×
27.04.2016
216.015.3927

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ СИНТЕЗА ЭНДОЭДРАЛЬНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к плазменному синтезу наноматериалов. Эндоэдральные фуллерены получают в водоохлаждаемой металлической герметичной камере 1 в плазме высокочастотной дуги при атмосферном давлении с использованием переменного тока. В камере 1 установлен один центральный вертикальный графитовый электрод 4 и четное число одинаковых горизонтальных графитовых электродов 2, 2', 3, 3', обеспечивающих разряд. В осевые отверстия всех электродов помещают вещества, содержащие химические элементы, вводимые внутрь молекулы фуллерена. Последовательно с электродами 2, 2', 3, 3' соединяют катушки индуктивности 9, 9', 10, 10', оси которых расположены так, что направление создаваемого ими магнитного поля перпендикулярно оси разряда. Технический результат - повышение содержания эндоэдральных фуллеренов в углеродном конденсате на 3,5-4% за счёт создания магнитного поля, синфазного и перпендикулярного току дуги. 2 ил.
Основные результаты: Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов в герметичной камере в плазме дуги с использованием переменного тока и нескольких одинаковых электродов, отличающийся тем, что процесс ведут в высокочастотной дуге при атмосферном давлении, используют водоохлаждаемую металлическую камеру, в которой установлен один вертикальный электрод и четное число одинаковых электродов, расположенных горизонтально, обеспечивающих разряд, при этом все электроды изготовлены из графита и в их осевые отверстия помещают вещества, содержащие химические элементы, вводимые внутрь молекулы фуллерена, а последовательно с электродами, обеспечивающими разряд, соединяют катушки индуктивности, оси которых расположены так, что направление создаваемого ими магнитного поля перпендикулярно оси разряда.

Изобретение относится к области плазменного синтеза наноматериалов и может быть использовано для производства эндоэдральных фуллеренов.

Известен способ синтеза фуллереновой смеси в плазме при атмосферном давлении в потоке гелия [RU 2483020, МПК С01В 31/00, В82В 3/00, B82Y 40/00, опубл. 27.05.2013 г. ], где фуллереновую смесь получают в углеродно-гелиевой плазме, образованной дуговым разрядом при атмосферном давлении в камере плазмохимического реактора с использованием низкочастотной модуляции мощности дугового разряда.

Недостатком способа является то, что, несмотря на высокое относительное содержание высших, а соответственно, и эндоэдральных фуллеренов в образующей фуллереновой смеси, общее количество фуллеренов, содержащихся в углеродном конденсате, низко. Это объясняется тем, что условия в плазме дуги (температура и электронная концентрация) лишь в малом объеме соответствуют оптимальным значениям сборки фуллереновых и эндофуллереновых молекул.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому изобретению является способ синтеза эндоэдральных фуллеренов, где в реакционной камере при атмосферном давлении осуществляется разряд переменного тока с питанием от 15 до 50 кВт и токами до 1000 A [WO 2014152062, МПК С01В 31/02, С25В 1/00, опубл. 25.09.2014 г. (прототип)]. Графитовые стержни распыляются в дуге (трехфазный переменный ток). Дуга стабилизирована за счет расположения трех электродов под углом 22,5° от вертикали.

Недостатком данного способа является то, что количество эндоэдральных фуллеренов, образующихся в углеродном конденсате, составляет малую величину. Это объясняется тем, что в такой геометрии область плазмы с высокой температурой плавно (недостаточно быстро) переходит в область плазмы с низкой температурой. Высшие фуллерены и тем более эндоэдральные фуллерены, являясь более напряженными структурами, успевают перейти в менее напряженные обычные, типа С60 и С70.

Техническим результатом изобретения является повышение содержание эндоэдральных фуллеренов в углеродном конденсате на 3,5-4% за счет создания магнитного поля, синфазного и перпендикулярного току дуги.

Технический результат достигается тем, что в способе синтеза эндоэдральных фуллеренов в герметичной камере в плазме дуги с использованием переменного тока и нескольких одинаковых электродов новым является то, что процесс ведут в высокочастотной дуге при атмосферном давлении, используют водоохлаждаемую металлическую камеру, в которой установлен один вертикальный электрод и четное число одинаковых электродов, расположенных горизонтально, обеспечивающих разряд, при этом все электроды изготовлены из графита и в их осевые отверстия помещают вещества, содержащие химические элементы, вводимые внутрь молекулы фуллерена, а последовательно с электродами, обеспечивающими разряд, соединяют катушки индуктивности, оси которых расположены так, что направление создаваемого ими магнитного поля перпендикулярно оси разряда.

Отличия заявляемого способа синтеза эндоэдральных фуллеренов от прототипа заключаются в том, что процесс ведут в высокочастотной дуге при атмосферном давлении, используют водоохлаждаемую металлическую камеру, в которой установлен один вертикальный электрод и четное число одинаковых электродов, расположенных горизонтально, обеспечивающих разряд, при этом все электроды изготовлены из графита и в их осевые отверстия помещают вещества, содержащие химические элементы, вводимые внутрь молекулы фуллерена, а последовательно с электродами, обеспечивающими разряд, соединяют катушки индуктивности, оси которых расположены так, что направление создаваемого ими магнитного поля перпендикулярно оси разряда.

Перечисленные выше признаки позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна».

При изучении других известных технических решений в данной области техники признаки, отличающие заявляемое изобретение от прототипа, не выявлены, и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Синтез эндоэдральных фуллеренов происходит в водоохлаждаемой герметичной металлической камере при атмосферном давлении в плазме высокочастотной дуги переменного тока. Разряд осуществляется в аналитическом промежутке между графитовыми электродами, расположенными горизонтально либо под углом. В осевое отверстие электродов помещают вещество, содержащее атомы химических элементов, которые планируется ввести внутрь фуллереновых молекул. Слой плазмы дуги, соответствующий оптимальным значениям температуры и электронной концентрации и соответствующий максимальным скоростям сборки молекул эндоэдральных фуллеренов, увеличивается за счет силового воздействия магнитного поля на ток дуги. Именно с целью достижения такого эффекта магнитное поле направлено перпендикулярно оси разряда и совпадает по частоте и фазе с током дуги. Под действием магнитного поля плазма вытягивается вдоль вертикальной оси и образует фигуру, которая обладает большим объемом и соответственно большей площадью поверхности при той же мощности разряда. Увеличение поверхности приводит к увеличению области с оптимальными параметрами плазмы (температура и электронная концентрация), соответствующими более эффективному образованию фуллеренов и эндоэдральных фуллеренов.

Изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 представлена электрическая схема установки. На фиг. 2 показан разрез водоохлаждаемой герметичной металлической камеры.

На фиг. 1 представлена электрическая схема установки, где 1 - водоохлаждаемая герметичная металлическая камера, 2, 2′, 3, 3′ - графитовые электроды, 4 - центральный графитовый электрод, 5 - генератор исходной частоты ТВЧ, 6 - фазовращатель, 7 и 7′ - усилители мощности, Тр.1 и Тр.1′ - согласующие трансформаторы, 8 и 8′ - конденсаторы, 9, 9′, 10, 10′ - катушки индуктивности.

На фиг. 2 представлен разрез камеры для синтеза эндоэдральных фуллеренов, где 1 - водоохлаждаемая герметичная металлическая камера, 2 - графитовые электроды, 4 - центральный графитовый электрод, 11 - отверстие для ввода газа в камеру, 12 - разряд, 13 - отверстие для вывода газа из камеры.

Для получения эндоэдральных фуллеренов используется герметичная металлическая водоохлаждаемая камера 1 (фиг. 1). В нижней части камеры закреплены выводы для подачи графитовых электродов 2, 2′, 3 и 3′.

Электрод 4 стационарно закреплен в дне камеры. В осевые отверстия всех графитовых электродов помещают вещества, содержащие химические элементы, которые вводят внутрь фуллереновой молекулы. Снизу в камеру через отверстие для ввода газа 11 подают поток плазмообразующего газа (фиг. 2) и осуществляют разряд 12, на ток дуги которого действует магнитное поле. Отвод газа из камеры осуществляют через отверстие 13. Создание магнитного поля осуществляют следующим образом. Генератор исходной частоты 5 вырабатывает сигнал частотой 66 или 44 кГц. Фазовращатель 6 позволяет получать сигнал, сдвинутый по фазе относительно исходного на угол в диапазоне от 0 до 180° (от 0 до π). Усилители мощности (25 кВт) 7 и 7′ исходного и сдвинутого по фазе токов соответственно. Согласующие трансформаторы Тр.1 и Тр.1′, преобразующие входное напряжение 450 В в напряжение 56 В. Конденсатор 8 (3,45 мкрФ) совместно с катушками индуктивности 9 и 10 (3,79 мкрГн) и с дугой (а) образует колебательный контур, резонансная частота которого совпадает с исходной частотой, а конденсатор 8′ совместно с катушками индуктивности 9′, 10′ и с дугой (б) образует колебательный контур, резонансная частота которого также совпадает с исходной частотой.

Для резонансной частоты генератора, ток в дуге соответствует максимальному значению 280 А при активном сопротивлении дуги 0.2 Ом. Так как скорость изменения температуры и, соответственно, электронной концентрации, которая определяет максимальный выход фуллеренов и содержание различных фуллеренов в образующемся составе фуллереновой смеси, и зависит от фазового сдвига между током дуги и магнитным полем, перпендикулярным этому току, то сдвиг фаз выбирается в соответствии с задачей получения различных эндоэдральных фуллеренов.

Преимущества данного способа заключается в том, что площадь поверхности занятого плазмой объема увеличена, что приводит к увеличению области с оптимальными параметрами плазмы (температура и электронная концентрация), соответствующими более эффективному образованию фуллеренов и эндоэдральных фуллеренов.

Способ синтеза эндоэдральных фуллеренов в герметичной камере в плазме дуги с использованием переменного тока и нескольких одинаковых электродов, отличающийся тем, что процесс ведут в высокочастотной дуге при атмосферном давлении, используют водоохлаждаемую металлическую камеру, в которой установлен один вертикальный электрод и четное число одинаковых электродов, расположенных горизонтально, обеспечивающих разряд, при этом все электроды изготовлены из графита и в их осевые отверстия помещают вещества, содержащие химические элементы, вводимые внутрь молекулы фуллерена, а последовательно с электродами, обеспечивающими разряд, соединяют катушки индуктивности, оси которых расположены так, что направление создаваемого ими магнитного поля перпендикулярно оси разряда.
СПОСОБ СИНТЕЗА ЭНДОЭДРАЛЬНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ
СПОСОБ СИНТЕЗА ЭНДОЭДРАЛЬНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ
СПОСОБ СИНТЕЗА ЭНДОЭДРАЛЬНЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 28.
27.05.2013
№216.012.4423

Способ синтеза фуллереновой смеси в плазме при атмосферном давлении

Изобретение относится к плазменному синтезу наноматериалов. Фуллереновую смесь получают в углеродно-гелиевой плазме, образованной дуговым разрядом при атмосферном давлении в камере плазмохимического реактора с использованием одного вертикального и четного числа горизонтальных одинаковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483020
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.12.2013
№216.012.8d6d

Способ получения аморфных магнитных пленок со-р

Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501888
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
Показаны записи 1-10 из 30.
27.05.2013
№216.012.4423

Способ синтеза фуллереновой смеси в плазме при атмосферном давлении

Изобретение относится к плазменному синтезу наноматериалов. Фуллереновую смесь получают в углеродно-гелиевой плазме, образованной дуговым разрядом при атмосферном давлении в камере плазмохимического реактора с использованием одного вертикального и четного числа горизонтальных одинаковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002483020
Дата охранного документа: 27.05.2013
20.12.2013
№216.012.8d6d

Способ получения аморфных магнитных пленок со-р

Изобретение относится к области химического осаждения аморфных магнитных пленок Co-P, например, на полированное стекло и может быть использовано в вычислительной технике. Способ включает очистку стеклянной подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова с промежуточной обработкой в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002501888
Дата охранного документа: 20.12.2013
20.01.2014
№216.012.9903

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к технике сверхвысоких частот и предназначено для частотной селекции сигналов. Технический результат заключается в расширении высокочастотной полосы заграждения полосно-пропускающего микрополоскового фильтра и уменьшении его размеров. Микрополосковый фильтр содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002504870
Дата охранного документа: 20.01.2014
10.05.2014
№216.012.c09e

Сквид-магнитометр для фотомагнитных исследований

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой СКВИД-магнитометр для фотомагнитных исследований и может быть использовано для измерения переменных магнитных величин при проведении магнитных измерений при изучении физики магнитных явлений, фотоиндуцированного магнетизма,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515059
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c28f

Управляемый фазовращатель

Управляемый фазовращатель относится к технике высоких и сверхвысоких частот и может использоваться для управления фазой сигналов в антенных решетках и системах передачи информации. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции. Управляемый фазовращатель содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515556
Дата охранного документа: 10.05.2014
20.08.2014
№216.012.eb76

Спин-стекольный магнитный материал

Изобретение относится к разработке новых магнитных материалов с магнитным состоянием спинового стекла и может найти применение в химической промышленности и электронной технике, в частности, для разработки моделей новых типов устройств магнитной памяти. Спин-стекольный магнитный материал...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526086
Дата охранного документа: 20.08.2014
10.09.2014
№216.012.f2b9

Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано при гидрировании металла, в частности магния. Способ получения порошков гидрида магния в плазме высокочастотной дуги заключается в диспергировании порошка Mg в присутствии катализатора Ni в потоке гелия и водорода в плазме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002527959
Дата охранного документа: 10.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc69

Способ измерения магнитного момента образцов на сквид-магнитометре

Изобретение относится к устройствам для измерения переменных магнитных величин и может быть использовано при проведении магнитных измерений в следующих областях: физика магнитных явлений, палеомагнетизм, биомагнетизм. В способе измерения магнитного момента образцов на СКВИД-магнитометре,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530463
Дата охранного документа: 10.10.2014
20.12.2014
№216.013.1081

Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочного образца

Изобретение относится к области теплометрии и может быть использовано для измерения поглощающей и излучающей способностей тонкопленочных образцов, например образцов теплозащитных экранов, используемых в космической промышленности. Устройство для измерения поглощающей и излучающей способностей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002535648
Дата охранного документа: 20.12.2014
20.12.2014
№216.013.1234

Датчик слабых высокочастотных магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой датчик слабых высокочастотных магнитных полей и может применяться в первую очередь в магнитометрии. Датчик содержит диэлектрическую подложку, на верхней стороне которой нанесены полосковые проводники двух микрополосковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002536083
Дата охранного документа: 20.12.2014
+ добавить свой РИД