×
20.11.2017
217.015.ef60

Результат интеллектуальной деятельности: УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к СВЧ-умножителям частоты высокой кратности, применяемым для получения сигнала высокой частоты с низким уровнем фазового шума в выходном сигнале. Технический результат заключается в расширении арсенала средств. Умножитель частоты включает согласующую цепь входного сигнала, на входе которой стоит первый конденсатор, параллельно которому на землю включен второй конденсатор, последовательно включена первая катушка индуктивности, выход которой подключен к параллельно включенным третьему конденсатору и резистору, а также к входу второй катушки индуктивности, выход которой соединен с анодом первого диода и катодом второго диода, катод и анод которых соответственно соединены с земляной шиной, выход второй катушки индуктивности гальванически соединен с входным элементом узкополосного пропускающего фильтра, выполненного в микрополосковом исполнении в виде встречных шпильковых резонаторов, последовательно расположенных между входным и выходным элементами фильтра, согласно решению содержит n–i–p–i–n-диод, одна n-область которого гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к СВЧ-умножителям частоты высокой кратности, применяемым для получения сигнала высокой частоты с низким уровнем фазового шума в выходном сигнале.

Известен нелинейный умножитель частоты (см. патент CN 101741315, МПК H03B 19/18, опубл. 16.06.2010), в котором эквивалентная схема нелинейных линий состоит из переменного конденсатора и шунтирующей индуктивности, а конденсатор переменной емкости представляет собой p–i–n-диод с автоматическим смещением.

Однако в данной схеме в качестве умножительного диода используется p–i–n-диод, КПД которого ниже, чем у умножительных диодов, выполненных на диодах с накоплением заряда (ДНЗ).

Известен переключаемый СВЧ усилитель/умножитель (см. патент US 4401952, МПК H03F 3/16; H03F 3/60), в котором имеется полевой арсенид-галлиевый транзистор, переключение между каналами в котором осуществляется при помощи p–i–n-диодов (включенных в прямом и обратном направлении).

Однако использование p–i–n-диодов в качестве отдельных коммутаторов, включающих и выключающих каналы, увеличивает габаритные размеры устройства, а также позволяет получить запирание максимум до 20 дБ, что недостаточно для большинства СВЧ устройств.

Наиболее близким к заявляемому изобретению является СВЧ-умножитель высокой кратности, состоящий из емкостного делителя, переменного резистора R1 и переменных индуктивностей L1 и L2 (Д.А. Усанов, В.Н. Посадский, А.В. Скрипаль, В.С. Тяжлов, Д.В. Григорьев СВЧ-умножители высокой кратности// Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4. С. 48–50). В качестве умножительных диодов в нём использовались серийно выпускаемые планарно-эпитаксиальные диоды 2А604А. Данная схема может применяться либо в одноканальных умножителях частоты с одним значением выходной частоты в канале, либо с несколькими значениями частоты, но в этом случае только совместно с использованием дополнительных коммутирующих узлов.

Однако включение в устройство дополнительных коммутирующих узлов увеличивает габаритные размеры устройства и не позволяет получить необходимого уровня запирания сигнала со значением частоты в спектре отличным от частоты умноженного сигнала.

Задачей заявляемого изобретения является создание коммутируемого умножителя частоты.

Технический результат заключается в достижении высокого уровня запирания сигнала с частотой, отличной от умноженного сигнала, при малых габаритных размерах устройства.

Указанный технический результат достигается тем, что умножитель частоты высокой кратности, включающий согласующую цепь входного сигнала, на входе которой стоит первый конденсатор, параллельно которому на землю включен второй конденсатор, последовательно включена первая катушка индуктивности, выход которой подключен к параллельно включенным третьему конденсатору и резистору, а также к входу второй катушки индуктивности, выход которой соединен с анодом первого диода и катодом второго диода, катод и анод которых соответственно соединены с земляной шиной, выход второй катушки индуктивности гальванически соединен с входным элементом узкополосного пропускающего фильтра, выполненного в микрополосковом исполнении в виде встречных шпильковых резонаторов, последовательно расположенных между входным и выходным элементами фильтра, согласно решению содержит n–i–p–i–n-диод, одна n-область которого гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения. Умножитель содержит дополнительный n–i–p–i–n-диод, одна n-область которого гальванически соединена с одним концом одиного из центральных шпильковых резонаторов, имеющих гальваническую связь с земляной шиной, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с другим концом этого же шпилькового резонатора, p-область дополнительного n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения. Катушки индуктивности и резистор выполнены в виде микрополосковых линий.

Предлагаемое устройство поясняется чертежами:

Фиг.1. Схема умножителя частоты высокой кратности

Фиг.2. Полосно-пропускающий фильтр, настроенный на 24-ю гармонику, с встроенным n–i–p–i–n-диодом;

Фиг.3. Полосно-пропускающий фильтр, настроенный на 24-ю гармонику, с встроенным n–i–p–i–n-диодом и дополнительным n–i–p–i–n-диодом.

Позициями на чертежах обозначены:

1 – входной усилитель;

2 – первый конденсатор;

3 – второй конденсатор;

4 – первая подстраиваемая катушка индуктивности;

5 – резистор;

6 – третий конденсатор;

7 – вторая подстраиваемая катушка индуктивности;

8 – первый диод с накоплением заряда;

9 – второй диод с накоплением заряда;

10 – полосно-пропускающий фильтр, настроенный на искомую гармонику, с встроенным n–i–p–i–n-диодом;

11 – выходной усилитель.

Умножитель состоит из емкостного делителя, включающего первый 2 и второй 3 конденсаторы, который последовательно соединен с первой 4 подстраиваемой катушкой индуктивности, которая параллельно соединена с третьим конденсатором 6 и резистором 5, и последовательно со второй 7 подстраиваемой катушкой индуктивности, выход которой соединен с анодом первого диода 8 и катодом второго диода 9, и с входным элементом микрополоскового фильтра 10, представляющим собой разомкнутый отрезок микрополосковой линии. Между входным элементом микрополоскового фильтра и первым шпильковым резонатором включается n-i-p-i-n диод, одна n-область которого гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения.

Сущность заявляемого изобретения заключается в том, что в схеме умножителя использован емкостной делитель, состоящий из конденсаторов 3 и 6, последовательно к которому подключены переменные индуктивности 4 и 7, а также резистор 5, соединенный с общей точкой между индуктивностями 4 и 7. Умножительные диоды, в качестве которых использовались серийно выпускаемые планарно-эпитаксиальные диоды (ДНЗ), были включены встречно и параллельно, что обеспечило повышение коэффициента преобразования и снижение коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) системы, при этом анод первого и катод второго диода были соединены с выходом индуктивности 7, а катод первого и анод второго диода соединены с земляной шиной.

Для выделения из спектра искомого умноженного сигнала использовался настроенный на необходимую гармонику выходной полосно-пропускающий многозвенный фильтр 10, выполненный в виде последовательно расположенных встречных шпильковых резонаторов в микрополосковом исполнении, входной элемент которого, представляющий собой разомкнутый отрезок микрополосковой линии, был соединен с общей точкой соединения анода первого и катода второго диода. Выходной элемент полосно-пропускающего многозвенного фильтра, представляющий собой разомкнутый отрезок микрополосковой линии, соединен с выходным усилителем.

В заявляемом умножителе, наряду с вышеуказанными признаками, включается встроенный n-i-p-i-n диод, одна n-область которого гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, представляющим собой разомкнутый отрезок микрополосковой линии, другая n-область n–i–p–i–n-диода гальванически соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление соединена с положительным полюсом источника постоянного напряжения.

Основным отличием данного изобретения является то, что коммутация сигнала происходит за счет того, что при подаче положительного смещения на p-область n–i–p–i–n-диода, за счет изменения положения рабочей точки на вольтамперной характеристике умножительных диодов от оптимального значения, вследствие протекания тока через умножительный диод, анод которого гальванически соединен с входным элементом микрополоскового фильтра, резко снижается КПД умножителя, что приводит к отсутствию сигнала на его выходе.

Таким образом, заявляемое изобретение в одном устройстве реализует коммутируемый умножитель с высоким КПД преобразования частоты за счет двух встречно включенных диодов с накоплением заряда (ДНЗ). Введение n–i–p–i–n-диода в узел фильтра позволяет добиться высокого уровня запирания и сохранения минимальных габаритных размеров умножителя благодаря отсутствию отдельных узлов коммутатора.

В схеме, представленной на фиг.1, в качестве конденсаторов используются конденсаторы с диэлектриком NPO (обозначение для диэлектрика соответствующее самой высокой температурной стабильности и одновременно минимальной зависимости изменения емкости от приложенного напряжения): первый конденсатор 2 номиналом 82 пФ, второй 3 и третий 6 конденсаторы по 20 пФ; резистор 5 перестраивается в диапазоне 0–1288 Ом; переменная индуктивность 4 перестраивается в диапазоне 0–48 нГн и индуктивность 7 перестраивается в диапазоне 0–10 нГн. В качестве умножительных диодов 8 и 9 использовались серийно выпускаемые планарно-эпитаксиальные диоды 2А604А. Диоды были включены встречно и параллельно, что обеспечило повышение коэффициента преобразования и снижение КСВН системы.

Для выделения из спектра умноженного сигнала использовался настроенный на необходимую 24-ю гармонику выходной полосно-пропускающий фильтр 10, выполненный в микрополосковом исполнении.

Входной сигнал поступает на входной усилитель 1, который обеспечивает достижение требуемого уровня опорного сигнала, подаваемого на умножитель, выполненный на диодах с накоплением зарядов 2А604А. Выделение необходимой гармоники производится с помощью встроенного в умножитель узкополосного полосно-пропускающего многозвенного фильтра 10, выполненного в виде последовательно расположенных встречных шпильковых резонаторов в микрополосковом исполнении.

Роль СВЧ-ключа при этом выполняет интегрированный в полосно-пропускающий фильтр n–i–p–i–n-диод (см. рис 2). Усиленный выходным усилителем 11 умноженный сигнал поступает на выход.

Наибольший эффект выключения достигается при расположении n–i–p–i–n-диода таким образом, что одна n-область диода гальванически соединена с входным элементом микрополоскового фильтра, другая n-область n–i–p–i–n-диода соединена с первым шпильковым резонатором полосно-пропускающего фильтра, и подачей на p-область n–i–p–i–n-диода через нагрузочное сопротивление положительного напряжения Vnipin.
В этом случае выходная мощность 24-й гармоники изменяется в диапазоне от –16.5 дБм при Vnipin=0.0 В до –70.3  дБм при Vnipin=1.7 В. Таким образом, относительное изменение выходного сигнала составляет около 54 дБ.

При включении дополнительного n–i–p–i–n-диода в один из центральных резонаторов, имеющих гальваническую связь с земляной шиной, полосно-пропускающего фильтра (Фиг.2) обеспечивается дополнительное изменение выходной мощности 24-й гармоники на величину около 14 дБ при изменении напряжения смещения на дополнительном n–i–p–i–n-диоде в диапазоне от 0.0 В до 1.7 В.

В этом случае суммарное относительное изменение выходного сигнала при изменении напряжения смещения в диапазоне от 0.0 В до 1.7 В на основном и дополнительном n–i–p–i–n-диодах превышает 70 дБ.


УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ
УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 117.
25.08.2017
№217.015.c0c7

Гидрогель на основе комплексной соли хитозана и способ его получения

Изобретение относится к производству фармацевтических и косметических средств, а именно к гидрогелю и способу производства гидрогеля с выраженной биологической активностью, который может быть использован в качестве лечебно-профилактического препарата в медицине, ветеринарии, косметологии,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617501
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c0ce

Способ селективной запайки внешних оболочек фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной

Настоящее изобретение относится к нанотехнологиям и может быть использовано для получения фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной (ФКВ с ПС) с селективно запаянными внешними оболочками для использования в различных целях, в т.ч. для изготовления конструктивных элементов сенсоров,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617650
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c187

Способ очистки газовых выбросов с помощью гранулированного глауконитового сорбента

Изобретение относится к способу очистки вредных техногенных газовых выбросов в атмосферу от различных загрязнителей и может быть использовано для нейтрализации токсичных вредных продуктов при очистке промышленных выбросов, продуктов сжигания промышленных и бытовых отходов, а также выхлопных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617504
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c3f8

Способ оценки содержания гумуса в почве петромагнитным методом

Изобретение относится к области почвоведения, а именно к агрохимии, и предназначено для оценки концентрации гумуса в образцах черноземных почв петромагнитным методом. Для этого отбирают образцы почвы в пахотном горизонте, в которых определяют величину магнитной восприимчивости k. Затем образцы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617239
Дата охранного документа: 24.04.2017
25.08.2017
№217.015.cd1c

Способ диагностики наполненности мочевого пузыря

Изобретение относится к медицине и нефрологии и может быть использовано для определения наполненности мочевого пузыря. Накладывают электроды на кожу в области нахождения мочевого пузыря. Подключают их к усилителю биопотенциалов для получения двух отведений, с помощью которых измеряют сигналы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619752
Дата охранного документа: 17.05.2017
25.08.2017
№217.015.cdc8

Способ определения толщины, электропроводности, эффективной массы, коэффициентов рассеяния носителей заряда, концентрации и энергии активации легирующей примеси полупроводникового слоя

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения электрофизических параметров слоя полупроводника на поверхности диэлектрика и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619802
Дата охранного документа: 18.05.2017
26.08.2017
№217.015.d7f7

Способ измерения параметров полупроводниковых структур

Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622600
Дата охранного документа: 16.06.2017
20.11.2017
№217.015.ef85

Способ селективной запайки внешних оболочек фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной

Изобретение относится к области микро- и нанотехнологий и может быть использовано для получения образцов фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной (ФКВ с ПС). Способ запайки торцевой поверхности образца включает нагрев образца узконаправленным источником теплового воздействия. При...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629133
Дата охранного документа: 24.08.2017
29.12.2017
№217.015.fdf3

Способ наблюдения жировой ткани

Группа изобретений относится к медицине, а именно к хирургии, и касается визуализации кровеносного сосуда в жировой ткани во время операции на этапе удаления этой ткани. Для этого предложены варианты способа исследования жировой ткани. При осуществлении первого варианта способа на жировую ткань...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638642
Дата охранного документа: 14.12.2017
19.01.2018
№218.016.00bf

Способ определения расстояния до объекта

Изобретение относится к области контрольно–измерительной техники. Способ измерения расстояния до объекта заключается в том, что объект освещают лазерным излучением, отраженное от объекта излучение, интерферирующее в лазере, преобразуют в электрический автодинный сигнал. Лазерное излучение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629651
Дата охранного документа: 30.08.2017
Показаны записи 41-50 из 75.
25.08.2017
№217.015.c0ce

Способ селективной запайки внешних оболочек фотонно-кристаллического волновода с полой сердцевиной

Настоящее изобретение относится к нанотехнологиям и может быть использовано для получения фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной (ФКВ с ПС) с селективно запаянными внешними оболочками для использования в различных целях, в т.ч. для изготовления конструктивных элементов сенсоров,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617650
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c187

Способ очистки газовых выбросов с помощью гранулированного глауконитового сорбента

Изобретение относится к способу очистки вредных техногенных газовых выбросов в атмосферу от различных загрязнителей и может быть использовано для нейтрализации токсичных вредных продуктов при очистке промышленных выбросов, продуктов сжигания промышленных и бытовых отходов, а также выхлопных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617504
Дата охранного документа: 25.04.2017
25.08.2017
№217.015.c3f8

Способ оценки содержания гумуса в почве петромагнитным методом

Изобретение относится к области почвоведения, а именно к агрохимии, и предназначено для оценки концентрации гумуса в образцах черноземных почв петромагнитным методом. Для этого отбирают образцы почвы в пахотном горизонте, в которых определяют величину магнитной восприимчивости k. Затем образцы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617239
Дата охранного документа: 24.04.2017
25.08.2017
№217.015.cd1c

Способ диагностики наполненности мочевого пузыря

Изобретение относится к медицине и нефрологии и может быть использовано для определения наполненности мочевого пузыря. Накладывают электроды на кожу в области нахождения мочевого пузыря. Подключают их к усилителю биопотенциалов для получения двух отведений, с помощью которых измеряют сигналы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619752
Дата охранного документа: 17.05.2017
25.08.2017
№217.015.cdc8

Способ определения толщины, электропроводности, эффективной массы, коэффициентов рассеяния носителей заряда, концентрации и энергии активации легирующей примеси полупроводникового слоя

Изобретение относится к измерительной технике, может быть использовано для определения электрофизических параметров слоя полупроводника на поверхности диэлектрика и может найти применение в различных отраслях промышленности при контроле свойств полупроводниковых слоев. Технический результат...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619802
Дата охранного документа: 18.05.2017
26.08.2017
№217.015.d7f7

Способ измерения параметров полупроводниковых структур

Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622600
Дата охранного документа: 16.06.2017
20.11.2017
№217.015.ef85

Способ селективной запайки внешних оболочек фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной

Изобретение относится к области микро- и нанотехнологий и может быть использовано для получения образцов фотонно-кристаллических волноводов с полой сердцевиной (ФКВ с ПС). Способ запайки торцевой поверхности образца включает нагрев образца узконаправленным источником теплового воздействия. При...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629133
Дата охранного документа: 24.08.2017
29.12.2017
№217.015.fdf3

Способ наблюдения жировой ткани

Группа изобретений относится к медицине, а именно к хирургии, и касается визуализации кровеносного сосуда в жировой ткани во время операции на этапе удаления этой ткани. Для этого предложены варианты способа исследования жировой ткани. При осуществлении первого варианта способа на жировую ткань...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638642
Дата охранного документа: 14.12.2017
19.01.2018
№218.016.00bf

Способ определения расстояния до объекта

Изобретение относится к области контрольно–измерительной техники. Способ измерения расстояния до объекта заключается в том, что объект освещают лазерным излучением, отраженное от объекта излучение, интерферирующее в лазере, преобразуют в электрический автодинный сигнал. Лазерное излучение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629651
Дата охранного документа: 30.08.2017
20.01.2018
№218.016.0eee

Биосенсор для неинвазивного оптического мониторинга патологии биологических тканей

Изобретение относится к медицине, а именно к эндокринологии, и может быть использовано для неинвазивного оптического мониторинга патологии биологических тканей, связанных с развитием сахарного диабета. Биосенсор содержит: источник и приемник излучения; аппликатор, изготовленный в виде сосуда с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633494
Дата охранного документа: 12.10.2017
+ добавить свой РИД