×
20.08.2016
216.015.4aec

Результат интеллектуальной деятельности: ИНТЕГРАЛЬНО-ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки. Глубина оптического волновода равна 3-4 мкм, а максимальная концентрация ионов титана в оптическом волноводе составляет (1-5)·10 м. Интегрально-оптический элемент имеет простую по исполнению конструкцию и при этом сохраняет свойство выделения поляризации, а также имеет низкие оптические потери. 2 ил.
Основные результаты: Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки, при этом глубина оптического волновода равна 3-4 мкм, а максимальная концентрация ионов титана в оптическом волноводе составляет (1-5)·10 м.

Настоящее изобретение относится к устройствам интегральной оптики и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических схем, требующих высокой степени выделения линейной поляризации света, например, таких как фазовые интегрально-оптические модуляторы в составе волоконно-оптических гироскопов или амплитудные модуляторы с высоким коэффициентом экстинкции. Более конкретно настоящее изобретение относится к интегрально-оптическим волноводам на подложке ниобата лития, поддерживающим распространение только одной заданной линейной поляризации света (поляризаторам).

Интегрально-оптические схемы представляют собой волноводные структуры с различной функциональностью, такие как передающие линии, модуляторы, поляризаторы и т.д. Для интегрально-оптических схем на основе ниобата лития (LiNbO3) характерны следующие конструкции: протонно-обменные оптические волноводы, встроенные в подложку из ниобата лития и титан-диффузионные оптические волноводы, также встроенные в подложку из ниобата лития.

Известен интегрально-оптический элемент (см. патент US 6374005, МПК G02B 6/13, опубликован 16.04.2002), включающий подложку из кристалла ниобата лития, оптический волновод, сформированный в верхней поверхности подложки из ниобата лития, образованный обменом ионов лития Li+, входящих в состав кристалла, на протоны H+, и два электрода, расположенные вблизи оптического волновода.

Недостатком известного устройства, представляющего собой образованный в подложке ниобата лития протонно-обменный волновод, является то, что в приповерхностном слое кристалла формируются различные дефекты, благодаря резким изменениям фазового состава этой части интегрально-оптического волновода в течение как протонного обмена, так и послеобменного отжига. Появление значительного количества дефектов приводит к формированию приповерхностного нарушенного слоя, вызывая значительное рассеивание света и, как следствие, заметный рост оптических потерь (0,5 Дб/см) в изготавливаемом интегрально-оптическом волноводе. Помимо этого данная конструкция обладает высокой температурной восприимчивостью. Высокие температуры (свыше 200°C) приводят к ухудшению волноводных свойств, что накладывает ограничения на последующие технологические операции, требующие высоких температур, например термодиффузия, а также условия эксплуатации таких поляризаторов.

Известен интегрально-оптический элемент (см. патент US 8189981, МПК G02B 6/10, опубликован 29.05.2012), включающий кристаллическую подложку из ниобата лития, сформированный в верхней поверхности подложки оптический волновод, образованный путем воздействия на верхнюю поверхность подложки из ниобата лития мягким протонно-обменным раствором, содержащим протонно-обменную кислоту и литиевую соль протонно-обменной кислоты при температуре, меньшей точки кипения раствора при атмосферном давлении, и последующего отжига мягкого протонно-обменного слоя в парах воды для предотвращения образования воды из протонов ниобата водорода и испарения из верхней поверхности подложки.

Известный интегрально-оптический элемент, состоящий из подложки из ниобата лития и сформированного в ней протонно-обменного волновода, имеет значительные оптические потери (0,5 Дб/см), которые к тому же возрастают при росте температуры.

Известен интегрально-оптический элемент (см. патент US 4329016, МПК С23С 10/00, С23С 10/28, С30В 31/00, опубликован 11.05.1982), включающий подложку из ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод с концентрацией ионов титана, образованный термической диффузией титана из нанесенной на поверхность подложки композитной пленки, содержащей окись титана и двуокись кремния. Концентрация ионов титана подбиралась так, чтобы обеспечить минимальные потери в волноводе.

Известный интегрально-оптический элемент имеет ненарушенный приповерхностный слой, однако он поддерживают распространение как обыкновенной, так и необыкновенной волн и не обладает свойством выделения поляризации проходящего через него света.

Известен интегрально-оптический элемент (см. патент US 4789212, МПК G02B 06/126, опубликован 12.03.1998), включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод шириной 4-8 мкм, образованный термической диффузией титана, нанесенный на оптический волновод диэлектрический слой из ZnO толщиной 200-2000 ангстрем, поверх которого нанесен слой алюминия толщиной более 1000 ангстрем.

Известный интегрально-оптический элемент обладает способностью выделять линейную поляризацию проходящего через него светового излучения, однако он достаточно сложен в изготовлении.

Известен интегрально-оптический элемент, работающий в диапазоне длин волн 1500-1600 нм, совпадающий с настоящим техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип (I.V. Il′ichev, N.V. Toguzov, А.V. Shamray, "Plasmon-polariton polarizers on the surface of single-mode channel optical waveguides in lithium niobate", Technical Physics Letters, September 2009, Volume 35, Issue 9, p.p. 831-833). Устройство-прототип включает подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-8 мкм и толщиной 100-120 нм, нанесенной на поверхность подложки, диэлектрический буферный слой из A2O3 нанесенный поверх оптического волновода, и алюминиевую пленку, нанесенную на диэлектрический буферный слой. Глубина оптического волновода в интегрально-оптическом элементе-прототипе составляла 5,0-7,0 мкм, а максимальная концентрация ионов титана в оптическом волноводе не превышала 1027 м-3. Сформированный в подложке из кристалла ниобата лития волновод поддерживал как обыкновенную, так и необыкновенную поляризации. Буферный слой из A2O3 толщиной 15 нм, алюминиевая пленка толщиной 100 нм предназначены для возбуждения плазмонно-поляритонных мод и подавления моды, поляризованной перпендикулярно границе раздела металл/диэлектрик.

Такая конструкция интегрально-оптического элемента, обладающего свойством выделения поляризации, характеризуется высоким коэффициентом выделения заданной поляризации (19 Дб/мм) и отсутствием температурной восприимчивости, однако устройство-прототип имеет значительные оптические потери, и для его изготовления необходимо использовать сложный технологический процесс, требующий дополнительное напыление слоев с высокой точностью по толщине (±5 нм).

Задачей настоящего изобретения разработка такого интегрально-оптического элемента, работающего в диапазоне длин волн 1500-1600 нм, который бы имел более простую по исполнению конструкцию и при этом сохранял свойство выделения поляризации, а также имел низкие оптические потери.

Поставленная задача решается тем, что интегрально-оптический элемент включает подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки, при этом глубина оптического волновода равна 3-4 мкм, а максимальная концентрация ионов титана в оптическом волноводе составляет (1-5)·1028 м-3.

Новым в интегрально-оптическом элементе является то, что оптический волновод выполнен термической диффузией титана из титановой полоски таким образом, что образовываемый волновод имеет глубину 3-4 мкм и максимальную концентрацию ионов титана (1-5)·1028 м-3. Данные параметры оптического волновода обеспечивают, с одной стороны, распространение только одной поляризации и, с другой стороны, низкий уровень потерь. При концентрации ионов титана менее 1028 м-3 волновод начинает поддерживать две ортогональные поляризации (обыкновенную и необыкновенную). Концентрацию ионов титана более 5·1028 м-3 затруднительно получить при глубине оптического волновода 3-4 мкм, помимо этого концентрации свыше 5·1028 также приводят к увеличению потерь. При глубине оптического волновода менее 3 мкм возрастают потери. При глубине волновода более 4 мкм сложно обеспечить максимальную концентрацию ионов титана в сформированном волноводе более 1028 м-3.

В отличие от устройства-прототипа, в настоящем интегрально-оптическом элементе используются анизотропные свойства кристалла ниобата лития, что приводит к различной величине изменения показателей преломления для обыкновенной и необыкновенной волн в образованном в подложке из кристалла ниобата лития оптическом волноводе. Было обнаружено, что существует диапазон глубин оптического волновода и концентраций ионов титана в оптическом волноводе, сформированном методом термической диффузии титана в кристалл ниобата лития, при котором, с одной стороны, оптический волновод обладает низкими потерями, что необходимо для качественных интегрально-оптических элементов, а с другой стороны, не поддерживает распространение по оптическому волноводу обыкновенной волны света. Данный интервал глубин оптического волновода составляет 3-4 мкм, а концентрация ионов титана составляет (1-5)·1028 1/м3.

Настоящее изобретение поясняется чертежами, где:

на фиг. 1 схематически показано в поперечном разрезе настоящее интегрально-оптическое устройство (h - глубина оптического волновода);

на фиг. 2 приведена зависимость длин волн отсечки для обыкновенной и необыкновенной волн, распространяющихся в оптическом волноводе, сформированном в подложке из ниобата лития, от концентрации титана в оптическом волноводе.

Настоящую конструкцию интегрально-оптического элемента изготавливают следующим образом: на подложке 1 ниобата лития (см. фиг. 1) формируют полоску титана. После этого проводят высокотемпературный отжиг при температуре 1000-1100°C, в течение времени, необходимого для достижения глубины диффузии 3-4 мкм, необходимой для формирования оптического волновода 2, и достижения в образовываемом оптическом волноводе 2 концентрации титана (1-5)·1028 1/м3.

Для изготовления интегрально-оптического элемента, работающего в качестве поляризатора в телекоммуникационном диапазоне длин волн (1500-1600 нм), ширина полоски обычно лежит в диапазоне от 3 до 7 мкм, а ее толщина в диапазоне от 60 до 80 нм, время отжига не превышает 5 часов.

В соответствии с настоящим изобретением было изготовлено 3 образца интегрально-оптического элемента на подложке из кристалла ниобата лития. Использовали подложки из кристалла ниобата лития X среза. На подложках при помощи магнетронного напыления формировали полоски титана различной ширины от 3 до 7 мкм и толщиной 80 нм. Затем производили термодиффузию титана при температуре 1050°C в течение различных времен отжига. В результате, за счет термодиффузии, формировалась область повышенного показателя преломления, являющаяся оптическим волноводом. Один образец имел максимальную концентрацию титана 1028 1/м3 и глубину диффузии 3 мкм, второй образец имел максимальную концентрацию титана 5·1028 1/м3 и глубину диффузии 4 мкм, третий образец имел максимальную концентрацию титана 3,5·1028 1/м3 и глубину диффузии 3,5 мкм. Все три образца обеспечивали распространение необыкновенно поляризованной волноводной моды и отсечку и вытекание обыкновенно поляризованной моды в диапазоне длин волн 1500-1600 нм. Из фиг. 2 видно, что для длины волны телекоммуникационного диапазона 1,55 мкм при концентрациях титана в сформированном волноводе свыше 1·1028 м-3 обыкновенная волна не распространяется по оптическому волноводу. Экспериментально был измерен коэффициент выделения поляризации для каждого образца. Для всех образцов коэффициент выделения поляризации превышал 40 Дб/см. Полученные экспериментальные результаты хорошо согласуются с проведенным теоретическим моделированием с использованием литературных данных по коэффициентам диффузии титана (см. М. Fukuma, J. Noda and H. Iwasaki, "Optical properties in titanium-diffused LiNbO3 strip waveguides," J. Appl. Phys., vol. 49, no. 7, pp. 3693-3698, Jul. 1978).

Таким образом, настоящая конструкция интегрально-оптического элемента на подложке из кристалла ниобата лития обеспечивает высокий коэффициент выделения заданной поляризации, низкие оптические потери, низкую температурную восприимчивость и простоту изготовления в одном технологическом процессе. Более того, настоящая конструкция интегрально-оптического элемента позволяет изготавливать сложные схемы, поддерживающие распространение обеих собственных поляризаций, где участки выделяют поляризацию, топологией полосок титана.

Интегрально-оптический элемент, включающий подложку из кристалла ниобата лития, встроенный в подложку оптический волновод, образованный термической диффузией титана из титановой полоски шириной 3-7 мкм и толщиной 60-80 нм, нанесенной на поверхность подложки, при этом глубина оптического волновода равна 3-4 мкм, а максимальная концентрация ионов титана в оптическом волноводе составляет (1-5)·10 м.
ИНТЕГРАЛЬНО-ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
ИНТЕГРАЛЬНО-ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 91-100 из 115.
24.10.2019
№219.017.d9de

Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом

Изобретение относится к технике полупроводников. Способ изготовления вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом включает последовательное эпитаксиальное выращивание на полуизолирующей подложке из GaAs полупроводниковой гетероструктуры, содержащей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703938
Дата охранного документа: 22.10.2019
24.10.2019
№219.017.d9ee

Длинноволновый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами

Изобретение относится к электронной технике. Длинноволновый вертикально-излучающий лазер включает полуизолирующую подложку из GaAs, нижний нелегированный распределенный брэгговский отражатель (РБО), внутрирезонаторный контактный слой n-типа, композиционную решетку n-типа, содержащую по меньшей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703922
Дата охранного документа: 22.10.2019
26.10.2019
№219.017.db2d

Вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами и диэлектрическим зеркалом

Изобретение относится к технике полупроводников. Полупроводниковый вертикально-излучающий лазер с внутрирезонаторными контактами содержит полуизолирующую подложку (1) из GaAs, нижний нелегированный РБО (2), внутрирезонаторный контактный слой (3) n-типа, композиционную решетку (5) n-типа,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704214
Дата охранного документа: 24.10.2019
25.12.2019
№219.017.f1de

Источник спонтанного ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 250 нм

Изобретение может быть использовано в системах очистки воды/воздуха/продуктов, системах химического анализа, медицине, УФ спектрометрии, системах скрытой помехоустойчивой оптической связи и др. Источник спонтанного ультрафиолетового излучения с длиной волны менее 250 нм включает подложку (1)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709999
Дата охранного документа: 23.12.2019
31.12.2020
№219.017.f458

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе gasb

Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения. Во всех перечисленных случаях...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002710605
Дата охранного документа: 30.12.2019
17.01.2020
№220.017.f630

Высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, содержащий управляемый напряжением высокочастотный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711228
Дата охранного документа: 15.01.2020
21.01.2020
№220.017.f74d

Высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, криогенную систему, сверхпроводящий электромагнит, блок...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711345
Дата охранного документа: 16.01.2020
06.03.2020
№220.018.098f

Установка слежения за солнцем и способ ее ориентации

Установка слежения за Солнцем включает промежуточную раму в виде круглой цилиндрической балки (1), установленную с возможностью вращения посредством первых цилиндрических шарниров (2), (5) на двух стойках (3), (6), прикрепленных к основанию (4), раму (13) солнечных панелей, прикрепленную с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002715901
Дата охранного документа: 04.03.2020
20.05.2020
№220.018.1dbe

Способ изготовления фотопреобразователя

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721161
Дата охранного документа: 18.05.2020
20.05.2020
№220.018.1dcb

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002721166
Дата охранного документа: 18.05.2020
Показаны записи 61-69 из 69.
26.08.2017
№217.015.ed5c

Способ получения кристаллических алмазных частиц

Изобретение относится к нанотехнологии алмазных частиц, необходимых для финишной шлифовки и полировки различных изделий и для создания биометок. Способ получения кристаллических алмазных частиц включает добавление к порошку наноалмазов, полученных детонационным синтезом, циклоалкана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628617
Дата охранного документа: 21.08.2017
26.08.2017
№217.015.ed70

Термоэлектрический элемент

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический элемент (1) включает по меньшей мере две пленки основного материала (2) в виде углеродного материала с sp гибридизацией атомных связей, между которыми нанесена пленка дополнительного материала (3) в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628676
Дата охранного документа: 21.08.2017
20.01.2018
№218.016.0ffc

Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к получению металлических наночастиц. Способ включает формирование потока ускоряемых металлических микрочастиц, плавление металлических микрочастиц, подачу потока образовавшихся жидких микрокапель в область цилиндрического осесимметричного электростатического поля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633689
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a2

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в различных областях науки. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор (1) фиксированной частоты, генератор (2), первый делитель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634076
Дата охранного документа: 23.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a4

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор фиксированной частоты, генератор переменной частоты, первый делитель мощности, второй делитель мощности, переключатель каналов, первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634075
Дата охранного документа: 23.10.2017
13.02.2018
№218.016.20f8

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор (3) в виде линзы Френеля, с линейным размером D, оптическая ось (4) которой проходит через центр (5) фотоактивной области фотоэлемента (1), выполненной в виде круга диаметром d, и соосный с ним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641627
Дата охранного документа: 18.01.2018
13.02.2018
№218.016.249d

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен в виде волновода с воздушными обкладками,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642472
Дата охранного документа: 25.01.2018
04.04.2018
№218.016.36a8

Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития

Изобретение относится к области интегральной оптики. Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития заключается в том, что подают на входной волновод разветвителя рабочее оптическое излучение, выбирают для подстройки один из выходных волноводов, затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646546
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36e8

Фотопреобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646547
Дата охранного документа: 05.03.2018
+ добавить свой РИД