×
20.12.2013
216.012.8d6d

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК Со-Р

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода, активацию в растворе хлористого палладия, термообработку при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин, осаждение магнитной пленки Co-P толщиной 180-200 нм на немагнитный аморфный подслой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля. При этом в способе на магнитную пленку Co-P осаждают немагнитную аморфную прослойку Ni-P с последующим осаждением идентичной магнитной аморфной пленки Co-P, причем толщина идентичных магнитных пленок Co-P равна 180-200 нм при толщине прослойки Ni-P 2-3 нм. Способ позволяет повысить качество аморфных пленок за счет значительного уменьшения величины коэрцитивной силы получаемых пленок. 1 ил., 1 табл.
Основные результаты: Способ получения аморфных магнитных пленок Co-P, включающий очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода и активацию в растворе хлористого палладия с последующей термообработкой при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин и осаждение магнитной аморфной пленки Co-P на немагнитный аморфный подслой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля, отличающийся тем, что на магнитную пленку Co-P осаждают немагнитную аморфную прослойку Ni-P с последующим осаждением идентичной магнитной аморфной пленки Co-P, причем толщина идентичных магнитных пленок Co-P равна 180-200 нм при толщине прослойки Ni-P 2-3 нм.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике, в головках записи и считывания информации, в датчиках магнитных полей, управляемых СВЧ устройствах: фильтрах, амплитудных фазовых модуляторах и т.д.

Способ получения аморфных магнитных пленок на стекло включает стадии: химической очистки, сенсибилизации, активации и осаждения из известных растворов с использованием в качестве восстановителя гипофосфита натрия. При этом, для повышения качества пленок (адгезии, магнитных и других свойств) использует различные виды и режимы предварительной химической и термической обработки стекла, различные составы растворов с добавками солей в основном органических кислот и т.д. [Горбунова К.М., Никифорова А.А., Садаков Г.А. и др. Физико-химические основы процесса химического кобальтирования. М., Наука, 1974, стр.49-58]. [АС СССР, МПК 18/18 №1145050, БИ №10 от 15.03.85].

Однако указанные способы, обеспечивая хорошую адгезии, не обеспечивают достаточно высокое качество аморфных магнитных пленок по магнитным свойствам.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению (прототип) является способ получения аморфных магнитных пленок Co-P на полированное стекло, включающий очистку подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода, активацию в растворе хлористого палладия, термообработку при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин, осаждение магнитной пленки на немагнитный аморфный слой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля. [Патент №2306367, МПК C23C, 18/18, БИ26 от 20.09.2007 (прототип)].

Однако способ-прототип не обеспечивает получения аморфных анизотропных пленок Co-P достаточно высокого качества, например, с низкой коэрцитивностью Hc.

Техническим результатом изобретения является повышение качества аморфных пленок, а именно, значительное уменьшение коэрцитивной силы Hc.

Технический результат достигается тем, что в способе получения аморфных магнитных пленок Co-P, включающем очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода и активацию в растворе хлористого палладия с последующей термообработкой при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин и осаждение магнитной аморфной пленки Co-P на немагнитный аморфный подслой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля, новым является то, что на магнитную пленку Co-P осаждают немагнитную аморфную прослойку Ni-P с последующим осаждением идентичной магнитной аморфной пленки Co-P, причем толщина идентичных магнитных пленок Co-P равна 180-200 нм при толщине прослойки Ni-P 2-3 нм.

Предлагаемый способ получения аморфных пленок Co-P, состоящих из двух идентичных слоев определенной толщины 180-200 нм с промежуточным немагнитным слоем Ni-P толщиной 2-3 нм, позволяет уменьшить коэрцитивность Hc на два порядка по сравнению со способом-прототипом. Необходимость осаждения магнитной пленки именно такой толщины вызвано тем, что в интервале толщин 10-200 нм наблюдается значительное уменьшение коэрцитивной силы пленок Co-P при увеличении их толщины.

На Фиг.1 представлена зависимость коэрцитивной силы от толщины магнитных слоев.

Ниже описывается пример конкретной реализации предлагаемого способа в сопровождении таблицы с измеренными параметрами Hc и фиг.1.

На подготовленную по способу-прототипу стеклянную подложку размером 10×12 мм2 и толщиной 1,5 мм осаждают буферный немагнитный подслой Ni-P толщиной 30 нм. Осаждение проводят из раствора состава в г/л: сернокислый никель 7, гипофосфит натрия 10, лимоннокислый натрий 25, хлористый аммоний 17, аммиак 0,7 мл/л при температуре 99°C и pH=7,5. Далее на буферный слой Ni-P из раствора состава в г/л: кобальт сернокислый 30, гипофосфит натрия 50, лимоннокислый натрий 80, аммиак 30 мл/л при температуре 97°C и pH=9,5 осаждают аморфную магнитную пленку Co-P в однородном постоянном магнитном поле напряженностью 3 кЭ. Затем вновь осаждают немагнитный аморфный слой Ni-P толщиной 2 нм с последующим осаждением идентичной Co-P пленки.

Для определения зависимости коэрцитивной силы от толщины магнитных слоев d были изготовлены 6 образцов, у которых величина d дискретно менялась от 10 до 180 нм. Толщины немагнитной аморфной прослойки Ni-P и буферного подслоя Ni-P оставались неизменными и составляли, соответственно, 2 и 30 нм. Толщины всех слоев определялись по времени осаждения при известной скорости осаждения контрольных образцов. Для определения скорости осаждения предварительно были определены толщины контрольных образцов по данным рентгеноспектральных измерений на приборе S4 PIONEER. Измерение коэрцитивной силы производилось с помощью петлескопа, принцип работы которого основан на индукционном возбуждении сигнала с рабочей частотой 50 Гц.

Зависимость коэрцитивной силы от толщины магнитных слоев Co-P представлена в таблице 1 и на фиг.1. Из таблицы и фиг.1 видно, что коэрцитивная сила пленок Co-P толщиной 10 нм составляет 0,59 Э. При увеличении толщины до 180 нм происходит уменьшение Hc до минимального значения, равного 0,052 Э.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет существенно уменьшить (на два порядка) величину коэрцитивной силы и, следовательно, улучшить качество аморфных пленок Co-P по сравнению с пленками, полученными по способу-прототипу.

Таблица 1
Номер образца Толщина нижней пленки Co-P, нм Толщина верхней пленки Co-P, нм Толщина подслоя M-P, нм Толщина прослойки, Ni-P, нм Коэрцитивная сила, Э
1 10,0 10,0 30,0 2,0 0,590
2 30,0 30,0 30,0 2,0 0,460
3 50,0 50,0 30,0 2,0 0,410
4 80,0 80,0 30,0 2,0 0,295
5 120,0 120,0 30,0 2,0 0,260
6 180,0 180,0 30,0 2,0 0,052

Способ получения аморфных магнитных пленок Co-P, включающий очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в растворе перекиси водорода и активацию в растворе хлористого палладия с последующей термообработкой при температуре 150-450°C в течение 30-40 мин и осаждение магнитной аморфной пленки Co-P на немагнитный аморфный подслой Ni-P толщиной 20-30 нм при наложении в плоскости пленки однородного постоянного магнитного поля, отличающийся тем, что на магнитную пленку Co-P осаждают немагнитную аморфную прослойку Ni-P с последующим осаждением идентичной магнитной аморфной пленки Co-P, причем толщина идентичных магнитных пленок Co-P равна 180-200 нм при толщине прослойки Ni-P 2-3 нм.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК Со-Р
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 28.
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.01.2015
№216.013.19fa

Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит симметричную конструкцию из чередующихся диэлектрических слоев с высоким и низким показателем преломления, образующую систему однослойных резонаторов, разделенных один...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538078
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.02.2015
№216.013.2970

Лютецийсодержащий спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к области изготовления материалов с магнитным состоянием спинового стекла, которые могут быть полезны для развития магнитных информационных технологий и химической промышленности. Технический результат изобретения заключается в получении нового поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542065
Дата охранного документа: 20.02.2015
Показаны записи 1-10 из 32.
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
10.01.2015
№216.013.19fa

Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр

Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит симметричную конструкцию из чередующихся диэлектрических слоев с высоким и низким показателем преломления, образующую систему однослойных резонаторов, разделенных один...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538078
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.02.2015
№216.013.2970

Лютецийсодержащий спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к области изготовления материалов с магнитным состоянием спинового стекла, которые могут быть полезны для развития магнитных информационных технологий и химической промышленности. Технический результат изобретения заключается в получении нового поликристаллического...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002542065
Дата охранного документа: 20.02.2015
+ добавить свой РИД