УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ТЕМПЕРАТУРНАЯ КОМПЕНСАЦИЯ И СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ДЛЯ ОДНОФОТОННЫХ СЧЕТЧИКОВ

Настоящее изобретение относится к области диагностической визуализации. Изобретение имеет конкретное применение при использовании в детекторах излучения для таких медицинских устройств радионуклидной визуализации, использующих пропускание излучения или радиофармацевтические препараты, как, например, устройства для визуализации на основе однофотонной эмиссионной компьютерной томографии (SPECT), устройства для визуализации на основе позитронно-эмиссионной томографии (PET), устройства для плоскостной рентгеновской визуализации и т.п., и будет описываться с конкретной ссылкой на такие устройства. Должно быть понятно, что изобретение также может быть применимо и для иных способов лучевой визуализации и в системах и способах, использующих детекторы излучения, таких областях как, например, астрономия и просвечивание багажа в аэропортах.

В SPECT, радиофармацевтический препарат вводится в визуализируемый объект, а один или несколько детекторов излучения, обычно называемых гамма-камерами, используются для обнаружения радиофармацевтического препарата при помощи испускания излучения, вызываемого посредством актов радиоактивного распада. Как правило, каждая гамма-камера включает в себя матрицу детекторов излучения и ячеистый коллиматор, расположенный перед матрицей детекторов излучения. Ячеистый коллиматор определяет линию или коническую с малым углом линию визирования, чтобы обнаруженное излучение содержало данные проекции. Если гамма-камеры перемещаются в диапазоне угловых ракурсов, например, в угловом диапазоне 180° или 360°, то полученные в результате данные проецирования могут быть восстановлены с использованием фильтрованной обратной проекции, ожидания максимизации или другого метода получения изображения для получения изображения распределения радиофармацевтического препарата в визуализируемом объекте. Предпочтительно, радиофармацевтический препарат может быть разработан так, что концентрируется в выбранных тканях для обеспечения выборочной визуализации этих выбранных тканей.

В PET, радиофармацевтический препарат вводится в визуализируемый объект, в котором события радиоактивного распада радиофармацевтического препарата генерируют позитроны. Каждый позитрон взаимодействует с электроном для создания события аннигиляции материи/антиматерии, которое испускает два противоположно направленных гамма-луча. При использовании схемы обнаружения совпадений, матрица детекторов излучения, окружающая визуализируемый объект, обнаруживает события совпадения противоположно направленных гамма-лучей, соответствующих аннигиляции позитронно-электронной пары. Линия ответа (LOR), соединяющая два совпадающих обнаружения, содержит положение события аннигиляции позитронно-электронной пары. Такие линии ответа являются аналогичными данными проецирования и могут быть восстановлены для получения двух- или трехмерного изображения. Во время-пролетной PET (TOF-PET) малый временной интервал между обнаружением двух событий совпадения γ-лучей используется для локализации события аннигиляции вдоль LOR.

При плоскостной рентгеновской визуализации источник излучения облучает объект, а матрица детекторов излучения, расположенная на противоположной стороне объекта, обнаруживает пропускаемое излучение. Вследствие ослабления излучения посредством ткани в визуализируемом объекте, обнаруженное излучение предоставляет собой двумерное плоскостное представление костей или других твердых, поглощающих излучение анатомических образований в визуализируемом объекте. Такая, основанная на пропускании визуализация усовершенствована в визуализации при помощи компьютерной томографии (CT), в которой источник излучения вращается вокруг визуализируемого объекта для обеспечения ракурсов пропускания или данных проекции в расширенном угловом диапазоне, например в пределах промежутка 180° или 360° угловых ракурсов. При использовании фильтрованной обратной проекции или другой технологии восстановления изображения, эти данные проекции, полученные при помощи излучения, восстанавливаются в двух- или трехмерное представление изображения.

Для SPECT, PET и других видов основанной на излучении медицинской визуализации требуются компактные и надежные модули детекторов излучения. В прошлом, модули детекторов излучения SPECT и PET, как правило, состояли из матрицы фотоэлектронных умножителей (PMT), оптически связанных со сцинтиллирующими кристаллами. Сцинтиллирующий кристалл поглощает частицу излучения и преобразует ее во вспышку света, которая измеряется посредством фотоэлектронного умножителя. Фотоэлектронные умножители обеспечивают высокие характеристики обнаружения и усиления (~10⁶), но они являются громоздкими, хрупкими, требуют наличия высокого напряжения, и являются очень чувствительными к магнитным полям. В некоторых системах обнаружения излучения, фотоэлектронные умножители были заменены на фотодиоды, которые производят аналоговый сигнал, пропорциональный интенсивности вспышек света. Даже при том, что фотодиоды предлагают экономичную, низковольтную альтернативу фотоэлектронным умножителям в ситуациях повышенной яркости, они не обеспечивают адекватного усиления в сфере применения считывания при пониженной яркости (малоинтенсивный поток гамма-лучей), таким образом, приводя к плохому отношению «сигнал-шум».

Для устранения этих трудностей, были разработаны детекторы на кремниевых фотоэлектронных умножителях (SiPM), которые обеспечивают высокую эффективность и стабильность трубок фотоэлектронных умножителей наряду с экономичными, низковольтными качествами фотодиодов. В детекторах SiPM используется массив малых лавинных фотодиодов (APD), каждый из которых оптически связан с соответствующим сцинтиллирующим кристаллом. APD электрически смещаются в области пробоя. В этой области APD становятся чувствительными к одиночным несущим, таким, как те, которые могут быть вызваны падающим фотоном. Эти несущие, электроны и/или дырки также могут генерироваться термически, таким образом, приводя к темновой скорости счета, которая вызывает шум. Как электроны, так и дырки могут инициировать пробой диода, тем самым формируя сильный выходной сигнал. В аналоговом SiPM, выходной сигнал состоит из кумулятивного заряда большого количества пассивно охлаждаемых диодов. Напротив, цифровые SiPM обнаруживают события пробоя по отдельности на основе импульсов напряжения, которые переводятся в цифровую форму посредством логических вентилей и подсчитываются посредством цифровых счетчиков, которые располагаются близко к APD.

В режиме цифрового счетчика Гейгера, APD пробиваются в ответ на фотон света из события излучения в соответствующем сцинтиллирующем кристалле и формируют выходной импульс. Выходные импульсы, функционирующие как бинарные единицы, подсчитываются для определения количества фотонов, сформированных событием излучения, падающего на соответствующий сцинтиллятор. Этот подсчет фотонов соответствует энергии детектируемого события излучения.

Будучи чувствительным к отдельным фотонным событиям, напряжение пробоя каждого APD подвержено влиянию различных факторов внешних условий, таких как магнитные поля и температура. Дрейф напряжения пробоя приводит к соответствующему изменению избыточного напряжения. На детектирование фотонов оказывают влияние изменения избыточного напряжения, в связи с тем, что: (1) избыточное напряжение определяет напряженность поля внутри устройства, таким образом, приводя к дрейфу вероятности детектирования фотона, и (2) импульс заряда, произведенный во время пробоя, пропорционален произведению емкости диода и избыточного напряжения. Аналоговые SiPM, которые подсчитывают детектированные фотоны в качестве измеренного сигнала заряда, подвергаются влиянию обоих факторов и становятся очень чувствительными к внешним условиям. Величина темнового тока (DCR) удваивается приблизительно каждые 8°C. Чтобы уменьшить DCR датчика и избегать ошибок вследствие изменений в APD может быть использовано охлаждение, но даже при охлаждении могут происходить колебания температуры.

В настоящей заявке рассматривается новое и улучшенное устройство детектора с радионуклидной визуализацией и способ, который преодолевает вышеупомянутые и другие проблемы.

В соответствии с одним аспектом, предоставляется модуль детектора излучения. В каждом из множества пикселов детектора имеется сцинтиллятор, оптически связанный с по меньшей мере одним сенсорным фотодиодом, управляемым в режиме счетчика Гейгера. По меньшей мере один опорный фотодиод экранирован от света и работает при таких же условиях, что и по меньшей мере один сенсорный фотодиод. Модуль включает в себя схему управления, которая измеряет напряжение пробоя через опорный фотодиод и регулирует напряжение смещения на по меньшей мере одном опорном фотодиоде и по меньшей мере одном сенсорном фотодиоде. Это приводит импульсы темнового тока, сгенерированные посредством по меньшей мере одного опорного фотодиода, в существенное равенство с характерным логическим уровнем напряжения.

В соответствии с другим аспектом, предоставляется способ компенсации дрейфа в чувствительности части матрицы детекторов излучения. Напряжение смещения прикладывается к множеству сенсорных фотодиодов и к параллельно соединенному опорному фотодиоду. Опорный фотодиод покрыт непрозрачным покрытием, препятствующим приему света от ассоциированного сцинтиллятора. Напряжение смещения смещает фотодиоды в режим счетчика Гейгера, чувствительный к одиночным фотонам. После пробоя опорного фотодиода измеряется напряжение пробоя опорного фотодиода. Определяется разность между значением преобразованного в цифровую форму импульса с опорного фотодиода и логическим уровнем напряжения. Напряжение смещения регулируется для минимизации разности.

Одно преимущество состоит в улучшенном управлении напряжением пробоя для лавинных фотодиодов, работающих в режиме счетчика Гейгера.

Другое преимущество заключается в компенсации некоторых внешних факторов, которые влияют на чувствительность фотодиодов.

Другое преимущество заключается в гибкости использования изобретения, как в аналоговых, так и в цифровых системах.

Другое преимущество заключается в обеспечении свободы для разработчика системы в ослаблении требований по температурной стабилизации без ухудшения эффективности системы.

Другие дополнительные преимущества и выгоды станут очевидными специалистам в данной области техники на основе изучения нижеследующего подробного описания.

Настоящая заявка может предусматривать выполнение в форме на основе различных компонентов и конфигураций компонентов, и различных этапов и конфигураций этапов. Чертежи предоставлены исключительно в целях иллюстрации предпочтительных вариантов осуществления и не должны рассматриваться в качестве ограничения настоящей заявки.

Фиг.1 является схематичной иллюстрацией сканера для радионуклидной визуализации в соответствии с настоящей заявкой;

Фиг.2 изображает частичный разрез модуля детектора в соответствии с настоящей заявкой;

Фиг.3 является схемой последовательности операций, изображающей контуры обратной связи для управления смещением и для управления температурой;

Фиг.4 изображает определенные компоненты схемы для реализации контуров обратной связи по Фиг.3;

Фиг.5 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем по Фиг.3 и 4, с точным напряжением смещения;

Фиг.6 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем из Фиг.3 и 4, со слишком высоким напряжением смещения;

Фиг.7 изображает формы сигналов, подробно описывающие один цикл схем по Фиг.3 и 4, со слишком низким напряжением смещения.

Согласно Фиг.1, диагностическое устройство 10 визуализации включает в себя корпус (гантри) 12 и опорную часть 14. В пределах корпуса 12 заключена матрица детекторов. Матрица детекторов включает в себя множество отдельных модулей 16 детекторов. Матрица может включать в себя сотни или тысячи модулей 16 детекторов излучения. Несмотря на то что один конкретный вариант осуществления описывается со ссылкой на сканер позитронно-эмиссионной томографии (PET), следует понимать, что настоящая заявка также пригодна и для других медицинских сфер применения, таких, как однофотонная эмиссионная компьютерная томография (SPECT), а также рентгеновская астрофизика, телескопы для регистрации гамма-лучей, рентгенография, безопасность и промышленные применения. В целом, настоящая заявка находит применение в визуализации рентгеновского излучения, гамма-лучей или заряженных частиц с высокой энергией и пространственным разрешением. Матрица располагается таким образом, чтобы детекторные элементы 16 были расположены рядом с областью 18 визуализации и были ориентированы для приема излучения из области 18 визуализации. Опорная часть 14 имеет возможность перемещения к области 18 визуализации и от нее. Это позволяет матрице детекторов быть чувствительной к множеству представлений объекта без необходимости повторной установки объекта на опорную часть 14. Матрица детекторов может являться кольцом детекторов 16, несколькими кольцами, одним или несколькими дискретными плоскими или дуговыми панелями или подобным.

В PET, пары гамма-лучей формируются событием позитронной аннигиляции в области визуализации и распространяются в приблизительно противоположных направлениях. Такое событие может создаваться при распаде атомного ядра ⁸²Rb. Эти гамма-лучи детектируются как пары, с небольшим временным интервалом (порядка наносекунд или их долей) между детектированиями, если один гамма-луч проходит дальше для достижения детектора, чем другой. Соответственно, в сканерах PET матрица детекторов, как правило, окружает область визуализации.

Перед началом сканирования PET, объекту вводится радиофармацевтический препарат. При одном обычном исследовании, радиофармацевтический препарат содержит радиоактивный элемент, такой, как ⁸²Rb, связанный с маркерной молекулой. Маркерная молекула связана с визуализируемой областью и имеет тенденцию собираться в ней через проходящие в теле процессы. Например, быстро размножающиеся раковые клетки имеют тенденцию к расходу аномально высокого количества энергии при их размножении. Радиофармацевтический препарат может быть связан с молекулой, такой, как глюкоза или ее аналог, которую клетка, как правило, усваивает для создания энергии, которая собирается в таких областях и появляется на изображении как "горячие точки". Такой маркер также является полезным при визуализации перфузии сердца, поскольку сердце расходует относительно большое количество энергии. Другие методы контролируют маркерные молекулы, текущие в кровеносной системе. В таком методе является предпочтительным маркировать молекулу, которая медленно поглощается тканями тела.

Если гамма-луч попадает в матрицу детекторов, то генерируется временной сигнал. Пусковой процессор 20 контролирует каждый детектор 16 на наличие пика энергии, например, суммарную область под импульсом, характерную для энергии гамма-лучей, сформированных посредством радиофармацевтического препарата. Пусковой процессор 20 проверяет часы 22 и отмечает каждый обнаруженный гамма-луч временной меткой приема переднего фронта. Временная метка, оценка энергии и оценка положения сначала используются посредством проверочного процессора 24 для определения, действительны ли данные события, например совпадает ли пара событий, имеет ли она надлежащую энергию и т.п. Принятые пары определяют линии отклика (LOR). Поскольку гамма-лучи распространяются со скоростью света, если продетектированные гамма-лучи поступают с разнесением более нескольких наносекунд, то они, вероятно, не были сгенерированы посредством одного и того же события аннигиляции и, обычно, отклоняются. Синхронизация особенно важна во время-пролетной PET (TOF-PET), поскольку мельчайшее различие в, по существу, одновременных совпадающих событиях используется для дополнительной локализации события аннигиляции вдоль LOR. Поскольку разрешение по времени событий становится более точным, то также повышается и точность, с которой событие может быть локализовано вдоль его LOR.

LOR сохраняются в буферном запоминающем устройстве 26. В одном варианте осуществления, LOR сохраняются в формате режима списка. Таким образом, события сохраняются в хронологическом порядке с периодически вставляемыми индикаторами времени. Альтернативно, события могут иметь индивидуальные временные отметки. Восстановительный процессор восстанавливает все или часть LOR в представление изображения объекта с использованием отфильтрованной обратной проекции или других подходящих алгоритмов восстановления. Затем, восстановление может быть отображено пользователю на устройстве 30 отображения, отпечатано, сохранено для последующего использования и т.п.

В одном варианте осуществления каждый детекторный модуль 16 включает в себя множество фотодиодов. При управлении фотодиодами в режиме счетчика Гейгера, применяется обратное напряжение смещения, чтобы обеспечить чувствительность фотодиодов к одиночным фотонам света, сформированного посредством связанных с ними сцинтилляционных кристаллов, оптически связанных с фотодиодами. Сцинтилляторы выбираются для обеспечения высокой силы сопротивления для падающего излучения с быстрым временем затухания сцинтилляционной вспышки. Некоторые подходящие для сцинтиллятора материалы включают в себя LSO, LYSO, MLS, LGSO, LaBr, CsI(Ti) и их сочетания. Напряжение смещения применяется таким образом, что фотодиоды производят лавинный ток при попадании излучаемых фотонов, вследствие чего они называются лавинными фотодиодами (APD). Оптимальное напряжение смещения является чувствительным к нескольким факторам, таким как температура, давление, внешний свет и т.п. Схема 32 управления напряжением смещения контролирует детекторные модули 16 и регулирует приложенное напряжение смещения, в соответствии с имеющимися условиями.

Согласно Фиг.2, мозаичный детекторный модуль 16 включает в себя, по меньшей мере, один сенсорный APD 34, и более конкретно, один или несколько SiPM, каждый из которых включает в себя множество APD 34, оптически связанных со сцинтилляционным кристаллом 35. Кроме того, каждый модуль 16 также включает в себя, по меньшей мере, один опорный детектор 36, такой, как опорный APD. Опорные APD 36 закрываются непрозрачным кожухом, таким, как металлическая крышка, для предотвращения попадания света (внешнего света или вспышек сцинтилляции) на опорный APD 36. Опорные APD 36 помещаются среди сенсорных APD 34, поскольку является желательным иметь сенсорные APD 34 и опорные APD 36, работающие в одной и той же среде, за исключением приема света. В иллюстрированном варианте осуществления, сенсорные APD 34 и опорные APD 36 сформированы на общей подложке 38.

Слой 40 цифровых схем электронно соединен с сенсорными фотодиодами 34 и опорными фотодиодами 36. Слой 40 цифровых схем включает в себя схему, которая собирает и обнаруживает заданную информацию детектирования фотонов, такую, как идентификация модуля детектора излучения, идентификация пиксела, временные метки и подсчет фотонов. Цифровые схемы также могут включать в себя схему цифрового смещения, схему цифрового запуска и схему считывания данных. Схемы 32 управления смещением могут быть расположены в слое 40 цифровой схемы. Альтернативно, схемы 32 управления смещением могут быть расположены на отдельном кристалле или кристалле интегральной микросхемы.

Согласно Фиг.3, схемы 32 управления смещением включают в себя первый контур 42 обратной связи для управления смещением. Вместо детектирования фотогенерированных электронно-дырочных пар, опорный APD 36 обнаруживает термически генерированные электронно-дырочные пары или темновой ток. Термически генерированные электронно-дырочные пары создаются посредством генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводнике и могут вызвать лавинный ток при отсутствии излучаемых фотонов, производя шум в системе. Напряжение смещения на APD 34, 36 может настраиваться так, чтобы сделать APD 34,36 более или менее чувствительными, в соответствии с внешней средой.

Если опорный APD 36 пробивается, то аналого-цифровой преобразователь (ADC) 44 преобразует полученное в результате напряжение анода в цифровое значение, эквивалентное напряжению пробоя. Аналого-цифровой (AD) преобразователь преобразует напряжение анода после ослабления лавинного тока через диод (во время пробоя нет никакого тока, текущего вне диода). Ток внутри диода разряжает емкость диода и, таким образом, приводит к падению напряжения на аноде (катод фиксируется на фиксированном уровне напряжения, в то время как анод остается плавающим, поскольку транзистор сброса остается открытым). Внутренний ток прекращает течь, когда напряжение в диоде достигает напряжения пробоя, и ниже этого напряжения нет никакой возможности умножения, и, следовательно, основная часть тока прекращается, и только очень малый ток утечки продолжает разряжать диод. Сигнал обрабатывается и превращается обратно в аналоговый сигнал посредством цифро-аналогового преобразователя 40 (DAC), и он используется для настройки источника 48 переменного напряжения, который смещает в обратном направлении сенсорные APD 34 и опорные APD 36. Лавинный ток, порядок которого составляет 10⁶ электронов на фотон, продолжает протекать до тех пор, пока напряжение в диоде не достигнет напряжения пробоя. Время возникновения этого события, как правило, составляет 200-300 пс, в зависимости от избыточного напряжения, емкости диода и внутреннего сопротивления. После этого никакой ток не течет, а напряжение анода отражает напряжение пробоя. Это установившееся напряжение анода измеряется посредством аналого-цифрового (AD) преобразователя, а напряжение смещения регулируется таким образом, чтобы напряжение анода равнялось логическому уровню. Перезаряжающий транзистор 50 используется для повторной зарядки диода до уровня выше напряжения пробоя для следующего цикла измерения. Этот импульс перезарядки составляет примерно 10-15 по времени, а время до следующей разрядки может находиться в диапазоне миллисекунды. Более подробное обсуждение контура 42 управления смещением приведено ниже со ссылкой на Фиг.4.

На Фиг.3 также иллюстрируется второй контур 52 управления температурой. Цифровые импульсы из ADC 44 подсчитываются посредством счетчика 54 темновых импульсов в пределах предварительно определенного временного интервала. Альтернативно, счетчик 54 темновых импульсов может обнаруживать и подсчитывать активность контура 50 перезарядки. Счетчик 54 темновых импульсов выводит цифровое значение, характерное для темновой скорости счета. Поскольку температура пропорциональна темновой скорости счета, запускающее устройство 56 использует темновую скорость счета для запуска первичного элемента 58 управления температурой, такого как охлаждающий элемент на основе эффекта Пельтье, для быстрой точной настройки рабочей температуры APD 34, 36. Вторичный охлаждающий элемент 60, который может использовать воду, воздух или другие хладагенты, может быть использован для удаления тепла из системы. Ограничение температурного колебания желательно, чтобы ограничить колебания температуры, чтобы всегда получать одинаковое количество счета на фотон.

Согласно Фиг.4, опорный APD 36 смещается в обратном направлении источником 48 переменного напряжения. Анод соединяется с транзистором 62, который используется для перезарядки опорного APD 36 до выбранного напряжения выше напряжения пробоя опорного APD 36. Это выполняется посредством приложения коротких импульсов к затвору транзистора 62 схемами 64 выборки и перезарядки, переводя транзистор 62 в проводящее состояние. В одном варианте осуществления, транзистор 62 является транзистором NMOS (n-канальный МОП-прибор). После этой перезарядки, опорный APD 36 остается чувствительным к носителям и, в конечном счете, будет пробит. Согласно Фиг.5 и Фиг.4, во время пробоя, напряжение в узле 66 быстро увеличивается с нуля, формируя импульс 68 напряжения, до напряжения, соответствующего текущим рабочим условиям модуля 16. Желательно, чтобы напряжение было настолько близким к логическому уровню 70 напряжения, насколько это возможно. Импульс напряжения 68 детектируется посредством инвертора 72, который переводит сигнал в цифровую форму и передает его на схему 64 выборки и перезарядки и на счетчик 54 величины темнового тока. Схема 64 выборки и перезарядки запускает ADC 44 для измерения фактического напряжения после импульса 68 на пробитом опорном APD 36. Как только измерение выполнено, измерение фильтруется 73 и передается на контур 42 обратной связи управления напряжением смещения. Более конкретно, контроллер 75 напряжения смещения управляет выходным напряжением источника 48 переменного напряжения, более подробно описанным ниже. Кроме того, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, который перезаряжает опорный APD 36, сбрасывая его, так что он снова является чувствительным к носителям. В то время как опорный диод 36 пробит, напряжение на узле 76 падает до нуля, как обозначено посредством формы 78 сигнала.

Если импульс 68 напряжения равен логическому уровню 70 напряжения, то напряжение 80 смещения равно целевому значению. Следовательно, сигнал 82 управления напряжением смещения, произведенный посредством контура 42 обратной связи для управления смещением является правильным, а именно равен половине логического уровня 70 напряжения. Если напряжение 80 смещения равно целевому значению, то не требуется никаких коррекций.

Фиг.6 изображает ситуацию, в которой напряжение 80 смещения является слишком высоким и корректируется. Такая ситуация может быть вызвана сдвигом в напряжении 84 пробоя APD 34, 36, обусловленным, например, более низкой внешней температурой. В этом случае, напряжение, измеренное посредством ADC 44 (то есть, напряжение импульса 68), превышает логический уровень 70 напряжения на разность 86. В этой ситуации, контур 42 обратной связи для управления смещением предписывает источнику 48 переменного напряжения понизить напряжение 80 смещения, таким образом, минимизируя различие 86 между импульсом 68 напряжения и логически уровнем 70 напряжения. Как и в предыдущем примере на Фиг.5, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, сбрасывающий опорный APD 36.

Подобным образом, Фиг.7 изображает ситуацию, в которой напряжение 80 смещения является слишком низким. Такая ситуация может быть вызвана более высокой внешней температурой. В этом случае, напряжение, измеренное посредством ADC 44 (то есть, напряжение импульса 68), меньше логического уровня 70 напряжения на разность 86, которая, в этом случае, имеет отрицательное значение. В этой ситуации, контур 42 обратной связи для управления смещением предписывает источнику 48 переменного напряжения повысить напряжение 80 смещения, снова минимизируя различие 86 между импульсом 68 напряжения и логическим уровнем 70 напряжения. И снова, схема 64 выборки и перезарядки прикладывает импульс 74, сбрасывая опорный APD 36. В иллюстрированных вариантах осуществления выполняется изменение напряжения смещения, в то время как опорный APD 36 находится в состоянии пробоя. Это позволяет ADC 44 контролировать разность 86 в режиме реального времени.

В одном варианте осуществления, схема, изображенная на Фиг.3 и 4, может быть интегрирована в том же самый кристалл интегральной микросхемы, рядом с APD 34, 36, если напряжение смещения генерируется посредством генератора накачки заряда на чипе, и если площадь чипа достаточна. Части контура могут быть расположены на отдельных чипах, таким образом, позволяя применение в соединении с аналоговыми кремниевыми фотоэлектронными умножителями.

В другом варианте осуществления, контур 42 управления смещением может быть реализован только аналоговым способом, исключая необходимость в ADC 44 и DAC 46. В этом варианте осуществления, опорный фотодиод 36 управляется на напряжении пробоя посредством подвода хорошо определенного тока (приблизительно 1 мА) и использования полученного напряжения в качестве сигнала управления для источника 48 переменного напряжения. Этот вариант осуществления может иметь такое преимущество, что вся схема получается более компактной. В цифровых вариантах осуществления, ADC 44 также может быть повторно использован для контроля других напряжений. Это может быть полезно для функционального и параметрического тестирования на уровне подложки кристалла и во время процесса включения сенсорного модуля под напряжение.

Настоящая заявка была описана со ссылкой на предпочтительные варианты осуществления. На основе изучения предшествующего подробного описания, могут быть созданы модификации и изменения до других вариантов осуществления. Подразумевается, что настоящая заявка рассматривается как включающая в себя все такие модификации и изменения, поскольку они попадают под объем приложенной формулы изобретения или ее эквивалентов.