×
25.08.2017
217.015.cd95

Результат интеллектуальной деятельности: ПАСТА ДЛЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ АЛЮМОНИТРИДНОЙ КЕРАМИКИ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002619616
Дата охранного документа
17.05.2017
Аннотация: Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к керамике, что позволяет осуществлять высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в состав пасты для металлизации алюмонитридной керамики, включающий молибден и марганец, введен тальк при следующих соотношениях компонентов, мас. %: Мо 78-80, Mn 5, тальк 15-17. 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности.

В настоящее время в электронной технике все большее применение находит высокотеплопроводная алюмонитридная (A1N) керамика. При этом особенное внимание уделяется решению вопросов, связанных с ее металлизацией. Безуспешными оказались попытки металлизировать A1N керамику известными пастами для металлизации алюмооксидной керамики.

В известном способе металлизации (1) электропроводные элементы выполняют в виде слоев из порошкообразных смесей тугоплавких металлов вольфрама, и/или молибдена, и/или никеля с керамической добавкой того же состава, что и керамика. Электропроводящие элементы при этом вжигают в алюмонитридную подложку совместно и одновременно с ее спеканием в защитной газовой атмосфере азота в смеси с водородом или без него при той же высокой температуре в диапазоне 1700-1900°С. Однако используемый состав для металлизации пригоден только для металлизации сырых, неспеченных керамических изделий и не предназначен для металлизации спеченных пластин, отшлифованных в размер.

Известна металлизационная паста (2), предназначенная для металлизации алюмонитридной керамики, включающая молибден, марганец и SiO2.

Данную пасту можно использовать для металлизации алюмооксидной керамики. Данное техническое решение не может обеспечить достаточную адгезию металлизации к алюмонитридной керамике при пайке высокотемпературным припоем, в то время как во многих случаях, например в корпусах полупроводниковых приборов, требуется адгезия 5 кг/мм и более.

Наиболее близким техническим решением является состав пасты (3) для металлизации алюмонитридной керамики, включающей молибден, марганец, оксид кремния и оксид магния при следующих соотношениях компонентов (масс. доля), %:

Мо - 78-80

Mn – 5

SiO2 - 10-15

MgO - 5.

Техническим результатом настоящего изобретения является паста для металлизации A1N керамики с повышенной адгезией металлизации к керамике и допускающая высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что в состав пасты для металлизации алюмонитридной керамики, включающий молибден и марганец, введен тальк при следующих соотношениях компонентов (масс. доля), %:

Мо - 78-80

Mn – 5

Тальк - 15-17.

Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Паста на основе тугоплавких металлов для металлизации A1N керамики, обеспечивающая повышенную адгезию металлизации к керамике и допускающая высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода, получена благодаря введению в состав пасты, содержащей молибден и марганец, нового компонента, а именно талька, в заявленных соотношениях. Устойчивый к среде водорода переходный слой между A1N керамикой и электропроводящим слоем металлизации с повышенной адгезией металлизации к керамике обеспечивается за счет комплексного взаимодействия молибдена, марганца и входящих в состав талька 31,7% MgO, 63,5% SiO2 и 4,8% Н2О. Поскольку в составе талька содержится H2O, не требуется предварительного окисления алюмонитридной керамики. Состав пасты вместо молибдена может содержать вольфрам.

Введение в состав более высокого количества талька по сравнению с заявленным соотношением (масс. доля), %: Мо - 78-80, Mn - 5, тальк - 15-17, не приводит к повышению адгезии металлизации к A1N керамике, но снижает электропроводность металлизации.

Пример. Пасту получали смешиванием порошков из материалов с составами, приведенными в таблице 1. Порошки смешивали в шаровой мельнице. За основу связки использовали поливинилбутираль с терпиниолом. Затем пасту наносили через сеткотрафарет на пластины из A1N керамики и помещали в высокотемпературную печь. Вжигание металлизации проводили в среде водорода при температурах 1340-1380°С в течение 60 минут.

На полученных образцах была замерена прочность сцепления металлизации с керамикой после пайки припоем на основе серебра при температуре 820°С. Прочность сцепления металлизации с керамикой, в сравнении с прототипом, существенно увеличилась.

Результаты измерений приведены в таблице 1.

Источники информации

1. Патент РФ №2154361 от 10.08.2000.

2. В.Н. Батыгин, И.И. Метелкин, A.M. Решетников. Вакуумно-плотная керамика и ее спаи с металлами. - М.: Энергия, 1973, с. 254-255.

3. Патент РФ №2528815 от 24.07.2014.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 21-27 из 27.
25.06.2020
№220.018.2b3b

Корпус полупроводникового прибора из металломатричного композита и способ его изготовления

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов. Композитный корпус полупроводникового прибора состоит из металла, например алюминия, с концентрацией в общей массе в смеси от 15 до 60% и частиц порошка карбида кремния, при этом частицы карбида кремния в смеси двух...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724289
Дата охранного документа: 22.06.2020
24.07.2020
№220.018.369e

Радиатор

Изобретение относится к области теплотехники. Технический результат заключается в повышении теплоотдачи от радиатора к охлаждающей среде. Упомянутый технический результат достигается за счет организации движения охлаждающей среды (8) таким образом, что она изначально поступает в зону самой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727617
Дата охранного документа: 22.07.2020
02.08.2020
№220.018.3c4e

Способ изготовления уголкового изгиба на прямолинейном волноводе с любым углом поворота волновода от 0 до 180 градусов

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано при изготовлении элементов волноводного тракта. Технический результат заключается в снижении трудоёмкости изготовления, повышении выхода годных изделий. Способ изготовления уголкового изгиба прямоугольного волновода с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002728811
Дата охранного документа: 31.07.2020
12.04.2023
№223.018.4747

Способ изготовления теплоотвода полупроводникового прибора на основе cvd-алмаза

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводниковых приборах для эффективного отвода тепла от активных элементов. Способ изготовления алмазного теплоотвода полупроводникового прибора включает металлизацию поверхности алмазного основания, предназначенной для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793751
Дата охранного документа: 05.04.2023
27.05.2023
№223.018.7088

Компактная свч-нагрузка большой мощности

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как оконечная нагрузка в волноводных трактах с высоким уровнем мощности в качестве согласованной нагрузки. СВЧ-нагрузка содержит металлический волновод с высотой «В» узкой стенки и шириной «А» широкой стенки и примыкающий к нему...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002782514
Дата охранного документа: 28.10.2022
29.05.2023
№223.018.7283

Способ диагностики состава и кристаллографических параметров полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур

Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, наноэлектронике и может быть использовано для диагностики строения и состава полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, включая современные перспективные структуры на широкозонных нитридных материалах (AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796363
Дата охранного документа: 22.05.2023
30.05.2023
№223.018.742c

Коаксиальный униполярный соединитель

Изобретение относится к элементам СВЧ-техники. Коаксиальный униполярный соединитель содержит центрирующую втулку с резьбой, расположенную на наружной поверхности коаксиальных кабелей, две накидные гайки и упорные кольца, закреплённые на наружных поверхностях соединяемых коаксиальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002740029
Дата охранного документа: 30.12.2020
Показаны записи 11-16 из 16.
19.04.2019
№219.017.304c

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002368031
Дата охранного документа: 20.09.2009
26.10.2019
№219.017.db28

Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями

Изобретение относится к области изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности, в частности, при производстве металлизированных плат для силовых модулей. Способ изготовления...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704149
Дата охранного документа: 24.10.2019
22.01.2020
№220.017.f868

Состав для удаления полиимидного материала

Изобретение относится к приборостроению, в частности к составам для удаления с изделий имидизированного полиимидного лака. Состав для травления полиимидного материала содержит органический амин, состоит из диметилсульфоксида (ДМСО), диметилформамида (ДМФА). Органическим амином является...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711532
Дата охранного документа: 17.01.2020
17.06.2020
№220.018.272d

Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики с отверстиями, сформированными лазерной резкой, под тонкоплёночную металлизацию

Изобретение может быть использовано в электронной технике и радиопромышленности, в частности, при производстве мощных СВЧ приборов и модулей силовой электроники. Техническим результатом изобретения является качественная очистка поверхности подложек из алюмонитридной керамики, с отверстиями,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002723475
Дата охранного документа: 11.06.2020
25.06.2020
№220.018.2b0e

Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию

Изобретение относится к подготовке поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкопленочную металлизацию. Техническим результатом изобретения является качественное формирование на подложках из керамики на основе нитрида алюминия систем металлизации, резисторов и т.п. элементов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724291
Дата охранного документа: 22.06.2020
12.04.2023
№223.018.4747

Способ изготовления теплоотвода полупроводникового прибора на основе cvd-алмаза

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в полупроводниковых приборах для эффективного отвода тепла от активных элементов. Способ изготовления алмазного теплоотвода полупроводникового прибора включает металлизацию поверхности алмазного основания, предназначенной для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793751
Дата охранного документа: 05.04.2023
+ добавить свой РИД