×
20.08.2015
216.013.7371

Результат интеллектуальной деятельности: КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ, ПОГЛОЩАЮЩИЙ ИЗЛУЧЕНИЕ В БЛИЖНЕЙ ИК ОБЛАСТИ СПЕКТРА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к композиционным материалам, поглощающим инфракрасное излучение в ближней инфракрасной области, и может быть использовано, например, в оптических фильтрах и специальных панелях сложной формы. Композиционный материал включает переплетенные базальтовые волокна с диаметром от 70 до 200 мкм в количестве от 40 до 60 массовых процентов, пропитанные термопластичным полимером полифениленсульфидом (остальное). Изобретение приводит к увеличению поглощения излучения во всем диапазоне ближней ИК области спектра при одновременном повышении прочности материала. 5 пр.
Основные результаты: Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ИК области спектра, включающий переплетенные базальтовые волокна с диаметром от 70 до 200 мкм, пропитанные термопластичным полимером полифениленсульфидом, при этом базальтовые волокна составляют количество от 40 до 60 массовых процентов, а полимер - остальное.

Изобретение относится к композиционным материалам, поглощающим инфракрасное излучение, и может быть использовано для избирательного поглощения излучения в ближней инфракрасной области оптического спектра в оптических фильтрах и специальных панелях сложной формы, поглощающих ИК-излучение.

В настоящее время применение таких композиционных материалов (композитов) актуально для значительного снижения подводимого к зданиям и сооружениям тепла. Кроме того, в случае необходимости такие материалы могут применяться в качестве фильтров, блокирующих ИК часть солнечного излучения.

Известен аналог (патент US 8221657, B32B 27/00; B32B 27/18, Near infrared absorbing phthalocyanines and their use), полимерный композит, поглощающий в ближней ИК области, выполненный в виде пленки толщиной менее 10 мм, который содержит от 0.01 до 10 массовых процентов одного из фталоцианинов в качестве агента, поглощающего в ближней ИК области, и прозрачный термопластичный или термореактивный полимер (остальное по массе).

Материал поглощает от 69 до 86 процентов излучения в ближней ИК области и обладает низкой прочностью (прочность полимеров при растяжении не превышает 70 МПа, ударная вязкость - 10 Дж/см2), что является его недостатками.

Известен также аналог (патент US 8652363, G02B 1/04, NOVEL COMPOUND, NEAR-INFRARED ABSORBER, AND SYNTHETIC RESIN COMPOSITION CONTAINING SAME), поглощающий в ближней ИК области композит, состоящий из прозрачного синтетического полимера и поглощающего борсодержащего соединения, в количестве от 0.001 до 17 массовых процентов борсодержащего соединения, полимер - остальное. Предлагается использовать практически любые полимеры, в том числе термопластичные полимеры, как один из примеров, полифениленсульфид. Материал обеспечивает интенсивное поглощение в ближней ИК области.

Недостатком этого композита является узкая полоса поглощения, обеспечивающая высокую величину поглощения (98%) только в максимуме на длине волны 814 нм и в интервале длин волн (750-850) нм. В более длинноволновой и коротковолновой областях интенсивность поглощения резко спадает до 20%. Кроме того, материал не обладает достаточно высокой прочностью (прочность полимеров при растяжении не превышает 70 МПа, ударная вязкость - 10 Дж/см2), что также является его недостатком.

Прототипом предлагаемого изобретения является композиционный полимерный материал, поглощающий в ближней ИК области (патент US 5354514, G02B 5/22, F21V 9/04, Near infrared absorbing composition and material and product containing same), изготавливаемый в виде пленки или листа на основе прозрачного термопластичного полимера (полиметакрилата, поликарбоната, полиэтилена, винилхлорида и т.д.), органического производного тиомочевины и соединения меди, которые совместно расплавляют, получая пластик, поглощающий во всем ближнем ИК диапазоне (700-1100) нм.

Материал поглощает от 70 до 90% излучения в ближней ИК области и обладает низкой прочностью (прочность при растяжении поликарбоната составляет 70 МПа, полиэтилена и других полимеров - менее 70 МПА), что является его недостатками.

Предлагаемый композиционный материал решает задачу увеличения поглощения излучения во всем диапазоне ближней ИК области спектра при одновременном повышении прочности.

Указанная задача решается композиционным материалом, поглощающим излучение в ближней ИК области спектра, включающим переплетенные базальтовые волокна с диаметром от 70 до 200 мкм, пропитанные термопластичным полимером - полифениленсульфидом, при этом базальтовые волокна составляют количество от 40 до 60 массовых процентов, а полимер - остальное.

Новым в предлагаемом композиционном материале является использование переплетенных базальтовых волокон с определенным диаметром из диапазона (70-200) мкм, в сочетании с термопластичным полимером - полифениленсульфидом (ПФС), взятыми в определенных массовых количествах.

Предлагаемый материал, также как и прототип, может быть выполнен, в основном, в виде пленки или листа на основе термопластичного полимера. Однако в отличие от прототипа, в котором поглощение обеспечивается низкомолекулярными добавками в прозрачный полимер, в предлагаемом материале поглощение обеспечивается всем композитным материалом в результате совместного взаимодействия термопластичного полимера с базальтовыми волокнами.

Сущность предлагаемого решения заключается в следующем.

Как выявили авторы, при изготовлении композита (пропитке), включающего базальтовые переплетенные волокна (ткань) и термопластичный полимер - полифениленсульфид (ПФС), при температуре плавления полимера происходит взаимодействие окислов алюминия, железа и магния, входящих в состав базальта, с расплавом полифениленсульфида, что обуславливает появление в полифениленсульфиде свободных электронов проводимости и приводит к появлению в его спектре широкой полосы переноса заряда катионрадикального центра в диапазоне (700-1100) нм, что значительно увеличивает поглощение излучения во всей ближней ИК области спектра.

Базальтовые волокна, выступающие также в качестве армирующей добавки в композите на основе термопластичного полимера, полифениленсульфида, позволяют достичь высоких конструкционных качеств. Базальт представляет собой стеклообразный материал состава (по массе): 50% SiO2, 15% Al2O3, 20% окислов железа, 15% окислов магния.

Молекулы полифениленсульфида образуют единую цепь сопряжения из-за наличия неподеленной пары электронов серы, что создает условия для максимального обобществления ff-электронов сопряженных связей. Взаимодействие сопряженной полимерной цепи с окислами алюминия, железа и магния приводит к процессу легирования полифениленсульфида, обеспечивающего формирование донорно-акцепторных комплексов с переносом заряда. Перераспределение электронной плотности при образовании комплекса приводит к появлению интенсивного широкополосного поглощения композита в ближней ИК области. Высокая степень делокализации электронов в цепи сопряжения обеспечивает высокое значение коэффициента экстинции, что приводит к поглощению более 95% излучения в области (700-1100) нм.

С технологической и конструкционной точек зрения описанный композиционный материал на основе базальтовой ткани (волокон) и полифениленсульфида термостоек, химически стабилен, имеет высокие диэлектрические параметры, не поглощает воду и обладает высокой прочностью (от 12 до 20 Дж/м2) при малом весе. Поскольку заявляемый композиционный материал изготавливают путем пропитки базальтовой ткани расплавом термопластичного полимера полифениленсульфида, ему можно придавать форму и плоского листа, и сложной поверхности.

Эксперименты показали, что при диаметре базальтовых волокон <70 мкм снижается поглощение и прочность композита (в результате снижения толщины материала). При диаметре >200 мкм ухудшается эффективность пропитки базальтовых волокон, что приводит к нарушению необходимого соотношения между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит снижение оптического поглощения. Кроме того, снижается пластичность и увеличивается вес композита.

При содержании базальтовой ткани (волокон) <40% снижается концентрация окислов металлов и нарушается необходимое соотношение между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит легирование лишь части полифениленсульфида, что приводит к снижению оптического поглощения. Кроме того, при содержании базальтовой ткани <40% содержание ПФС составляет >60%, что снижает прочность композита. При содержании базальтовой ткани >60% содержание ПФС составляет <40%, что также нарушает соотношение между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, что приводит к снижению оптического поглощения. Кроме того, при концентрации полифениленсульфида <40% прочность композита также снижается.

Предлагаемый композиционный материал может быть получен несколькими способами, например формованием (патент US 5354514, Near infrared absorbing composition and material and product containing same) или пропиткой (патент РФ №2376327. «Антифрикционный композиционный материал»).

Пример 1

Образец композита, включающий базальтовую ткань с диаметром нитей 100 мкм в количестве 45 массовых % и термопластичный полимер полифениленсульфид в количестве 55 массовых %, был получен аналогично одному из известных способов создания композиционного материала с полимером (Полимерные композиционные материалы: структура, свойства, технология / Под ред. Берлина А.А. СПб: Профессия, 2009) путем пропитки базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида при температуре 270°C. Гранулы полифениленсульфида расплавлялись в дозаторе, термостатируемом при температуре 250°C, откуда расплав наносился на базальтовую ткань, находящуюся на стальной пластине, нагретой до 270°C, после чего формируемый образец композита сверху прижимался второй стальной пластиной, нагретой до 270°C, что обеспечивало эффективную двухстороннюю пропитку базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида. В результате формировался образец композита толщиной 120 мкм.

В процессе эффективного взаимодействия при температуре 270°C молекул полифениленсульфида с окислами алюминия, железа и магния, входящими в состав базальта, происходило легирование полифениленсульфида, что обуславливало появление в полифениленсульфиде свободных электронов проводимости. Эти свободные электроны принимали участие в формировании катионрадикального центра, обуславливающего появление в спектре поглощения композита широкой полосы переноса заряда в диапазоне (700-1200) нм и, тем самым, увеличение степени поглощения излучения в ближней ИК области спектра.

Измерения спектров пропускания образца в области (700-1200) нм проводились на автоматическом спектрофотометре Varian Cary-50 по стандартной методике (Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия. М., 1982). Спектр пропускания образца композита в ближней ИК области показал, что пропускание (T) во всем спектральном диапазоне одинаково мало и лежит в пределах (0.6-0.8)%. Таким образом, поглощение образца композита в ближней ИК области составляло (100-T)=(99.4-99.2)%. То есть предложенный композит поглощает излучение в ближней ИК области значительно эффективнее прототипа, у которого поглощение составляет (70-90)%.

Кроме того, образец композита характеризуется высокой прочностью, обусловленной тем, что базальтовая ткань является (выполняет функцию) армирующим компонентом материала. Прочность образца композита оценивалась в результате измерения прочности при растяжении по ГОСТ 11262-80 и составляла 150 МПа.

Ударопрочность образца композита оценивалась в результате измерения ударной вязкости разрушения по Изоду (ГОСТ 19109-84). Ударная вязкость разрушения образца композита составила 40 Дж/см2. Очевидно, что и конструкционные характеристики композитного материала превосходят прототип, полимерная основа которого не предусматривает армирования.

Таким образом, создан композит, поглощающий более 95% излучения в ближней ИК области спектра (700-1100) нм, обладающий высокими конструкционными свойствами.

Пример 2

Образец композита толщиной 100 мкм, включающий базальтовую ткань с диаметром нитей 100 мкм в количестве 30 массовых % и термопластичный полимер полифениленсульфид в количестве 70 массовых %, также был получен путем пропитки базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида при температуре 270°C с применением той же методики, как в примере 1.

Спектр пропускания образца композита, измеренный в ближней ИК области на автоматическом спектрофотометре Varian Cary-50 по стандартной методике, показал, что пропускание (T) находится в пределах (40.6-43.8)%. Таким образом, поглощение образца композита в ближней ИК области составляло всего (59.4-56.2)%, что обусловлено нарушением соотношения между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит легирование лишь части полифениленсульфида, что приводит к снижению оптического поглощения.

Прочность при растяжении образца композита, измеренная по стандартной методике, равна 70 МПа, ударная вязкость разрушения по Изоду равна 8 Дж/см2.

Пример 3

Образец композита толщиной 100 мкм, включающий базальтовую ткань с диаметром нитей 100 мкм в количестве 70 массовых % и термопластичный полимер полифениленсульфид в количестве 30 массовых %, также получен путем пропитки базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида при температуре 270°C с применением той же методики, что и в примере 1.

Спектр пропускания образца композита, измеренный в ближней ИК области на автоматическом спектрофотометре Varian Cary-50 по стандартной методике, показал, что пропускание (T) находится в пределах (35.5-38.0)%. Таким образом, поглощение образца композита в ближней ИК области составляло всего (64.5-62.0)%, что обусловлено нарушением соотношения между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит легирование лишь части полифениленсульфида, что приводит к снижению оптического поглощения.

Прочность при растяжении образца композита, измеренная по стандартной методике, равна 80 МПа, ударная вязкость разрушения по Изоду равна 12 Дж/см2.

Пример 4

Образец композита толщиной 50 мкм, включающий базальтовую ткань с диаметром нитей 50 мкм в количестве 45 массовых % и термопластичный полимер полифениленсульфид в количестве 55 массовых %, также был получен путем пропитки базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида при температуре 270°C с применением той же методики, что в примере 1.

Спектр пропускания образца композита, измеренный в ближней ИК области на автоматическом спектрофотометре Varian Cary-50 по стандартной методике, показал, что пропускание (T) находится в пределах (35.6-39.2)%. Таким образом, поглощение образца композита в ближней ИК области составляло (64.4-60.8)%, что обусловлено нарушением соотношения между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит легирование лишь части полифениленсульфида, что приводит к снижению оптического поглощения.

Прочность при растяжении образца композита, измеренная по стандартной методике, равна 80 МПа, ударная вязкость разрушения по Изоду равна 12 Дж/см2.

Пример 5

Образец композита толщиной 250 мкм, включающий базальтовую ткань с диаметром нитей 250 мкм в количестве 45 массовых % и термопластичный полимер полифениленсульфид в количестве 55 массовых %, также был получен путем пропитки базальтовой ткани расплавом полифениленсульфида при температуре 270°C с применением той же методики.

Спектр пропускания образца композита, измеренный в ближней ИК области на автоматическом спектрофотометре Varian Cary-50 по стандартной методике, показал, что пропускание (T) находится в пределах (34.5-38.6%)%. Таким образом, поглощение образца композита в ближней ИК области составляло (65.5-61.4)%, что обусловлено недостаточной пропиткой базальтовой ткани полимером, приводящей к нарушению соотношения между концентрацией полифениленсульфида и концентрацией окислов металлов, в результате чего происходит легирование лишь части полифениленсульфида, что приводит к снижению оптического поглощения.

Прочность при растяжении образца композита, измеренная по стандартной методике, равна 150 МПа, ударная вязкость разрушения по Изоду равна 8 Дж/см2.

Таким образом, при условиях, соответствующих формуле предлагаемого изобретения, создан композиционный материал, поглощающий практически все излучение во всей ближней ИК области и обладающий высокими прочностными характеристиками.

Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ИК области спектра, включающий переплетенные базальтовые волокна с диаметром от 70 до 200 мкм, пропитанные термопластичным полимером полифениленсульфидом, при этом базальтовые волокна составляют количество от 40 до 60 массовых процентов, а полимер - остальное.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 71-80 из 115.
10.05.2018
№218.016.474a

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен по меньшей мере из одной пары...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650597
Дата охранного документа: 16.04.2018
29.05.2018
№218.016.5995

Устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц

Изобретение относится к устройствам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Устройство включает узел (1) зарядки пылевых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002655339
Дата охранного документа: 25.05.2018
08.07.2018
№218.016.6e98

Способ изготовления гетероструктуры ingaasp/inp фотопреобразователя

Способ изготовления гетероструктуры InGaAsP/InP фотопреобразователя включает последовательное выращивание методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке InP в потоке очищенного водорода при пониженном давлении при температуре эпитаксии буферного слоя InP из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660415
Дата охранного документа: 06.07.2018
19.12.2018
№218.016.a8a8

Способ упрочнения поверхности вольфрамовой пластины

Изобретение относится к обработке и упрочнению поверхности вольфрамовой пластины, подвергающейся интенсивным тепловым нагрузкам, в частности, в установках термоядерного синтеза, в которых вольфрам используют в качестве материала первой стенки и пластин дивертора. Проводят воздействие на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675194
Дата охранного документа: 17.12.2018
27.12.2018
№218.016.ac3c

Способ получения нанокомпозитного материала на основе алюминия

Изобретение относится к получению нанокомпозитного материала на основе алюминия. Способ включает приготовление шихты путем нанесения раствора нитрата металла-катализатора на поверхность частиц алюминия и его сушки, термического разложения нитрата металла-катализатора до оксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676117
Дата охранного документа: 26.12.2018
19.04.2019
№219.017.3333

Композиционный полимерный материал

Изобретение относится к производству электроизоляционных полимерных материалов для переработки в изделия электротехнического назначения. Композиционный материал состоит из полимерного термопластичного связующего, в качестве которого используется смесь полиэтилентерефталата с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002434029
Дата охранного документа: 20.11.2011
16.05.2019
№219.017.5260

Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя с антиотражающим покрытием

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя включает последовательное формирование фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры АВ с пассивирующим слоем и контактным слоем GaAs, удаление контактного слоя над...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687501
Дата охранного документа: 14.05.2019
18.05.2019
№219.017.53af

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя

Способ изготовления омических контактов фотоэлектрического преобразователя включает напыление на гетероструктуру AB основы фронтального омического контакта через первую фоторезистивную маску с рисунком фронтального омического контакта и основы тыльного омического контакта, термообработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002687851
Дата охранного документа: 16.05.2019
01.06.2019
№219.017.7275

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости. На полученной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690036
Дата охранного документа: 30.05.2019
07.06.2019
№219.017.7543

Концентраторно-планарный солнечный фотоэлектрический модуль

Концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль (1) содержит фронтальную светопрозрачную панель (2) с концентрирующими оптическими элементами (4), светопрозрачную тыльную панель (5), на которой сформированы планарные неконцентраторные фотоэлектрические преобразователи (6) с окнами (10),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690728
Дата охранного документа: 05.06.2019
Показаны записи 61-69 из 69.
26.08.2017
№217.015.ed70

Термоэлектрический элемент

Изобретение относится к области термоэлектричества. Сущность: термоэлектрический элемент (1) включает по меньшей мере две пленки основного материала (2) в виде углеродного материала с sp гибридизацией атомных связей, между которыми нанесена пленка дополнительного материала (3) в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002628676
Дата охранного документа: 21.08.2017
20.01.2018
№218.016.0ffc

Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к получению металлических наночастиц. Способ включает формирование потока ускоряемых металлических микрочастиц, плавление металлических микрочастиц, подачу потока образовавшихся жидких микрокапель в область цилиндрического осесимметричного электростатического поля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633689
Дата охранного документа: 16.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a2

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в различных областях науки. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор (1) фиксированной частоты, генератор (2), первый делитель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634076
Дата охранного документа: 23.10.2017
20.01.2018
№218.016.11a4

Спектрометр электронного парамагнитного резонанса

Использование: для регистрации сигналов электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что спектрометр ЭПР содержит генератор фиксированной частоты, генератор переменной частоты, первый делитель мощности, второй делитель мощности, переключатель каналов, первый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002634075
Дата охранного документа: 23.10.2017
13.02.2018
№218.016.20f8

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль

Солнечный фотоэлектрический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор (3) в виде линзы Френеля, с линейным размером D, оптическая ось (4) которой проходит через центр (5) фотоактивной области фотоэлемента (1), выполненной в виде круга диаметром d, и соосный с ним...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641627
Дата охранного документа: 18.01.2018
13.02.2018
№218.016.249d

Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен в виде волновода с воздушными обкладками,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642472
Дата охранного документа: 25.01.2018
04.04.2018
№218.016.36a8

Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития

Изобретение относится к области интегральной оптики. Способ подстройки коэффициента деления волноводного разветвителя на подложке ниобата лития заключается в том, что подают на входной волновод разветвителя рабочее оптическое излучение, выбирают для подстройки один из выходных волноводов, затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646546
Дата охранного документа: 05.03.2018
04.04.2018
№218.016.36e8

Фотопреобразователь лазерного излучения

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Фотопреобразователь лазерного излучения включает подложку (1) из n-GaAs, на которую последовательно нанесены слой (2) тыльного барьера из n-AlGaAs, базовый слой (3) из n-GaAs, эмиттерный слой (4) из p-GaAs, слой (5) широкозонного окна из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002646547
Дата охранного документа: 05.03.2018
19.04.2019
№219.017.3333

Композиционный полимерный материал

Изобретение относится к производству электроизоляционных полимерных материалов для переработки в изделия электротехнического назначения. Композиционный материал состоит из полимерного термопластичного связующего, в качестве которого используется смесь полиэтилентерефталата с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002434029
Дата охранного документа: 20.11.2011
+ добавить свой РИД