26.08.2017
217.015.e9f2

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002628111
Дата охранного документа
15.08.2017
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения. Техническим результатом является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования проводникового и резистивного слоев по их периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки. Способ изготовления включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика до слоя медной фольги, осаждение в эти окна гальванической меди, вакуумное напыление на диэлектрический слой подложки резистивных и проводникового слоев, формирование из них в области окон в диэлектрическом слое заготовки резистивных элементов и контактных площадок к ним, которые представляют собой многослойную структуру из медной фольги, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт проводникового и резистивного слоев по всему периметру. 3 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области радиоэлектроники, в частности к технологии изготовления чип-резисторов, резистивных матриц и гибких интегральных схем на основе лакофольговых диэлектриков и может быть использовано в электронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике.

Известен способ изготовления прецизионных чип-резисторов (Патент РФ №2402088 «Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии», опубликовано: 20.10.2010), содержащий последовательное формирование на изоляционной подложке на основе толстопленочной технологии электродных контактов, а на основе тонкопленочной технологии - резистивного слоя с последующим ломанием изоляционной подложки на чипы. Недостатком аналога является большое количество технологических операций как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологии, что делает трудоемкой его техническую реализацию.

В Патенте РФ №2330343 «Тонкопленочный резистор» (опубликовано: 27.07.2008) предложена конструкция и технология изготовления контакта, позволяющая снизить пиковые значения мощности рассеяния и тем самым повысить устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Эта технология выбрана нами за прототип.

Отличительной особенностью прототипа является увеличение толщины резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистора на длину не менее тройной толщины резистивного слоя (образование ступеньки). Таким образом, утолщение резистивного слоя под контактом и в приграничной к контакту зоне резистивного элемента позволяет снизить пиковые значения мощности рассеяния и повысить тем самым устойчивость резистора к параметрическим и катастрофическим отказам. Однако следует отметить, что предложенная технология изготовления прототипа влечет за собой усложнение процесса изготовления и увеличение затрат на производство.

Недостаток известных способов изготовления пленочных резисторов состоит в том, что электрический контакт резистивного и проводникового слоев происходит не по всему периметру резистивного слоя.

В предлагаемом способе изготовления чип-резистора контакт проводникового и резистивного слоев происходит по всему периметру поверхности резистивного слоя в области контактных площадок резистора, что повышает надежность резисторов и уменьшает возможность параметрических и катастрофических отказов.

Основной задачей, на решение которой направлено заявляемое изобретение, является повышение надежности чип-резисторов в процессе эксплуатации, снижение весогабаритных характеристик.

Техническим результатом предлагаемого изобретения является повышение надежности резисторов за счет увеличения до максимально возможной поверхности контактирования резистивного элемента по его периметру в области контактных площадок резисторов и расположения контактных площадок резисторов на обеих поверхностях подложки.

Предлагаемый способ иллюстрируется фигурами 1, 2 и 3, где:

Фиг. 1 - технологический процесс изготовления тонкопленочных чип-резисторов;

Фиг. 2 - 3D-модель чип-резистора, а) фронтальное изображение чип-резистора, б) сечение контактной площадки чип-резистора;

Фиг. 3 - структурный разрез контактной площадки чип-резистора.

Указанный технический результат достигается тем, что предлагаемый способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов, основанный на использовании лакофольговых диэлектриков (Фиг. 1), включает травление окон в диэлектрическом слое заготовки (а) до слоя медной фольги (б), осаждение в эти окна гальванической меди (в) вакуумное напыление на диэлектрическую сторону заготовки вначале резистивного слоя с формированием резистивного элемента, а затем медного проводникового слоя с формированием контактных площадок резистора (г, д), которые представляют собой (Фиг. 2, 3) многослойную структуру из медной фольги подложки, гальванической и вакуумной меди, внутри которой осуществляется электрический контакт с резистивным элементом, обеспечивая максимально возможную площадь контактирования контактных площадок и резистивного элемента по его периметру.

Сущность предложенного способа изготовления чип-резисторов и резистивных матриц на основе лакофольговых диэлектриков заключается в следующем.

В качестве подложки для нанесения резистивных и проводникового слоев применяют лакофольговый диэлектрик, например, марки ФДИ-АП ЫУО.037.042 ТУ с толщиной диэлектрического слоя из полиимида 30 мкм и толщиной медной фольги 35 мкм. В диэлектрическом слое подложки вытравливают окна до медной фольги в местах расположения контактных площадок резисторов. Далее осаждают в эти окна гальваническую медь до уровня поверхности диэлектрического слоя.

На его поверхность вакуумным напылением наносят резистивный слой, формируют из него резистивный элемент, затем напыляют слой из меди и формируют из медной фольги подложки, гальванически и вакуумно-осажденной меди контактные площадки резистора (Фиг. 3).

Пример осуществления способа изготовления чип-резисторов и резистивных матриц на основе лакофольговых диэлектриков.

На Фиг. 1 показана последовательность технологических операций по изготовлению гибкой тонкопленочной гибридной интегральной схемы с чип-резисторами по заявленному способу. В диэлектрическом слое заготовки из лакофольгового диэлектрика, марки ФДИ-АП ЫУО.037.042 ТУ (или другого аналогичного), методом фотолитографии или другим способом формируют окна на толщину диэлектрического слоя до проводникового слоя из медной фольги в местах расположения контактных площадок чип-резисторов. Затем в эти окна осаждают гальваническую медь на толщину диэлектрического слоя заготовки. На полученную структуру напыляют на вакуумной установке резистивный слой и формируют из него методом фотолитографии, ионного травления или через маски резистивный элемент. Далее на диэлектрическую часть заготовки со сформированными резистивными элементами напыляют проводниковый слой вакуумной меди и формируют из него контактные площадки резисторов. Из медной фольги заготовки формируют контактные площадки с противоположной стороны диэлектрического слоя. Проводниковые элементы платы покрывают защитным антикоррозионным слоем (золото, хим. олово или другими материалами) и производят подгонку резисторов. При установке чип-резисторов вне герметичных объемов на резистивный элемент наносят слой изоляционного лака типа УР-231 (Фиг. 1, е).

Изготовленные данным способом чип-резисторы можно устанавливать на печатные платы из органических и керамических материалов. Также данная технология применима для изготовления тонкопленочных гибридных интегральных схем и резистивных матриц.

Способ изготовления тонкопленочных чип-резисторов, основанный на использовании лакофольговых диэлектриков, отличающийся тем, что в диэлектрическом полимерном слое подложки вытравливают окна до слоя медной фольги, осаждают в эти окна гальваническую медь до уровня поверхности полимерного слоя, методом вакуумного напыления наносят на диэлектрический слой подложки резистивный слой с формированием резистивного элемента, а затем медный проводниковый слой с формированием контактных площадок резистора, которые представляют собой многослойную проводниковую структуру, внутри которой находится резистивный слой, контактирующий по всему периметру с проводниковым слоем.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ЧИП-РЕЗИСТОРОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 44.
10.08.2013
№216.012.5e81

Способ изготовления многослойных гибко-жестких интегральных плат

Изобретение относится к радиоэлектронике, электронной аппаратуре как специального, так и бытового назначения, в частности к изготовлению многокристальных модулей, многослойных больших гибридных интегральных схем, многослойных печатных плат, гибких шлейфов. Технический результат - уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489814
Дата охранного документа: 10.08.2013
20.02.2016
№216.014.e8f2

Способ изготовления радиоэлектронных узлов

Изобретение относится к способу внутреннего монтажа электронных компонентов (ЭК) для создания планарных радиоэлектронных узлов (РУ) на основе гибко-жестких плат. Технический результат - повышение эксплуатационной надежности планарных РУ, создание надежной коммутации трех и более слоев платы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575641
Дата охранного документа: 20.02.2016
27.08.2016
№216.015.50c7

Способ и устройство дистанционного обнаружения и распознавания объектов с нелинейными маркерами

Изобретение относится к нелинейной радиолокации и может быть использовано для дистанционного обнаружения и распознавания объектов, находящихся вне зоны визуального наблюдения. Достигаемый технический результат - увеличение дальности обнаружения объектов поиска с нелинейными маркерами при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595775
Дата охранного документа: 27.08.2016
10.08.2016
№216.015.549b

Способ селекции движущихся целей

Изобретение относится к радиолокации, может быть использовано в радиолокационных станциях (РЛС) малой дальности дециметрового диапазона и предназначено для выделения движущихся на фоне пассивных помех целей. Достигаемый технический результат - повышение эффективности помехозащищенности РЛС при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593276
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.54ce

Способ измерения угловых координат в нелинейном радиолокаторе

Настоящее изобретение относится к области радиолокации, в частности к области ближней радиолокации, к которой принадлежат нелинейные радиолокаторы (НРЛ), осуществляющие поиск объектов, содержащих радиоэлектронные элементы. Достигаемый технический результат - однозначное измерение азимута в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593595
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.6dbc

Способ измерения дальности цели в ближней радиолокации

Изобретение относится к области ближней радиолокации, в частности к радиолокационным станциям (РЛС) ближнего действия, в которых применяются цифровые методы обработки сигналов. Достигаемый технический результат - повышение точности измерения дальности цели с помощью вычисления поправки к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597221
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.7e98

Способ построения микрополосковых направленных ответвителей

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при проектировании фазированных антенных решеток, в частности, направленных ответвителей (НО). Реализуют емкостную связь путем включения в определенных местах дополнительных емкостей между связанными микрополосковыми...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601233
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.8c93

Пассивная система охлаждения радиоэлементов электронных блоков

Пассивная система охлаждения радиоэлементов электронных блоков относится к радиоэлектронике, в частности к устройствам, рассеивающим тепло от нагруженных источников нагрева электронных блоков и СВЧ модулей, эксплуатирующихся в полевых условиях, расположенных на вращающихся областях конструкции...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604825
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a741

Устройство обработки сигналов в наземно-космической просветной радиолокационной системе

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано для обработки сигналов при решении задачи обнаружения малозаметных целей в наземно-космических просветных радиолокационных системах (РЛС). Техническим результатом предлагаемого изобретения является снижение стоимости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608338
Дата охранного документа: 17.01.2017
25.08.2017
№217.015.a80e

Способ радиолокационного обзора пространства

Изобретение относится к области радиолокационной техники и может быть использовано при построении или модернизации вращающихся многофункциональных радиолокационных систем с активными фазированными антенными решетками (АФАР) с электронным сканированием для обзора воздушного пространства....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611434
Дата охранного документа: 22.02.2017
Показаны записи 1-10 из 25.
10.08.2013
№216.012.5e81

Способ изготовления многослойных гибко-жестких интегральных плат

Изобретение относится к радиоэлектронике, электронной аппаратуре как специального, так и бытового назначения, в частности к изготовлению многокристальных модулей, многослойных больших гибридных интегральных схем, многослойных печатных плат, гибких шлейфов. Технический результат - уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489814
Дата охранного документа: 10.08.2013
20.02.2016
№216.014.e8f2

Способ изготовления радиоэлектронных узлов

Изобретение относится к способу внутреннего монтажа электронных компонентов (ЭК) для создания планарных радиоэлектронных узлов (РУ) на основе гибко-жестких плат. Технический результат - повышение эксплуатационной надежности планарных РУ, создание надежной коммутации трех и более слоев платы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575641
Дата охранного документа: 20.02.2016
27.08.2016
№216.015.50c7

Способ и устройство дистанционного обнаружения и распознавания объектов с нелинейными маркерами

Изобретение относится к нелинейной радиолокации и может быть использовано для дистанционного обнаружения и распознавания объектов, находящихся вне зоны визуального наблюдения. Достигаемый технический результат - увеличение дальности обнаружения объектов поиска с нелинейными маркерами при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002595775
Дата охранного документа: 27.08.2016
10.08.2016
№216.015.549b

Способ селекции движущихся целей

Изобретение относится к радиолокации, может быть использовано в радиолокационных станциях (РЛС) малой дальности дециметрового диапазона и предназначено для выделения движущихся на фоне пассивных помех целей. Достигаемый технический результат - повышение эффективности помехозащищенности РЛС при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593276
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.54ce

Способ измерения угловых координат в нелинейном радиолокаторе

Настоящее изобретение относится к области радиолокации, в частности к области ближней радиолокации, к которой принадлежат нелинейные радиолокаторы (НРЛ), осуществляющие поиск объектов, содержащих радиоэлектронные элементы. Достигаемый технический результат - однозначное измерение азимута в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002593595
Дата охранного документа: 10.08.2016
13.01.2017
№217.015.6dbc

Способ измерения дальности цели в ближней радиолокации

Изобретение относится к области ближней радиолокации, в частности к радиолокационным станциям (РЛС) ближнего действия, в которых применяются цифровые методы обработки сигналов. Достигаемый технический результат - повышение точности измерения дальности цели с помощью вычисления поправки к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002597221
Дата охранного документа: 10.09.2016
13.01.2017
№217.015.7e98

Способ построения микрополосковых направленных ответвителей

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано при проектировании фазированных антенных решеток, в частности, направленных ответвителей (НО). Реализуют емкостную связь путем включения в определенных местах дополнительных емкостей между связанными микрополосковыми...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601233
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.8c93

Пассивная система охлаждения радиоэлементов электронных блоков

Пассивная система охлаждения радиоэлементов электронных блоков относится к радиоэлектронике, в частности к устройствам, рассеивающим тепло от нагруженных источников нагрева электронных блоков и СВЧ модулей, эксплуатирующихся в полевых условиях, расположенных на вращающихся областях конструкции...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604825
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a741

Устройство обработки сигналов в наземно-космической просветной радиолокационной системе

Изобретение относится к радиолокации и может быть использовано для обработки сигналов при решении задачи обнаружения малозаметных целей в наземно-космических просветных радиолокационных системах (РЛС). Техническим результатом предлагаемого изобретения является снижение стоимости...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002608338
Дата охранного документа: 17.01.2017
25.08.2017
№217.015.a80e

Способ радиолокационного обзора пространства

Изобретение относится к области радиолокационной техники и может быть использовано при построении или модернизации вращающихся многофункциональных радиолокационных систем с активными фазированными антенными решетками (АФАР) с электронным сканированием для обзора воздушного пространства....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611434
Дата охранного документа: 22.02.2017

Похожие РИД в системе