10.08.2016
216.015.567b

ТВЕРДЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0001626862
Дата охранного документа
10.08.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и увеличения ионной проводимости, в качестве легирующего компонента использован хлорид магния при следующем соотношении компонентов, мол.%:
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 19.
20.06.2016
№216.015.48bf

Сплав для твердого электролита

Сплав для твердого электролита с преимущественной проводимостью по сульфид-иону, содержащий сульфиды щелочно-земельного и редкоземельного металлов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения электролита в области более высоких температур, он содержит сульфид кальция и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0000674518
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.08.2016
№216.015.567c

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001626864
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5682

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием, включающая анод, выполненный из индийсодержащего материала, мембрану, выполненную из твердоэлектролитного материала на основе индия, и катод, выполненный из бинарного либо тройного полупроводникового материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001722149
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5685

Электрохимическая ячейка для анализа серусодержащих газовых сред

Электрохимическая ячейка для анализа серусодержащих газовых сред, содержащая сульфидпроводящий твердый электролит, электрод сравнения и измерительный электрод, отличающаяся тем, что, с целью расширения диапазона измеряемых парциальных давлений серусодержащих газов, а также увеличения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001568715
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.5686

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента преимущественно с ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения условий эксплуатации и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001593404
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.568e

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента преимущественно с ионной проводимостью, содержащий базисное соединение - хлорид индия и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью упрощения условий эксплуатации и увеличения ионной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001579220
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569b

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение и легирующий компонент в области твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности анализа индийсодержащих систем, в качестве базисного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001535165
Дата охранного документа: 10.08.2016
10.08.2016
№216.015.569e

Способ получения халькогенидного стекла

Способ получения халькогенидного стекла путем двухступенчатого синтеза в вакууме сначала слабоокисляемых компонентов с получением матрицы стекла, а затем сплавления последней с легкоокисляемым компонентом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества стекла и техники безопасности, после...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001533243
Дата охранного документа: 10.08.2016
19.01.2017
№217.015.92bc

Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала

Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала, включающая источник вводимого компонента, твердый электролит, содержащий ионы вводимого компонента, подложку из многокомпонентного полупроводникового материала и графитовые токоподводы, отличающаяся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001360262
Дата охранного документа: 27.07.2016
19.01.2017
№217.015.92be

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента

Твердый электролит для высокотемпературного чувствительного элемента с преимущественно ионной проводимостью, содержащий базисное соединение и медьсодержащую легирующую добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы, в качестве медьсодержащей легирующей добавки использован...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001345811
Дата охранного документа: 27.07.2016

Похожие РИД в системе