×
27.11.2014
216.013.0bde

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОЧИСТКИ КВАРЦЕВОЙ ТРУБЫ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры, длительности обработки кварцевых труб и снижение стоимости процесса. В способе очистки кварцевой трубы удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора в состав, которого входят бифторид аммония - NHHF и деионизованная вода - HO в соотношении 1:5 при комнатной температуре. Длительность процесса равна 20±7 минут. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.
Основные результаты: Способ очистки кварцевой трубы, включающий обработку трубы в растворе, в состав которого входят бифторид аммония и деионизованная вода, отличающийся тем, что обработку проводят в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов NHHF:HO=1:5 при комнатной температуре в течение 20±7 минут, затем кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, к способам обработки кварцевой оснастки, в частности кварцевой трубы, применяемой при проведении высокотемпературных процессов в диффузионных печах.

Известны способы обработки изделий из кварца. Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей с кварцевой трубы после ряда диффузионных операций (диффузия бора, диффузия фосфора) [1, 2].

Известен способ очистки кварцевой трубы, сущность которого заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе состоящей из фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (H2O) при комнатной температуре [3].

Недостатками этого способа являются длительность процесса и использование такого агрессивного вещества, как плавиковая кислота.

Целью изобретения является полное удаление различных загрязнений с кварцевой трубы после высокотемпературных операций, уменьшение температуры, длительности обработки кварцевых труб и удешевление процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кварцевой трубы происходит за счет использования раствора в состав, которого входят бифторид аммония - NH4HF2 и деионизованная вода - Н2О в соотношении 1:5. Длительность обработки составляет 20±7 минут. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 20±5 минут.

Сущность способа заключается в том, что кварцевая труба подвергается обработке в растворе состоящего из бифторида аммония и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Длительность процесса равна 20±7 минутам. После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20±5 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 25 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 23 минут.

Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 20 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 20 минут.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кварцевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:H2O=1:5

Температура раствора комнатная. Время обработки 15 минут.

После обработки кварцевую трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 18 минут.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности кварцевой трубы и качество обработки кварцевых труб, не требует больших затрат.

Литература

1. А.И.Курносов Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа. 1980. 272-273.

2. Панфилов Ю.В., Рябов В.Т., Цветков Ю.Б. Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные роботы. М.: Радио и связь. - 1988. Стр.48-50.

3. Патент №2366032, Н01L 21/306, 27.08.2009.

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 131-134 из 134.
13.02.2018
№218.016.2163

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641847
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21e8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641849
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21ff

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641848
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
Показаны записи 131-140 из 147.
20.06.2016
№217.015.04ff

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой с температурой 85°C, затем повторно заливают на 2-3 мин водой с температурой 95°C. После чего заменяют воду сиропом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587576
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0504

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,5-2,0 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587583
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.06.2016
№216.015.447b

Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586267
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4542

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586266
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4667

Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586265
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.46fe

Способ колорирования шерстяной ткани растительным красителем коры мушмулы свч обработкой

Изобретение относится к способу колорирования шерстяной ткани натуральным красителем - водным экстрактом коры мушмулы. Способ включает обработку шерстяной ткани в красильной ванне на основе комплексообразователя бихромата калия и красителя - водного экстракта коры мушмулы при 75-80°C, pH 5-6 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586137
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4a45

Способ обработки поверхности кремниевой подложки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способу обработки обратной стороны кремниевых подложек перед напылительными процессами. Техническим результатом изобретения является получение поверхности с хорошей адгезией к напыляемым металлам,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587096
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4b43

Способ формирования затворной области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594652
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4b4d

Термоэлектрическое устройство для остановки кровотечения

Изобретение относится к медицинской технике, в частности к средствам для остановки кровотечения. Устройство содержит источник холода, приведенный в тепловой контакт с областью кровотечения, состоящий из термоэлектрической батареи, питаемой источником электрической энергии, рабочей поверхностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594820
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4c0b

Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и подключенный к термоэлементам управляемый источник постоянного тока....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594819
Дата охранного документа: 20.08.2016
+ добавить свой РИД