Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и кремниевых транзисторов, в частности к способам защиты поверхности кристаллов.

Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоят в том, что поверхность р-n переходов защищают различными пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др. [1].

Основным недостатком этих способов является длительность процесса.

Целью изобретения является сокращение длительности процесса.

Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки.

Сущность способа заключается в том, что защита поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется на основе пленки вакуумным катодным распылением. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1100°С, а температура кристалла 700°С. Расстояние между источником окиси титана и кристаллом 10 см.

Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что защиту поверхности р-n переходов проводят с помощью порошка. Затем через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником и полупроводниковым кристаллом, и при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки δ=1,1±0,1 мкм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами

ПРИМЕР 1: Процесс защиты поверхности полупроводниковых кристаллов осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны 1000°С, температура полупроводникового кристалла 700°С. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Расстояние между источником и кристаллом 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси титана медленно выдвигают из печи.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки δ=0,8±0,1 мкм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1050°С.

Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=0,9±0,1 мкм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1050°С.

Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристаллом 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=1,1±0,1 мкм.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки 1100°С.

Температура полупроводникового кристалла 700°С. Расстояние между источником и кристалла 10 см.

Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.

Толщина защитной пленки δ=1,1±0,1 мкм.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности р-n переходов на основе порошка, где через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником и полупроводниковым кристаллом, и при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 327 с.