×
26.08.2017
217.015.d55f

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения тонкопленочного катода

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к способу получения структуры тонкопленочного катода на основе системы LiFeMnSiO и позволяет получить катод с монокристаллической бездефектной структурой с равномерным распределением химического состава по объему. Повышение удельной емкостью и циклической стабильности литий-ионных аккумуляторных батарей является техническим результатом изобретения. В качестве начального компонента выбирают токоснимающую алюминиевую подложку, которую помещают в камеру для нанесения тонких пленок, подвергают ее сушке в вакууме в течении 1-3 часов, и после сушки при температуре 200-250°C проводят последовательный процесс нанесения компонентов: атомного слоя оксида железа (FeO), атомного слоя оксида марганца (MnO), атомного слоя оксида лития (LiO), атомного слоя оксида кремния (SiO), с использованием металлорганических прекурсоров, до формирования аморфного соединения состава LiFeMnSiO. Далее проводят импульсную термическую обработку при температуре 600-640°C в течение 0,1-0,2 секунд, в результате которой формируется кристаллическое соединение LiFeMnSiO. Количество нанесенных последовательностей повторяют до формирования тонкопленочного монокристаллического катода толщиной 100-200 нм. 1 табл.

Изобретение относится к электротехнической области и может быть использовано в литий-ионных аккумуляторных батареях транспортных и космических систем, с улучшенными удельными характеристиками.

Известен способ получения композиционного катодного материала Li2FeSiO4/графена гидротермальным методом. В качестве начальных компонентов использовали растворы Fe(NO3)39H2O, тетраэтилортосиликата и LiOH⋅2H2O в этиленгликоле, их смешивали, получая темно-зеленый коллоидный раствор, который помещали в автоклав и выдерживали там при температуре 200°C в течение 6 дней. Для получения композиционного материала Li2FeSiO4/графен взяли 0.3 г полученного порошка Li2FeSiO4 и гомогенно распределили в 30 мл воды с добавлением 0.03 г PVP и 0.03 г графена. Полученную суспензию высушили путем заморозки, а затем провели термическую обработку в течение определенного времени в атмосфере аргона. [Наностержни Li2FeSiO4, соединенные с графеном для аккумуляторов с высокими характеристиками // J. Mater. Chem. A, 2015, 3, стр. 9601-9608].

Недостатками способа является многостадийность процесса, сложность в получении бездефектной структуры и чистого химического состава, длительность выдержки в автоклаве, низкая циклическая стабильность полученного материала.

Известен способ получения пористых микросфер системы Li2FeSiO4/C с использованием технологии спрейной сушки. В качестве начальных компонентов используют порошок железа и лимонную кислоту, которые перемешивают в диионизованной воде. После тщательного перемешивания в раствор добавляют источник кремния и распыляют в спрейной сушке при температуре 108°C, в результате получается порошок зеленого цвета. Зеленый порошок термообрабатывают в трубчатой горизонтальной печи в потоке Ar при температуре 700°C в течение 10 ч для того, чтобы получить конечное соединение Li2FeSiO4/C.

[Получение и характеризация пористых микросфер системы Li2FeSiO4/C с использованием технологии спрейной сушки // Int. J. Electrochem. Sci., 10, 2015, стр. 4453-4460].

Недостатками способа является многостадийность процесса, сложность в получении бездефектной структуры и чистого химического состава, сложность поддержания нужной кислотности раствора во время синтеза, низкая удельная емкость полученного катодного материала.

Известен способ получения катодного материала Li2Fe0,5Mn0,5SiO4/C допированного Na путем проведения твердофазной реакции, выбранный за прототип. [Синтез и электрохимические характеристики Li2Fe0,5Mn0,5SiO4/C модифицированного Mn для литий-ионных аккумуляторов // RSC Adv., 2015, №5, стр. 22818-22824]. В данной работе для получения порошка системы Li2Fe0,5Mn0,5SiO4/C в качестве начальных компонентов использовали тетраэтилортосиликат, LiCH3COO⋅2H2O, FeC2O42H2O, C4H6MnO4⋅2H2O,

NaNO3, все компоненты брали в стехиометрическом соотношении. Все начальные компоненты перемешали в этаноле, затем на магнитной мешалке испаряли в течение 24 часов при температуре 80°C до образования коричневого геля. Полученный гель сушили в течение 8 часов при температуре 50°C. Далее в качестве источника углерода взяли сахарозу и перемешивали в ацетоне в течение 7 часов. Затем полученную смесь термообработали в течение 10 часов при температуре 650°C в атмосфере азота.

Недостатками способа является сложность в получении бездефектной структуры и чистого химического состава, а также неравномерное распределение химического состава по объему, низкая удельная емкость и циклическая стабильность полученного катодного материала.

Задачей изобретения является получение структуры тонкопленочного катода на основе системы Li2Fe0,5Mn0,5SiO4 с высокой удельной емкостью и циклической стабильностью, равномерным распределением химического состава по объему и монокристаллической бездефектной структурой.

Для решения поставленной задачи предложен способ получения структуры тонкопленочного катода на основе соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4.

В качестве начального компонента выбирают токоснимающую алюминиевую подложку с шероховатой поверхностью. Далее выбранную подложку помещают в камеру для нанесения тонких пленок, например, методом атомно-слоевого осаждения, и сушат в вакууме в течение 1-3 часов. После процесса сушки при температуре 200-250°C методом атомно-слоевого осаждения проводят последовательный процесс нанесения компонентов: атомного слоя оксида железа (FeO), атомного слоя оксида марганца (MnO), атомного слоя оксида лития (Li2O), атомного слоя оксида кремния (SiO2), с использованием металлорганических прекурсоров, после чего происходит формирование аморфного соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4. Далее проводят импульсную термическую обработку при температуре 600-640°C в течение 0,1-0,2 секунд. После чего происходило формирование кристаллического соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4. Количество нанесения последовательностей повторяют до формирования тонкопленочного монокристаллического катода толщиной 100-200 нм.

Перед запуском процесса атомно-слоевого осаждения требуется удалить всю влагу с поверхности алюминиевой подложки для обеспечения наилучшей конмформности покрытий, для этого проводили сушку в вакууме. В основе технологии атомно-слоевого осаждения лежит прохождение самоконтролируемой гетерогенной реакции, которая позволяет получать бездефектные пленки оксидных систем равномерно на всей поверхности подложки, что приводит к получению равномерной бездефектной структуры с равномерным распределением химических элементов по объему получаемого материала. Во время нанесения тонких пленок их толщина за цикл составляла 4 атомных слоя, величина толщины такого порядка позволяет при температурах от 600 до 640°C в течение короткого времени 0,1-0.2 с производить кристаллизацию по объему, вследствие чего происходит образование кристаллической структуры Li2Fe0,5Mn0,5SiO4. Столь короткое время термической обработки позволяет структурировать каждый слой соединения L2Fe0,5Mn0,5SiO4, получая смешенную кристаллическую структуру, которую можно отнести к пространственной группе P2l и Pmn2l, данная структура позволяет достигнуть теоретической емкости для данного соединения. Совокупность отличительных признаков является необходимой и достаточной для решения поставленной задачи.

В качестве подложки была выбрана алюминиевая шероховатая подложка для обеспечения наибольшей разности потенциалов при дальнейшем использовании катода в литий-ионном аккумуляторе. Время сушки подложки от 1 до 3 часов, при нахождении алюминиевой подложки в вакууме менее 1 часа вся адсорбировавшаяся влага не испаряется полностью, что приведет к дефектам в наносимых пленках, при сушке более 3 часов на поверхности подложки начинает происходить процесс десорбции поверхностных функциональных групп, что также приводит к ухудшению хемосорбции между подложкой и оксидами лития, железа, марганца и кремния. Процесс нанесения тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения реализуется при температуре 200-250°C. При нанесении тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения при температуре ниже 200°C металлорганические соединения не будут раскладываться с образованием оксидов лития, железа, марганца и кремния, поэтому не будет достигнут стехиометрический химический состав, следовательно, не будет получена высокая удельная емкость. При нанесении тонких пленок методом атомно-слоевого осаждения при температуре выше 250°C металлорганическое соединение на основе железа и марганца будет обладать высоким давлением насыщенного пара, следовательно, будет невозможно нанести один атомный слой оксида железа и марганца, поэтому стехиометрический состав будет нарушен, следовательно, не будет получена высокая удельная емкость.

Толщина наносимых на алюминиевую подложку покрытий оксида лития, железа, марганца и кремния составляет 1 атомный слой, так как при нанесении более 1 атомного слоя или менее одного слоя стехиометрия соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4 будет нарушена, вследствие чего удельные характеристики катода будут снижены.

Импульсная термическая обработка при температуре менее 600°C не позволяет получить кристаллическую структуру, которую можно отнести к пространственной группе P2l и Pmn21, которая обладает высокими удельными характеристиками. Импульсная термическая обработка при температуре более 640°C приводит к образованию другой кристаллической структуре, которая обладает низкими электрохимическими характеристиками.

При длительности импульсной термической обработке менее 0,1 с температурное поле не успевает воздействовать на слой соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4, тем самым не позволяет получить кристаллическую структуру, которую можно отнести к пространственной группе P2l и Pmn2l, которая обладает высокими удельными характеристиками.

При длительности импульсной термической обработки более 0,2 с температурное поле воздействует слишком активно, что приводит к образованию другой кристаллической структуры, которая обладает низкими электрохимическими характеристиками.

Толщина соединения Li2Fe0,5Mn0,5SiO4 была определена в диапазоне 100-200 нм, при толщине менее 100 нм при использовании катода в литий-ионном аккумуляторе происходит короткое замыкание, а толщины более 200 нм не позволяют в полном объеме инткркалировать/деинтеркалировать двум ионам лития из структуры Li2Fe0,5Mn0,5SiO4, что в свою очередь приведет к снижению электрохимических характеристик.

Для получения структуры тонкопленочного катода на основе системы Li2Fe0,5Mn0,5SiO4 в качестве начального компонента была выбрана алюминиевая подложка. После проведения сушки в вакууме в течение 1-3 часов на подложку наносили поочередно по одному атомарному слою оксида лития, железа, марганца и кремния методом атомно-слоевого осаждения при температуре 200-250°C, до получения стехиометрического состава Li2Fe0,5Mn0,5SiO4. Далее провели импульсную термическую обработку при температуре 600-640°C в течение 0,1-0,2 секунды. Данную последовательность повторяли до достижения толщины катода 100-200 нм (таблица 1).

Синтезированный тонкопленочный катод на основе системы Li2Fe0,5Mn0,5SiO4 обладает высокой удельной емкостью и циклической стабильностью, равномерным распределением химического состава по объему и монокристаллической бездефектной структурой за счет использования определенных материалов и применения оригинальной технологии, которая характеризуется использованием метода молекулярного наслаивания оксидов лития, железа, марганца, кремния с последующей импульсной термической обработкой.

Способ получения структуры тонкопленочного катода, включающий выбор компонентов для системы LiFeMnSiO в стехиометрическом соотношении, их термообработку, отличающийся тем, что в качестве основы выбирают токоснимающую алюминиевую подложку с шероховатой поверхностью, которую помещают в камеру для нанесения тонких пленок, и сушат в вакууме в течение 1-3 часа, после чего при температуре 200-250°C проводят последовательный процесс нанесения атомного слоя оксида железа (FeO), атомного слоя оксида марганца (MnO), атомного слоя оксида лития (LiO), атомного слоя оксида кремния (SiO) с использованием металлорганических прекурсоров, далее проводят термическую обработку в импульсном режиме при температуре 600-650°C в течение 0,1-0,2 секунд, количество нанесения атомных слоев повторяют до формирования тонкопленочного катода толщиной 100-200 нм.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 51-60 из 128.
28.09.2018
№218.016.8caf

Способ культивирования микроводоросли chlorella

Изобретение относится к области культивирования микроводорослей. Предложен способ культивирования микроводоросли . Способ включает культивирование суспензии микроводоросли в фотобиореакторе, в котором суспензию микроводоросли перемешивают в течение 13-17 минут с частотой вращения 500 об/мин...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668162
Дата охранного документа: 26.09.2018
03.10.2018
№218.016.8d56

Способ безопасной маршрутизации в одноранговых самоорганизующихся сетях

Изобретение относится к технике беспроводной связи, в частности, может использоваться при построении одноранговых самоорганизующихся сетей, и предназначено для выявления и предотвращения перехвата и уничтожения сетевого трафика сетевыми узлами-нарушителями при использовании сетевых протоколов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668222
Дата охранного документа: 27.09.2018
04.10.2018
№218.016.8eb4

Интеллектуальный способ диагностики и обнаружения новообразований в легких

Изобретение относится к медицине, а именно к диагностике рака легких. Способ содержит обработку изображений легких пациента, полученных методом компьютерной томографии, в результате которой в графическом изображении маскируют воксели со значениями плотности по шкале Хаунсфилда, не...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668699
Дата охранного документа: 02.10.2018
17.11.2018
№218.016.9e7d

Система автоматического регулирования частоты тока в сети с участием аэс

Изобретение относится к области энергетических систем и комплексов, в состав которых входят атомные электрические станции. Система автоматического регулирования частоты тока в сети с участием АЭС, функционально связанная с парогенератором и турбиной, содержит регулятор изменения мощности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672559
Дата охранного документа: 16.11.2018
13.12.2018
№218.016.a5c3

Тиазол-оксазол-модифицированные пептиды, обладающие способностью ингибировать бактериальную рибосому

Изобретение относится к области биотехнологии и медицины, конкретно к новым тиазол-оксазол модифицированным пептидам, обладающим способностью ингибировать бактериальную рибосому Е. coli, K. pneumoniae и Yersinia pseudotuberculosis за счет связывания в её выходном туннеле. Модифицированный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674581
Дата охранного документа: 11.12.2018
21.12.2018
№218.016.aa15

Способ получения нанодвойникованной медной пленки, модифицированной графеном

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано для получения медных пленок с повышенными прочностными свойствами. Способ включает приготовление водного раствора сульфата меди с добавлением этилового спирта до концентрации 37,5-41,5 мл/л и последующим подкислением до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675611
Дата охранного документа: 20.12.2018
27.12.2018
№218.016.ac18

Применение производных пиперазина для лечения болезни альцгеймера и деменций альцгеймеровского типа с нарушенной внутриклеточной кальциевой сигнализацией

Изобретение относится к применению гетероциклического соединения общей формулы I для получения лекарственного средства, предназначенного для предупреждения и/или лечения нейродегенеративного заболевания, представляющего собой раннюю стадию болезни Альцгеймера и деменции альцгеймеровского типа....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676100
Дата охранного документа: 26.12.2018
08.03.2019
№219.016.d352

Устройство для электролитно - плазменной обработки металлических изделий

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в энергомашиностроении для обработки турбинных лопаток и в машиностроении для обработки электрод-инструментов. Устройство содержит источник питания, систему подачи электролита, цилиндрическую трубку для формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002681239
Дата охранного документа: 05.03.2019
29.03.2019
№219.016.ece3

Ионный ракетный двигатель космического аппарата

Изобретение относится к ионно-плазменному, или ионному электроракетному двигателю, используемому для управляемого перемещения летательных аппаратов в космическом вакууме, в том числе орбитальных спутников. Ионно-плазменное электродвигательное реактивное устройство в составе космического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682962
Дата охранного документа: 25.03.2019
29.03.2019
№219.016.ecf4

Способ демодуляции сигнала волоконно-оптического датчика тока

Изобретение относится к области оптических способов измерения физических величин с использованием фазовых волоконно-оптических датчиков, в том числе волоконно-оптических интерферометров, применяемых для измерения электромагнитных полей. Техническим результатом является повышение точности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682981
Дата охранного документа: 25.03.2019
Показаны записи 41-41 из 41.
21.05.2023
№223.018.68c1

Способ изготовления материала с высокотемпературным эффектом памяти формы на основе нитинола

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии изготовления материала с эффектом памяти формы методом селективного лазерного плавления. Может использоваться в аэрокосмической, автомобильной и нефтегазовой промышленности для изготовления компактных приводов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002794908
Дата охранного документа: 25.04.2023
+ добавить свой РИД