×
10.04.2015
216.013.401a

Результат интеллектуальной деятельности: ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Фильтр может быть использован в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света. Фильтр содержит полуволновые слои диэлектрика, являющиеся резонаторами, и прилегающие к ним многослойные диэлектрические зеркала, разделяющие один резонатор от другого и от окружающего пространства, все вместе образующие симметричную конструкцию. Период i-го многослойного диэлектрического зеркала выражается конструкцией ABCB, где A, B, C - три слоя диэлектриков с показателями преломления n>n>n одинаковыми во всех многослойных диэлектрических зеркалах. Слой A во всех многослойных диэлектрических зеркалах имеет электрическую толщину θ=π/2, а электрические толщины θ и θ слоев диэлектриков B и C зависят от места расположения многослойного диэлектрического зеркала и удовлетворяют единому условию . Технический результат - возможность реализации практически любой требуемой ширины полосы пропускания фильтра и уменьшение неравномерности коэффициента прохождения света в этой полосе. 2 з.п. ф-лы, 6 ил., 3 табл.

Изобретение относится к волоконно-оптической технике и может быть использовано в оптических устройствах связи и спектрометрах комбинационного рассеяния света.

Известен оптический многослойный фильтр [Аналог: Гончаров Ф.Н., Лапшин Б.А., Петраков В.А., Политыкин Р.В., Шмидт А.А. Оптический многослойный фильтр. Патент РФ №2316029, 27.01.2008, МПК G02B 5/28]. Фильтр содержит чередующиеся диэлектрические слои из материалов с высоким и низким показателями преломления. В нем все диэлектрические слои с высоким показателем преломления (nв) выполнены из одного материала, а все слои с низким показателем преломления (nн) выполнены из второго материала. Три диэлектрических слоя фильтра имеют оптическую толщину λ/2, где λ - средняя длина волны в полосе пропускания. Они являются резонаторами фильтра. Остальные диэлектрические слои имеют оптическую толщину λ/4. Они образуют многослойные диэлектрические зеркала, отделяющие резонаторы друг от друга и от внешнего пространства. Количество слоев в наружных и внутренних зеркалах определяется предложенными математическими формулами, зависящими только от двух величин - от отношения показателей преломления двух используемых материалов и от относительной ширины полосы пропускания фильтра.

Недостатком известного аналога являются низкие селективные свойства, выражающиеся в слабом ослаблении проходящего света за пределами полосы пропускания и малой крутизне склонов самой полосы пропускания. Этот недостаток обусловлен малым числом резонаторов (полуволновых слоев), равным трем. Причем увеличение числа резонаторов в аналоге не предусмотрено согласно формуле изобретения. Другим недостатком аналога является принципиальная невозможность реализации фильтра с точно заданной шириной полосы пропускания света и точно заданной неравномерностью коэффициента прохождения в этой полосе, так как количество слоев в наружных и внутренних зеркалах фильтра, определяющих эти характеристики, не может быть дробным.

Наиболее близким аналогом заявляемого изобретения является многорезонаторный фильтр [Прототип: Н.A. Macleod. Thin-film optical filters. 4-th ed., Tucson: CRC Press, © 2010 Taylor and Francis Group, p.356-357, Figure 8.22]. Фильтр содержит чередующиеся диэлектрические слои из материалов с высоким (nв=2.35) и низким (nн=1.35) показателями преломления, расположенные между двумя стеклянными пластинами (nс=1.52). Все резонансные слои выполнены из материала с высоким показателем преломления (nв) и имеют оптическую толщину λ/2, а все слои диэлектрических зеркал имеют оптическую толщину λ/4. Все зеркала, расположенные между резонансными полуволновыми слоями, одинаковы. Остальные два зеркала (наружные) имеют меньшее число слоев, чем внутренние зеркала. Они также одинаковы.

Недостатком многорезонаторного фильтра является принципиальная невозможность реализации фильтра как с точно заданной шириной полосы пропускания, так и с точно заданной неравномерностью коэффициента прохождения света в этой полосе. Этот недостаток связан с тем, что отражательные способности всех внутренних зеркал одинаковы. Кроме того, для устранения этого недостатка требуется плавная настройка отражательной способности каждого из зеркал, но, меняя только количество слоев в зеркале, этого достичь невозможно.

Для выравнивания неравномерности коэффициента прохождения света в полосе пропускания многорезонаторного фильтра требуется, чтобы отражательная способность диэлектрических зеркал монотонно убывала от центра фильтра к его наружным границам. В фильтрах с меньшей неравномерностью отражательная способность зеркал убывает быстрее, чем в фильтрах с большей неравномерностью. В фильтрах с большей шириной полосы пропускания отражательная способность каждого зеркала меньше, чем отражательная способность соответствующего зеркала в фильтрах с меньшей шириной полосы пропускания.

Техническим результатом заявляемого изобретения является возможность реализации практически любой требуемой ширины полосы пропускания фильтра, а также возможность уменьшения неравномерности коэффициента прохождения света в этой полосе до любой заданной величины.

Технический результат достигается тем, что в оптическом многослойном полосно-пропускающем фильтре, содержащем полуволновые слои диэлектрика, являющиеся резонаторами, и прилегающие к ним многослойные диэлектрические зеркала, разделяющие один резонатор от другого, а также крайние резонаторы от окружающего пространства, все вместе образующие симметричную конструкцию, новым является то, что период i-го многослойного диэлектрического зеркала выражается конструкцией ABiCiBi, где A, Bi, Ci - три слоя диэлектриков с показателями преломления nA>nB>nC, одинаковыми во всех многослойных диэлектрических зеркалах, слой A во всех многослойных диэлектрических зеркалах имеет электрическую толщину θA=π/2, а электрические толщины θBi и θCi слоев Bi и Ci зависят от места расположения i-го многослойного диэлектрического зеркала и удовлетворяют условию .

В случае, когда полуволновые слои диэлектрика имеют показатель преломления nC, каждое многослойное диэлектрическое зеркало характеризуются конструкцией , где mi - число периодов в i-м многослойном диэлектрическом зеркале.

В случае, когда полуволновые слои диэлектрика имеют показатель преломления nA, оба наружные многослойные диэлектрические зеркала характеризуются конструкцией , где m1 - число периодов в первом (наружном) многослойном диэлектрическом зеркале, а i-е внутреннее многослойное диэлектрическое зеркало характеризуется конструкцией , где mi - число периодов в i-м многослойном диэлектрическом зеркале.

Заявляемый оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр отличается от прототипа тем, что период i-го многослойного диэлектрического зеркала выражается конструкцией ABiCiBi, где A, Bi, Ci - три слоя диэлектриков с показателями преломления nA>nB>nC, одинаковыми во всех многослойных диэлектрических зеркалах, слой A во всех многослойных диэлектрических зеркалах имеет электрическую толщину θA=π/2, а электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci зависят от места расположения многослойного диэлектрического зеркала и удовлетворяют единому условию .

Эти отличия позволяют сделать вывод о соответствии заявляемого технического решения критерию «новизна». Признаки, отличающие заявляемое техническое решение от прототипа, не выявлены в других технических решениях при изучении данной и смежных областей техники и, следовательно, обеспечивают заявляемому решению соответствие критерию «изобретательский уровень».

Сущность изобретения поясняется чертежами и таблицами.

На фиг.1 изображена последовательность расположения слоев диэлектриков в Примере 1 выполнения заявляемого фильтра. На схеме резонансные полуволновые слои, имеющие показатель преломления nA, обозначены Ar. Слои диэлектрика с тем же показателем преломления, но входящие в состав многослойных диэлектрических зеркал, обозначены A.

На фиг.2 представлены амплитудно-частотные характеристики (АЧХ) фильтра, описанного в Примере 1. Сплошной линией изображена зависимость коэффициента прохождения света S21, а штриховой линией - коэффициента отражения S11 (Sij - компоненты матрицы рассеяния фильтра). Значения обоих коэффициентов выражены в децибелах, текущая частота f нормирована на центральную частоту полосы пропускания f0.

На фиг.3 изображена последовательность расположения слоев диэлектриков в Примере 2 выполнения заявляемого фильтра. На схеме резонансные полуволновые слои, имеющие показатель преломления nC, обозначены Cr. Слои диэлектрика с тем же показателем преломления, но входящие в состав многослойных диэлектрических зеркал, обозначены Ci (i=1, 2, 3).

На фиг.4 представлены АЧХ фильтра, описанного в Примере 2.

На фиг.5 изображена последовательность расположения слоев диэлектриков в Примере 3 выполнения заявляемого фильтра. На схеме резонансные полуволновые слои, имеющие показатель преломления nA, обозначены Ar. Слои диэлектрика с тем же показателем преломления, но входящие в состав многослойных диэлектрических зеркал, обозначены A.

На фиг.6 представлены АЧХ фильтра, описанного в Примере 3.

В табл.I приведены значения параметров слоев зеркал в Примере 1. Нумерация зеркал (i) производится в направлениях от наружных поверхностей конструкции к ее центру.

В табл.II приведены значения параметров слоев зеркал в Примере 2.

В табл.III приведены значения параметров слоев зеркал в Примере 3.

Пример 1 осуществления изобретения. Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр выполнен из трех диэлектрических материалов с показателями преломления nA, nB и nC. Он содержит 33 слоя, из которых 3 слоя (Ar) являются полуволновыми резонаторами с показателем преломления nA. Остальные слои образуют 4 многослойных зеркала, отделяющих один полуволновый резонатор от другого, а также крайние резонаторы от окружающего пространства. Порядок расположения слоев показан на фиг.1. Два наружных зеркала (i=1) содержат по 4 слоя, а два внутренних зеркала (i=2) содержат по 11 слоев. Параметры слоев фильтра приведены в Таблице 1. Содержащиеся в ней электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci удовлетворяют условию

Слои A и Ar выполняются из кремния (Si), слои B1 и B2 выполняются из моноокиси кремния (SiO), а слои C1 и C2 - из фторида натрия (NaF).

В Примере 1 достижение технического результата, а именно уменьшения неравномерности коэффициента прохождения света в полосе пропускания фильтра, подтверждается АЧХ фильтра, представленными на фиг.2. Относительная ширина полосы пропускания фильтра равна 5%. Все два максимума коэффициента отражения S11 в полосе пропускания расположены на уровне -15 дБ, а отвечающие им два минимума коэффициента прохождения S21 имеют глубину всего -0.14 дБ, что на порядок лучше, чем в прототипе.

Пример 2 осуществления изобретения. Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр выполнен из трех диэлектрических материалов с показателями преломления nA, nB и nC. Он содержит 67 слоев, из которых 5 слоев (Cr) являются полуволновыми резонаторами с показателем преломления nC. Остальные слои образуют 6 многослойных зеркал, отделяющих один полуволновый резонатор от другого, а также крайние резонаторы от окружающего пространства. Порядок расположения слоев показан на фиг.3. Два наружных зеркала (i=1) содержат по 5 слоев, а четыре внутренних зеркала (i=2, 3) содержат по 13 слоев. Параметры слоев фильтра приведены в Таблице II. Содержащиеся в ней электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci удовлетворяют условию (1). Все слои A выполняются из германия (Ge), слои B1, B2 и B3 выполняются из рутила (TiO2), а слои Cr, C1, C2 и C3 являются воздушными зазорами.

В Примере 2 достижение технического результата, а именно уменьшения неравномерности коэффициента прохождения света в полосе пропускания фильтра, подтверждается АЧХ фильтра, представленными на фиг.4. Относительная ширина полосы пропускания фильтра равна 1.4%. Все четыре максимума коэффициента отражения S11 в полосе пропускания расположены на уровне -15 дБ, а отвечающие им четыре минимума коэффициента прохождения S21 имеют глубину всего -0.14 дБ, что на порядок лучше, чем в прототипе.

Пример 3 осуществления изобретения. Оптический многослойный полосно-пропускающий фильтр выполнен из трех диэлектрических материалов с показателями преломления nA, nB и nC. Он содержит 57 слоев, из которых 5 слоев (Ar) являются полуволновыми резонаторами с показателем преломления nA. Остальные слои образуют 6 многослойных зеркал, отделяющих один полуволновый резонатор от другого, а также крайние резонаторы от окружающего пространства. Порядок расположения слоев показан на фиг.5. Два наружных зеркала (i=1) содержат по 4 слоя, а четыре внутренних зеркала (i=2, 3) содержат по 11 слоев. Параметры слоев зеркал приведены в Таблице III. Содержащиеся в ней электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci удовлетворяют условию (1). Слои Ar и A выполняются из кремния (Si), слои B1, B2 и B3 выполняются из моноокиси кремния (SiO), а слои C1, C2 и C3 из фторида натрия (NaF).

В Примере 3 достижение технического результата, а именно уменьшения неравномерности коэффициента прохождения света в полосе пропускания фильтра, подтверждается АЧХ фильтра, представленными на фиг.6. Относительная ширина полосы пропускания фильтра равна 5%. Все четыре максимума коэффициента отражения S11 в полосе пропускания расположены на уровне -15 дБ, а отвечающие им четыре минимума коэффициента прохождения S21 имеют глубину всего -0.14 дБ, что на порядок лучше, чем в прототипе.

Пример 1, Пример 2 и Пример 3 отличаются от известных конструкций фильтров тем, что период i-го многослойного диэлектрического зеркала выражается конструкцией ABiCiBi, где A, Bi, Ci - три слоя диэлектриков с показателями преломления nA>nB>nC,одинаковыми во всех многослойных диэлектрических зеркалах. Электрические толщины θBi и θCi слоев диэлектриков Bi и Ci зависят от места расположения многослойного диэлектрического зеркала и удовлетворяют единому условию (1).

Фильтры в Примере 1, Примере 2 и Примере 3 работают следующим образом. В каждом зеркале фильтра трехслойная структура BiCiBi эквивалентна для некоторой области частот вблизи центральной частоты f0 некоторому слою Di с электрической толщиной θDi=π/2 и показателем преломления nDi из диапазона nC<nDi<nB, если электрические толщины θBi и θCi слоев Bi и Ci удовлетворяют условию (1). При этом показатель преломления nDi будет тем выше, чем толще слой Bi. Эквивалентность трехслойной структуры BiCiBi одному слою Di означает, что используемые многослойные диэлектрические зеркала с периодом ABiCiBi эквивалентны стандартным многослойным диэлектрическим зеркалам с периодом ADi. Поэтому многослойные диэлектрические зеркала в Примере 1, Примере 2 и Примере 3 также как и стандартные зеркала, формируют достаточно широкие полосы заграждения фильтра. Свет в полосах заграждения испытывает сильное отражение.

Условие (1) для электрических толщин θBi и θCi получается в результате обнуления диагональных элементов матрицы передачи для симметричной трехслойной структуры BiCiBi на центральной частоте f0. Это условие является необходимым условием эквивалентности трехслойной структуры BiCiBi одному четвертьволновому слою Di, так как диагональные элементы матрицы передачи для любого четвертьволнового слоя всегда равны нулю.

Преимуществом многослойного зеркала, период которого выражается конструкцией ABiCiBi, является то, что его отражательную способность, определяемую контрастом показателей nA и nDi, можно плавно перестраивать, меняя одновременно θBi и θCi и соблюдая условие (1).

Полосу пропускания фильтра формируют слои Ar (Cr), являющиеся полуволновыми резонаторами. Она располагается в центре полосы заграждения. Ее ширина тем меньше, чем больше отражательная способность зеркал. Количество минимумов отражения света в полосе пропускания, называемое порядком фильтра, равно числу полуволновых слоев Ar (Cr). Глубина минимумов прохождения света, расположенных на частотах между минимумами отражения, сильно зависит от отражательной способности каждого из зеркал. Для выравнивания глубины всех минимумов прохождения требуется обеспечить определенные величины отражательных способностей зеркал. Отражательная способность зеркал в фильтре с выравненной неравномерностью коэффициента прохождения монотонно убывает по мере отдаленности зеркала от центра конструкции. При этом скорость убывания увеличивается с уменьшением глубины минимумов.

Грубая настройка полосы пропускания фильтра при заданных значениях показателей преломления nA, nB и nC осуществляется подбором числа периодов ni для каждого зеркала. Тонкая настройка осуществляется подбором электрической толщины θBi вместе с толщиной θCi, отвечающей условию (1).

Таким образом, преимуществом заявляемого оптического многослойного фильтра является то, что, используя в нем всего три материала с неодинаковыми показателями преломления, можно плавно перестраивать как ширину его полосы пропускания, так и величину неравномерности коэффициента прохождения света в этой полосе.

Таблица I
i mi nA nB nC θA θBi θCi
1 1 3.479 2.315 1.321 π/2 0.6500 0.23465
2 2 3.479 2.315 1.321 π/2 0.3900 0.71625

Таблица II
i mi nA nB nC θA θBi θCi
1 1 4.0 2.5 1.0 π/2 0.7730 0.0171
2 3 4.0 2.5 1.0 π/2 0.5525 0.3338
3 3 4.0 2.5 1.0 π/2 0.4895 0.4341

Таблица III
i mi nA nB nC θA θBi θCi
1 1 3.479 2.315 1.321 π/2 0.7000 0.1474
2 2 3.479 2.315 1.321 π/2 0.4116 0.6337
3 2 3.479 2.315 1.321 π/2 0.2796 0.9423


ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
ОПТИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПОЛОСНО-ПРОПУСКАЮЩИЙ ФИЛЬТР
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 41-42 из 42.
20.01.2018
№218.016.1d86

Полосковый резонатор

Изобретение относится к технике высоких и сверхвысоких частот и предназначено для создания частотно-селективных устройств. Полосковый резонатор содержит две диэлектрические подложки, подвешенные между экранами корпуса, на обе поверхности которых нанесены полосковые металлические проводники,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640968
Дата охранного документа: 12.01.2018
04.04.2018
№218.016.30bb

Микрополосковый широкополосный фильтр

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644976
Дата охранного документа: 15.02.2018
Показаны записи 41-50 из 86.
04.04.2018
№218.016.30bb

Микрополосковый широкополосный фильтр

Изобретение относится к СВЧ-радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое основание, а на вторую - полосковые проводники, электромагнитно связанные между собой. Узкие и широкие...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002644976
Дата охранного документа: 15.02.2018
14.06.2018
№218.016.61d3

Полосно-пропускающий свч фильтр

Полосно-пропускающий СВЧ фильтр относится к технике сверхвысоких частот и может быть использован в селективных трактах приемных и передающих систем. Фильтр содержит диэлектрическую подложку (1), на одну сторону которой нанесено заземляемое основание (2), а на вторую - нанесены полосковые...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002657311
Дата охранного документа: 13.06.2018
01.07.2018
№218.016.69a9

Миниатюрный полосковый фильтр

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к микрополосковым фильтрам. Фильтр содержит подвешенную между экранами диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесены короткозамкнутые на экран с одного края подложки полосковые проводники резонаторов, а на вторую сторону подложки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659321
Дата охранного документа: 29.06.2018
23.10.2018
№218.016.9529

Микрополосковый фильтр верхних частот

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Микрополосковый фильтр верхних частот содержит диэлектрическую подложку, одна поверхность которой полностью металлизирована и служит заземляемым основанием, а на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002670366
Дата охранного документа: 22.10.2018
21.11.2018
№218.016.9f8e

Полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и может быть использовано в селективных трактах приемных и передающих систем. Полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, на одну сторону которой нанесено заземляемое металлизированное основание, а на вторую нанесен...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672821
Дата охранного документа: 19.11.2018
19.12.2018
№218.016.a8a0

Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр

Изобретение относятся к радиотехнике, в частности к фильтрам. Микрополосковый широкополосный полосно-пропускающий фильтр содержит диэлектрическую подложку, одна сторона которой полностью металлизирована и выполняет функцию заземляемого основания, а на вторую сторону нанесены нерегулярные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675206
Дата охранного документа: 17.12.2018
16.01.2019
№219.016.aff0

Микрополосковый фильтр нижних частот

Изобретение относится к технике СВЧ. Фильтр содержит подложку с относительной диэлектрической проницаемостью и толщиной, с одной стороны которой выполнен металлический экран, на противоположной стороне подложки расположен свернутый в форме меандра нерегулярный полосковый проводник, широкие и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002677103
Дата охранного документа: 15.01.2019
07.02.2019
№219.016.b7e4

Сверхширокополосное поглощающее покрытие

Изобретение относится к технике сверхвысоких частот и предназначено для уменьшения радиолокационной заметности объектов военной техники, например летательных аппаратов. Сверхширокополосное поглощающее покрытие содержит диэлектрические слои, на поверхности которых нанесена двумерно-периодическая...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002678937
Дата охранного документа: 04.02.2019
16.03.2019
№219.016.e1a8

Датчик слабых магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике, а именно предназначено для измерения слабых магнитных полей, и может использоваться, в первую очередь, в магнитометрии. Датчик слабых магнитных полей содержит СВЧ-генератор, чувствительный элемент на основе тонкой магнитной пленки, помещенной в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682076
Дата охранного документа: 14.03.2019
10.04.2019
№219.017.08ef

Коаксиальный резонатор

Коаксиальный резонатор относится к технике сверхвысоких частот и предназначен для создания частотно-селективных устройств СВЧ, задающих цепей автогенераторов и др. Коаксиальный резонатор содержит корпус - экран, внутри которого расположен отрезок коаксиального волновода, заполненного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002449432
Дата охранного документа: 27.04.2012
+ добавить свой РИД