×
27.04.2014
216.012.bd71

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ ИТТРИЯ С КОБАЛЬТОМ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электрохимическому получению ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом для создания магнитных материалов и ячеек хранения информации. Порошок получают путем электролиза расплава при температуре 700°С и плотностях катодного тока 2,6-3,2 А/см, в среде четыреххлористого углерода, где в качестве источника иттрия используется растворимый иттриевый анод. В качестве расплава используют электролит, содержащий хлорид натрия, хлорид калия и хлорид кобальта при следующем соотношении компонентов, мол.%: KCl - 47,5-49,5; NaCl - 47,5-49,5; CoCl - 1,0-5,0. Способ позволяет получять изотропные по составу ультрадисперсные порошки интерметаллидов иттрия и кобальта при повышении скорости синтеза целевого продукта. 3 ил., 3 пр.
Основные результаты: Способ получения ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом, включающий электролиз расплава при температуре 700°С, отличающийся тем, что ведут электролиз расплава, содержащего хлорид калия, хлорид натрия и хлорид кобальта при плотности катодного тока 2,6-3,2 А/см, в атмосфере четыреххлористого углерода с растворимым иттриевым анодом в качестве источника иттрия, масса которого не должна превышать 1,2% массы электролита, причем расплав содержит компоненты при следующем соотношении, мол.%:KCl - 47,5-49,5NaCl - 47,5-49,5CoCl - 1,0-5,0

Изобретение относится к электрохимическому получению ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом для создания магнитных материалов и ячеек хранения информации.

Известен способ получения наногранулированных порошков YCo5 механическим помолом отлитых сплавов и последующим их отжигом [Ning Tang, Zhongmin Chen, Yong Zhang, George C. Hadjipanayis, Fuming Yang. Nanograined YCos-based powders with high coercivity // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 219 (2000), 173-177], включающий помол порошков в течение 4 часов и отжиг в течение минуты при температуре 950°С. Получаемые наночастицы YCo5 имеют линейные размеры около 30-40 нм.

Известен способ получения нанокристаллических порошков YCo5 путем механического помола отлитых сплавов с последующим вакуумным отжигом [J.L.Sanchez LI, J.T.Elizalde-Galindo, J.A.Matutes-Aquino. High coercivity nanocrystalline YCo5 powders produced by mechanical milling // Solid State Communications 127 (2003), 527-530], включающий механический помол отлитых сплавов Y-Co в течение 4 часов и вакуумный отжиг полученных порошков в течение 2,5 минут при температуре 800°С. Получаемые наночастицы YCo5 имеют линейные размеры около 12 нм.

Общим недостатком приведенных аналогов является высокая длительность и многостадийность процесса, а также энергозатратность. В процессе механического помола происходит загрязнение конечного продукта.

Наиболее близким является способ получения интерметаллидов иттрия и кобальта диффузионным насыщением металлического кобальта иттрием в галогенидных расплавах [А.В.Ковалевский, Н.Г.Илющенко, В.Н.Варкин, В.В.Сорокина. Диффузионное насыщение никеля и кобальта цирконием, лантаном и иттрием в галогенидных расплавах // Известия ВУЗов. Цветная металлургия, 15.10.1988, №5, с.20-22]. Этим способом можно получить только диффузионный слой в несколько десятков микрон в течение 4 ч. В качестве электролита используют расплав LiCl-KCl-YCl3, процесс ведут при температуре 700°С.

Недостатком прототипа является невозможность получения изотропных образцов интерметаллидов иттрия с кобальтом. Данным способом получаются монолитные образцы, которые необходимо дополнительно диспергировать для получения ультрадисперсного порошка. Также недостатком данного способа является ограничение скорости протекания процесса диффузией иттрия на поверхность металлического кобальта.

Задача изобретения - получение изотропных по составу ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом, снижение длительности процесса.

Задача решается следующим образом.

Для электрохимического синтеза изотропных по составу ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом используют электролит, содержащий хлорид натрия, хлорид калия и хлорид кобальта при следующем соотношении компонентов, мол.%:

KCl - 47,5-49,5

NaCl - 47,5-49,5CoCl2 - 1,0-5,0.

Электролиз ведут в двухэлектродной ячейке при температуре 700°С и плотностях катодного тока 2,6-3,2 А/см2, в среде четыреххлористого углерода, а в качестве источника иттрия используется растворимый иттриевый анод.

Процесс, протекающий при электрохимическом синтезе, описывается следующими реакциями:

Анодный процесс: Y0-3е-→Y3+

Переходя в окисленную, растворимую форму, ионы иттрия мигрируют к катоду.

Катодный процесс: Со2++2е-→Со0

Y3++3e-→Y0

Реакция взаимодействия Y+Co происходит на атомарном уровне:

nY+mCo→YnCom

Способ осуществляется следующим образом: вначале подготавливают используемые соли. Хлориды калия и натрия перекристаллизовывают и тщательно сушат в процессе вакуумирования при ступенчатом нагревании до 300-350°С. Затем проводят сушку хлорида кобальта в атмосфере четыреххлористого углерода, постепенно увеличивая температуру до 400°С.

Растворимый иттриевый анод в виде металлического штабика массой не более 1,2% от массы электролита помещают на дно стеклоуглеродного тигля, к которому подводится электрический ток. В зависимости от массы иттриевого штабика, рассчитывается количество хлорида кобальта, добавляемого в электролит, из условия ν(Y)/ν(CoCl2)=1/5. Хлориды кобальта, натрия и калия тщательно перемешивают и засыпают в стеклоуглеродный тигель.

Жидкий четыреххлористый углерод наливают на дно кварцевой ячейки и вакуумируют ячейку. В процессе нагревания печи четыреххлористый углерод испаряется, заполняя объем кварцевой ячейки. Электролиз ведут в гальваностатическом режиме при плотностях катодного тока 2,6-3,2 А/см2, в течение 40 мин, используя в качестве катода вольфрамовый стержень диаметром 0,3 см.

После проведения электролиза из расплава вынимают грушу интерметаллидов иттрия с кобальтом. После полного остывания до комнатной температуры грушу отмывают дистиллированной водой, после чего порошок высушивают в сушильном шкафу при температуре 150°С.

На Фиг.1 изображена морфология получаемых ультрадисперсных интерметаллических порошков иттрия с кобальтом по данным электронного сканирующего микроскопа.

На Фиг.2 изображен дисперсионный состав получаемых порошков по данным метода динамического светорассеяния.

На Фиг.3 изображен фазовый состав получаемых интерметаллидов по данным рентгенофазового анализа.

Пример 1. Процесс получения изотропных по составу, ультрадисперсных интерметаллидов иттрия и кобальта осуществляют в расплавленной смеси KCl-NaCl-CoCl2. Температура 700°С. Катод - вольфрамовый стержень диаметром 0,3 см. Источник иттрия - растворимый иттриевый анод массой 0,18 г. Плотность катодного тока 3,2 А/см2. Продолжительность электролиза 40 мин, после чего из расплава вынимают катод с осажденной на нем грушей интерметаллидов иттрия с кобальтом, отмывают грушу от хорошо растворимых в воде хлоридов и сушат полученный осадок. По данным рентгенофазового анализа катодный осадок состоит из интерметаллидов Co7Y3, Co5Y, Co3Y, Co2Y. По данным сканирующей электронной микроскопии и метода динамического светорассеяния ультрадисперсный порошок интерметаллидов иттрия и кобальта состоит из частиц гексаэдрической формы, со средним диаметром 50 нм.

Пример 2. Процесс получения изотропных по составу, ультрадисперсных интерметаллидов иттрия и кобальта осуществляют в расплавленной смеси KCl-NaCl-CoCl2. Температура 700°С. Катод - вольфрамовый стержень диаметром 0,3 см. Источник иттрия - иттриевый растворимый анод массой 0,18 г. Плотность катодного тока 2,7 А/см2. Продолжительность электролиза 40 мин, после чего из расплава вынимают катод с осажденной на нем грушей интерметаллидов иттрия и кобальта, отмывают грушу от хорошо растворимых в воде хлоридов и сушат полученный осадок. Катодный осадок состоит из интерметаллидов Co5Y, Co3Y, CoY, Co2Y со средним диаметром 143 нм.

Пример 3. Процесс получения изотропных по составу, ультрадисперсных интерметаллидов иттрия и кобальта осуществляют в расплавленной смеси KCl-NaCl-CoCl2. Температура 700°С. Катод - вольфрамовый стержень диаметром 0,3 см. Источник иттрия - иттриевый астворимый анод массой 0,29 г. Плотность катодного тока 2,6 А/см2. Продолжительность электролиза 40 мин, после чего из расплава вынимают катод с осажденной на нем грушей интерметаллидов иттрия с кобальтом, отмывают грушу от хорошо растворимых в воде хлоридов и сушат полученный осадок. Катодный осадок состоит из интерметаллидов Co5Y, Co3Y, CoY, Co2Y со средним диаметром 159 нм.

Техническим результатом является: получение изотропных по составу, ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом, повышение скорости синтеза целевого продукта.

Способ получения ультрадисперсных порошков интерметаллидов иттрия с кобальтом, включающий электролиз расплава при температуре 700°С, отличающийся тем, что ведут электролиз расплава, содержащего хлорид калия, хлорид натрия и хлорид кобальта при плотности катодного тока 2,6-3,2 А/см, в атмосфере четыреххлористого углерода с растворимым иттриевым анодом в качестве источника иттрия, масса которого не должна превышать 1,2% массы электролита, причем расплав содержит компоненты при следующем соотношении, мол.%:KCl - 47,5-49,5NaCl - 47,5-49,5CoCl - 1,0-5,0
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ ИТТРИЯ С КОБАЛЬТОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ ИТТРИЯ С КОБАЛЬТОМ
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНЫХ ПОРОШКОВ ИНТЕРМЕТАЛЛИДОВ ИТТРИЯ С КОБАЛЬТОМ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 42.
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2278

Электролитический способ получения наноразмерного порошка гексаборида церия

Изобретение относится к электролитическому способу получения наноразмерного порошка гексаборида церия, включающему синтез гексаборида церия из расплавленных сред в атмосфере очищенного и осушенного аргона. При этом синтез проводят из галогенидного расплава, в качества источника церия используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540277
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2417

Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при добыче и переработке молибденсодержащих руд. Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд включает районирование карьерного поля, оконтуривание различных по технологическим свойствам участков рудного массива,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540692
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
25.08.2017
№217.015.d1e5

Электрохимический способ получения наноразмерных порошков интерметаллидов гольмия и никеля в галогенидных расплавах

Изобретение относится к электрохимическому получению наноразмерных порошков интерметаллидов гольмия и никеля, которые могут быть использованы в качестве катализаторов в химической и нефтехимической промышленности, в водородной энергетике для обратимого сорбирования водорода, а также для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621508
Дата охранного документа: 06.06.2017
20.11.2017
№217.015.ef7b

Электрохимический способ получения порошка силицида вольфрама

Изобретение относится к электрохимическому способу получения порошка силицида вольфрама, включающий электролиз расплава при температуре 850-950°С, содержащего хлорид натрия, вольфрамат натрия и диоксид кремния. Способ характеризуется тем, что дополнительно вводят фторид натрия при следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629190
Дата охранного документа: 25.08.2017
Показаны записи 31-40 из 49.
27.09.2014
№216.012.f6d9

Огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон

Изобретение относится к полиэфиркетонам. Предложен огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон формулы: где z=21-100. Технический результат - огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон, обладающий высокими значениями кислородного индекса, высокими механическими и термическими свойствами. 1 пр.
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529030
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.11.2014
№216.013.0ab5

Способ получения порошков оксидных литий-вольфрамовых бронз

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Порошки оксидных литий-вольфрамовых бронз получают при нагреве исходного состава, включающего оксид вольфрама (VI) и вольфрамат лития, до температур 570-600°C, выдерживании в течение 30 минут с последующим подъемом температуры до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534149
Дата охранного документа: 27.11.2014
20.01.2015
№216.013.1f92

Электролитический способ получения наноразмерного порошка дисилицида церия

Изобретение относится к получению нанопорошков дисилицида церия и может быть использовано для изготовления токопроводящих и резистивных элементов интегральных схем. Способ электролитического получения наноразмерного порошка дисилицида церия включает синтез дисилицида церия из расплавленных сред...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539523
Дата охранного документа: 20.01.2015
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2278

Электролитический способ получения наноразмерного порошка гексаборида церия

Изобретение относится к электролитическому способу получения наноразмерного порошка гексаборида церия, включающему синтез гексаборида церия из расплавленных сред в атмосфере очищенного и осушенного аргона. При этом синтез проводят из галогенидного расплава, в качества источника церия используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540277
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2417

Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при добыче и переработке молибденсодержащих руд. Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд включает районирование карьерного поля, оконтуривание различных по технологическим свойствам участков рудного массива,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540692
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
+ добавить свой РИД