×
13.01.2017
217.015.7e97

Результат интеллектуальной деятельности: УСТРОЙСТВО ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к методам исследования электрофизических свойств диэлектрических покрытий и может быть использовано, в частности, для изучения электронно-индуцированных процессов зарядки, накопления и кинетики зарядов в диэлектриках. Устройство содержит неподвижный измерительный электрод со средством регистрации индуцированного переменного тока, исследуемый образец покрытия, расположенный на вращающемся цилиндре, выполненным из материала с высокой электропроводностью, в углублении в радиальном направлении и размещенный над ним измерительный электрод, при этом поперечные размеры измерительного электрода и ширина углубления для образца выполнены равными, расстояние электрод-образец составляет 0,1-0,2 мм, а скорость вращения держателя образца не менее 200 об/мин. Согласно изобретению для расширения функциональных возможностей устройства и повышения точности измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий, над держателем образца на равном расстоянии от оси вращения с измерительным электродом расположен источник электронов, а измерительный тракт регистрации индуцированного переменного тока предварительно проградуирован с помощью дисковых элементов питания. 2 ил.

Изобретение относится к методам исследования электрофизических свойств диэлектрических покрытий и может быть использовано, в частности, для изучения электронно-индуцированных процессов зарядки, накопления и кинетики зарядов в диэлектриках.

Учет данных эффектов важен при разработке электронно-зондовых технологий, таких как электронная микроскопия, рентгеновский микроанализ, оже-спектроскопия, электронно-лучевая литография. Зарядка поверхности диэлектрических объектов приводит к потере контраста изображения, изменению эффективной энергии падающих электронов, невозможности проведения количественного анализа.

В то же время в других приложениях, например в запоминающих потенциалоскопах, накопителях энергии на электретах, дозиметрах, эти явления находят полезное практическое применение.

Известны методики измерения поверхностного заряда диэлектриков, основанные на контроле энергетических спектров вторичных электронов, эмитируемых с их поверхности под действием электронной бомбардировки (Ю.П. Топоров, В.И. Анисимова, В.А. Клюев, патент SU №885928; Э.И. Рау, Е.Н. Евстафьева, М.В. Андрианов. Физика твердого тела, 2008, т. 50, вып. 4, с. 602-605).

Реализация данных методик предполагает использование сложного оборудования и недоступна для массового практического использования.

Известно устройство измерения потенциала поверхности диэлектрических образцов, включающее в себя неподвижный измерительный электрод со средством регистрации индуцированного переменного тока и контролируемый образец, перемещающийся относительно электрода (Губкин А.Н. Электреты. Электретный эффект в твердых диэлектриках. М.: Наука, 1978, с. 90-97).

Применение известного устройства для решения поставленной задачи затруднительно из-за сложности совмещения процедур измерения потенциала с необходимостью облучения поверхности исследуемых диэлектриков ускоренными электронами.

Известные модификации данной методики (Алейников Н.М., Алейников А.Н., Агошкин В.В. Способ измерения плотности заряда плоских диэлектриков, патент РФ №2260811; Алейников Н.М. Способ определения плотности заряда в диэлектриках, патент РФ №1471152) по тем же причинам не решают указанную проблему.

Наиболее близким устройством того же назначения к заявляемому объекту по совокупности признаков является устройство измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий (SU №1780124 A1, О.Н. Крютченко, А.Ф. Маннанов, А.И. Улитенко, Э.И. Соколовский, опубл. 07.12.92 г., бюл. №45 - прототип).

К причинам, препятствующим достижению требуемого технического результата при использовании известного устройства, принятого за прототип, относится то, что в нем, во-первых, не предусмотрена возможность облучения поверхности образцов диэлектриков в вакууме ускоренными электронами и, во-вторых, значение потенциала находится аналитически по формуле с неизбежной погрешностью.

Задачей данного изобретения является расширение функциональных возможностей известного устройства и повышение точности измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий.

Данный технический результат достигается при осуществлении изобретения тем, что в известном устройстве измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий, включающем в себя неподвижный измерительный электрод со средством регистрации индуцированного переменного тока, исследуемый образец, расположенный на вращающемся цилиндре, выполненным из материала с высокой электропроводностью, в углублении в радиальном направлении и размещенный над ним измерительный электрод, при этом поперечные размеры измерительного электрода и ширина углубления для образца выполнены равными, расстояние электрод-образец составляет 0,1-0,2 мм, а скорость вращения цилиндра не менее 200 об/мин, над держателем образца на равном расстоянии от оси вращения с измерительным электродом расположен источник электронов, а измерительный тракт регистрации индуцированного переменного тока предварительно проградуирован с помощью дисковых элементов питания.

Вышеизложенный технический результат достигается за счет использования источника ускоренных электронов и процедуры предварительной градуировки измерительного тракта регистрации индуцированного переменного тока - получение зависимости амплитудного значения наведенного тока в цепи измерительного электрода от потенциала поверхности контролируемых образцов.

Положительный эффект от использования данного изобретения обусловлен тем, что с помощью разработанного устройства может быть проведено экспрессное измерение с повышенной точностью потенциала поверхности диэлектрических покрытий, образованного контролируемой электронной бомбардировкой, при одновременной регистрации проходящего через них сквозного тока.

Таким образом, сопоставительный анализ предложенного технического решения и уровня техники позволил установить, что заявленное изобретение соответствует требованию «новизна» и «изобретательский уровень» по действующему законодательству.

Один из вариантов конструкции предлагаемого устройства измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий представлен на фиг. 1. Оно включает в себя цилиндрический держатель образца 1, на котором расположен исследуемый образец 2. Держатель образца выполнен из меди, соединен со шкивом электромотора 3 и может вращаться вокруг оси. Над держателем образца расположены измерительный электрод 4, в электрической цепи которого предусмотрена возможность контроля индуцированного переменного тока, и источник электронов 5.

На фиг. 2 представлена зависимость амплитудного значение индуцированного в цепи измерительного электрода тока от потенциала эталонных образцов (наборов дисковых элементов питания с различными номиналами).

Устройство работает следующим образом.

Измерительную часть устройства с исследуемым диэлектрическим покрытием (фиг. 1) помещают в вакуумную камеру, которую откачивают до давления остаточных газов, равного 10-5 мм рт.ст. Включают электронную пушку и приводят в движение с помощью электромотора цилиндрический держатель образца.

Поверхность диэлектрического покрытия при периодическом прохождении зоны облучения электронами приобретает определенный потенциал. При перемещении покрытия относительно измерительного электрода в электрической цепи последнего возникает импульсный наведенный ток, амплитуда которого однозначно определяется величиной поверхностного потенциала исследуемого покрытия.

Зная амплитуду наведенного тока, по имеющейся градуировочной зависимости (фиг. 2) определяют искомое значение потенциала поверхности покрытия.

Испытание разработанного устройства производилось на промышленной установке УВН-2М-1. В качестве образцов диэлектрических покрытий использовалась фольга из сплава алюминия АМГ-6 толщиной 500 мкм, шириной 1 см, прошедшая предварительный отжиг в кислороде при температуре 400°С. При этом на ее поверхности формировался слой оксида алюминия толщиной 50 нм.

Вакуумная камера установки откачивалась до давления остаточных газов 10-5 мм рт.ст. Источник электронов с прямонакальным вольфрамовым катодом позволял осуществлять облучение поверхности образцов покрытий электронами, ускоренными до энергий 10-1000 В при токе 0,1-0,5 мА.

Скорость вращения держателя образцов устанавливалась равной 600 об/мин. При этом амплитуда полезного сигнала составляла 10-100 мкА. Величина потенциала поверхности исследуемых образцов в зависимости от условий электронной бомбардировки изменялась в диапазоне 2-25 В.

Использование предлагаемого технического решения позволит получить экономический эффект за счет выбора оптимальной технологии изготовления диэлектрических покрытий и условий их эксплуатации.

Устройство измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий, включающее неподвижный измерительный электрод со средством регистрации индуцированного переменного тока, исследуемый образец покрытия, расположенный на вращающемся цилиндре, выполненным из материала с высокой электропроводностью, в углублении в радиальном направлении и размещенный над ним измерительный электрод, при этом поперечные размеры измерительного электрода и ширина углубления для образца выполнены равными, расстояние электрод-образец составляет 0,1-0,2 мм, а скорость вращения держателя образца не менее 200 об/мин, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей устройства и повышения точности измерения потенциала поверхности диэлектрических покрытий, над держателем образца на равном расстоянии от оси вращения с измерительным электродом расположен источник электронов, а измерительный тракт регистрации индуцированного переменного тока предварительно проградуирован с помощью дисковых элементов питания.
УСТРОЙСТВО ИЗМЕРЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 11-20 из 90.
27.10.2013
№216.012.7b4c

Способ образования двумерного линейного высокочастотного электрического поля и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области фокусировки, энерго и масс-анализа заряженных частиц в линейных высокочастотных электрических полях и может использовано для улучшения конструкторских и коммерческих характеристик приборов для микроанализа вещества. Технический результат - усовершенствование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497226
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98fe

Кмоп-транзистор с вертикальными каналами и общим затвором

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504865
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.02.2014
№216.012.a35d

Обнаружитель-измеритель когерентно-импульсных сигналов

Изобретение относится к радиолокации и предназначено для обнаружения когерентно-импульсных периодических радиосигналов и измерения радиальной скорости объекта; может быть использовано в радиолокационных системах управления воздушным движением для обнаружения и измерения скорости летательных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507536
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.03.2014
№216.012.a8fc

Способ контроля и коррекции ориентации деталей и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к области машиностроения, в частности к контролю и коррекции ориентации малоразмерных деталей, имеющих форму прутка с плющением на одном конце, при их обработке. При перемещении освещаемой детали по наклонной плоскости транспортного лотка осуществляют ее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002508975
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa40

Способ определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509299
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa42

Способ определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины

Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509301
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.04.2014
№216.012.b34a

Электронная схема и/или микроэлектромеханическая система с радиационным источником подвижных носителей заряда

Изобретение относится к электронике и микроэлектромеханическим системам. Cхема электронная или микроэлектромеханическая с радиационным источником подвижных носителей заряда (изистор) содержит, по крайней мере, две области - первую и вторую. Первая область состоит из радиоизотопного материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511614
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb2c

Полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением (варианты)

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513644
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb38

Фазометр когерентно-импульсных сигналов

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения доплеровских сдвигов фаз (радиальной скорости объекта) когерентно-импульсных периодических радиосигналов на фоне шума; может быть использовано в радиолокационных и навигационных системах для однозначного измерения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513656
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb3e

Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона

Изобретение относится к области эмиссионной и наноэлектроники и может быть использовано в разработке и в технологии производства фотоэлектронных преобразователей второго поколения, эмиттеров с отрицательным электронным сродством для приборов ИК-диапазона. Способ изготовления фотоэмиттера с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513662
Дата охранного документа: 20.04.2014
Показаны записи 11-20 из 104.
27.10.2013
№216.012.781c

Устройство для дистанционной регистрации процессов сердцебиения и дыхания пациента

Изобретение относится к медицинской технике и может быть использовано в медицинской практике для дистанционной регистрации процессов дыхания и сердечной деятельности пациента в реальном времени. Устройство для дистанционной регистрации процессов сердцебиения и дыхания пациента содержит в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496410
Дата охранного документа: 27.10.2013
27.10.2013
№216.012.7896

Способ формирования магнитотерапевтического воздействия и устройство для его осуществления

Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам для комплексной магнитотерапии. Способ заключается в размещении по всему телу пациента в два слоя, над и под ним, идентичных модулей в виде формирователей электромагнитного поля, подаче на них электрических сигналов регулируемой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002496532
Дата охранного документа: 27.10.2013
27.10.2013
№216.012.7b4c

Способ образования двумерного линейного высокочастотного электрического поля и устройство для его осуществления

Изобретение относится к области фокусировки, энерго и масс-анализа заряженных частиц в линейных высокочастотных электрических полях и может использовано для улучшения конструкторских и коммерческих характеристик приборов для микроанализа вещества. Технический результат - усовершенствование...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497226
Дата охранного документа: 27.10.2013
20.01.2014
№216.012.98fe

Кмоп-транзистор с вертикальными каналами и общим затвором

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В КМОП-транзисторе объединены два комплементарных транзистора в компактную структуру с вертикальными каналами с p- и n-типами проводимости, которые расположены параллельно друг другу и имеют общий затвор. Затвор изолирован от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504865
Дата охранного документа: 20.01.2014
20.02.2014
№216.012.a35d

Обнаружитель-измеритель когерентно-импульсных сигналов

Изобретение относится к радиолокации и предназначено для обнаружения когерентно-импульсных периодических радиосигналов и измерения радиальной скорости объекта; может быть использовано в радиолокационных системах управления воздушным движением для обнаружения и измерения скорости летательных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002507536
Дата охранного документа: 20.02.2014
10.03.2014
№216.012.a8fc

Способ контроля и коррекции ориентации деталей и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к области машиностроения, в частности к контролю и коррекции ориентации малоразмерных деталей, имеющих форму прутка с плющением на одном конце, при их обработке. При перемещении освещаемой детали по наклонной плоскости транспортного лотка осуществляют ее...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002508975
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa40

Способ определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников

Использование: для определения зарядового состояния атомов в субнанослойных пленках на поверхности металлов и полупроводников. Сущность: заключается в том, что поверхность анализируемого объекта облучают ионами инертных газов низких энергий, регистрируют энергетический спектр отраженных ионов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509299
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.03.2014
№216.012.aa42

Способ определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины

Использование: для определения кристаллической фазы в аморфных пленках наноразмерной толщины. Сущность заключается в том, что выполняют бомбардировку поверхности пучком ионов и регистрацию интенсивности отраженных ионов, при этом анализируемую поверхность бомбардируют ионами инертного газа с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002509301
Дата охранного документа: 10.03.2014
10.04.2014
№216.012.b34a

Электронная схема и/или микроэлектромеханическая система с радиационным источником подвижных носителей заряда

Изобретение относится к электронике и микроэлектромеханическим системам. Cхема электронная или микроэлектромеханическая с радиационным источником подвижных носителей заряда (изистор) содержит, по крайней мере, две области - первую и вторую. Первая область состоит из радиоизотопного материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511614
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb2c

Полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением (варианты)

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В предлагаемом приборе объединены три полевых транзистора в единую вертикальную структуру с каналами n- и p-типами проводимости, между которыми образуется электрический переход, при этом исток p-канала расположен напротив стока...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513644
Дата охранного документа: 20.04.2014
+ добавить свой РИД