×
10.03.2013
216.012.2eec

Результат интеллектуальной деятельности: МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭМИССИОННЫЙ ЭЛЕКТРОГЕНЕРИРУЮЩИЙ КАНАЛ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002477543
Дата охранного документа
10.03.2013
Аннотация: Изобретение относится к энергетике и может быть использовано при создании энергетических установок прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. Технический результат - повышение эффективности многоэлементных термоэмиссионных электрогенерирующих каналов. Для этого эмиттеры термоэмиссионных элементов (диодов) выполнены из двух различных материалов - тугоплавкого металла (например, вольфрама) и ориентированного пиролитического графита, интеркалированного атомами бария или щелочного металла, С-ось которого перпендикулярна к эмиссионной рабочей поверхности элемента (диода), а отдельные термоэмиссионные элементы (диоды) соединены в последовательную многоэлементную цепочку до получения выходного рабочего напряжения 3-10 вольт. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к термоэмиссионному методу преобразования тепловой энергии в электрическую и может быть использовано при создании ядерных энергетических установок с многоэлементными термоэмиссионными электрогенерирующими каналами, предназначенными, например, для энергопитания космических аппаратов.

Наиболее распространена конструкция электрогенерирующих сборок (ЭГС) с последовательно соединенными электрогенерирующими элементами (ЭГЭ). В общем случае они представляют собой корпус в виде металлической несущей трубки, общей коллекторной изолирующей трубки из керамики и установленных внутри корпуса последовательно соединенных коммутационными перемычками электрогенерирующих элементов - диодов, включающих эмиттер и коллектор. В межэлектродный зазор диодов подают рабочее тело, например цезий. Основной проблемой создания таких ЭГС является обеспечение длительного ресурса работы (см. патенты РФ №2195741, 2223571, 2160481).

Известны термоэмиссионные преобразователи, содержащие в вакуумном объеме эмиттер, выполненный из тугоплавкого металла (например, вольфрама), и металлический коллектор, установленные друг против друга на расстоянии 0,1-0,5 мм, металлокерамический переходник и источник пара рабочего тела, например цезия. В работах (И.П.Стаханов, А.С.Степанов, В.П.Пащенко, Ю.К.Гуськов. Плазменное термоэмиссионное преобразование энергии. М.: Атомиздат, 1968. Ф.Г.Бакшт, Г.А.Дюжев, А.М.Марциновский и др. / Под редакцией Б.Я.Мойжеса и Г.Е.Пикуса. М.: Наука, 1973) подробно изложены физические основы работы термоэмиссионных преобразователей, режимы и особенности низковольтной цезиевой дуги, возникающей в межэлектродном зазоре преобразователя.

В таких устройствах преобразование тепловой энергии в электрическую осуществляется за счет термоэлектронной эмиссии с поверхности эмиттера, нагретого до высоких (1500-2000 К) температур.

Термоэлектронная эмиссия электронов с рабочей поверхности эмиттера в вакуумный межэлектродный зазор определяется формулой Ричардсона-Дэшмана:

J=AT2e-(φ/kT),

где J - плотность тока с эмиттера. А/см2, Т - температура, K, φ - работа выхода материала эмиттера, k - постоянная Больцмана. А - постоянная Ричардсона, равная 120 А·см-2 град-2.

В случае термоэлектронной эмиссии электроны попадают в межэлектродный зазор термоэмиссионного преобразователя, преодолевая потенциальный барьер на границе металл-вакуум.

Термоэмиссионный преобразователь работает следующим образом. Первоначально устанавливаются рабочие температуры эмиттера в интервале 1500-2000 К, коллектора в интервале 700-1000 К, далее в межэлектродный зазор подаются пары рабочего тела (цезия) до давления 10-700 Па. Атомы цезия, адсорбируясь на поверхности электродов, снижают работу выхода электродов, а также, ионизируясь в межэлектродном промежутке за счет ударной или поверхностной ионизации, компенсируют возникающий в межэлектродном промежутке отрицательный электронный заряд, благодаря которому осуществляется эффективная электронная проводимость с эмиттера на коллектор.

Недостатком термоэмиссионных преобразователей является недостаточная эффективность в области низких температур 1500 К и ниже вследствие недостаточной эмиссии с поверхности эмиттера электронного тока.

С целью повышения эффективности отдельные термоэмиссионные элементы (диоды) соединяются в многоэлементную последовательную цепочку, что позволяет в результате повышения выходного рабочего напряжения и соответственно снижения приборных потерь повысить выходную электрическую мощность термоэмиссионного электрогенерирующего канала.

Наиболее близким прототипом является многоэлементный термоэмиссионный электрогенерирующий канал (см. Ponomarev-Stepnoi N.N., Nikolaev Yu. V. et al. «COMPERATIVE ANALYSIS OF SINGLE-CELL AND MULTI-CELL OF THERMIONIC NPS», Proceedings of the 10th Symposium on Space Nuclear Power and Propulsion, M. El-Genk ed., American Institute of Physics, NM, AIP Conference Proc., No. 271, Part Three, pp.1347-1353).

В этой работе описан многоэлементный термоэмиссионный электрогенерирующий канал, содержащий в вакуумном объеме последовательно соединенные элементарные термоэмиссионные элементы (диоды), содержащие эмиттер, выполненный из монокристалла вольфрама, коллектора из молибдена, установленных друг против друга на расстоянии 0,5 мм, металлокерамический переходник и резервуар с источником пара цезия.

Недостатком термоэмиссионных преобразователей является недостаточная эффективность в области низких температур 1500 К и ниже вследствие недостаточной эмиссии с поверхности эмиттера электронного тока.

Техническим результатом, на который направлено изобретение, является повышение эффективности устройства, в том числе в области низких рабочих температур, что приведет к увеличению ресурса работы устройства за счет конструктивного выполнения эмиттера, которое позволит дополнительно к термолектронной эмиссии использовать термотуннельную эмиссию.

Для этого предложен многоэлементный термоэмиссионный электрогенерирующий канал, содержащий последовательно соединенные с помощью коммутационных перемычек электрогенерирующие элементы, каждый из которых состоит из расположенных напротив друг друга цилиндрических эмиттера и коллектора, общие для всех электрогенерирующих элементов коллекторную изоляцию и корпус, соединенный с резервуаром для подачи паров рабочего тела в межэлектродный зазор, при этом эмиттеры выполнены из коаксиально расположенных слоев из двух материалов - тугоплавкого металла и ориентированного пиролитического графита, интеркалированного атомами бария или цезия, С-ось которого перпендикулярна к рабочей поверхности эмиттера, а число электрогенерирующих элементов выбирают таким, чтобы обеспечить выходное рабочее напряжение канала 3-10 вольт.

При этом число электрогенерирующих элементов составляет 3-10.

При этом в качестве тугоплавкого металла эмиттера используют вольфрам.

Принцип работы канала заключается в следующем. Рабочая эмиссионная поверхность эмиттера формируется из двух частей в разных пропорциях, которые работают на разных физических принципах. Одна часть эмиттера состоит из тугоплавкого металла (например, вольфрама), а вторая часть выполнена из ориентированного пиролитического графита, интеркалированного барием или щелочным металлом (например, цезием) и расположенного перпендикулярно к эмиссионной поверхности эмиттера. Расположение этих частей может быть различным. Эмиттер может быть составлен из чередующихся коаксиальных слоев, графит может заполнять центральную часть эмиттера и т.д. Электрогенерирующие элементы (диоды) соединяются в последовательную многоэлементную цепочку до набора выходного напряжения на электродах канала в 3-10 вольт, при котором термотуннельный эмиссионный механизм начинает эффективно испускать электроны сквозь потенциальный барьер.

При подаче на электроды термоэмиссионного канала внешнего небольшого перепада электрического потенциала до 10 вольт на той части рабочей поверхности эмиттера, которая представляет собой боковую поверхность графена, в связи с ультрамалым размером острия на боковой поверхности графена, покрытого, например, барием 4·10-7 см (40 ангстрем), возникает электрическое поле высокой напряженности (106 В/см и выше). Под действием поля высокой напряженности в межэлектродном зазоре преобразователя происходит испускание электронов из графита (боковой поверхности графенов), интеркалированных барием или щелочным металлом (цезием), так называемая автоэлектронная эмиссия, механизмом которой является квантомеханическое туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер на границе графен - низковольтная цезиевая плазма.

Известны работы, которые подтверждают такой механизм работы и возможность получения высоких плотностей электронного тока в аналогичных условиях работы (см. Каландаришвили А.Г. Источники рабочего тела для термоэмиссионных преобразователей энергии. - 2-е издание, доп. - М.: Энергоатомиздат, 1993 г., - стр.230; Макаров А.Н., Лям А.Л., Баранов Г.Д. Эмиттер на основе цезированного графита, Журн. техн. физики, 1977, Т.47, Вып.12, с.2522-2525; Каландаришвили А.Г., Кашия В.Г. Исследование плазменного диода с эмиттером из барированного графита. Журн. техн. физики, 1991, Т.61, Вып.4, с.190-193).

В этих работах было показано, что поверхность эмиттера из ориентированного пиролитического графита, интеркалированного барием или цезием вдоль оси А, обладает высокой эмиссионной способностью (около 30…75 А/см2) при температуре 900…1500 К, когда на электроды диода приложено напряжение до 10 вольт.

Механизм электронной эмиссии из эмиттера, выполненного из ориентированного пиролитического графита перпендикулярно оси С и интеркалированного атомами бария или цезия, связан с тем, что каждая углеродная сетка графита оказывается полностью покрытой монослоем ионов бария или цезия. Эти элементы выбраны нами, т.к. атомы цезия обладают наименьшим потенциалом ионизации - 3,89 вольт, а барий имеет высокую энергию десорбции из графита. В связи с малым радиусом изгиба острия графитовой сетки вокруг острия образуется высокое электрическое поле с напряженностью около 107 В/см. Когда межэлектродный зазор заполняется парами цезия и на электроды от внешнего источника подается напряжение около 10 вольт, в межэлектродном зазоре образуется низковольтная цезиевая дуга, и у эмиттера образуется двойной электрический слой, к которому приложена напряженность около 107 В/см, что приводит к высокой плотности электронного тока (около 30…75 А/см2) за счет автоэлектронной эмиссии с поверхности графита, интеркалированного добавками бария или цезия.

При автоэлектронной эмиссии, механизмом которой является термотуннельная эмиссия, отсутствуют энергетические затраты на возбуждение электронов, свойственные другим видам эмиссии. Электроны преодолевают потенциальный барьер на границе эмиттера, не проходя над ним за счет кинетической энергии теплового движения, как при термоэлектронной эмиссии, а путем туннельного просачивания сквозь барьер, сниженный и суженный электрическим полем. Электронная волна (волны де Бройля), встречая на пути потенциальный барьер, частично отражается и частично проходит сквозь него. По мере увеличения внешнего ускоряющего поля понижается высота потенциального барьера над уровнем Ферми и одновременно уменьшается ширина барьера. В результате увеличивается число электронов, просачивающихся в единицу времени сквозь барьер, соответственно увеличивается т.н. прозрачность барьера (отношение числа электронов, прошедших сквозь барьер, к полному числу электронов, падающих на барьер) и соответственно плотность тока термотуннельной эмиссии.

Характерные свойства автоэлектронной эмиссии - высокие плотности тока j (до 1010 А/см2) и экспоненциальная зависимость j от напряженности электрического поля и величины работы выхода. Автоэлектронная эмиссия слабо зависит от температуры, с ростом температуры Т эмиссия пропорциональна Т2. С дальнейшим ростом Т и понижением Е-напряженности электрического поля у поверхности эмиттера т.н. термоавтоэлектронная эмиссия переходит в термоэлектронную эмиссию, усиленную полем за счет Шоттки-эффекта.

Автоэлектронная эмиссия из металлов в вакуум следует т.н. закону Фаулера-Нордхейма:

J=C1E2exp(-C2/E),

где C1 и С2 - коэффициенты, зависящие от величины потенциала работы выхода электронов.

По экспериментальным данным по термотуннельной эмиссии критическое напряжение при токах около 30…100 А/см2 находится в интервале около 3…10 вольт. Поэтому для получения таких величин выходного напряжения достаточно последовательной многоэлементной сборки из 3-10 таких термоэмиссионных элементов (диодов).

Соотношение рабочих поверхностей эмиттера, выполненных из тугоплавкого металла и графита, выбирается таким образом, чтобы комбинация электрических и тепловых свойств межэлектродного зазора, в котором возникает низковольтная цезиевая дуга, обеспечивала бы оптимальные характеристики устройства.

На фиг.1 показана схема выполнения многоэлементного термоэмиссионного электрогенерирующего канала, где

1. Вакуумный рабочий объем.

2. Металлическая часть эмиттера, выполненная, например, из вольфрама.

3. Органическая часть эмиттера, выполненная из ориентированного пиролитического графита, интеркалированного атомами бария или щелочного металла (например, цезия), С-ось которого перпендикулярна к эмиссионной рабочей поверхности электрогенерирующего элемента (диода).

4. Металлический коллектор.

5. Коммутационная перемычка между отдельными электрогенерирующими элементами (диодами).

6. Резистивная нагрузка.

7. Металлокерамический переходник.

8. Коллекторная изоляция.

9. Металлический корпус.

10. Резервуар рабочего тела, например цезия.

11. Электрический нагреватель.

12. Межэлектродный зазор.

13. Металлокерамический переходник.

Многоэлементный термоэмиссионный преобразователь представляет собой металлический корпус 9, внутри которого расположена керамическая коллекторная изоляция 8 и установленные напротив друг друга на расстоянии 0,1-0,5 мм эмиттеры и коллекторы 4, составляющие электрогенерирующие элементы - диоды, последовательно соединенные между собой коммутирующими перемычками 5. Эмиттер выполнен составным из тугоплавкого металла, например вольфрама 2, и из ориентированного пиролитического графита, интеркалированного атомами бария или щелочного металла (например, цезия), С-ось которого перпендикулярна к эмиссионной рабочей поверхности электрогенерирующего элемента 3. На фигуре показан вариант выполнения центральной части эмиттера из графита. Расположение частей 2 и 3 может быть различным, эмиттер может представлять собой чередующиеся слои 2 и 3, слой 3 может быть внешним. Соотношение рабочих поверхностей эмиттера из разных материалов определяется исходя из получения оптимальных выходных параметров устройства. Вакуумный объем канала 1 соединен с резервуаром рабочего тела, например цезия 10.

Многоэлементный термоэмиссионный преобразователь, который в вакуумном рабочем объеме 1 содержит последовательно соединенные 3-10 термоэмиссионные электрогенерирующие элементы (диоды), работает следующим образом. Первоначально устанавливаются рабочие температуры эмиттеров в интервале 1500-2000 К и коллекторов 4 - 700-1000 К. Далее в межэлектродный зазор 12 подаются пары рабочего тела - цезия из резервуара 10 до давления 10-700 Па путем нагрева с помощью электрического нагревателя 11. Атомы цезия, адсорбируясь на поверхности электродов, снижают работу выхода электронов, а также, ионизируясь в межэлектродном зазоре 12 за счет ударной или поверхностной ионизации, компенсируют возникающий в межэлектродном зазоре отрицательный электронный заряд, благодаря которому осуществляется эффективная электронная проводимость с эмиттера на коллектор. Электронный ток через металлокерамические переходники 7 и 13, соединенные соответственно с коллектором и эмиттером, подается на полезную нагрузку 6.

В этих условиях в межэлектродном зазоре поджигается низковольтная цезиевая дуга, а эмиссионный ток через преобразователь будет состоять из двух составляющих:

I=IТЭ+ITT,

где IТЭ - электронный ток, связанный с эмиссией электронов из металлической части эмиттера, которая покрыта атомами цезия, ITT - электронный ток, связанный с термотуннельной эмиссией с поверхности интеркалированного барием или цезием графита в результате туннелирования электронов сквозь потенциальный барьер.

При подаче на электроды разности потенциала до 10 вольт и при наличии в межэлектродном зазоре низкотемпературной цезиевой плазмы в приэмиттерном двойном электрическом слое вблизи поверхности графеновых слоев генерируется напряженность поля 105-107 В/см, что позволяет реализовать автоэлектронную эмиссию, механизмом которой является квантомеханическое туннелирование электронов сквозь потенциальный барьер.

Такой многоэлементный термоэмиссионный преобразователь позволяет существенно повысить эффективность преобразования.


МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ТЕРМОЭМИССИОННЫЙ ЭЛЕКТРОГЕНЕРИРУЮЩИЙ КАНАЛ
Источник поступления информации: Роспатент

Показаны записи 161-170 из 259.
19.08.2018
№218.016.7d1b

Способ получения биоразлагаемого композита на основе алифатических сложных полиэфиров и гидроксиапатита

Изобретение относится к медицинской химии, а именно к биоразлагаемым фосфатсодержащим полимерным материалам, использующимся в качестве аналогов костной ткани, и раскрывает способ получения биоразлагаемого композита. Способ характеризуется тем, что синтез композита, который включает в себя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664432
Дата охранного документа: 17.08.2018
07.09.2018
№218.016.8477

Способ формирования синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а именно к технологии изготовления синаптического мемристора на основе нанокомпозита металл-нестехиометрический оксид, который обладает адаптивными (нейроморфными) свойствами. Техническим результатом является создание мемристивных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666165
Дата охранного документа: 06.09.2018
12.09.2018
№218.016.867e

Способ изготовления наноструктурированной мишени для производства молибден-99

Изобретение относится к технологии получения радионуклидов и может быть использовано для производства радионуклида молибден-99 высокой удельной активности (без носителя), являющегося основой для создания радионуклидных генераторов технеция-99, нашедших широкое применение в ядерной медицине для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666552
Дата охранного документа: 11.09.2018
03.10.2018
№218.016.8cf6

Система управления неустойчивостью внутреннего срыва плазмы в режиме реального времени в установках типа токамак

Изобретение относится к cистеме управления неустойчивостью внутреннего срыва плазмы в режиме реального времени в установках типа Токамак. Система содержит автоматизированное рабочее место АРМ оператора 13, соединенное с комплексом СВЧ-нагрева плазмы 6, вакуумную камеру 1 с установленными в ней...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668231
Дата охранного документа: 27.09.2018
03.10.2018
№218.016.8d27

Ядерный реактор на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем

Изобретение относится к области атомной энергии и может быть использовано в реакторах на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем. Ядерный реактор на быстрых нейтронах с жидкометаллическим теплоносителем содержит вертикально установленные тепловыделяющие сборки активной зоны и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002668230
Дата охранного документа: 27.09.2018
08.11.2018
№218.016.9acc

Способ оценки риска хронических аутоиммунных воспалительных процессов

Изобретение относится к биофизике, биологии и медицине, а именно к диагностике обменных нарушений, интоксикации организма при различных заболеваниях, в том числе наследственных, генетических, экологических, аутоиммунных. Изобретение представляет собой способ оценки риска хронических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671641
Дата охранного документа: 06.11.2018
30.11.2018
№218.016.a220

Способ пуска ядерного реактора космического назначения

Изобретение относится к атомной энергетике и может быть использовано при эксплуатации ядерных реакторов космических установок. Способ пуска ядерного реактора космического назначения содержит этапы, на которых определяют зависимость эффективного коэффициента размножения от температуры при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673564
Дата охранного документа: 28.11.2018
05.12.2018
№218.016.a3b7

Способ получения комплексного соединения состава 2xefxmnf

Изобретение относится к способу получения комплексного соединения гексафторида ксенона с тетрафторидом марганца состава 2XeF×MnF и может применяться для синтеза кислородных соединений ксенона как основа средств для дезинфекции, стерилизации и детоксикации в области санитарии и медицины. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673844
Дата охранного документа: 30.11.2018
06.12.2018
№218.016.a40f

Способ перевода сверхпроводника в элементах логики наноразмерных электронных устройств из сверхпроводящего состояния в нормальное

Использование: для создания функциональных переключаемых электронных устройств различного назначения. Сущность изобретения заключается в том, что способ перевода сверхпроводника в электронных функциональных наноразмерных устройствах из сверхпроводящего состояния в нормальное осуществляют путем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674063
Дата охранного документа: 04.12.2018
26.12.2018
№218.016.ab98

Полимерный комплекс для молекулярно-прицельной терапии и способ его получения

Группа изобретений относится к фармацевтике и медицине и раскрывает полимерный комплекс для молекулярно-прицельной терапии и способ получения указанного комплекса. Полимерный комплекс характеризуется тем, что представлен в виде лиофилизата для приготовления суспензии, содержит частицы с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675810
Дата охранного документа: 25.12.2018
Показаны записи 151-156 из 156.
20.02.2019
№219.016.c25b

Блок термоэлектрических преобразователей со щелочным металлом

Изобретение предназначено для повышения эффективности работы термоэлектрического преобразователя со щелочным металлом (АМТЕС), преобразующим тепловую энергию непосредственно в электрическую энергию. Изобретение может быть использовано как в наземных, так и в космических условиях, как генератор,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002456699
Дата охранного документа: 20.07.2012
20.02.2019
№219.016.c25f

Термоэлектрический преобразователь со щелочным металлом

Изобретение предназначено для повышения эффективности работы термоэлектрического преобразователя со щелочным металлом (АМТЕС), преобразующим тепловую энергию непосредственно в электрическую энергию. Изобретение может быть использовано как в наземных, так и в космических условиях как генератор,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002456698
Дата охранного документа: 20.07.2012
20.02.2019
№219.016.c3a3

Термоэмиссионный преобразователь

Изобретение относится к термоэмиссионным преобразователям тепловой энергии в электрическую, они широко применяются в ядерных энергетических установках. Термоэмиссионный преобразователь содержит два изолированных электрода, находящихся в вакуумном объеме. Резервуар с рабочим телом - цезий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002449410
Дата охранного документа: 27.04.2012
29.03.2019
№219.016.f7f4

Способ получения в графите графеновых ячеек с разнородными интеркалированными добавками

Изобретение может быть использовано в эмиттерах с регулируемой работой выхода электронов, плазменных диодах, термоэмиссионных преобразователях энергии, термотуннельных преобразователях тепловой энергии в электрическую. Ориентированный пиролитический графит помещают в вакуумный объем между двумя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002466087
Дата охранного документа: 10.11.2012
29.03.2019
№219.016.f7ff

Устройство для подачи пара цезия в термоэммисионный преобразователь

Изобретение касается термоэмиссионного преобразования тепловой энергии в электрическую и относится к устройствам подачи пара цезия в межэлектродный зазор термоэмиссионного преобразователя (ТЭП). Технический результат - повышенная емкость по цезию достигается за счет того, что предложено...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002464668
Дата охранного документа: 20.10.2012
09.05.2019
№219.017.4d9d

Способ количественного определения атомов щелочного металла

Использование: для количественного определения атомов щелочного металла. Сущность: заключается в том, что вакуумную камеру с помещенным в нее образцом пиролитического графита обезгаживают, затем подают в нее пары атомов щелочного металла и выдерживают образец при повышенной температуре, при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002335762
Дата охранного документа: 10.10.2008
+ добавить свой РИД