинилацетата в жидкой фазе толщиной 1,5-2 мм, после чего высушивают покрытие в течение 24 часов до получения гладкой твердофазной поверхности покрытия.

Пример осуществления способа повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения по п. 1

Для реализации способа использовалось волноводное СВЧ-окно типа ТН20674 фирмы THALES ELECTRON DEVICES (Франция, стоимость 15000 евро) с толщиной стенки диэлектрической пластины 2,5 мм. Причем данное окно было уже непригодно к эксплуатации из-за образования в нем сквозных микротрещин и потери вакуумной плотности вследствие электрических и СВЧ-пробоев. В предлагаемом способе для нанесения покрытия использован клей на основе поливинилацетата, устойчивый к ионизирующим полям, СВЧ-излучению и пригодный для применения в высоковакуумных установках.

После нанесения на окно (ввода/вывода СВЧ-излучения) клеевого слоя в жидкой фазе толщиной 1-2 мм со стороны СВЧ-излучателя покрытие высушивалось в течение 24 часов до приобретения вида гладкого стеклообразного твердого покрытия. Толщина клеевого покрытия выбиралась из условия минимального поглощения СВЧ-излучения и необходимости поглощения в нем вторичных электронов, образовавшихся в диэлектрике под действием ионизирующего излучения (пробеги таких электронов с энергией 70-100 КэВ составляют величину 0,8-1,58 мм, соответственно). Нанесение покрытия в жидкой фазе позволяет сгладить микронеровности поверхности керамического окна, а при его застывании образовывать новую гладкую твердофазную вакуумно-плотную поверхность с низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии и тем самым снижать вероятность образования вторичных электронов. После нанесения клеевого слоя толщиной 1,5 мм со стороны СВЧ-излучения вышедший ранее из строя СВЧ-модуль был вновь установлен в ускоритель. Испытания проводились в штатном режиме укорителя, энергия ускоренных электронов 10 МэВ, ток пучка 1 мА, а мощность СВЧ-излучения клистрона 5 МВт. Восстановленное СВЧ-окно (на момент подачи изобретения) проработало 8 месяцев без пробоев и ограничений передаваемой СВЧ-мощности, без нагрева окна и видимых изменений в защитном клеевом слое.

Пример осуществления способа повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения по п. 2

Исследуемое окно ввода/вывода СВЧ-излучения работало в составе линейного ускорителя электронов УРЛС-10-10С, изготовитель CORAD (Санкт-Петербург). Энергия ускоренных электронов 10 МэВ, ток пучка 1 мА. Мощность СВЧ-излучения клистрона 5 МВт. Согласно предлагаемому способу для нанесения покрытия использован клей на основе поливинилацетата, устойчивый к ионизирующим полям, СВЧ-излучению и пригодный для применения в высоковакуумных установках. После нанесения на окно клеевого слоя в жидкой фазе толщиной 1-2 мм как со стороны СВЧ-излучателя, так и со стороны вакуумной части волновода покрытие высушивалось в течение 24 часов до приобретения вида гладкого стеклообразного твердого покрытия. Толщина клеевого покрытия выбиралась из тех же условий минимального поглощения СВЧ-излучения и необходимости поглощения в нем вторичных электронов, образовавшихся в диэлектрике под действием ионизирующего излучения, что и в примере по п. 1. Нанесение защитного покрытия в жидкой фазе с обеих сторон диэлектрического окна позволяет сгладить микронеровности поверхности обеих сторон окна, а при его застывании образовывать новую гладкую твердофазную вакуумно-плотную поверхность с низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии и тем самым снижать вероятность образования вторичных электронов. По истечении полугода непрерывной и безаварийной работы ускорителя был проведен осмотр окна, в результате которого в слоях покрытий видимых изменений обнаружено не было.

Как показали проведенные испытания, использование клеевого слоя на основе поливинилацетата обеспечивает простоту способа одновременного повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения, надежность, долговечность, экономию материальных и временных ресурсов. Важным преимуществом предлагаемого способа является возможность не только защищать вновь вводимые в эксплуатацию СВЧ-окна, значительно увеличивая срок их службы, но и восстанавливать работоспособность окон, потерявших вакуумную плотность (пример способа по п. 1). Причем восстановление вышедшего из строя окна не требовало его технически сложного извлечения из конструкции волноводной секции.

Использование клеевого слоя на основе поливинилацетата, обладающего малыми значениями коэффициентов вторичной и фотоэлектронной эмиссии, высокой адгезионной способностью к диэлектрическим материалам и высокими вакуум-прочностными свойствами и низким значением тангенса угла диэлектрических потерь, а также высокой радиационной стойкостью, обеспечивает простоту способа одновременного повышения электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-мощности, обеспечивает надежность, долговечность, экономию материальных и временных ресурсов.

Технический результат предлагаемого решения заключается в том, что процессы микроструктурирования приграничных слоев клей - диэлектрическое СВЧ-окно приводят к повышению электрической и механической прочности вакуумно-плотных окон ввода/вывода СВЧ-излучения в ускоряющие структуры электронных ускорителей и увеличению тем самым надежности их работы, к продлению сроков безаварийной эксплуатации, а также к восстановлению работоспособности вышедших из строя СВЧ-окон, экономии материальных и временных ресурсов при простоте реализации предлагаемого способа.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 171-180 из 207.
12.04.2023
№223.018.4480

Способ получения сложнооксидных материалов

Изобретение относится к области получения неорганических материалов – оксидов и сложных оксидов металлов в виде порошков, керамики и покрытий. Описан способ получения сложнооксидных материалов, характеризующийся тем, что в качестве исходных веществ берут растворимые термически неустойчивые соли...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002733966
Дата охранного документа: 08.10.2020
12.04.2023
№223.018.44ab

Способ и устройство для изготовления оребренной тонколистовой панели

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления оребренной тонколистовой панели и может быть использовано в конструкциях рекуперативных теплообменников. Изготавливают оребренную тонколистовую панель, которая содержит выполненное из металлического листа основание (1) и приваренные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002774715
Дата охранного документа: 22.06.2022
12.04.2023
№223.018.4532

Элементарная ячейка литий-ионного аккумулятора и аккумулятор на ее основе

Изобретение относится к материалам литий-ионных аккумуляторов с высокой удельной энергией. Элементарная ячейка аккумулятора состоит из токосъемников, анода, катода, электролита и изолятора. В качестве электролитов используют тонкопленочные электролиты, в качестве катодов – катионпроводящие по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759843
Дата охранного документа: 18.11.2021
12.04.2023
№223.018.4578

Терагерцовый кристалл

Изобретение относится к терагерцовым (ТГц) материалам прозрачным в видимом, инфракрасном (0,5 – 50,0 мкм), терагерцовом и миллиметровом диапазонах – 0,05 – 10,0 ТГц, что соответствует длинам волн 6000,0 – 30,0 мкм. Терагерцовый кристалл согласно изобретению характеризуется тем, что он выполнен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756582
Дата охранного документа: 01.10.2021
12.04.2023
№223.018.457e

Терагерцовый кристалл

Изобретение относится к терагерцовым (ТГц) материалам, а именно к кристаллам востребованных для применения в медицине, фармацевтике, таможенном дистанционном контроле и в других областях. Терагерцовый кристалл согласно изобретению характеризуется тем, что выполнен на основе однофазных твердых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756580
Дата охранного документа: 01.10.2021
12.04.2023
№223.018.4581

Терагерцовый кристалл

Изобретение относится к терагерцовым (ТГц) материалам, используемым в производстве терагерцовой оптики. Терагерцовый кристалл согласно изобретению характеризуется тем, что выполнен на основе однофазных твердых растворов системы AgCl – AgBr – TlI и содержит хлорид, бромид серебра и иодид...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002756581
Дата охранного документа: 01.10.2021
12.04.2023
№223.018.48f7

Передача винт-гайка скольжения

Изобретение относится к области машиностроения и предназначено для использования в механизмах подачи. Передача винт-гайка скольжения состоит из гидробака, дросселей, гидронасоса с приводом и переливного клапана, соединенного с выходным каналом насоса и гидробаком. Также она содержит винт с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793788
Дата охранного документа: 06.04.2023
20.04.2023
№223.018.4c21

Применение натриевой соли диэтилового эфира 4-оксо-1,4-дигидропиразоло[5,1-с]-1,2,4-триазин-3,8-дикарбоновой кислоты, моногидрата в качестве средства лечения и профилактики поздних осложнений сахарного диабета

Изобретение относится к применению натриевой соли диэтилового эфира 4-оксо-1,4-дигидропиразоло[5,1-с]-1,2,4-триазин-3,8-дикарбоновой кислоты, моногидрата формулы I в качестве средства лечения и профилактики отдаленных последствий сахарного диабета. Натриевая соль диэтилового эфира...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002765117
Дата охранного документа: 25.01.2022
10.05.2023
№223.018.538f

Способ определения микронеоднородности расплава образца многокомпонентного металлического сплава

Изобретение относится к технической физике и металлургии. Предложен способ определения микронеоднородности расплава образца многокомпонентного металлического сплава посредством получения температурных зависимостей кинематической вязкости ν(T) при нагреве и охлаждении расплавленного образца...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002795262
Дата охранного документа: 02.05.2023
10.05.2023
№223.018.53b4

Применение 2-(пирен-1-ил)нафто[1,2-d]оксазолил-5-сульфокислоты в качестве мономолекулярного агента для фотодинамической терапии

Изобретение относится к области биологически активных соединений, а именно к применению 2-(пирен-1-ил)нафто[1,2-d]оксазолил-5-сульфокислоты. Технический результат: применение 2-(пирен-1-ил)нафто[1,2-d]оксазолил-5-сульфокислоты в качестве мономолекулярного агента для генерирования радикальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002795221
Дата охранного документа: 02.05.2023
Показаны записи 11-18 из 18.
09.06.2018
№218.016.5cf4

Рабочее вещество для термолюминесцентной дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения

Изобретение относится к области радиоэкологического мониторинга и дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения и может быть использовано в персональных и аварийных дозиметрах для определения дозозатрат персонала рентгеновских кабинетов, мобильных комплексов радиационного контроля, зон с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002656022
Дата охранного документа: 30.05.2018
09.08.2018
№218.016.7908

Термолюминофор

Изобретение относится к области низкотемпературной дозиметрии рентгеновского, а также смешанного электронного и гамма-излучения с использованием термолюминесцентных датчиков – термолюминофоров. Предложен термолюминофор на основе фторида натрия, который дополнительно содержит фторид лития и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002663296
Дата охранного документа: 03.08.2018
11.10.2018
№218.016.90c4

Термолюминофор

Изобретение относится к области низкотемпературной термолюминесцентной дозиметрии рентгеновского и гамма-излучения. Термолюминофор для низкотемпературной ТСЛ-дозиметрии на основе алона AlON, синтезированного из химически чистого α-AlO и нитрида алюминия, содержащего ряд примесей, при этом имеет...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668942
Дата охранного документа: 05.10.2018
10.04.2019
№219.017.056a

Способ получения волоконных сцинтилляторов

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, конкретно к волоконным сцинтилляторам, предназначенным для измерения ионизирующих излучений. Способ получения волоконных сцинтилляторов, включающий разогрев материала сцинтиллятора с последующим формированием структуры волокна,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002361239
Дата охранного документа: 10.07.2009
20.05.2019
№219.017.5c90

Способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур

Использование: для диагностики реальной структуры нанотонких кристаллов. Сущность изобретения заключается в том, что способ диагностики эволюции нанотонких пространственных структур включает электронно-микроскопические, микродифракционные исследования, выявление последовательности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687876
Дата охранного документа: 16.05.2019
22.06.2019
№219.017.8e3d

Способ создания лазерно-активных центров окраски в α-alo

Изобретение относится к области лазерной техники. Способ создания лазерно-активных центров окраски в α-AlO заключается в том, что простые центры окраски - кислородные вакансии, захватившие один или два электрона (F- и F-центры), созданные при выращивании или в результате термохимической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692128
Дата охранного документа: 21.06.2019
20.08.2019
№219.017.c193

Способ получения тонкослойных детекторов ионизирующих излучений для кожной и глазной дозиметрии, использующий стандартный детектор alo:с на базе анион-дефектного корунда

Изобретение относится к дозиметрии ионизирующих излучений. Предлагается способ получения тонкослойных детекторов ионизирующих излучений для кожной и глазной дозиметрии, использующий стандартный детектор АlО:С на базе анион-дефектного корунда, при этом детектор нагревают до температуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697661
Дата охранного документа: 16.08.2019
12.04.2023
№223.018.4450

Способ получения субмикронных кристаллов нитрида алюминия

Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002738328
Дата охранного документа: 11.12.2020
+ добавить свой РИД