×
10.01.2016
216.013.9ecb

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002572288
Дата охранного документа
10.01.2016
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры. Сущность изобретения: в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине создают защитный слой, создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формируют последовательными операциями фотолитографии и травления структуру заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередованием травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль. Вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля. Изобретение обеспечивает повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур. 10 ил.
Основные результаты: Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, создании контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формировании последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, отличающийся тем, что вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к приборостроению и может применяться при изготовлении кремниевых микромеханических датчиков, таких как датчики давления и акселерометры.

Известен способ изготовления упругого элемента микромеханического устройства [Патент RU 2300823, кл. H01L 21/308, опубл. 10.06.2007], заключающийся в окислении плоской пластины из монокристаллического кремния с ориентацией поверхности в плоскости (100), нанесении на нее с двух сторон защитного слоя фоторезиста, предварительном вскрытии окон в слое фоторезиста при помощи двухсторонней фотолитографии, травлении окисла по вскрытым окнам шириной L1 в области формирования упругого элемента и анизотропном травлении пластины до промежуточной глубины h, после травления окисла в месте формирования упругого элемента методом анизотропного травления формируют канавку шириной L1 и длиной Μ до самоторможения, вторично вскрывают окна в окисле для конечного формирования упругого элемента и производят анизотропное травление до получения требуемой толщины упругого элемента Н.

Недостатками данного способа является необходимость формирования канавки до самоторможения и последующего дотравливания до конечной толщины упругого элемента. При этом из-за разнотолщинности исходной кремниевой пластины возможен недотрав канавки до самоторможения, что впоследствии приведет к нарушению геометрии формируемого упругого элемента.

Известен способ изготовления рельефных кремниевых структур [Патент SU 1228720, кл. H01L 21/306, опубл. 27.11.1995], включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях для создания заданного профиля в кремнии. Данному способу присущи следующие недостатки:

- необходимость введения технологического припуска на толщину защитной пленки в каждом из формируемых рельефов;

- необходимость ступенчатого травления окисла кремния на величину Δh в каждом из формируемых рельефов, при этом вся имеющаяся на пластине на данный момент травления пленка окисла также уменьшается на величину Δh.

Это усложняет технологический процесс изготовления из-за необходимости контроля травления пленки окисла на указанную величину Δh, недостаточный контроль может приводить к неравномерности вытравливания пленки окисла и таким образом к невоспроизводимости в кремнии заданного профиля.

Прототипом предлагаемого технического решения является способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур [Патент RU 2437181, кл. H01L 21/308, опубл. 20.12.2011], заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, формировании в нем последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя получают в кремнии заданный профиль, при этом после создания защитного слоя и перед первой операцией фотолитографии на поверхности защитного слоя создают контрастный слой из материала, отличающегося от материала защитного слоя, а после каждой операции фотолитографии перед травлением защитного слоя стравливают контрастный слой.

Недостатком такого способа является необходимость вытравливания защитного слоя до нужной глубины, что требует точного контроля проводимого процесса, так как недостаточное или избыточное вытравливание защитного слоя приведет к нарушению структуры заданного профиля в защитном слое и, как следствие, к нарушению заданного профиля в кремнии.

Целью изобретения является повышение точности изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур на кремниевой пластине, включающем создание защитного слоя, создание контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формирование последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, получение в кремнии заданного профиля путем чередования травления кремния и оставшегося защитного слоя, согласно предлагаемому изобретению вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.

Формирование контрастного слоя на поверхности защитного слоя и на вскрытом участке кремния в области максимальной глубины структуры и формирование структуры заданного профиля в защитном и контрастном слое исключает погрешность формирования структуры заданного профиля в защитном слое кремниевой пластины, обусловленной необходимостью вытравливания защитного слоя до нужной глубины, что приводит к неравномерности вытравливания защитного слоя и таким образом к невоспроизводимости геометрических размеров формируемой структуры, приводящей впоследствии к невоспроизводимости в кремнии заданного профиля. В предлагаемом способе вскрывают кремний в области максимальной глубины структуры, вытравливая защитный слой полностью, что исключает неравномерность вытравливания защитного слоя до нужной глубины по кремниевой пластине, приводящей к неравномерности геометрических размеров формируемой структуры и невоспроизводимости в кремнии заданного профиля, что влияет на воспроизводимость параметров микромеханических датчиков. При этом контрастный слой имеет различные электрофизические свойства с защитным слоем, что позволяет использовать их сочетание при формировании структуры заданного профиля, при этом используются травители, селективные по отношению к контрастному и защитному слою, а также к кремнию.

На чертежах фиг. 1-10 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа.

На кремниевой пластине 1 создают защитный слой 2, слой фоторезиста 3 наносят на защитный слой 2 при его травлении до появления кремния в области максимальной глубины структуры 4 и контрастный слой 5 при формировании структуры 6 заданного профиля 7, при этом контрастный слой 5 наносят на поверхность защитного слоя 2 и кремний в области максимальной глубины структуры 4.

Пример реализации предложенного способа описан ниже.

На кремниевой пластине 1 создают защитный слой 2, например, из пленки окисла кремния толщиной 0,8-2,0 мкм (фиг. 1). Проводят операцию фотолитографии, заключающуюся в нанесении фоторезиста 3 (фиг. 2), экспонировании через фотошаблон, проявлении и термообработке фоторезиста 3 и травлении защитного слоя 2 до появления кремния в области максимальной глубины структуры 4 (фиг. 3). Затем удаляют оставшуюся пленку фоторезиста 3 со всей пластины 1 (фиг. 4). После чего на защитный слой 2 и кремний в области максимальной глубины структуры 4 наносят контрастный слой 5, например, из пленки меди толщиной 1,0-12,0 мкм (фиг. 5). Проводят операцию фотолитографии, заключающуюся в нанесении фоторезиста 3 на контрастный слой 5, экспонировании через фотошаблон, проявлении и термообработке фоторезиста 3 и травлении контрастного слоя 5 до появления защитного слоя 2 и кремния в области максимальной глубины структуры 4 (фиг. 6). После чего удаляют фоторезист 3 и формируют структуру заданного профиля 6 в защитном слое 2 и контрастном слое 5 (фиг. 7). В травителях, не реагирующих или плохо реагирующих с защитным слоем 2 и контрастным слоем 5, вытравливают кремний до нужной глубины (фиг. 8).

Затем, чередуя травление защитного слоя 2 до контрастного слоя 5 и кремния получают заданный профиль 7 в кремнии (фиг. 9). После чего удаляют контрастный слой 5 и защитный слой 2 полностью с кремниевой пластины (фиг. 10).

Таким образом, предлагаемое техническое решение позволяет повысить точность изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур.

Способ изготовления глубокопрофилированных кремниевых структур, заключающийся в создании на кремниевой пластине защитного слоя, создании контрастного слоя из материала, отличающегося от материала защитного слоя, формировании последовательными операциями фотолитографии и травления структуры заданного профиля до появления кремния в области максимальной глубины структуры, последующем чередовании травления кремния и оставшегося защитного слоя до получения в кремнии заданного профиля, отличающийся тем, что вскрытие кремния в области максимальной глубины структуры проводят после создания защитного слоя, а затем наносят контрастный слой на защитный слой и на вскрытый участок кремния и проводят формирование структуры заданного профиля.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЛУБОКОПРОФИЛИРОВАННЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 1-10 из 51.
10.01.2013
№216.012.19e9

Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой

Датчик давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) предназначен для использования при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472125
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.01.2013
№216.012.1a8b

Способ и устройство для цифрового сжатия и восстановления сигналов

Изобретение относится к области цифровой обработки сигналов и информационно-измерительной техники и может быть использовано для анализа, сжатия-восстановления и выделения информативных колебательных компонент сигналов в системах телеметрии, телеуправления и многоканальных системах сбора и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472287
Дата охранного документа: 10.01.2013
27.04.2013
№216.012.3b2d

Трансформаторный преобразователь угловых перемещений

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения угловых перемещений в авиационной технике, в том числе в различных цепях управления электротехнических, электромеханических устройств. Сущность: преобразователь содержит цилиндрический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002480710
Дата охранного документа: 27.04.2013
20.06.2013
№216.012.4e46

Способ изготовления микромеханического вибрационного гироскопа

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении микромеханических гироскопов для измерения угловой скорости. В способе изготовления микромеханического вибрационного гироскопа механическую структуру с крестообразными торсионами формируют из пластины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485620
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.07.2013
№216.012.54cf

Вихретоковый преобразователь перемещений

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: преобразователь содержит керамический каркас 5, заключенный в керамический корпус преобразователя 2, измерительную 3 и компенсационную 4 катушки индуктивности, намотанные в пазах керамического каркаса 5. Катушки 3 и 4 идентичны по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487314
Дата охранного документа: 10.07.2013
10.08.2013
№216.012.5e08

Способ изготовления тонкопленочного датчика давления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений. При изготовлении тонкопленочного датчика...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489693
Дата охранного документа: 10.08.2013
20.08.2013
№216.012.61f3

Имитатор выходных сигналов тензорезисторов

Изобретение относится к технике метрологии для проверки и аттестации вторичных тензоизмерительных приборов. Техническим результатом является расширение диапазона задания напряжения разбаланса измерительных тензомостов за счет автоматического поддержания напряжения разбаланса, зависящего только...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490707
Дата охранного документа: 20.08.2013
20.08.2013
№216.012.6243

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения относится к измерительной технике и может быть использован в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты, в состав которых входят датчики, вырабатывающие двухполярные сигналы, в частности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490787
Дата охранного документа: 20.08.2013
10.09.2013
№216.012.68a8

Устройство для измерения давления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении давлений измерительными устройствами, построенными на базе тензорезисторных мостов. Устройство содержит тензорезисторный мост, входная диагональ которого подключена к его источнику питания, дифференциальный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492439
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.11.2013
№216.012.7f39

Тензорезисторный преобразователь силы

Изобретение может быть использовано для измерения малых давлений с повышенной чувствительностью и точностью. Тензорезисторный преобразователь силы содержит упругий элемент, выполненный за одно целое с опорном кольцом. Упругий элемент выполнен с четырьмя сквозными отверстиями с поперечными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498242
Дата охранного документа: 10.11.2013
Показаны записи 1-10 из 51.
10.01.2013
№216.012.19e9

Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой

Датчик давления с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС) предназначен для использования при воздействии нестационарных температур и повышенных виброускорений. Датчик давления тензорезистивного типа с тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системой (НиМЭМС)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472125
Дата охранного документа: 10.01.2013
10.01.2013
№216.012.1a8b

Способ и устройство для цифрового сжатия и восстановления сигналов

Изобретение относится к области цифровой обработки сигналов и информационно-измерительной техники и может быть использовано для анализа, сжатия-восстановления и выделения информативных колебательных компонент сигналов в системах телеметрии, телеуправления и многоканальных системах сбора и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002472287
Дата охранного документа: 10.01.2013
27.04.2013
№216.012.3b2d

Трансформаторный преобразователь угловых перемещений

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано для измерения угловых перемещений в авиационной технике, в том числе в различных цепях управления электротехнических, электромеханических устройств. Сущность: преобразователь содержит цилиндрический...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002480710
Дата охранного документа: 27.04.2013
20.06.2013
№216.012.4e46

Способ изготовления микромеханического вибрационного гироскопа

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении микромеханических гироскопов для измерения угловой скорости. В способе изготовления микромеханического вибрационного гироскопа механическую структуру с крестообразными торсионами формируют из пластины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485620
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.07.2013
№216.012.54cf

Вихретоковый преобразователь перемещений

Изобретение относится к измерительной технике. Сущность: преобразователь содержит керамический каркас 5, заключенный в керамический корпус преобразователя 2, измерительную 3 и компенсационную 4 катушки индуктивности, намотанные в пазах керамического каркаса 5. Катушки 3 и 4 идентичны по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002487314
Дата охранного документа: 10.07.2013
10.08.2013
№216.012.5e08

Способ изготовления тонкопленочного датчика давления

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к датчикам, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления в условиях воздействия нестационарных температур и повышенных виброускорений. При изготовлении тонкопленочного датчика...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489693
Дата охранного документа: 10.08.2013
20.08.2013
№216.012.61f3

Имитатор выходных сигналов тензорезисторов

Изобретение относится к технике метрологии для проверки и аттестации вторичных тензоизмерительных приборов. Техническим результатом является расширение диапазона задания напряжения разбаланса измерительных тензомостов за счет автоматического поддержания напряжения разбаланса, зависящего только...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490707
Дата охранного документа: 20.08.2013
20.08.2013
№216.012.6243

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения

Формирователь импульсов из сигналов индукционных датчиков частоты вращения относится к измерительной технике и может быть использован в системах автоматического измерения, управления и аварийной защиты, в состав которых входят датчики, вырабатывающие двухполярные сигналы, в частности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002490787
Дата охранного документа: 20.08.2013
10.09.2013
№216.012.68a8

Устройство для измерения давления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении давлений измерительными устройствами, построенными на базе тензорезисторных мостов. Устройство содержит тензорезисторный мост, входная диагональ которого подключена к его источнику питания, дифференциальный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492439
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.11.2013
№216.012.7f39

Тензорезисторный преобразователь силы

Изобретение может быть использовано для измерения малых давлений с повышенной чувствительностью и точностью. Тензорезисторный преобразователь силы содержит упругий элемент, выполненный за одно целое с опорном кольцом. Упругий элемент выполнен с четырьмя сквозными отверстиями с поперечными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002498242
Дата охранного документа: 10.11.2013
+ добавить свой РИД