×
29.12.2017
217.015.fc20

Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к средствам защиты, в частности к устройствам защиты нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы. Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения, который выполнен металлическим, толщиной от 10 до 1000 микрометров с габаритными размерами, соответствующими размерам электрода плазмохимического реактора, и имеющего отверстия в местах расположения отверстий на электроде реактора плазмохимического осаждения. В частных случаях осуществления изобретения указанный экран содержит дополнительное защитное покрытие, выполненное из нитрида кремния или карбида кремния, или оксида алюминия, или выполненное никелированием для повышения износостойкости или для повышения химической стойкости. Экран может быть выполнен из цельного металлического листа или из отдельных металлических составных элементов. Обеспечивается снижение износа электрода реактора плазмохимического осаждения. 4 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Реферат Свернуть Развернуть

Область техники, к которой относится изобретение

Изобретение относится к средствам защиты, в частности к устройствам защиты нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы.

Уровень техники

В настоящее время для пассивации поверхности кремниевых пластин при производстве солнечных модулей используется метод плазмохимического осаждения из газовой фазы. В частности этот способ используется для осаждения слоев аморфных, микро- и нанокристаллических материалов, например аморфного кремния, на различные подложки.

В процессе производства подложки или держатели подложек (далее подложки) загружаются в реактор и устанавливаются на нижний электрод. Нижний электрод реактора плазмохимического осаждения обычно выполняется из алюминиевых сплавов, (например, электрод реактора установки плазмохимического осаждения KAI 1200 производства компании Oerlikon (см. [1] WO 2015070967, МПК С23С 14/06, опубл. 21.05.2015). При этом нижний электрод выполняет функцию стола, на который укладываются подложки во время плазмохимического процесса (см. [2] RU 2300158, МПК H01L 21/3065, опубл. 27.05.2007).

Недостатком известных способов, когда подложка укладывается на электрод, является то, что температура подложек, загружаемых в реактор, как правило, значительно отличается от температуры реактора и температуры нижнего электрода. В результате этого, в процессе нахождения на нижнем электроде, подложка нагревается и испытывает линейное тепловое расширение. В связи с тем, что между подложкой, загруженной в реактор, и электродом существует трение, это повреждает нижний электрод реактора, в результате появляются царапины. Также при использовании стеклянных подложек при их нагреве возможен бой. Осколки стекла, образовавшиеся в результате боя, могут также повредить поверхность электрода. Решение данной проблемы может заключаться в установке защитного экрана между подложкой и электродом.

Из уровня техники известен способ изготовления полупроводниковой подложки для автоэмиссионного катода (см. [2] RU 2524353, МПК H01L 21/28, опубл. 27.07.2014). Способ реализуется следующим образом. Верхний и нижний электроды изготавливались из меди и платины соответственно. Со стороны, где имеет место контакт кремниевой пластины с раствором электролита, она прижимается через резиновое уплотнение к стенке электрохимической ячейки. В стенке ячейки и в резиновом уплотнении изготавливались отверстия для прохождения излучения от источника, которые при сборке совмещались. С обратной по отношению к электрохимической ячейки стороны кремниевая пластина находится в контакте с медным электродом.

Известен реактор для плазмохимического осаждения веществ из газовой фазы ([3] RU 2258763, МПК H01L 21/28, опубл. 27.07.2014), предназначенный для нанесения декоративных покрытий на изделия из стекла, керамики. Реактор содержит вакуумную камеру с электродом и нагревателем внутри нее и ВЧ-генератор. Подготовленные изделия устанавливают на электрод, нагревают в вакуумной камере и откачивают из нее воздух. На электрод подают напряжение с ВЧ-генератора. В результате действия высокочастотного разряда на молекулы газа происходит их диссоциация и осаждение на горячую поверхность изделий. Недостаток описанного устройства, как указано ранее - укладка подложки непосредственно на электрод, что приводит к повреждению нижнего электрода реактора, происходит механическое его повреждение, появляются царапины.

Сущность изобретения

Задачей заявленного изобретения является защита электрода реактора плазмохимического осаждения от повреждений.

Техническим результатом является снижение износа электрода реактора плазмохимического осаждения.

Технический результат достигается за счет защитного экрана для электрода реактора плазмохимического осаждения, выполненного металлическим, толщиной от 10 до 1000 микрометров с габаритными размерами, соответствующими размерам подложки или электрода плазмохимического реактора, и имеющего отверстия в местах расположения отверстий на электроде реактора плазмохимического осаждения и выполняющего защитную функцию.

Технический результат также достигается тем, что экран содержит дополнительное защитное покрытие, повышающее износостойкость.

Технический результат также достигается тем, что экран содержит дополнительное защитное покрытие, повышающее химическую стойкость.

Технический результат также достигается тем, что экран выполнен из цельного металлического листа или экран выполнен из отдельных металлических составных элементов.

Краткое описание чертежей

Фигура 1 - общий вид защитного экрана.

Фигура 2 - разрез общего вида по сечению А-А.

Позиции, указанные на фигурах:

1 - Электрод реактора; 2 - Защитный экран; 3 - Держатель подложек; 4 - Подъемный палец (пин, элемент подъемного механизма).

Осуществление изобретения

Защитный экран нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы необходим для защиты электрода от механических повреждений в процессе эксплуатации.

Защитный экран (2) для электрода реактора (1) плазмохимического осаждения выполняют металлическим, толщиной от 10 до 1000 мкм. Нижний предел объясняется механическими свойствами. Более тонкие материалы могут не выдержать механических нагрузок. Верхний предел, в нашем случае, определен минимизацией влияния на зазор между электродами. Размер и форма экрана определяются конфигурацией подложки (3) или электрода (1). Экран может выполняться из цельного металлического листа или из отдельных металлических составных элементов. Подразумевается, что если поверхность электрода большая, то можно восполнить экран из сегментов (составных элементов), и заменять при износе можно тоже сегменты.

На поверхности листа присутствуют отверстия, совпадающие или больше, чем отверстия на электроде (необходимые, например, для механизма поднятия подложки). Отверстия в экране расположены в местах расположения отверстий на электроде реактора. Диаметр отверстий и габариты выбираются таким образом, чтобы не нарушать работу реактора. После установки защитного экрана в реактор, отверстия на поверхности электрода не должны быть заблокированы. Элементы подъемных механизмов (4), например подъемные пальцы, должны свободно проходить через отверстия или вырезы защитного экрана, не задирать и не смещать его. Толщина защитного экрана выбирается так, чтобы минимизировать влияние данной модификации реактора на разряд плазмы. Поверхность защитного экрана может иметь покрытие, повышающие какие-либо его свойства, например износостойкость или химическую стойкость.

Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения укладывается на поверхность электрода таким образом, чтобы отверстия защитного экрана и электрода совпали.

Экран может иметь дополнительные защитные покрытия, например, из нитрида кремния, карбида кремния, Al2O3, никелирование, повышающие износостойкость.

Также экран может иметь дополнительное защитное покрытие для повышения химической стойкости, на пример из Al2O3, никелирование, нитрид кремния, оксид кремния.

Пример

Были изготовлены защитные экраны для установки плазмохимического осаждения из газовой фазы. Защитный экран был изготовлен в трех исполнениях, из различных материалов: алюминиевый сплав, нержавеющая сталь, титановый сплав.

Установка защитного экрана проводилась в реактор, путем укладки на нижний электрод. Дополнительные средства для фиксации защитного экрана не применялись. На поверхности нижнего электрода реактора присутствовали отверстия для подъемных пальцев. В связи с этим экран был изготовлен с отверстиями, большего диаметра, чем диаметр отверстий для подъемных пальцев в нижнем электроде, при этом центры отверстий нижнего электрода и защитного экрана совпадали. Свободная работа подъемных пальцев необходима, для корректной работы загрузочной системы установки, в которой применялся защитный экран.

Схематическое изображение нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения с установленным защитным экраном представлено на фигуре 1. В процессе загрузки в реактор на специализированных загрузочных вилах загружается подложка, после этого выдвигаются подъемные пальцы, приподнимающие подложку над вилами. За счет того, что в защитном экране электрода в местах расположения подъемных пальцев присутствуют соответствующие отверстия, подъемные пальцы могут свободно проходить через низ. После того, как вилы загрузочного механизма убираются из реактора, подъемные пальцы задвигаются, опуская подложку на поверхность защитного экрана. Совместное расположение подложки, защитного экрана, нижнего электрода и подъемных пальцев представлено на фигуре 2.

Испытания защитных экранов из алюминиевого сплава, нержавеющей стали и титанового сплава показали, что все эти материалы пригодны для применения в качестве защитного электрода реактора. При применении данных защитных экранов повреждений, характерных для повреждений от трения подложки о поверхность электрода в процессе теплового расширения, на поверхности нижнего электрода не наблюдалось.

Применение защитного экрана решает:

1. проблему механического износа электрода, возникающего от воздействия подложек на поверхность электрода при контакте и при линейном тепловом расширении.

2. проблему влияния материала электрода на свойства получаемых в плазмохимическом процессе материалов.

3. Проблему образования фторида алюминия в процессе очистки реактора от образовавшегося в процессе работы кремния (в случае если реактор используется для получения слоев кремния, производится периодическая очистка стенок реактора, как правило, с применением трифторида азота).

В случае износа защитный экран может быть легко заменен, без необходимости сложных калибровок и настроек реактора, как в случае замены электрода или, а в некоторых случаях, всего реактора установки, при его износе.


Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения
Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 14.
27.01.2014
№216.012.9cf6

Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке

Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505888
Дата охранного документа: 27.01.2014
20.10.2015
№216.013.86b1

Содопированное оксидами гадолиния и самария алюмоборосиликатное стекло с повышенной радиационной стойкостью

Изобретение относится к области иммобилизации и хранения ядерных отходов. Предложена композиция содопированного оксидами самария и гадолиния алюмоборосиликатного стекла с повышенной радиационной стойкостью для иммобилизации и хранения радиоактивных отходов, состоящая из (молярные проценты): SiO...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566084
Дата охранного документа: 20.10.2015
12.01.2017
№217.015.5f1a

Солнечный элемент

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Солнечный элемент согласно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590284
Дата охранного документа: 10.07.2016
25.08.2017
№217.015.b4ce

Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614080
Дата охранного документа: 22.03.2017
25.08.2017
№217.015.cc25

Способ и устройство переворота подложек в процессе производства фотопреобразователей

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620452
Дата охранного документа: 25.05.2017
26.08.2017
№217.015.da54

Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния, в частности к способу контактирования контактных шин к пластинам фотоэлектрических преобразователей с применением адгезивов и ультразвуковой пайки. Способ коммутации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623820
Дата охранного документа: 29.06.2017
26.08.2017
№217.015.df01

Контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния и способ ее изготовления

Использование: для изготовления как солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероперехода, так и для классических кристаллических и поликристаллических фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что контактная сетка гетеропереходного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624990
Дата охранного документа: 11.07.2017
19.01.2018
№218.016.0a7c

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632267
Дата охранного документа: 03.10.2017
19.01.2018
№218.016.0a8b

Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632266
Дата охранного документа: 03.10.2017
10.05.2018
№218.016.3de9

Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления

Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002648341
Дата охранного документа: 23.03.2018
Показаны записи 1-10 из 14.
27.01.2014
№216.012.9cf6

Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке

Изобретение относится к технологии тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей с текстурированным слоем прозрачного проводящего оксида. Способ получения слоя прозрачного проводящего оксида на стеклянной подложке включает нанесение на стеклянную подложку слоя оксида цинка ZnO химическим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002505888
Дата охранного документа: 27.01.2014
20.10.2015
№216.013.86b1

Содопированное оксидами гадолиния и самария алюмоборосиликатное стекло с повышенной радиационной стойкостью

Изобретение относится к области иммобилизации и хранения ядерных отходов. Предложена композиция содопированного оксидами самария и гадолиния алюмоборосиликатного стекла с повышенной радиационной стойкостью для иммобилизации и хранения радиоактивных отходов, состоящая из (молярные проценты): SiO...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566084
Дата охранного документа: 20.10.2015
12.01.2017
№217.015.5f1a

Солнечный элемент

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при конструировании солнечных элементов, которые используются в энергетике, космических и военных технологиях, горнодобывающей, нефтеперерабатывающей, химической отраслях промышленности и др. Солнечный элемент согласно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590284
Дата охранного документа: 10.07.2016
25.08.2017
№217.015.b4ce

Пассивация поверхности кремниевых пластин методом магнетронного распыления

Изобретение относится к пассивации поверхности пластин кремния. Пассивация поверхности кремниевых пластин включает очистку пластин кристаллического кремния, распыление кремния магнетроном с кремниевой мишенью. Процесс распыления кремниевой мишени выполняют в атмосфере аргона (Ar) с добавлением...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614080
Дата охранного документа: 22.03.2017
25.08.2017
№217.015.cc25

Способ и устройство переворота подложек в процессе производства фотопреобразователей

Изобретение относится к технологическому оборудованию, используемому в процессах обработки пластин полупроводников. Способ переворота подложек включает установку первого подложкодержателя с посадочными местами, в которых расположены подложки, на поворотный стол при помощи механизма загрузки,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620452
Дата охранного документа: 25.05.2017
26.08.2017
№217.015.da54

Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей

Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния, в частности к способу контактирования контактных шин к пластинам фотоэлектрических преобразователей с применением адгезивов и ультразвуковой пайки. Способ коммутации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623820
Дата охранного документа: 29.06.2017
26.08.2017
№217.015.df01

Контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния и способ ее изготовления

Использование: для изготовления как солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероперехода, так и для классических кристаллических и поликристаллических фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что контактная сетка гетеропереходного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002624990
Дата охранного документа: 11.07.2017
19.01.2018
№218.016.0a7c

Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния и линия по его производству

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к структуре фотопреобразователей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния и к линии по производству фотопреобразователей. Структура фотопреобразователя на основе кристаллического кремния включает:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632267
Дата охранного документа: 03.10.2017
19.01.2018
№218.016.0a8b

Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, а именно к изготовлению активных слоев солнечных модулей на основе монокристаллического или поликристаллического кремния. Солнечный модуль на основе кристаллического кремния включает пластину поликристаллического или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002632266
Дата охранного документа: 03.10.2017
10.05.2018
№218.016.3de9

Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления

Изобретение относится к структуре двухкаскадного тонкопленочного солнечного модуля (фотопреобразователя) на основе аморфного и микрокристаллического кремния. Тонкопленочный солнечный модуль состоит из последовательно расположенных: фронтальной стеклянной подложки, фронтального контактного слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002648341
Дата охранного документа: 23.03.2018
+ добавить свой РИД