×
10.04.2014
216.012.af73

Результат интеллектуальной деятельности: ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УЛЬТРАДИСПЕРСНОГО ПОРОШКА ГЕКСАБОРИДА ДИСПРОЗИЯ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электролитическим способам получения чистого гексаборида диспрозия. В качестве источника диспрозия используют безводный трихлорид диспрозия, источника бора - фторборат калия, фонового электролита - эквимольную смесь хлоридов калия и натрия. Электролиз ведут в потенциостатическом режиме при температуре 700±10°С, плотностях тока от 0,1 до 1,0 А/см и потенциалах электролиза от 2,5 до 2,8 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения. Техническим результатом является получение чистого ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия, повышение скорости синтеза целевого продукта из расплавленного электролита и снижение энергозатрат. 2 пр.
Основные результаты: Электролитический способ получения ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия, включающий синтез гексаборида диспрозия из расплавленных сред, отличающийся тем, что синтез проводят при температуре 700±10°С, плотностях тока от 0,1 до 1,0 А/см и потенциалах электролиза от 2,5 до 2,8 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения из хлоридного расплава в атмосфере очищенного и осушенного аргона, в качестве источника диспрозия используют безводный хлорид диспрозия, источника бора - фторборат калия, фонового электролита - эквимольную смесь хлоридов калия и натрия при следующем соотношении компонентов, мас.%:хлорид диспрозия 6,0-7,0;фторборат калия 16,0-20,0;остальное - эквимолярная смесь хлоридов калия и натрия.

Изобретение относится к электролитическим способам получения чистого ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия.

Наиболее близким является способ получения гексаборида диспрозия при помощи электролиза расплавленных сред [Самсонов Г.В. Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов с неметаллами. М.: Изд-во «Металлургия». 1964, стр.53-55]. Электролиз осуществляется в графитовых тиглях, служащих одновременно анодом; катод изготовляется из графита или молибдена. В состав ванны для электролиза входят окислы редкоземельных металлов и борный ангидрид с добавками фторидов щелочных и щелочноземельных металлов для снижения температуры и вязкости ванны. Температура электролиза смесей составляет 950÷1000°С, напряжение на ванне 3÷15 В, плотность тока 0,3÷3,0 А/см2. Состав ванны для получения гексаборида диспрозия: Dy2O3+2B2O3+MgO+MgF2.

Как отмечается [Самсонов Г.В. Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов с неметаллами. М.: Изд-во «Металлургия». 1964, стр.53-55], получение индивидуальной боридной фазы диспрозия практически невозможно или очень затруднительно. Недостатками также являются высокая температура синтеза и сложность отделения целевого продукта от расплавленного электролита из-за низкой растворимости боратов и фторидов, загрязнение побочными продуктами, например боратами и графитом.

Задачей изобретения является получение чистого ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия, повышение скорости синтеза целевого продукта из расплавленного электролита и снижение энергозатрат.

Сущность изобретения заключается в том, что осуществляется совместное электровыделение диспрозия и бора из хлоридного расплава на катоде и последующее взаимодействие их на атомарном уровне с образованием ультрадисперсных порошков гексаборида диспрозия. Процесс осуществляется в трехэлектродной кварцевой ячейке, где в качестве катода используется вольфрамовый стержень и серебряная пластина; электрод сравнения - стеклоуглеродная пластина; анод и одновременно контейнер - стеклоуглеродный тигель (также использовался алундовый тигель в качестве контейнера для расплава и стеклоуглеродная пластина в качестве анода).

Синтез ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия проводят посредством потенциостатического электролиза из эквимольного расплава KCl-NaCl, содержащего трихлорид диспрозия и фторборат калия. Потенциостатический электролиз расплава KCl-NaCl-DyCl3-KBF4 проводят на вольфрамовом и серебряном электродах в пределах от -2,5 до -2,8 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения. Синтез проводят в атмосфере очищенного и осушенного аргона. Катодно-солевую грушу впоследствии отмывают от фторида диспрозия во фториде калия.

В качестве источника диспрозия используют безводный трихлорид диспрозия, в качестве источника бора - фторборат калия, в качестве фонового электролита - эквимольную смесь хлоридов калия и натрия при следующем соотношении компонентов, мас.%:

хлорид диспрозия 6,0-7,0;

фторборат калия 16,0-20,0;

остальное - эквимольная смесь хлоридов калия и натрия.

Электролиз ведут в потенциостатическом режиме при температуре 700±10°С, оптимальной для данного растворителя. Возможно осуществление синтеза и при более высокой температуре, однако повышение температуры приводит к испарению расплава, увеличению давления пара над расплавом и потере фторбората калия ввиду его термической нестойкости.

Выбор компонентов электролитической ванны произведен на основании термодинамического анализа и кинетических измерений совместного электровыделения диспрозия и бора из хлоридных расплавов. Из соединений диспрозия и бора, не содержащих кислород, хлорид диспрозия и фторборат калия являются достаточно низкоплавкими и хорошо растворимыми в эквимольном расплаве KCl-NaCl. Данный фоновый электролит выбран из следующих соображений: напряжение разложения расплавленной смеси KCl-NaCl больше напряжения разложения для расплавов DyCl3 и KBF4, к тому же хлориды щелочных металлов хорошо растворимы в воде.

Фазовый состав идентифицирован методом рентгенофазового анализа на дифрактометре ДРОН-6, результаты констатировали наличие только фазы DyB6.

Пример 1. В алундовый тигель объемом 60 см3 помещали солевую смесь массой 41,05 г, содержащую 2,9 г DyCl3 (7,0 мас.%); 8,15 г KBF4 (19,7 мас.%); 16,80 г KCl (40,8 мас.%); 13,20 г NaCl (32,5 мас.%). Тигель с солевой смесью помещают в кварцевую ячейку, и в атмосфере сухого аргона выдерживают до температуры расплавления системы (700±10°С). По достижении рабочей температуры в расплав опускают серебряный катод. Электролиз проводят на серебре при потенциале - 2,5 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения (плотность тока 0,80÷1,0 А/см2), продолжительность электролиза 110÷120 мин. Катодно-солевую грушу отмывают от фторида диспрозия во фториде калия. Удельная поверхность порошков DyB6 - 5÷10 м2/г.

Пример 2. В стеклоуглеродный тигель объемом 40 см3 помещали солевую смесь массой 35,5 г, содержащую 2,24 г DyCl3 (6,3 мас.%); 6,14 г KBF4 (17,3 мас.%); 14,73 г KCl (41,5 мас.%); 12,39 г NaCl (34,9 мас.%). Тигель с солевой смесью помещают в кварцевую ячейку и в атмосфере сухого аргона выдерживают до температуры расплавления системы (700±10°С). По достижении рабочей температуры в расплав опускают вольфрамовый катод. Электролиз проводят на вольфраме при потенциале - 2,8 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения (плотность тока 0,80÷1,0 А/см2), продолжительность электролиза 110÷120 мин. Катодно-солевую грушу отмывают от фторида диспрозия во фториде калия. Удельная поверхность порошков DyB6 - 5÷10 м2/г.

Техническим результатом является получение чистого ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия, повышение скорости синтеза целевого продукта из расплавленного электролита за счет снижения температуры синтеза, а также снижение энергозатрат.

Электролитический способ получения ультрадисперсного порошка гексаборида диспрозия, включающий синтез гексаборида диспрозия из расплавленных сред, отличающийся тем, что синтез проводят при температуре 700±10°С, плотностях тока от 0,1 до 1,0 А/см и потенциалах электролиза от 2,5 до 2,8 В относительно стеклоуглеродного квазистационарного электрода сравнения из хлоридного расплава в атмосфере очищенного и осушенного аргона, в качестве источника диспрозия используют безводный хлорид диспрозия, источника бора - фторборат калия, фонового электролита - эквимольную смесь хлоридов калия и натрия при следующем соотношении компонентов, мас.%:хлорид диспрозия 6,0-7,0;фторборат калия 16,0-20,0;остальное - эквимолярная смесь хлоридов калия и натрия.
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 31-40 из 42.
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2278

Электролитический способ получения наноразмерного порошка гексаборида церия

Изобретение относится к электролитическому способу получения наноразмерного порошка гексаборида церия, включающему синтез гексаборида церия из расплавленных сред в атмосфере очищенного и осушенного аргона. При этом синтез проводят из галогенидного расплава, в качества источника церия используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540277
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2417

Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при добыче и переработке молибденсодержащих руд. Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд включает районирование карьерного поля, оконтуривание различных по технологическим свойствам участков рудного массива,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540692
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
20.12.2015
№216.013.9b97

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Согласно изобретению предложен способ изготовления тонкопленочных транзисторов, включающий процессы формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571456
Дата охранного документа: 20.12.2015
25.08.2017
№217.015.d1e5

Электрохимический способ получения наноразмерных порошков интерметаллидов гольмия и никеля в галогенидных расплавах

Изобретение относится к электрохимическому получению наноразмерных порошков интерметаллидов гольмия и никеля, которые могут быть использованы в качестве катализаторов в химической и нефтехимической промышленности, в водородной энергетике для обратимого сорбирования водорода, а также для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621508
Дата охранного документа: 06.06.2017
20.11.2017
№217.015.ef7b

Электрохимический способ получения порошка силицида вольфрама

Изобретение относится к электрохимическому способу получения порошка силицида вольфрама, включающий электролиз расплава при температуре 850-950°С, содержащего хлорид натрия, вольфрамат натрия и диоксид кремния. Способ характеризуется тем, что дополнительно вводят фторид натрия при следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002629190
Дата охранного документа: 25.08.2017
Показаны записи 31-40 из 49.
27.09.2014
№216.012.f6d9

Огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон

Изобретение относится к полиэфиркетонам. Предложен огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон формулы: где z=21-100. Технический результат - огнестойкий ненасыщенный полиэфиркетон, обладающий высокими значениями кислородного индекса, высокими механическими и термическими свойствами. 1 пр.
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529030
Дата охранного документа: 27.09.2014
27.11.2014
№216.013.0ab5

Способ получения порошков оксидных литий-вольфрамовых бронз

Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Порошки оксидных литий-вольфрамовых бронз получают при нагреве исходного состава, включающего оксид вольфрама (VI) и вольфрамат лития, до температур 570-600°C, выдерживании в течение 30 минут с последующим подъемом температуры до...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002534149
Дата охранного документа: 27.11.2014
20.01.2015
№216.013.1f92

Электролитический способ получения наноразмерного порошка дисилицида церия

Изобретение относится к получению нанопорошков дисилицида церия и может быть использовано для изготовления токопроводящих и резистивных элементов интегральных схем. Способ электролитического получения наноразмерного порошка дисилицида церия включает синтез дисилицида церия из расплавленных сред...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539523
Дата охранного документа: 20.01.2015
20.01.2015
№216.013.1fd3

Полимерная композиция

Настоящее изобретение относится к полиэфирным композиционным материалам. Описана полимерная композиция, используемая в качестве конструкционного материала, на основе полибутилентерефталат-политетраметиленоксидного блок-сополимера состава полибутилентерефталата 70% масс. и политетраметиленоксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539588
Дата охранного документа: 20.01.2015
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.02.2015
№216.013.2278

Электролитический способ получения наноразмерного порошка гексаборида церия

Изобретение относится к электролитическому способу получения наноразмерного порошка гексаборида церия, включающему синтез гексаборида церия из расплавленных сред в атмосфере очищенного и осушенного аргона. При этом синтез проводят из галогенидного расплава, в качества источника церия используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540277
Дата охранного документа: 10.02.2015
10.02.2015
№216.013.2417

Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд

Изобретение относится к горной промышленности и может быть использовано при добыче и переработке молибденсодержащих руд. Способ добычи и переработки молибденсодержащих руд включает районирование карьерного поля, оконтуривание различных по технологическим свойствам участков рудного массива,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002540692
Дата охранного документа: 10.02.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
10.11.2015
№216.013.8ab6

Способ отжига полупроводниковых структур

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур. Изобретение обеспечивает снижение токов утечек в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567117
Дата охранного документа: 10.11.2015
10.11.2015
№216.013.8ab7

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют активные области полупроводникового прибора и пленку диоксида кремния, наносят слой молибденовой пленки толщиной 400 нм, затем структуру обрабатывают ионами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002567118
Дата охранного документа: 10.11.2015
+ добавить свой РИД