×
27.11.2014
216.013.0b9f

Результат интеллектуальной деятельности: ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ). Технический результат: повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ. Сущность: поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты. Указанная поверхность, не покрытая слоем теплоизоляции, выполнена с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в шахматном порядке. Съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится в контейнеры с плавящимися рабочими веществами. 3 ил.
Основные результаты: Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно р- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в шахматном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится в контейнеры с плавящимися рабочими веществами.

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям термоэлектрических батарей (ТЭБ).

Прототипом изобретения является ТЭБ, описанная в [1]. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями (столбиками, выполненными либо цилиндрическими, либо в виде прямоугольного параллелепипеда), изготовленными из полупроводника соответственно р- и n-типа. Ветви термоэлементов соединяются между собой посредством коммутационных пластин, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины. Коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, причем нечетные коммутационные пластины выступают за одну поверхность структуры, а четные коммутационные пластины - за другую. Соответственно, отвод и подвод теплоты осуществляются с выступающих частей коммутационных пластин за счет воздушного или жидкостного теплообмена.

Недостатком известной конструкции является отвод (подвод) теплоты только с поверхности выступающих частей коммутационных пластин, тогда как вследствие теплопроводности имеет место также нагрев (охлаждение) близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Целью изобретения является повышение эффективности отвода (подвода) теплоты с горячих (холодных) контактов ТЭБ за счет отвода (подвода) теплоты также и с близлежащих к ним областей ветвей термоэлементов.

Цель достигается тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на ¼ ее высоты. Указанная поверхность, непокрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, установленными под углом, варьирующимся в пределах 45-135° к плоскости их установки, расположенными в шахматном порядке. Съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится в контейнеры с плавящимися рабочими веществами.

Конструкция термоэлектрической батареи приведена на фиг.1-3. ТЭБ состоит из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин 1 и 2 чередующихся ветвей, изготовленных соответственно из полупроводника p-типа 3 и n-типа 4. Электрическое соединение ветвей осуществляют посредством контакта ветвь p-типа 3 - коммутационная пластина 1 или 2 - ветвь n-типа 4, где ветвь p-типа 3 контактирует торцевой поверхностью с одной из поверхностей коммутационной пластины, а ветвь n-типа 4 - с другой. Каждая ветвь в ТЭБ контактирует противоположными торцевыми поверхностями с двумя коммутационными пластинами 1 и 2. Коммутационные пластины 1 и 2 имеют площадь, несколько большую, чем площадь поперечного сечения ветвей p- и n-типа 3 и 4, вследствие чего их концы выступают за поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ. Концы нечетных коммутационных пластин 1 выступают за одну поверхность структуры, а концы четных коммутационных пластин 2 - за другую.

Поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин 1 и 2, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5. Площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала 5, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на ¼ ее высоты. Указанная поверхность, непокрытая слоем теплоизоляции, имеет профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами 6, расположенными в шахматном порядке (вид сверху единичного термоэлемента с профилированной поверхностью показан на фиг.2).

Съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится в контейнеры с плавящимися рабочими веществами 7.

ТЭБ функционирует следующим образом.

При прохождении через ТЭБ постоянного электрического тока, подаваемого от источника электрической энергии, между коммутационными пластинами 1 и 2, представляющими собой контакты ветвей p- и n-типа 3 и 4, возникает разность температур, обусловленная выделением и поглощением теплоты Пельтье. При указанной на фиг.1 полярности электрического тока происходит нагрев нечетных коммутационных пластин 1 и охлаждение четных 2. Съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин, а также с близлежащих к ним областей осуществляется в контейнеры с плавящимися рабочими веществами 7.

Повышение эффективности отвода теплоты с горячих и холодных контактов ТЭБ осуществляется за счет ее съема также и с близлежащих к коммутационным пластинам областей поверхности структуры, образованной ветвями ТЭБ. Причем за счет профилирования поверхности ветви термоэлемента, с которой осуществляется съем тепла, увеличивается коэффициент теплопередачи от нее к приемникам холода и тепла. Теплоизоляция 5 служит для уменьшения теплопритока из окружающей среды.

Литература

1. Поздняков B.C., Коптелов Е.А. Термоэлектрическая энергетика. М.: Атомиздат, 1974.

Термоэлектрическая батарея (ТЭБ), состоящая из последовательно соединенных в электрическую цепь посредством коммутационных пластин полупроводниковых термоэлементов, каждый из которых образован двумя ветвями, изготовленными из полупроводника соответственно р- и n-типа, причем ветви p-типа и n-типа контактируют торцевыми поверхностями соответственно с двумя противоположными поверхностями коммутационной пластины, коммутационные пластины имеют несколько большую площадь, чем площадь поперечного сечения ветвей, вследствие чего они выступают за поверхность структуры, образованной ветвями термоэлектрической батареи, отличающаяся тем, что поверхность структуры, образованной ветвями ТЭБ, за исключением областей, близлежащих к выступающим частям коммутационных пластин, покрыта слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, а площадь, не покрытая слоем теплоизоляционного диэлектрического материала, имеющая профилированную боковую поверхность, выполненную с выступающими шипами в виде треугольной призмы, расположенными в шахматном порядке, определяется произведением толщины ветви термоэлемента на / ее высоты, при этом съем теплоты с холодных и горячих коммутационных пластин и близлежащих к ним областей производится в контейнеры с плавящимися рабочими веществами.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ БАТАРЕЯ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 131-135 из 135.
13.02.2018
№218.016.214a

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641850
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2163

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641847
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21e8

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упруго-деформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641849
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.21ff

Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое полупроводниковое устройство для массажа шейно-воротниковой зоны содержит гибкое упругодеформируемое основание с возможностью облегания шейно-воротниковой зоны. Основание выполнено в виде эластичной прослойки, на которой закреплены...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002641848
Дата охранного документа: 22.01.2018
13.02.2018
№218.016.2404

Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки

Изобретение относится к системам радиолокации. Способ формирования эллиптической диаграммы направленности для активной фазированной антенной решетки, содержащей линии задержки, причем линии задержки в антенне настраиваются таким образом, что прием и передача осуществляются электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002642515
Дата охранного документа: 25.01.2018
Показаны записи 131-140 из 147.
20.06.2016
№217.015.04ff

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Плоды после расфасовки в банки заливают на 2-3 мин водой с температурой 85°C, затем повторно заливают на 2-3 мин водой с температурой 95°C. После чего заменяют воду сиропом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587576
Дата охранного документа: 20.06.2016
20.06.2016
№217.015.0504

Способ производства компота из персиков с косточками

Изобретение относится к консервной промышленности, а именно к способу производства компота из персиков с косточками. Способ характеризуется тем, что банки с расфасованными в них плодами перед заливкой сиропа обрабатывают СВЧ-полем с частотой 2400±50 МГц в течение 1,5-2,0 мин. Затем заливают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587583
Дата охранного документа: 20.06.2016
10.06.2016
№216.015.447b

Способ формирования активной n-области солнечных элементов

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ формирования активной n- области солнечных элементов включает процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, при этом в качестве источника диффузанта используется жидкий источник...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586267
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4542

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586266
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4667

Способ осаждения тонких пленок на поверхности подложек для изготовления солнечных элементов

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота при расходе газов: N=450 л/ч;...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586265
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.46fe

Способ колорирования шерстяной ткани растительным красителем коры мушмулы свч обработкой

Изобретение относится к способу колорирования шерстяной ткани натуральным красителем - водным экстрактом коры мушмулы. Способ включает обработку шерстяной ткани в красильной ванне на основе комплексообразователя бихромата калия и красителя - водного экстракта коры мушмулы при 75-80°C, pH 5-6 и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586137
Дата охранного документа: 10.06.2016
10.06.2016
№216.015.4a45

Способ обработки поверхности кремниевой подложки

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способу обработки обратной стороны кремниевых подложек перед напылительными процессами. Техническим результатом изобретения является получение поверхности с хорошей адгезией к напыляемым металлам,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002587096
Дата охранного документа: 10.06.2016
20.08.2016
№216.015.4b43

Способ формирования затворной области силового транзистора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к способу формирования затворной области силового транзистора, включающему диффузию бора из твердого планарного источника. Сущность способа заключается в том, что формируют диффузионную кремниевую структуру с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594652
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4b4d

Термоэлектрическое устройство для остановки кровотечения

Изобретение относится к медицинской технике, в частности к средствам для остановки кровотечения. Устройство содержит источник холода, приведенный в тепловой контакт с областью кровотечения, состоящий из термоэлектрической батареи, питаемой источником электрической энергии, рабочей поверхностью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594820
Дата охранного документа: 20.08.2016
20.08.2016
№216.015.4c0b

Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека

Изобретение относится к медицинской технике. Термоэлектрическое устройство для проведения тепловых косметологических процедур на лицо человека содержит теплоконтактную пластину, систему теплоотвода, термоэлементы и подключенный к термоэлементам управляемый источник постоянного тока....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002594819
Дата охранного документа: 20.08.2016
+ добавить свой РИД