×
27.12.2015
216.013.9de5

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО РЕЛЕ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002572051
Дата охранного документа
27.12.2015
Аннотация: Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе. Технический результат: повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле. Сущность: способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем (7), осуществляется на поверхности кремниевых пластин в едином технологическом цикле при технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем. Для этого формируют на поверхности кремниевой подложки (1) диэлектрический слой (2) из пленки SiO методом термического окисления; напыляют токопроводящий слой TiN (3) и формируют неподвижный электрод методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии. Осаждают слой SiN методом CVD с подготовкой его в качестве жертвенного слоя с последующим плазменным травлением. Напыляют первый токопроводящий слой TiN (4), осаждают диэлектрический слой SiC (5) с высокими упругими свойствами методом магнетронного напыления Напыляют второй токопроводящий слой TiN (6). Осаждают пьезоэлектрический слой ЦТС (7). Напыляют третий токопроводящий слой TiN (8). Затем проводят плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN (8), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), второго токопроводящего слоя TiN (6), диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN (4) с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя SiN. Травление жертвенного слоя SiN проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами. 1 ил.
Основные результаты: Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящего из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним неподвижным электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, причем создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде балки или струны в едином технологическом цикле включает операции: формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрического слоя, напыление токопроводящего слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии; осаждение жертвенного слоя; напыление первого токопроводящего слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами; напыление второго токопроводящего слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего токопроводящего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN, пьезоэлектрического слоя ЦТС, второго токопроводящего слоя TiN, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя, травление жертвенного слоя с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами, отличающийся тем, что диэлектрический слой с нижним неподвижным электродом формируют из SiO методом термического окисления на поверхности кремниевой подложки, неподвижный электрод формируют методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии, формирование жертвенного слоя проводят путем осаждения пленки SiN методом CVD с последующим плазменным травлением, а диэлектрический слой с высокими упругими свойствами формируют из SiC методом магнетронного напыления.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов микроэлектромеханических систем, в частности интегральных микромеханических реле и устройств на их основе.

Известен способ изготовления микромеханического реле на основе ультрананокристаллического алмаза (УНКА), заключающийся в формировании подвижного электрода путем осаждения УНКА на поверхность SiO2 в качестве жертвенного слоя для образования зазора между подвижным и неподвижным электродом, проведение фотолитографии, реактивного ионного травления и последующим осаждением пьезоэлектрического слоя ЦТС на поверхность УНКА для формирования подвижного электрода [Auciello, Orlando; Pacheco, S.; Sumant, Anirudha V.; Gudeman, C; Sampath, S.; Datta, A.; Carpick, Robert W.; Adiga, Vivekananda P.; Zurcher, P.; Zhenqiang Ma; Yuan, Hao-Chih; Carlisle, J.A.; Kabius, В.; Hiller, J.; Srinivasan, S., "Are Diamonds a MEMS' Best Friend?," Microwave Magazine, IEEE, vol.8, no.6, pp.61,75, Dec. 2007].

Недостатком данного способа является низкая надежность устройства, обусловленная сложностью получения УНКА, длительностью процесса осаждения, небольшими геометрическими размерами осажденного слоя УНКА, которые не соответствуют групповой технологии, необходимостью осаждения слоя ЦТС на УНКА при высокой температуре (750°C), что при существенном различии температурных коэффициентов линейного расширения ЦТС (3,5·10-6/К) и УНКА (1,05·10-6/К) вызывает возникновение значительных механических напряжений, способных привести к деформации и отслоению слоев.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящей из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним (неподвижным) электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, расположенного на поверхности вышеупомянутой подложки, осуществляется на поверхности кремниевых пластин. Создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем осуществляют в едином технологическом цикле при упрощенной технологии изготовления, совместимой с технологией производства интегральных схем, в которой формирование подвижного электрода возможно в виде консоли или в виде балки и включает операции: формирования на поверхности кремниевой подложки пленки Si3N4 методом пиролиза SiH4; напыление слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии и плазмохимического травления слоя TiN; осаждение слоя ФСС (фосфатно-силикатного стекла) методом химического осаждения из газовой фазы и формирование на его основе жертвенного слоя методом жидкостного химического травления; напыление первого слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя Si3N4; напыление второго слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего слоя TiN, слоя ЦТС, второго слоя TiN, слоя Si3N4, первого слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя ФСС, жидкостное химическое травление жертвенного слоя ФСС с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами [RU патент №2481675, С2, H01L 41/00, В81В 7/00. Конструкция и технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем. Опубл.: 10.05.2013, Бюл. №13].

Недостатками прототипа являются низкая надежность и недостаточная продолжительность работы прибора при высоком количестве переключений реле за счет низких значений прочностных характеристик диэлектрического слоя Si3N4, использующегося в качестве упругого элемента. К уменьшению прочности при изгибе подвижного электрода в процессе работы реле и уменьшению надежности приводит также существенное отличие температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) Si3N4=2,6·10-6/K от ТКЛР ЦТС-19=6,0·10-6/К и снижает диапазон рабочих температур прибора. Другим недостатком известного способа является существенная погрешность за счет снижения воспроизводимости параметров при высоких частотах переключения реле [Allyson L. Hartzell, Mark G. da Silva, Herbert R. Shea. MEMS Reliability. - Springer London, Limited, 2013].

Целью заявляемого изобретения является повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле за счет использования в качестве подвижного электрода микромеханического реле композиции на основе пьезоэлектрического слоя с высокопрочным материалом.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящего из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним неподвижным электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, причем создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде балки или струны в едином технологическом цикле включает операции: формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрического слоя, напыление токопроводящего слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии; осаждение жертвенного слоя; напыление первого токопроводящего слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами; напыление второго токопроводящего слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего токопроводящего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN, пьезоэлектрического слоя ЦТС, второго токопроводящего слоя TiN, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя, травление которого проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами, согласно предлагаемому изобретению диэлектрический слой с нижним неподвижным электродом формируют из SiO2 методом термического окисления на поверхности кремниевой подложки, неподвижный электрод формируют методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии, формирование жертвенного слоя проводят путем осаждения пленки методом CVD с последующим плазменным травлением, а диэлектрический слой с высокими упругими свойствами формируют из SiC методом магнетронного напыления.

Использование в качестве подвижного электрода микромеханического реле композиции на основе пьезоэлектрического слоя с высокопрочным материалом приводит к повышению надежности, временной стабильности, долговечности работы прибора. Использование микроэлектронной вакуумно-плазменной технологии позволяет получать активные слои в едином вакуумном цикле, что существенно уменьшает трудоемкость. Осаждение и травление жертвенного слоя Si3N4 методом CVD в едином цикле на одной установке при помощи индукционной плазмы упрощает технологический процесс изготовления и снижает вредность производства по сравнению с жидкостным травлением. Тогда как в прототипе жертвенный слой ФСС осаждался из газовой фазы с последующим жидкостным травлением, что требовало использования разных установок. Использование диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами со значением ТКЛР, близким к ТКЛР пьезоэлектрического слоя, позволяет расширить диапазон рабочих температур прибора.

Предложенный способ изготовления, в котором диэлектрический слой выполняется из SiC с высокими упругими свойствами и повышенными прочностными характеристиками, позволяет повысить упругость и прочность подвижного электрода. Изготовление пьезоэлектрического слоя из ЦТС-19 путем осаждения на упругий слой позволяет существенно снизить температурные напряжения при эксплуатации интегрального микромеханического реле, обусловленные тем, что температурные напряжения в структуре «подвижный электрод - пьезоэлектрический слой» определяются выражением:

где E f - модуль упругости пьезоэлектрического слоя, ν f - коэффициент Пуассона пьезоэлектрического слоя, αs и αf - ТКЛР упругого слоя и пьезоэлектрического слоя соответственно,

ΔT - диапазон изменения температуры. В прототипе модуль упругости пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 E f=73 ГПа, коэффициент Пуассона пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 ν f=0,175, ТКЛР пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 αf=6·10-6/К, ТКЛР упругого слоя Si3N4 αs=2,6·10-6/К. Температурное напряжение, рассчитанное с учетом выражения (1), σth=54,153 МПа.

В предложенном техническом решении модуль упругости пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 E f=73 ГПа, коэффициент Пуассона пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 ν f=0,175, ТКЛР пьезоэлектрического слоя ЦТС-19 αf=6·10-6/К, ТКЛР упругого слоя SiC αs=4,7·10-6/К. Температурное напряжение, рассчитанное с учетом выражения (1), σth=20,705 МПа.

Следовательно, предложенный способ изготовления позволяет снизить температурные напряжения в 2,7 раза по сравнению с прототипом за счет использования в качестве диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами SiC.

Применение диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, изготовленного из SiC, увеличивает надежность при циклическом воздействии сил на подвижный электрод при работе реле и снижает погрешность за счет увеличения модуля упругости, при этом увеличивается рабочая частота реле, т.е. повышается его быстродействие. Рабочая частота прямо пропорциональна квадратному корню из модуля упругости диэлектрического слоя. Модуль упругости SiC=450 ГПа, Si3N4=73 ГПа, соответственно в предложенном техническом решении и протопите. Применение в качестве диэлектрического слоя SiC позволяет повысить рабочую частоту в 2,5 раза [Allyson L. Hartzell, Mark G. da Silva, Herbert R. Shea. MEMS Reliability. - Springer London, Limited, 2013].

Предлагаемый способ изготовления поясняется на фиг. 1, на котором изображено интегральное микромеханическое реле.

Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем (7), состоящей из кремниевой подложки (1), покрытой диэлектрическим слоем SiO2 (2) с нижним неподвижным электродом (3), и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего (первого) токопроводящего слоя TiN (4), диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами, среднего (второго) токопроводящего слоя TiN (6), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), верхнего (третьего) токопроводящего слоя TiN (8), причем создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде балки или струны в едином технологическом цикле включает операции: формируют на поверхности кремниевой подложки (1) диэлектрический слой (2) из пленки SiO2 методом термического окисления; напыляют токопроводящий слой TiN (3) и формируют неподвижный электрод методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии, осаждают слой Si3N4 методом CVD с подготовкой его в качестве жертвенного слоя с последующим плазменным травлением, напыляют первый токопроводящий слой TiN (4), осаждают диэлектрический слой SiC (5) с высокими упругими свойствами методом магнетронного напыления, напыляют второй токопроводящий слой TiN (6), осаждают пьезоэлектрический слой ЦТС (7), напыляют третий токопроводящий слой TiN (8). Затем проводят плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN (8), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), второго токопроводящего слоя TiN (6), диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN (4) с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя Si3N4. Травление жертвенного слоя Si3N4 проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами.

В предлагаемой технологии создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродам в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем (7) проводят в едином технологическом цикле, с формированием на поверхности подложки (1) диэлектрического слоя (2) с нижним неподвижным электродом (3) и осаждением слоя Si3N4 в качестве жертвенного слоя. Затем последовательно наносят на упомянутые слои с целью формирования подвижного электрода: первый токопроводящий слой (4), диэлектрический слой (5) с высокими упругими свойствами, второй токопроводящий слой (6), пьезоэлектрический слой ЦТС (7); третий токопроводящий слой (8) с удалением на финальном этапе жертвенного слоя.

Пример конкретного выполнения

Разработана технология изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем ЦТС (7) на поверхности кремниевых пластин диаметром 60 мм и 100 мм, включающая следующие операции: формирование на поверхности кремниевой подложки (1) диэлектрического слоя SiO2 (2) с нижним (неподвижным) электродом методом термического окисления, формирование на поверхности кремниевой подложки (1) структуры «нижний электрод» (3) на основе пленки TiN методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии, формирование жертвенного слоя, заключающееся в осаждении пленки Si3N4 методом CVD с последующим ее плазмохимическим травлением после формирования структуры «подвижный электрод». Формирование первого токопроводящего слоя TiN (4) проводят методом ионно-лучевого напыления, формирование диэлектрического слоя SiC (5) с высокими упругими свойствами методом магнетронного напыления, напыление второго токопроводящего слоя TiN (6) в едином вакуумном цикле, без разгерметизации объема рабочей камеры с целью повышения чистоты процесса. Затем проводят осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС (7). После чего методом ионно-лучевого напыления формируют третий токопроводящий слой TiN (8). Далее проводят формирование подвижного электрода методом плазмохимического травления слоев: третьего токопроводящего слоя TiN (8), пьезоэлектрического слоя ЦТС (7), второго токопроводящего слоя TiN (6), диэлектрического слоя SiC (5), с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN (4) с формированием подвижного электрода и вскрытием жертвенного слоя Si3N4. Травление жертвенного слоя Si3N4 проводят с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами.

Технико-экономическими преимуществами предлагаемого способа изготовления интегрального микромеханического реле по сравнению с известными техническими решениями являются повышение надежности и временной стабильности интегрального микромеханического реле, снижение погрешности, упрощение технологии и снижение себестоимости изготовления.

Способ изготовления интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде структуры с пьезоэлектрическим слоем, состоящего из подложки, покрытой диэлектрическим слоем с нижним неподвижным электродом, и подвижного электрода, состоящего последовательно из нижнего токопроводящего слоя, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, среднего токопроводящего слоя, пьезоэлектрического слоя, верхнего токопроводящего слоя, причем создание интегрального микромеханического реле с подвижным электродом в виде балки или струны в едином технологическом цикле включает операции: формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрического слоя, напыление токопроводящего слоя TiN и формирование структуры «нижний электрод» методом проекционной фотолитографии; осаждение жертвенного слоя; напыление первого токопроводящего слоя TiN; осаждение диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами; напыление второго токопроводящего слоя TiN; осаждение пьезоэлектрического слоя ЦТС; напыление третьего токопроводящего слоя TiN; плазмохимическое травление слоев: третьего токопроводящего слоя TiN, пьезоэлектрического слоя ЦТС, второго токопроводящего слоя TiN, диэлектрического слоя с высокими упругими свойствами, первого токопроводящего слоя TiN с формированием подвижного многослойного электрода и вскрытием жертвенного слоя, травление жертвенного слоя с образованием воздушного зазора между неподвижным и подвижным электродами, отличающийся тем, что диэлектрический слой с нижним неподвижным электродом формируют из SiO методом термического окисления на поверхности кремниевой подложки, неподвижный электрод формируют методом ионно-лучевого напыления и травления с использованием проекционной лазерной фотолитографии, формирование жертвенного слоя проводят путем осаждения пленки SiN методом CVD с последующим плазменным травлением, а диэлектрический слой с высокими упругими свойствами формируют из SiC методом магнетронного напыления.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО РЕЛЕ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-50 из 52.
11.03.2019
№219.016.da9b

Преобразователь линейных перемещений

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники Сущность: преобразователь содержит дифференциально-трансформаторный датчик 3, который состоит из первичной питающей обмотки 2, двух вторичных полуобмоток 4, 5, подвижного якоря 15, закрепленного на объекте измерения. Блок питания...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366892
Дата охранного документа: 10.09.2009
11.03.2019
№219.016.dc14

Многофункциональный измерительный модуль

Изобретение относится к измерительной технике. Техническим результатом изобретения является расширение собственной частоты и диапазона измерения ускорения, расширение температурного диапазона, а также обеспечение одновременного измерения давления, ускорения, температуры. Сущность изобретения:...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002457577
Дата охранного документа: 27.07.2012
19.04.2019
№219.017.2e39

Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами под давлением

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления датчиков, преимущественно тонкопленочных тензометрических датчиков давления. Техническим результатом изобретения является повышение качества и надежности упругого элемента датчика давления (УЭ ДД), повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002399894
Дата охранного документа: 20.09.2010
19.04.2019
№219.017.33f4

Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС), предназначенным для использования при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Технический результат: уменьшение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002463570
Дата охранного документа: 10.10.2012
19.04.2019
№219.017.3435

Дифференциальный взаимоиндуктивный датчик перемещений

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для контроля линейных перемещений, например для контроля тепловых перемещений оборудования и трубопроводов на АЭС. Технический результат: повышение надежности, уменьшение габаритов. Сущность: датчик...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002464528
Дата охранного документа: 20.10.2012
29.04.2019
№219.017.40c7

Тонкопленочный датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления в условиях воздействия повышенных виброускорений и широкого диапазона температур. Техническим результатом изобретения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002397462
Дата охранного документа: 20.08.2010
29.04.2019
№219.017.44ac

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты, в состав которых входят датчики, вырабатывающие двухполярные сигналы, в частности индукционные датчики частоты вращения и расхода. Технический результат -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002459351
Дата охранного документа: 20.08.2012
29.04.2019
№219.017.45a8

Резонансный преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Техническим результатом является повышение чувствительности преобразователя. Резонансный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002431815
Дата охранного документа: 20.10.2011
29.04.2019
№219.017.46a0

Датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: датчик давления содержит корпус, мембрану (1) радиуса r, выполненную с жестким центром (2) радиуса r и утолщенным периферийным основанием (3). На мембране сформированы тензорезисторы (R1-R8), выполненные в виде соединенных низкоомными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002464538
Дата охранного документа: 20.10.2012
29.06.2019
№219.017.9c89

Тонкопленочный датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений. Техническим результатом изобретения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002399030
Дата охранного документа: 10.09.2010
Показаны записи 31-39 из 39.
27.10.2015
№216.013.8877

Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами

Изобретение относится к области электронной техники, в частности технологии изготовления датчиков, преимущественно тензометрических датчиков давления. Способ стабилизации упругого элемента датчика давления с тензорезисторами заключается в термостабилизации упругого элемента с циклическим...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566538
Дата охранного документа: 27.10.2015
20.11.2015
№216.013.914c

Способ изготовления тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к средствам измерения, в конструкции которых применен тензорезистивный элемент на металлической подложке, изготовленный с использованием тонкопленочной технологии. Способ изготовления тонкопленочных резисторов включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568812
Дата охранного документа: 20.11.2015
20.11.2015
№216.013.91d4

Устройство измерения динамического давления

Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике, в частности к средствам измерения давления, и может быть использовано при измерении динамического давления совместно с пьезоэлектрическими датчиками динамического давления. Устройство измерения динамического давления содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002568948
Дата охранного документа: 20.11.2015
27.11.2015
№216.013.939e

Камертонный измерительный преобразователь механических напряжений и деформаций

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей силы, механических напряжений и деформаций, работоспособных при повышенных и пониженных температурах. Кремниевый камертонный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002569409
Дата охранного документа: 27.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b8f

Микромеханический волоконно-оптический датчик давления

Изобретение относится к измерительной технике. Микромеханический волоконно-оптический датчик давления выполнен на основе оптического волокна, содержащего участки ввода и вывода излучения, а также участок, размещенный в пропускном канале корпуса. При этом пропускной канал включает участок для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571448
Дата охранного документа: 20.12.2015
10.01.2016
№216.013.9ecb

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002572288
Дата охранного документа: 10.01.2016
13.01.2017
№217.015.7e36

Резонансный преобразователь давления

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям давлений, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых датчиков давлений. Сущность: преобразователь давления содержит кремниевую мембрану (1), предназначенную для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601221
Дата охранного документа: 27.10.2016
26.08.2017
№217.015.e05a

Способ изготовления кристаллов микроэлектромеханических систем

Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микроэлектромеханических систем, используемых в конструкциях микромеханических приборов, таких как акселерометры, гироскопы, датчики угловой скорости. В способе изготовления кристаллов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002625248
Дата охранного документа: 12.07.2017
09.11.2018
№218.016.9b5d

Способ получения рельефа в диэлектрической подложке

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при изготовлении микромеханических датчиков, таких как акселерометры, датчики угловой скорости, чувствительные элементы которых выполнены из диэлектрического материала. Способ получения рельефа в диэлектрической подложке...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672034
Дата охранного документа: 08.11.2018
+ добавить свой РИД