×
12.01.2017
217.015.5b6b

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области физики электрического пробоя и может быть использовано для определения амплитуды и длительности импульса тока электрического пробоя в диэлектриках. Технический результат: повышение точности определения тока в канале электрического пробоя диэлектриков. Сущность: подают на электроды с размещенным между ними образцом диэлектрика высокое постоянное напряжение U от предварительно заряженного конденсатора емкостью C. Измеряют по осциллограмме импульса напряжения при пробое на включенном последовательно с электродами измерительном резисторе R круговую частоту ω и времени затухания колебаний τ. Определяют сопротивление канала R расчетным путем, а искомые значения амплитуды и длительности тока находят, соответственно, по формулам I=U/R, Δt=RC. 5 ил.

Изобретение относится к области физики электрического пробоя и может быть использовано для определения амплитуды и длительности импульса тока электрического пробоя в диэлектриках.

Проблема электрической прочности диэлектриков остается актуальной до сих пор, несмотря на то что исследования в области физики пробоя продолжаются в течение многих десятилетий. В настоящее время отсутствует общепринятая модель электрического разрушения диэлектриков, в частности, полимерных, широко использующихся в качестве изоляции. Нет даже надежных данных о величинах токов пробоя, вызывающих разрушение диэлектриков. Знание истинных величин токов пробоя позволит получить дополнительную информацию о механизме пробоя и сведения об условиях разрушения диэлектриков в электрическом поле и, следовательно, наметить пути повышения их электрической прочности и работоспособности.

Известен способ определения тока формирования проводящего канала по изменению интенсивности света, испускаемого полупроводниковым источником света (светодиодом, лазером), включенным в цепь заостренного электрода (H. Yamada, Т. Fujiwara and Y. Suzuoki, Electrical breakdown time delay and breakdown propagation velocity in polypropylene under a highly nonuniform field condition., J.Phys.D: Appl. Phys., 26, 1993, 1328-1330). Образец полимера размещали между плоским и заостренным электродами и заливали трансформаторным маслом для предотвращения разряда в воздухе. Ток пробоя измеряли посредством светоизлучающего диода, включенного последовательно с заостренным электродом, используя зависимость яркости свечения диода от величины протекающего по нему тока. Сигнал от диода передавали с помощью световода к фотоэлектронному умножителю, соединенному с осциллографом.

Недостатком способа является низкая точность определения величины тока канала пробоя, поскольку источник света включен последовательно с образцом. Кроме того, использование источников и приемников света заметно сужает диапазон частот измеряемых токов или напряжений.

Известен способ определения тока через образец путем включения измерителя тока последовательно с емкостью измерительной ячейки с образцом (Liu D., Као К.С. High-field hole injection, conduction, and breakdown in polyethylene films fabricated by plasma polymerization, J. Appl. Phys. 69, 1991, P. 2489-2496). Плоский образец полимера помещался между двумя плоскими электродами, один из которых напылялся на поверхность полимера в вакууме. На электроды подавали линейно изменяющееся напряжение и измеряли ток проводимости и пробоя с помощью логарифмического амперметра, включенного последовательно с электродами.

Недостаток этого способа - низкая точность измерения тока, т.к. измеряется не истинный ток пробоя, а ток, определяемый элементами измерительной цепи (индуктивность проводов, ограничительные резисторы), сопротивление которых может превышать сопротивление канала пробоя.

Наиболее близким к заявляемому способу (прототипом) является способ измерения проводимости образца (Р. Ринкунас, С. Кускявичюс, Журнал технической физики, 2009, том 79, вып. 1, стр. 135). Образец диэлектрика помещается между проводящей подложкой (плоским электродом) и игольчатым электродом. Перед измерением конденсатор, включенный в цепь с образцом, заряжается источником напряжения до напряжения, необходимого для пробоя между поверхностью образца и иглообразным электродом. При этом также заряжается и дополнительный конденсатор большей емкости. Величина этого заряда измеряется при разряде конденсатора через измерительное сопротивление с помощью осциллографа. При увеличении проводимости образца в конденсаторе накапливается все больший заряд. По величине этого заряда можно судить о проводимости исследуемого образца.

Недостатком прототипа является низкая точность измерения тока, так как измеряется протекающий при пробое заряд, а не сила тока, а также не учитывается сопротивление канала пробоя.

Предлагаемое изобретение решает задачу повышения точности определения тока (амплитуды и длительности) в канале электрического пробоя диэлектрика.

Задача решается способом определения тока в канале электрического пробоя диэлектрика, включающим размещение образца диэлектрика между двумя электродами, подачу на электроды высокого постоянного напряжения U с предварительно заряженного конденсатора емкостью Cd, измерение осциллограммы импульса напряжения при пробое на включенном последовательно с электродами измерительном резисторе величиной R, в котором, согласно формуле изобретения, по осциллограмме измеряют круговую частоту ω и время затухания колебаний τ, определяют величину R0 сопротивления канала электрического пробоя диэлектрика из соотношения:

где:

К=1+ωτ;

С - емкость электродов с образцом;

L - индуктивность измерительной цепи;

C1 - паразитная емкость, образованная проводниками, соединенными измерительным резистором R,

а искомые значения амплитуды Im и длительности Δt импульса тока находят, соответственно, из соотношений: Im=U/R0, Δt=R0C.

Достигаемый технический результат состоит в повышении точности определения тока электрического пробоя диэлектриков.

Надежные экспериментальные данные о токах пробоя на данный момент отсутствуют, потому что существующие способы регистрации тока в канале пробоя несовершенны, и их использование приводит к существенным ошибкам. Поясним это с помощью Фиг. 1, на которой показана схема протекания токов при пробое диэлектрика,

где:

1 - образец диэлектрика;

2 - электрод;

3 - электрод;

4 - конденсатор с емкостью Cd;

5 - измерительный резистор с сопротивлением R;

6 - канал пробоя с сопротивлением R0;

7 - ограничительный резистор.

Для определения тока через образец обычно измеряется падение напряжения на известном (измерительном) резисторе 5, включенном последовательно с конденсатором, образованным образцом 1 и электродами 2 и 3.

Авторы предлагаемого изобретения впервые выявили тот факт, что ток пробоя складывается не только из тока, замыкающегося на землю I1(t), но и из тока саморазряда конденсатора-образца I(t), который не может быть измерен непосредственно, поскольку он замыкается через сопротивление канала пробоя 6 в объеме образца. Ток саморазряда образца может в десятки раз превосходить измеряемый ток, в силу чего истинный ток пробоя практически равен току саморазряда образца диэлектрика.

В предлагаемом способе авторам удалось по данным измерения параметров импульса напряжения пробоя на измерительном резисторе 5 (частоте колебаний со и времени их затухания τ) определить истинный ток пробоя, протекающий в недоступном для измерения контуре цепи (объем образца).

Для пояснения способа рассмотрим эквивалентную электрическую цепь, представленную на Фиг. 2,

где:

4 - конденсатор с емкостью Cd;

5 - измерительный резистор с сопротивлением R;

6 - канал пробоя с сопротивлением R0;

8 - конденсатор емкостью С (емкость образца 1 с электродами 2 и 3);

9 - индуктивность измерительной цепи величиной L;

10 - конденсатор с паразитной емкостью величиной C1.

Паразитный конденсатор 10 образован проводниками, соединенными измерительным резистором 5. I2(t) - ток, протекающий через конденсатор 10.

Напряжения и токи в эквивалентной схеме связаны системой дифференциальных уравнений, характеристическое уравнение которой можно записать в виде:

s4+bs3+cs2+ds+е=0,

где:

Обозначим корни характеристического уравнения как s1, s2/ s3, s4. Тогда по теореме разложения (Анго А. Математика для электро- и радиоинженеров. М.: Наука, 1967. 779 с.) напряжение на конденсаторе 10 емкостью C1, которое по абсолютной величине равно напряжению на измерительном сопротивлении 5 величиной R, можно представить в следующем виде:

Выражение для тока саморазряда можно записать так:

Амплитуда тока, очевидно, равна Im=U/R0. Сопротивление канала пробоя много меньше общего сопротивления цепи, которое складывается в основном из измерительного сопротивления 5 и реактанса индуктивности. Следует иметь в виду, что индуктивность отрезка прямого медного провода длиной I0=10 см и диаметром 2r=1 мм составляет приблизительно 10-7 Гн. Это значение, по-видимому, близко к минимальному значению паразитной индуктивности используемых измерительных цепей. Реактивное сопротивление такой индуктивности на частоте 100 МГц составляет ~63 Ом. Поэтому длительность тока пробоя будет определяться в основном сопротивлением канала пробоя и равна Δt=R0C.

На Фиг. 3 показано изменение со временем напряжения U1(t) на измерительном сопротивлении и тока I(t) при С=3 пФ, C1=10 Ф, Cd=300 пФ, R0=10 Ом, R=1600 Ом, L=0.3 мкГн, U=1000 В. Хорошо видно, что если определять ток пробоя известным способом, то, поделив максимальное значение U1(t), равное приблизительно 1000 В, на сопротивление измерительного резистора, равное 1600 Ом, получим ток амплитудой около 0,6 А, которая во много раз меньше амплитуды истинного тока I(t), равной Im=100 А. Поскольку расчет сделан для заведомо известных параметров цепи, то предлагаемый способ легко проверить по параметрам колебаний на Фиг. 3. Видно, что амплитуда колебаний напряжения U1(t) уменьшается в 2,7 раза за τ≈21 нс, период колебаний Т≈11 нс, и частота колебаний ω≈5,9·108 рад/сек. Подставив эти значения в вышеприведенную формулу (1) для сопротивления канала, получим, что R0≈10 Ом, которое и было использовано для расчета. Амплитуда тока равна Im=U/R0=1000/10=100 А. Длительность импульса тока пробоя составит Δt=R0С=10·3·10-12=0,03 нс.

Точность определения тока зависит от точности определения частоты и времени затухания колебаний, а также точности измерения параметров измерительной установки. Наименьшая точность (около 10%) характеризует измерение времени затухания колебаний. Другие параметры измеряются с точностью не хуже 1%. По сравнению с известным способом измерения тока пробоя с низкой точностью порядка тысяч процентов (0,6 А вместо 100 А) использование предлагаемого способа существенно повышает точность измерений.

Изобретение поясняется чертежами:

На Фиг. 1 схема протекания токов при пробое диэлектрика;

На Фиг. 2 эквивалентная электрическая схема измерительной цепи;

На Фиг. 3 графики напряжения и тока в схеме Фиг. 2;

На Фиг. 4 схема экспериментальной установки;

На Фиг. 5 осциллограмма, полученная с помощью установки на Фиг. 4.

Пример

Осуществление изобретения подтверждено посредством установки, изображенной на Фиг. 4, где:

1 - образец диэлектрика;

2 - шаровой электрод;

3 - плоский электрод;

4 - конденсатор;

5 - измерительный резистор;

7 - ограничительный резистор;

11 - медный провод разряда цепи;

12 - тефлоновые вставки;

13 - высокочастотный высоковольтный вывод;

14 - медный экран;

15 - гетинаксовая подложка.

Для иллюстрации рассмотрим пример определения тока пробоя пленки полиэтилентерефталата (ПЭТФ) на основании экспериментальных данных, полученных с использованием электродов шар-плоскость (диаметр шара 5 мм). Толщина пленки составляла 2,5 мкм. Эквивалентная схема представлена на Фиг. 2. Параметры (активное и реактивное сопротивления) установки были измерены с помощью анализатора антенн АА-1400. Численные значения элементов схемы были использованы выше, при расчетах напряжения и тока, показанных на Фиг. 2, кроме неизвестного сопротивления канала пробоя. Значение величины измерительного резистора 5 выбрано R=1600 Ом для лучшего согласования с измерительным делителем широкополосного осциллографа. В экспериментах использовался широкополосный запоминающий осциллограф ADS-2332 (интервал дискретизации 1 нс), с высоковольтным делителем TTHV250 с граничной частотой 300 МГц.

На Фиг. 5 представлена зарегистрированная на опыте осциллограмма сигнала на измерительном резисторе 5 при пробое пленки ПЭТФ в режиме подъема напряжения с постоянной скоростью. Пробой произошел при U=1200 В. Путем использования быстрого преобразования Фурье найдено, что наибольший спектральный пик соответствует частоте 106.8 МГц (ω=2π·106,8·106). Амплитуда колебаний уменьшается в 2,7 раза примерно за время τ≈25 нс. Подставив найденные значения ω и τ в формулу (1) для сопротивления канала пробоя, получим, что R0≈6.5 Ом. Отсюда находим, что амплитуда импульса тока пробоя составляет Im=1200/6.5≈185 А. Поскольку импульс тока саморазряда имеет приблизительно треугольную форму (см. Фиг. 3), то эффективная величина тока составит около 90 А. Длительность импульса тока пробоя равна Δt=R0С=6,5·3·10-12≈0,02 нс.

Современные цифровые осциллографы имеют встроенную функцию преобразования Фурье и маркеры для измерения изменения импульса во времени. Однако можно использовать осциллографы и без этой функции, и обработать снятую осциллограмму с помощью соответствующей компьютерной программы, например, MathCAD. Представленный пример подтверждает осуществимость предлагаемого изобретения.

Таким образом, по сравнению с известным способом измерения тока пробоя с низкой точностью использование предлагаемого способа многократно повышает точность измерений. Осуществимость предлагаемого изобретения подтверждена как теоретически, так и путем постановки специальных измерений. Показано, что вместо регистрируемых известным способом токов, составляющих доли ампера, истинные токи пробоя могут превышать сотню ампер и приводят к разрушению диэлектрика. Использование предлагаемого способа позволит получить новые сведения об условиях разрушения диэлектриков в электрическом поле и разработать методы повышения их электрической прочности.

Способ определения тока в канале электрического пробоя диэлектрика, включающий размещение образца диэлектрика между двумя электродами, подачу на электроды высокого постоянного напряжения U с предварительно заряженного конденсатора емкостью C, измерение осциллограммы импульса напряжения при пробое на включенном последовательно с электродами измерительном резисторе величиной R, отличающийся тем, что по осциллограмме измеряют круговую частоту ω и время затухания колебаний τ, определяют величину R сопротивления канала электрического пробоя диэлектрика из соотношения гдеK=1+ωτ;C - емкость измерительной ячейки с образцом; L - индуктивность цепи;C - паразитная емкость, образованная проводниками, соединенными резистором R,а искомые значения амплитуды I и длительности тока Δt находят, соответственно, из соотношений: I=U/R, Δt=RC.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОКА В КАНАЛЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ ДИЭЛЕКТРИКА
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 115.
10.05.2018
№218.016.4617

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия, а также две обкладки из твердого раствора AlGaN. Активный элемент...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650352
Дата охранного документа: 11.04.2018
10.05.2018
№218.016.474a

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен по меньшей мере из одной пары...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650597
Дата охранного документа: 16.04.2018
29.05.2018
№218.016.5995

Устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц

Изобретение относится к устройствам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Устройство включает узел (1) зарядки пылевых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655339
Дата охранного документа: 25.05.2018
08.07.2018
№218.016.6e98

Способ изготовления гетероструктуры ingaasp/inp фотопреобразователя

Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660415
Дата охранного документа: 06.07.2018
19.12.2018
№218.016.a8a8

Способ упрочнения поверхности вольфрамовой пластины

Изобретение относится к обработке и упрочнению поверхности вольфрамовой пластины, подвергающейся интенсивным тепловым нагрузкам, в частности, в установках термоядерного синтеза, в которых вольфрам используют в качестве материала первой стенки и пластин дивертора. Проводят воздействие на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675194
Дата охранного документа: 17.12.2018
27.12.2018
№218.016.ac3c

Способ получения нанокомпозитного материала на основе алюминия

Изобретение относится к получению нанокомпозитного материала на основе алюминия. Способ включает приготовление шихты путем нанесения раствора нитрата металла-катализатора на поверхность частиц алюминия и его сушки, термического разложения нитрата металла-катализатора до оксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676117
Дата охранного документа: 26.12.2018
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
18.05.2019
№219.017.53af

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру AB основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687851
Дата охранного документа: 16.05.2019
01.06.2019
№219.017.7275

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690036
Дата охранного документа: 30.05.2019
07.06.2019
№219.017.7543

Концентраторно-планарный солнечный фотоэлектрический модуль

Концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль (1) содержит фронтальную светопрозрачную панель (2) с концентрирующими оптическими элементами (4), светопрозрачную тыльную панель (5), на которой сформированы планарные неконцентраторные фотоэлектрические преобразователи (6) с окнами (10),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690728
Дата охранного документа: 05.06.2019
Показаны записи 61-70 из 70.
26.08.2017
№217.015.ed5c

Способ получения кристаллических алмазных частиц

Изобретение относится к нанотехнологии алмазных частиц, необходимых для финишной шлифовки и полировки различных изделий и для создания биометок. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает добавление к порошку наноалмазов, полученных детонационным синтезом, циклоалкана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628617
Дата охранного документа: 21.08.2017
26.08.2017
№217.015.ed70

Термоэлектрический элемент

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический элемент (1) включает по меньшей мере две пленки основного материала (2) в виде углеродного материала с sp гибридизацией атомных связей, между которыми нанесена пленка дополнительного материала (3) в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628676
Дата охранного документа: 21.08.2017
20.01.2018
№218.016.0ffc

Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к получению металлических наночастиц. Способ включает формирование потока ускоряемых металлических микрочастиц, плавление металлических микрочастиц, подачу потока образовавшихся жидких микрокапель в область цилиндрического осесимметричного электростатического поля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633689
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a2

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в различных областях науки. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор (1) фиксированной частоты, генератор (2), первый делитель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634076
Дата охранного документа: 23.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a4

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор фиксированной частоты, генератор переменной частоты, первый делитель мощности, второй делитель мощности, переключатель каналов, первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634075
Дата охранного документа: 23.10.2017
13.02.2018
№218.016.20f8

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор (3) в виде линзы Френеля, с линейным размером D, оптическая ось (4) которой проходит через центр (5) фотоактивной области фотоэлемента (1), выполненной в виде круга диаметром d, и соосный с ним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641627
Дата охранного документа: 18.01.2018
13.02.2018
№218.016.249d

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен в виде волновода с воздушными обкладками,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642472
Дата охранного документа: 25.01.2018
04.04.2018
№218.016.36a8

Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития

Изобретение относится к области интегральной оптики. Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития заключается в том, что подают на входной волновод разветвителя рабочее оптическое излучение, выбирают для подстройки один из выходных волноводов, затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646546
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36e8

Фотопреобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646547
Дата охранного документа: 05.03.2018
12.04.2023
№223.018.4476

Способ измерения входного и взаимного сопротивления антенн в диапазоне частот

Изобретение относится к технике антенных измерений и радиоизмерений и предназначено для автоматизированного измерения входного и взаимного сопротивления антенн в широком диапазоне частот. Технический результат заявленного способа заключается в сокращении времени проведения измерений входного и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002734902
Дата охранного документа: 26.10.2020
+ добавить свой РИД