Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТНО-БАРЬЕРНОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Юридическая информация Свернуть Развернуть

Авторы

Правообладатели

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ)

№ охранного документа

0002550586

Дата охранного документа

10.05.2015

Краткое описание РИД Краткое описание РИД Свернуть Развернуть

Аннотация: Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. Контактно-барьерную металлизацию формируют последовательным нанесением пленки W (15% Ti) толщиной 0,17-0,19 мкм магнетронным распылением сплавной мишени со скоростью 2,5 Å/с и пленки Al (1,5% Si) толщиной 0,35-0,45 мкм с последующим термическим отжигом при температуре 450-480°C в течение 30 мин в азотной среде. 1 табл.

Основные результаты: Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий процессы напыления и отжига в азотной среде, отличающийся тем, что контактно-барьерную металлизацию формируют путем последовательного нанесения пленки W (15% Ti) толщиной 0,17-0,19 мкм магнетронным распылением сплавной мишени со скоростью 2,5 Å/с и пленки Al (1,5% Si) толщиной 0,35-0,45 мкм с последующим термическим отжигом при температуре 450-480°C в течение 30 мин.

Реферат Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора.

Известен способ [заявка 2133964 Япония, МКИ H01L 29/46] изготовления полупроводникового прибора путем формирования слоя TiN, который служит в качестве барьерного слоя, добавлением 1-10 ат.% углерода C. Такая добавка TiN предохраняет его от появления механических напряжений и растрескивания после термообработок. В таких приборах наличие лигатуры приводит к увеличению сопротивления и ухудшению характеристик приборов.

Наиболее близким является способ изготовления контактно-барьерной металлизации формированием слоев силицида титана на Si-пластине [патент США №5043300, МКИ H01L 21/283] путем плазменной очистки пластины кремния с последующим напылением в вакууме слоя Ti в атмосфере, не содержащей кислород, и отжигом в среде N₂ сначала при 500-700°C в течение 20-60 с для формирования слоев силицида титана, а затем отжигом при температуре 800-900°C для образования стабильной фазы силицида титана.

Недостатками способа являются:

- повышенные токи утечки;

- высокая дефектность;

- образование механических напряжений.

Задача, решаемая изобретением: снижение значений плотности дефектов, токов утечек, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается тем, что контактно-барьерную металлизацию формируют последовательным нанесением пленки W (15% Ti) толщиной 0,17-0,19 мкм магнетронным распылением сплавной мишени со скоростью 2,5 Å/с и пленки Al (1,5% Si) толщиной 0,35-0,45 мкм с последующим термическим отжигом при температуре 450-480°C в течение 30 мин в азотной среде.

Технология способа состоит в следующем: на кремниевую подложку с изолирующим слоем оксида кремния толщиной 0,6 мкм способом магнетронного распыления сплавной мишени на установке наносили пленку W (15% Ti) толщиной 0,17-0,19 мкм со скоростью 2,5 Å/с и пленку Al (1,5% Si) толщиной 0,35-0,45 мкм, затем полученные композиции отжигали при температуре 450-480°C в течение 30 мин в азотной среде.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в таблице.

Таблица
Параметры полупроводниковых структур, изготовленных по стандартной технологии	Параметры полупроводниковых структур, изготовленных по предлагаемой технологии
Плотность дефектов, см^-2	Ток утечки, Iут∗10¹³ A	Плотность дефектов, см^-2	Ток утечки, Iут∗10¹³ A
2,5∗10⁵	5,8	4,4∗10³	0,4
2,8∗10⁵	3,1	4,6∗10³	0,6
2,7∗10⁵	1,2	4,5∗10³	0,7
2,2∗10⁵	2,5	4,1∗10³	0,25
2,9∗10⁵	8,4	4,1∗10³	0,21
2,1∗10⁵	2,4	4,7∗10³	0,2
2,6∗10⁵	1,1	4,4∗10³	0,55
2,3∗10⁵	9,7	4,2∗10³	0,38
2,8∗10⁵	8,9	4,6∗10³	0,51
2,4∗10⁵	1,8	4,3∗10³	0,35
2,5∗10⁵	6,8	4,4∗10³	0,41
2,1∗10⁵	5,4	4,9∗10³	0,23
2,3∗10⁵	5,7	4,1∗10³	0,34

Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,5%.

Технический результат: снижение токов утечек, снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий процессы напыления и отжига в азотной среде, отличающийся тем, что контактно-барьерную металлизацию формируют путем последовательного нанесения пленки W (15% Ti) толщиной 0,17-0,19 мкм магнетронным распылением сплавной мишени со скоростью 2,5 Å/с и пленки Al (1,5% Si) толщиной 0,35-0,45 мкм с последующим термическим отжигом при температуре 450-480°C в течение 30 мин.

Источник поступления информации: Роспатент

‹ › ×

Авторы
Правообладатели

Показаны записи 21-30 из 55.

10.02.2015

№216.013.2417

Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при добыче и переработке молибденсодержащих руд. Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд включает районирование карьерного поля, оконтуривание различных по технологическим свойствам участков рудного массива,...

Тип: Изобретение

Номер охранного документа: 0002540692

Дата охранного документа: 10.02.2015