×
27.11.2014
216.013.0ba4

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Изобретение обеспечивает уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений. В способе обработки карбид-кремниевой трубы очистку карбид-кремниевой трубы проводят в растворе, состоящем из бифторида аммония - NHHF, соляной кислоты - НС1 и деионизованной воды - HO в соотношении 1:1,5:4, соответственно. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре 30 минут.
Основные результаты: Способ обработки карбид-кремниевой трубы, включающий очистку карбид-кремниевой трубы перед проведением высокотемпературных процессов в растворе, состоящем из бифторида аммония (NHHF), соляной кислоты (НСl) и деионизованной воды (НO), отличающийся тем, что в качестве раствора используют раствор, в состав которого входят бифторид аммония, соляная кислота и деионизованная вода в соотношении компонентов 1:1,5:4 при комнатной температуре, длительность процесса составляет 10±7 минут, далее осуществляется промывка в деионизованной воде в течение 30 минут, качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Известны способы обработки изделий в различных травителях при высоких температурах [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с карбид-кремниевой трубы. Известен способ обработки карбид-кремниевой трубы раствором, в состав которого входят плавиковая кислота - HF, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода- H2O в соотношении 1:1:3,5. Сущность данного способа в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 20±5 минут [2].

Основным недостатком этого способа является длительность процесса, неполное удаление загрязнений, использование небезопасной плавиковой кислоты.

Целью изобретения является уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония - NH4HF2, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода - H2O в соотношении 1:1,5:4. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30 минут. Сущность способа заключается в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 10±7 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги, которую следует приложить к мокрой внутренней поверхности трубы. В случае покраснении индикаторной бумаги следует повторить обработку. После чего установить трубу в шкаф и выдержать при комнатной температуре не менее 11 часов. Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:HCl:H2O

1:1,5:5,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 15±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.

ПРИМЕР 2. Способ обработки осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:

NH4HF2:HC1:H2O

1:1,5:4,0

Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги. Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает полное удаление загрязнений, безопасный процесс обработки, уменьшение длительности процесса.

Литература

1. А.И. Курсонов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980, стр.88-89.

2. Патент №2377690, Н 01 L 21/306, 27.12.2009

Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 131-134 из 134.
13.02.2018
№218.016.2163

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641847
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21e8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641849
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21ff

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641848
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
Показаны записи 131-140 из 147.
20.06.2016
№217.015.04ff

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой с температурой 85°C, затем повторно заливают на 2-3 мин водой с температурой 95°C. После чего заменяют воду сиропом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587576
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0504

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,5-2,0 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587583
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.06.2016
№216.015.447b

Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586267
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4542

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586266
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4667

Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586265
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.46fe

Способ колорирования шерстяной ткани растительным красителем коры мушмулы свч обработкой

Изобретение относится к способу колорирования шерстяной ткани натуральным красителем - водным экстрактом коры мушмулы. Способ включает обработку шерстяной ткани в красильной ванне на основе комплексообразователя бихромата калия и красителя - водного экстракта коры мушмулы при 75-80°C, pH 5-6 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586137
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4a45

Способ обработки поверхности кремниевой подложки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способу обработки обратной стороны кремниевых подложек перед напылительными процессами. Техническим результатом изобретения является получение поверхности с хорошей адгезией к напыляемым металлам,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587096
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4b43

Способ формирования затворной области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594652
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4b4d

Термоэлектрическое устройство для остановки кровотечения

Изобретение относится к медицинской технике, в частности к средствам для остановки кровотечения. Устройство содержит источник холода, приведенный в тепловой контакт с областью кровотечения, состоящий из термоэлектрической батареи, питаемой источником электрической энергии, рабочей поверхностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594820
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4c0b

Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и подключенный к термоэлементам управляемый источник постоянного тока....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594819
Дата охранного документа: 20.08.2016
+ добавить свой РИД