×
20.05.2023
223.018.661c

Результат интеллектуальной деятельности: МИКРОВАКУУММЕТР

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к вакуумной измерительной технике для измерения уровня вакуума в микрополостях, микрообъемах и корпусах датчиков микросистемной техники, в частности к микровакуумметрам, использующим принцип резонанса как основного механизма работы. В микровакуумметре с чувствительным элементом, выполненным на основании и состоящим из резонатора, совершающего колебания вдоль плоскости основания и соединенного с ним посредством четырех подвесов; гребенчатого управляющего электрода, образующего с гребенчатым электродом резонатора встречно-штыревую структуру, и сигнальных электродов для считывания сигнала. При этом основание и резонатор выполнены из монокристаллического кремния, подвесы выполнены с возможностью перемещения вдоль плоскости основания и содержат по два объединенных взаимно перпендикулярных пружинных элемента, резонатор содержит систему дополнительных демпферов. Технический результат - увеличение диапазона измерения давления в сторону высокого вакуума и стабильности работы микроэлектромеханического вакуумметра. 3 ил.

Изобретение относится к вакуумной измерительной технике для измерения уровня вакуума в микрополостях, микрообъемах и корпусах датчиков микросистемной техники, в частности к микровакуумметрам, использующим принцип резонанса как основного механизма работы.

Дефицит контроля в измерении давления в вакууммированных корпусах или микрополостях после их изготовления усложняет проведение анализа работоспособности микроэлектромеханических приборов. Остаточные газы, уровень которых может превышать установленное пороговое значение, могут привести к полной неработоспособности датчика или к его неверным выходным характеристикам. Среди имеющихся вариантов измерения уровня вакуума в микрообъемах существуют микросистемные вакуумметры, основанные на использовании микроэлектромеханического резонатора в чувствительном элементе (ЧЭ).

Микромеханическая часть вакуумметра в работах: Squeeze-film damping in the free molecular regime: model validation and measurement on a MEMS / H. Sumali, J. Micromech. Microeng. Vol. 17 (2007) P. 2231-2240; Electrostatically driven vacuum encapsulated polysilicon resonators. Part I: Design and fabrieation / R. Legtenberg and H.A.C. Tilmans, Sens. Actuators A, Vol. 45 (1994) P. 57-66; Damping of a microresonator torsion mirror in rarefied gas ambient / A. Minikes, I. Bucher. G. Avivi, J. Micromech. Microeng, Vol. 15 (2005) P. 1762-1769; Model-based design of MEMS resonant pressure sensors / Suijlen, M.A.G. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven (2011) P. 136; USA 7047810 B2 (May, 2006); EP 1530036 B1 (April, 2007) представляет из себя конструкцию, состоящую из неподвижного основания - опорной кремниевой пластины, как правило, покрытой слоем тонкого металла, и подвижной мембраны, закрепленной на упругих подвесах, перекрывающей плоскость основания и отстоящей на некотором расстоянии над ним. В приведенных источниках такая конструкция упоминается как резонатор в пленарном исполнении. Недостатком такого технического решения, с одной стороны, является использование в процессе изготовления гетерогенных материалов: верхняя часть резонатора - подвижная мембрана изготовлена из тонкого металла, как в работах: Squeeze-film damping in the free molecular regime: model validation and measurement on a MEMS / H. Sumali, J. Micromech. Microeng. Vol. 17 (2007) P. 2231-2240 и EP 1530036 B1 (April, 2007), a основание из монокристаллического кремния, что при температурных изменениях негативно может сказываться на получаемых выходных характеристиках, в частности приводить к дрейфу, гистерезису, срыву колебаний. В других случаях: Electrostatically driven vacuum encapsulated polysilicon resonators, Part I: Design and fabrication / R. Legtenberg and H.A.С. Tilmans, Sens. Actuators A, Vol. 45 (1994) P. 57-66; Model-based design of MEMS resonant pressure sensors / Suijlen, M.A.G. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven (2011) P. 136 и USA 7047810 B2 (May, 2006) применение поликристаллического кремния, как основного конструкционного материала для топкой мембраны, может отрицательно сказываться на прочностных характеристиках резонатора: возможно проявление начальных деформаций, трещин, разбалансировка и смешивание мод колебаний. Существуют устройства, описанные в Squeezed film damping measurements on a parallel-plate MEMS in the free molecule regime / L. Mol, L.A. Rocha, E. Cretu. R.F. Wolffenbuttel, J. Micromech. Microeng. (J. Mieromechanies and Microengineering) Vol. 19, Issue (7), (2009) 074021 P. (1-6); A study on wafer level vacuum packaging for MEMS devices / B. Lee, S. Seok. K. Chun, J. Micromech. Microeng. Vol. 13 (2003) P. 663-669 и Model-based design of MEMS resonant pressure sensors / Suijlen, M.A.G. Eindhoven: Technische Universiteit Eindhoven (2011) P. 136, в которых микроэлектромеханический резонатор представлен в вертикальном исполнении, т.е. колебания резонатора осуществляются вдоль плоскости его основания. Излишняя жесткость таких конструкций снижает чувствительность датчика, тем самым уменьшая диапазон измерения вакуума. Нижняя граница измеряемых значений для перечисленных конструкций составляет 1-10 паскалей.

Наиболее близкими по технической сущности к заявленному техническому решению является микродатчик давления для измерения вакуума, описанный в статье A study on wafer level vacuum packaging for MEMS devices / B. Lee. S. Seok, K. Chun. J. Micromech. Microeng. Vol. 13 (2003) P. 663-669 (прототип). Чувствительный элемент вакуумметра представляет собой резонатор, в котором подвижная инерционная масса (ИМ) с наименьшим габаритом по высоте закреплена на боковых гранях на четырех подвесах с двух сторон над основанием, попарно с каждой стороны. На свободных гранях ИМ располагается встречно-штыревая структура электродов для задания управляющего и считывающего сигнала. Следовательно, ЧЭ представляет собой микроэлектромеханический резонатор в вертикальном исполнении. Колебания осуществляются вдоль плоскости основания, где наибольшее демпфирующее воздействие от остаточного газа осуществляется в зазорах встречно-штыревой структуры при максимальном отклонении от положения равновесия в момент резонанса. Уровень вакуума измеряется посредством измерения величины добротности системы - Q. Недостатком такой конструкции является низкая чувствительность к уровню вакуума, нижняя граница диапазона измеряемых значений ограничена значением в единицы паскаль, вследствие малого демпфирования между взаимодействующими поверхностями, их недостаточного количества, излишней жесткости в местах заделки резонатора.

Задачей изобретения является увеличение чувствительности микровакуумметра, конструкция которого позволит измерить малые значения давления в микрополостях и микрообъемах микроэлектромеханических приборов, повышение стабильности работы микровакуумметра.

Техническим результатом предлагаемого решения является увеличение диапазона измерения давления в сторону высокого вакуума и стабильности работы микровакуумметра.

Технический результат достигается тем, что в микровакуумметре с чувствительным элементом, выполненным на основании и состоящим из резонатора, совершающего колебания вдоль плоскости основания и соединенного с ним посредством четырех подвесов; гребенчатого управляющего электрода, образующего с гребенчатым электродом резонатора встречно-штыревую структуру, и сигнальных электродов для считывания сигнала, основание и резонатор выполнены из монокристаллического кремния, подвесы выполнены с возможностью перемещения вдоль плоскости основания и содержат по два взаимно перпендикулярных пружинных элемента, резонатор содержит систему дополнительных демпферов.

Предлагаемое техническое решение поясняют следующие фигуры.

На фигуре 1 представлен схематичный вид чувствительного элемента микровакуумметра, где

1 - основание из монокристаллического кремния;

2 - резонатор;

3 - гребенчатый управляющий электрод;

4 - сигнальные электроды для считывания сигнала (сигнальные электроды);

5 - контактные площадки.

На фигуре 2 показаны функциональные элементы резонатора чувствительного элемента микровакуумметра, где

6 - подвесы резонатора;

6а - пружинные элементы подвесов;

7 - гребенчатый электрод резонатора;

8 - система демпферов.

На фигуре 3 представлены графики зависимости добротности от уровня вакуума для экспериментального образца, предлагаемого микровакуумметра, где сплошной линией показана расчетная зависимость, а точками показаны экспериментальные значения добротности.

Микровакуумметр содержит выполненный на основании из монокристаллического кремния 1, чувствительный элемент, состоящий из резонатора 2, гребенчатого управляющего электрода 3, сигнальных электродов для считывания сигнала 4 и контактных площадок 5 (фиг. 1). Резонатор 2 (фиг. 1), совершающий колебания вдоль плоскости основания, состоит из нескольких функциональных элементов: четырех подвесов с пружинными элементами 6, гребенчатого электрода 7 и системы демпферов 8 (фиг. 2). Гребенчатый управляющий электрод 3 образует с гребенчатым электродом резонатора 7 встречно-штыревую структуру.

Резонатор 2 чувствительного элемента микровакуумметра и основание 1 выполнены из монокристаллического кремния. Резонатор 2 соединен с основанием 1 посредством четырех подвесов с пружинными элементами 6 (фиг. 2). Подвесы 6 содержат по два объединенных взаимно перпендикулярных пружинных элемента, имеющих два направления колебаний в одной плоскости, тем самым, обеспечивается необходимое смещение резонатора 2 для проявления эффекта демпфирования. Система демпферов 8 (фиг. 2), позволяет при отклонении от положения равновесия самого резонатора достичь минимального расстояния между подвижными и неподвижными частями чувствительного элемента, предназначена для увеличения максимальной площади взаимодействия элементов резонатора 2 с молекулами газа и получения, таким образом, максимальной величины полезной составляющей сигнала. На гребенчатом управляющем 3 и сигнальных 4 электродах и резонаторе 2 расположены контактные площадки 5 для подачи и считывания сигнала.

Устройство работает следующим образом.

На гребенчатый управляющий электрод 3 подается управляющий сигнал. При этом резонатор 2 отклоняется из положения равновесия и совершает колебания. Резонатор 2 и неподвижные конструктивные части чувствительного элемента в определенный момент времени находятся на достаточно близком расстоянии друг от друга. Таким образом, задействуется механизм вязкого демпфирования в тонких сжатых газовых пленках, вследствие сдавливания и трения о поверхность остаточного газа во встречно-штыревой структуре, образованной гребенчатым электродом резонатора 7 и гребенчатым управляющим электродом 3, а также между системой демпферов 8 и сигнальными электродами 4. Полезный сигнал снимается с сигнальных электродов 4. Уровень вакуума измеряется посредством вычисления величины добротности системы - Q с помощью метода затухания амплитуды колебаний по формуле:

где τ - время релаксации, в течение которого начальная амплитуда уменьшается в е раз, ƒ0 - резонансная частота колебаний.

Было проведено моделирование и измерение экспериментального образца микровакуумметра, графики зависимости добротности от уровня вакуума представлены на фигуре 3. Расчетные значения обозначены на фигуре 3 сплошной линией, экспериментальные значения обозначены точками. В ходе экспериментального определения зависимости добротности от давления подтверждена корректность расчетной модели вакуумметра.

Микровакуумметр благодаря конструкции чувствительного элемента обладает повышенной стабильностью работы и позволяет измерять уровень вакуума с высокой чувствительностью в широком диапазоне значений.

Микровакуумметр с чувствительным элементом, выполненным на основании и состоящим из резонатора, совершающего колебания вдоль плоскости основания и соединенного с ним посредством четырех подвесов; гребенчатого управляющего электрода, образующего с гребенчатым электродом резонатора встречно-штыревую структуру, и сигнальных электродов для считывания сигнала, отличающийся тем, что основание и резонатор выполнены из монокристаллического кремния, подвесы выполнены с возможностью перемещения вдоль плоскости основания и содержат по два взаимно перпендикулярных пружинных элемента, резонатор содержит систему дополнительных демпферов.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 796 items.
27.06.2015
№216.013.585b

Устройство для инициирования

Изобретение относится к области пиротехники и может быть использовано в конструкциях воспламенительных устройств для инициирования горения различных веществ в герметичном объеме, в частности при инерционных воздействиях в процессе срабатывания устройства. Устройство для инициирования содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554160
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.58ed

Способ оценки микромеханических характеристик локальных областей металлов

Изобретение относится к области машиностроения и может быть использовано для прогнозирования свойств металлов и сплавов. Сущность: подбирают образцы одной марки стали, термообработанные при разных режимах. Внедряют индентор в произвольную зону образца, пошагово увеличивают нагрузку в заданном...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554306
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.590c

Узкополосный кольцевой волоконный лазер

Узкополосный кольцевой волоконный лазер состоит из диода накачки, элемента Пельтье и кольцевого однонаправленного резонатора. Указанный резонатор включает активное волокно, делитель излучения, поляризационный циркулятор, волоконно-оптический изолятор и спектральный уплотнитель с линейной частью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554337
Дата охранного документа: 27.06.2015
27.06.2015
№216.013.5a63

Способ регулирования температурного уровня контурной тепловой трубы

Изобретение относится к области теплотехники, в частности к контурным тепловым трубам (КТТ), и может быть использовано для термостабилизации различных теплонагруженных объектов. В способе регулирования температурного уровня контурной тепловой трубы путем автоматически регулируемого теплового...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554680
Дата охранного документа: 27.06.2015
10.07.2015
№216.013.5b9e

Контактный датчик

Изобретение относится к средствам инициирования, а именно к реакционным контактным датчикам. Контактный датчик содержит проводник в виде провода, уложенного зигзагообразно между слоями из диэлектрического материала. Проводник уложен в пазы, выполненные в одном из слоев. Слои выполнены из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554995
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.07.2015
№216.013.5c69

Стенд для градуировки акселерометров

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к стендам поверочным для градуировки акселерометров с использованием более точных средств измерения. Стенд для градуировки акселерометров содержит тензометрическое устройство с градуируемым акселерометром, тензодатчиками и бойком, и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002555198
Дата охранного документа: 10.07.2015
10.07.2015
№216.013.5fc3

Пожарный клапан

Изобретение относится к арматуростроению и предназначено для защиты рабочих емкостей от избыточного давления при возникновении пожара, например для аварийного перекрытия систем трубопроводов. Пожарный клапан с входным и выходным отверстиями содержит установленные во внутренней полости корпуса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556056
Дата охранного документа: 10.07.2015
20.08.2015
№216.013.6f85

Способ переработки отработавшего ядерного топлива

Изобретение относится к средствам переработки отработавшего ядерного топлива (ОЯТ). В заявленном способе разрушенные при рубке ТВЭЛов таблетки оксидного отработавшего ядерного топлива подвергают растворению при нагревании в водном растворе нитрата железа(III) при мольном отношении железа к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560119
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.08.2015
№216.013.7253

Способ очистки жидких радиоактивных отходов

Изобретение относится к способу очистки жидких радиоактивных отходов (ЖРО). Заявленный способ предусматривает дозированное введение в кубовый остаток ЖРО перекиси водорода, обработку кубового остатка УФ-излучением ксеноновой лампы, микрофильтрацию с отделением шлама, содержащего радиоактивный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560837
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.08.2015
№216.013.72a7

Устройство для калибровки датчиков импульсного давления

Изобретение относится к испытательной технике, а именно к калибровке датчиков импульсного давления методом создания импульсного давления в гидравлической камере. Устройство для калибровки датчиков импульсного давления содержит основание, на котором горизонтально закреплен подвижный подпор, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560921
Дата охранного документа: 20.08.2015
Showing 1-1 of 1 item.
21.11.2019
№219.017.e419

Микроэлектромеханический датчик давления

Изобретение относится к измерительным приборам в области микросистемной техники. Датчик давления содержит корпус, чувствительный элемент, мембрана которого расположена на опорном кристалле, в котором выполнено сквозное отверстие и гермокомпенсационные элементы. Опорный кристалл и мембрана...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002706447
Дата охранного документа: 19.11.2019
+ добавить свой РИД