×
13.01.2017
217.015.83e2

ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к оптоэлектронной технике, в частности к устройствам и элементам на основе жидких кристаллов (ЖК), предназначенным для управления интенсивностью проходящего света. Элемент представляет собой два скрещенных поляризатора, между которыми расположена жидкокристаллическая ячейка с ионно-сурфактантным управлением, состоящая из двух стеклянных пластин с прозрачными электродами на внутренних сторонах, покрытых полимерными пленками-ориентантами, и слоя нематического жидкого кристалла, допированного ионным сурфактантом, между ними. Направление натирания одной из подложек параллельно одному из поляризаторов. Направление натирания другой подложки составляет угол 45° с поляризаторами. Для управления светопропусканием используются биполярные электрические импульсы. Техническим результатом является увеличение быстродействия жидкокристаллического электрооптического элемента. 6 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, в частности к устройствам и элементам, основанным на жидких кристаллах (ЖК) и предназначенным для управления интенсивностью проходящего света с использованием электрического поля.

Во многих оптоэлектронных устройствах используются элементы, состоящие из двух скрещенных (или параллельных) поляризаторов, между которыми располагается жидкокристаллическая ячейка [Blinov L.M., Chigrinov V.G. Electrooptic effects in liquid crystal materials. New York: Springer-Verlang, 1994. 464 р.]. Приложение электрического поля к ячейке вызывает переориентацию директора ЖК (направление преимущественной ориентации палочкообразных молекул ЖК), что, в свою очередь, приводит к изменению светопропускания оптического элемента.

Наиболее близким по совокупности существенных признаков аналогом является электрооптический элемент [B.C. Сутормин, М.Н. Крахалев, О.О. Прищепа, В.Я. Зырянов «Электроуправляемый локальный переход Фредерикса в слое нематического жидкого кристалла», Письма в ЖЭТФ, 2012, Т. 96, Вып. 8, С. 562-567], представляющий собой два скрещенных поляризатора, между которыми расположена жидкокристаллическая ячейка с ионно-сурфактантным способом управления. Данная ячейка состоит из двух стеклянных подложек с прозрачными электродами на внутренних сторонах, покрытых полимерными пленками-ориентантами, направления натирания которых параллельны и составляют угол 45° с поляризаторами. Между этими двумя подложками располагается слой жидкого кристалла, в качестве которого используется смесь нематического ЖК и ионообразующего поверхностно-активного вещества (катионного сурфактанта цетилтриметиламмония бромида). В отсутствие управляющего электрического поля ионы сурфактанта адсорбируются на поверхности обеих подложек, задавая во всем объеме ЖК слоя ориентацию директора перпендикулярно (гомеотропно) подложкам, вследствие чего светопропускание электрооптического элемента для нормально падающего излучения близко к нулю. При подаче на электроды монополярного электрического импульса подложка-анод освобождается от катионов сурфактанта, и на ней за счет ориентирующего воздействия полимерной пленки-ориентанта директор ЖК ориентируется параллельно поверхности (планарно) в направлении натирания, т.е. под углом 45° к поляризаторам. На подложке-катоде сохраняется ориентация директора перпендикулярно ее поверхности. Формирование такой гомеопланарной конфигурации директора приводит к просветлению (увеличению светопропускания) оптического элемента. После окончания действия электрического импульса катионы сурфактанта вновь адсорбируются на подложку с планарным сцеплением, восстанавливая гомеотропную ориентацию директора во всем слое ЖК, и светопропускание элемента возвращается к исходному минимальному значению.

Недостатком прототипа является его малое быстродействие из-за того, что процесс релаксации директора ЖК в исходное состояние после выключения электрического импульса продолжается секунду и более.

Техническим результатом изобретения является увеличение быстродействия электрооптического жидкокристаллического элемента.

Указанный технический результат достигается тем, что в электрооптическом жидкокристаллическом элементе, содержащем два скрещенных поляризатора, между которыми расположена жидкокристаллическая ячейка с ионно-сурфактантным управлением, состоящая из двух стеклянных пластин с прозрачными электродами на внутренних сторонах, покрытых полимерными пленками-ориентантами, и слой нематического жидкого кристалла, допированного ионным сурфактантом, между ними, новым является то, что направление натирания одной из подложек параллельно одному из поляризаторов, направление натирания другой подложки составляет угол 45° с поляризаторами, а для управления светопропусканием используют биполярные электрические импульсы.

Отличия заявляемого электрооптического жидкокристаллического элемента от прототипа заключаются в том, что лишь на одной подложке направление натирания ориентировано под углом 45° к поляризаторам, в то время как направление натирания другой подложки параллельно одному из поляризаторов, а для управления используются биполярные электрические импульсы.

Эти признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не выявлены и поэтому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Изобретение поясняется чертежами, на которых схематически изображен заявляемый электрооптический элемент с различными конфигурациями директора в ЖК ячейке и, соответственно, с различными состояниями светопропускания данного элемента (фиг. 1а, б, в).

Заявляемый элемент содержит два скрещенных относительно друг друга поляризатора 1, между которыми располагается ЖК ячейка, состоящая из двух стеклянных пластин 2 с прозрачными электродами 3 на внутренних сторонах, покрытых полимерными пленками-ориентантами 4. Угол между направлением натирания R1 нижней подложки и поляризаторами составляет 45°. Направление натирания R2 верхней подложки параллельно нижнему поляризатору (такой же результат получается, если направление натирания R2 верхней подложки параллельно верхнему поляризатору). Между подложками располагается слой жидкого кристалла, в качестве которого используется смесь нематического ЖК и ионного сурфактанта. Адсорбированные на поверхности полимерной пленки-ориентанта катионы сурфактанта 5 обеспечивают для молекул жидкого кристалла 6 ориентацию во всем объеме ЖК ячейки перпендикулярно подложкам (фиг. 1а). Светопропускание нормально падающего неполяризованного излучения 7 для оптического элемента с такой ориентационной структурой ЖК равно нулю, поскольку линейно поляризованный свет 8 распространяется вдоль оптической оси ЖК и, соответственно, не изменяет состояние своей поляризации при прохождении жидкокристаллической ячейки.

Работает заявляемый электрооптический элемент следующим образом. На электроды 3 подается биполярный электрический сигнал, параметры которого (амплитуда, длительность) определяются характеристиками ЖК ячейки (состав композиции, толщина полимерных пленок-ориентантов и слоя жидкого кристалла). При направлении электрического поля «снизу вверх» (фиг. 1б) от катионов сурфактанта освобождается нижняя подложка, и молекулы ЖК на ней ориентируются планарно вдоль R1, т.е. под углом 45° к поляризаторам. Ориентация молекул ЖК на верхней подложке остается гомеотропной к ее поверхности. Линейно поляризованный свет 8, распространяясь через ЖК ячейку с такой гомеопланарной структурой, испытывает двулучепреломление и выходит из ячейки эллиптически поляризованным 9, в результате чего часть его проходит через верхний поляризатор (ячейка просветляется). При изменении полярности приложенного электрического поля (фиг. 1в) от катионов сурфактанта освобождается уже верхняя подложка, и молекулы на ней ориентируются планарно вдоль R2, т.е. параллельно нижнему поляризатору. В это время катионы сурфактанта подходят к нижней подложке и инициируют на ней гомеотропную ориентацию директора ЖК. Линейно поляризованный свет 8, распространяясь через ЖК ячейку с такой гомеопланарной структурой, не испытывает двулучепреломления, поэтому состояние его поляризации не изменяется и он гасится верхним поляризатором.

Примеры:

В качестве 1-го примера был изготовлен электрооптический жидкокристаллический элемент с ионно-сурфактантным способом управления, с применением следующих операций:

1. С использованием 13% водного раствора смеси поливинилового спирта, глицерина, лимонной кислоты и цетилтриметиламмония бромида (в соотношении 1:0.258:0.027:0.008 по весу), две стеклянные подложки с прозрачными электродами ITO на внутренних сторонах были покрыты полимерными пленками-ориентантами методом центрифугирования. Толщина полимерных пленок-ориентантов составила около 1.5 мкм.

2. Полимерные пленки-ориентанты были однонаправленно натерты.

3. Используя подготовленные подложки, была собрана ячейка так, что угол между направлениями натирания подложек составлял 45°. Толщина зазора составила 7 мкм.

4. Ячейка заполнялась смесью нематического жидкого кристалла 4-н-пентил-4′-цианобифенила и ионного сурфактанта цетилтриметиламмония бромида (в соотношении 1:0.006 по весу).

5. Был собран электрооптический элемент, то есть ЖК ячейка располагалась между скрещенными пленочными поляризаторами таким образом, чтобы угол между направлением натирания нижней подложки и поляризаторами составлял 45°, при этом направление натирания верхней подложки было параллельно нижнему поляризатору. Затем производилась склейка устройства.

В качестве 2-го примера был изготовлен электрооптический жидкокристаллический элемент с ионно-сурфактантным способом управления, с применением следующих операций:

1. С использованием 13% водного раствора смеси поливинилового спирта, глицерина, лимонной кислоты и цетилтриметиламмония бромида (в соотношении 1:0.258:0.027:0.008 по весу), две стеклянные подложки с прозрачными электродами ITO на внутренних сторонах были покрыты полимерными пленками-ориентантами методом центрифугирования. Толщина полимерных пленок-ориентантов составила около 1.5 мкм.

2. Полимерные пленки-ориентанты были однонаправленно натерты.

3. Используя подготовленные подложки, была собрана ячейка так, что угол между направлениями натирания подложек составлял 45°. Толщина зазора составила 7 мкм.

4. Ячейка заполнялась смесью нематического жидкого кристалла 4-н-пентил-4′-цианобифенила и ионного сурфактанта цетилтриметиламмония бромида (в соотношении 1:0.006 по весу).

5. Был собран электрооптический элемент, то есть ЖК ячейка располагалась между скрещенными пленочными поляризаторами таким образом, чтобы угол между направлением натирания нижней подложки и поляризаторами составлял 45°, при этом направление натирания верхней подложки было параллельно верхнему поляризатору. Затем производилась склейка устройства.

В качестве 3-го примера был изготовлен электрооптический жидкокристаллический элемент с ионно-сурфактантным способом управления, с применением следующих операций:

1. С использованием 13% водного раствора смеси поливинилового спирта, глицерина, лимонной кислоты и тетрабутиламмония бромида (в соотношении 1:0.258:0.027:0.009 по весу), две стеклянные подложки с прозрачными электродами ITO на внутренних сторонах были покрыты полимерными пленками-ориентантами методом центрифугирования. Толщина полимерных пленок-ориентантов составила около 1.5 мкм.

2. Полимерные пленки-ориентанты были однонаправленно натерты.

3. Используя подготовленные подложки, была собрана ячейка так, что угол между направлениями натирания подложек составлял 45°. Толщина зазора составила 7 мкм.

4. Ячейка заполнялась смесью нематического жидкого кристалла 4-н-пентил-4′-цианобифенила и ионного сурфактанта тетрабутиламмония бромида (в соотношении 1:0.006 по весу).

5. Был собран электрооптический элемент, то есть ЖК ячейка располагалась между скрещенными пленочными поляризаторами таким образом, чтобы угол между направлением натирания нижней подложки и поляризаторами составлял 45°, при этом направление натирания верхней подложки было параллельно нижнему поляризатору. Затем производилась склейка устройства.

В исходном состоянии свет не проходит через заявляемый электрооптический элемент, что подтверждает микрофотография части площади элемента, показанная на фиг. 2а. На фигурах 2а, б, в двойными стрелками обозначены направления поляризаторов; R1 и R2 - направления натирания нижней и верхней подложек, соответственно; E - приложенное электрическое поле. При приложении к ЖК ячейке электрического поля, направленного «снизу вверх», происходит увеличение светопропускания оптического элемента (фиг. 2б). При обратной полярности приложенного поля светопропускание элемента возвращается к исходному состоянию (фиг. 2в).

Анализ показал, что при использовании заявляемого элемента время переключения просветленного состояния (фиг. 2б) в затемненное (фиг. 2в) уменьшается более чем на порядок по сравнению с аналогичным временем в ячейке-прототипе.

Исследования экспериментальных образцов показали, что заявляемый электрооптический ЖК элемент имеет схожие с прототипом физико-технические характеристики. В то же время было достигнуто уменьшение времени переключения ячейки из просветленного в затемненное состояние более чем на порядок в сравнении с ячейкой-прототипом.

Предлагаемый электрооптический жидкокристаллический элемент с ионно-сурфактантным способом управления может использоваться в таких оптоэлектронных приборах и устройствах, где необходимо иметь компактный, дешевый, простой в изготовлении и надежный в эксплуатации элемент управления светопропусканием оптического излучения.

Электрооптический жидкокристаллический элемент, содержащий два скрещенных поляризатора, между которыми расположена жидкокристаллическая ячейка с ионно-сурфактантным управлением, состоящая из двух стеклянных пластин с прозрачными электродами на внутренних сторонах, покрытых полимерными пленками-ориентантами, и слоя нематического жидкого кристалла, допированного ионным сурфактантом, между ними, отличающийся тем, что направление натирания одной из подложек параллельно одному из поляризаторов, направление натирания другой подложки составляет угол 45° с поляризаторами, а для управления светопропусканием используют биполярные электрические импульсы.
ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 27.
20.12.2013
№216.012.8d6d

Способ получения аморфных магнитных пленок со-р

Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501888
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.01.2015
№216.013.19fa

Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит симметричную конструкцию из чередующихся диэлектрических слоев с высоким и низким показателем преломления, образующую систему однослойных резонаторов, разделенных один...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538078
Дата охранного документа: 10.01.2015
Показаны записи 1-10 из 29.
20.12.2013
№216.012.8d6d

Способ получения аморфных магнитных пленок со-р

Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501888
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.01.2015
№216.013.19fa

Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит симметричную конструкцию из чередующихся диэлектрических слоев с высоким и низким показателем преломления, образующую систему однослойных резонаторов, разделенных один...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538078
Дата охранного документа: 10.01.2015
+ добавить свой РИД