×
16.05.2023
223.018.6357

Результат интеллектуальной деятельности: Электродуговой способ получения прецизионного сплава TiMnAl

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитка TiMnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Плавление проводят с участием гетерофазной химической реакции в присутствии гидрида титана (II). Изобретение позволяет получить сплав Гейслера в виде слитка, пригодного для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. 1 пр.

Изобретение относится к области прецизионной металлургии (металлургии прецизионных сплавов), в частности, к получению сплава Гейслера в виде слитков пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl.

В металлургии прецизионных сплавов для получения требуемого сочетания служебных характеристик используют в различном сочетании большинство существующих химических элементов во всем многообразии их физических и химических свойств [Грацианов Ю.А., Путимцев Б.Н., Молотилов Б.В. и др. Металлургия прецизионных сплавов. // М. - Металлургия. - 1975.]. Следует отметить, что многочисленные опубликованные диаграммы состояния тройных систем требуют существенной доработки при учете влияния примесей на положение фазовых областей, что существенно осложняет поиск оптимальных технологических схем выплавки, кристаллизации и передела подобных сплавов для обеспечения технологических и служебных характеристик. Влияние физико-химических свойств марганца на особенности технологии изготовления сплавов с его участием изучено не достаточно полно. При кристаллизации и последующем охлаждении марганец претерпевает превращения (δ→γ→β→α), сопровождающиеся существенным изменением кристаллической структуры с высокой объемной усадкой при затвердевании до 4,5% [Салли А. Марганец. // М. - Металлургиздат. - 1959.]. Эти превращения обладают большим гистерезисом и зависят от скорости кристаллизации и охлаждения отливок. Следует отметить, что структура слитка играет решающую роль в формировании физических свойств такого класса прецизионных сплавов. Анизотропия физических свойств и их улучшение часто достигается созданием специальных текстур при кристаллизации расплава. Учитывая эти особенности, возможно получение марганцевосодержащих тройных сплавов Гейслера с требуемым сочетанием свойств. Развитие порошковой металлургии как одно из направлений развития бестигельных способов получения высокотемпературных сплавов из многокомпонентных смесей (объединяя металлические и неметаллические компоненты) позволяет получать изделия с уникальными свойствами. Высокая стоимость металлических порошков, требование к наличию защитной атмосферы для предотвращения окисления поверхности, сложность получения материала в компактном состоянии - все это ограничивает использование порошковой металлургии для получения чистых металлов и сплавов строгого стехиометрического состава. Поэтому разработка гибридных технологий получения прецизионных сплавов на стыке порошковой металлургии, аддитивных технологий (в частности электродуговой плавки в гарнисаже в защитной атмосфере) в сочетании с гетерофазными химическими реакциями - является перспективным направлением для формирования заданной структуры слитка и точности воспроизведения химического состава сплавов Гейслера и служит основой для понимания природы многих явлений в физике полупроводников

Известен способ получения Ti2MnAl [Борисенко Д.Н., Девятое Э.В., Есин В.Д., Колесников Н.Н. // Патент РФ №2754540 от 03.09.2021 Бюл. №25] - прототип. Способ получения слитков Ti2MnAl включает в себя подготовку смеси алюминия, марганца и титана, которую засыпают в тигель и нагревают до плавления в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитков Ti2MnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Недостатком предложенного способа является наличие окисных пленок на поверхности металлических порошков Ti, Mn и Al из-за высокой степени сродства к кислороду перечисленных металлов, причем в процессе электродуговой плавки алюминий как наиболее активный металл восстанавливает оксиды марганца и титана до высших оксидов за счет образования Al2O3 и смещения стехиометрии сплава Гейслера в сторону дефицита алюминия. Поэтому предложенный способ получения Ti2MnAl требует существенной доработки для успешного применения в области прецизионной металлургии.

Задачей настоящего изобретения является разработка электродугового способа получения прецизионного сплава Ti2MnAl.

Технический результат достигается тем, что процесс получения прецизионного сплава Ti2MnAl проводят электродуговой плавкой в атмосфере гелия в гарнисаже из смеси порошков алюминия, марганца и гидрида титана (II), с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации: Способ получения прецизионного сплава Ti2MnAl включает в себя подготовку смеси порошков алюминия, марганца и гидрида титана (II), которую засыпают в тигель и нагревают до плавления в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитков Ti2MnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации. Плавление проводят с участием гетерофазной химической реакции в присутствии гидрида титана (II): 2TiH2+Mn+Al+O2(пов.)=Ti2MnAl+2Н2О↑. Гидрид титана (II) при температурах выше 300°С разлагается с образованием атомарного водорода, который восстанавливает поверхностные оксиды металлов, позволяя получать прецизионный сплав стехиометрического состава. На фиг. 1 представлены результаты рентгено-спектрального микроанализа. На фиг. 2 - спектрограмма образца Ti2MnAl, выбранной области на фиг. 1. Из представленных данный видно, что кислород отсутствует в качестве примеси, и дефицита алюминия не наблюдается.

Пример. В тигель, расположенный в герметичной камере, позволяющей вести процесс в гарнисаже, в контролируемой атмосфере, засыпают смесь из порошков алюминия, марганца и гидрида титана (II). Над тиглем помещают неплавящийся электрод для создания электрической дуги. Плавку проводят в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм, при напряжении от 65 до 70 В и током дуги от 8 до 10 А. Продолжительность процесса 20 минут. Процесс плавления идет устойчиво. Плавным снижением мощности до нуля удается получить прецизионный сплав стехиометрического состава Ti2MnAl с равномерной кристаллизацией.

Таким образом, предложенный способ получения сплава Гейслера Ti2MnAl является перспективным направлением прецизионной металлургии.

Электродуговой способ получения прецизионного сплава TiMnAl, включающий плавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия при давлении от 0,8 до 1 атм с образованием слитка TiMnAl с плавным снижением мощности до нуля для равномерной кристаллизации, отличающийся тем, что плавление проводят с участием гетерофазной химической реакции в присутствии гидрида титана (II): 2TiH+Mn+Al+O=TiMnAl+2HO↑.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-8 of 8 items.
20.04.2023
№223.018.4a6f

Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Технический результат заключается в создании способа выращивания пленок алмаза акцепторного типа проводимости со значением удельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002780375
Дата охранного документа: 22.09.2022
20.04.2023
№223.018.4a7d

Способ получения водорода

Изобретение может быть использовано для получения газообразного чистого водорода в установках, связанных с системами транспортировки газа. Способ получения водорода из природного газа включает нагрев лент из углеродной фольги в герметичной водоохлаждаемой камере прямым пропусканием...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002786070
Дата охранного документа: 16.12.2022
20.04.2023
№223.018.4ab9

Композиция для высокотемпературной керамики и способ получения высокотемпературной керамики на основе карбида кремния и силицида молибдена

Группа изобретений относится к области получения керамических материалов на основе карбида кремния (SiC) и силицида молибдена, которые могут использоваться при получении изделий повышенной термостойкости, при изготовлении деталей турбин, авиационных двигателей, фрикционных элементов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002788686
Дата охранного документа: 24.01.2023
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
20.04.2023
№223.018.4b28

Жаропрочный сплав на основе молибдена

Изобретение относится к металлургии, а именно к жаропрочным сплавам на основе молибдена, обладающим высокой прочностью, и может быть использован для изготовления изделий, подвергающихся в процессе эксплуатации в условиях вакуума или среды, не содержащей кислород, нагреву до высоких температур,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002774718
Дата охранного документа: 22.06.2022
20.04.2023
№223.018.4b40

Способ получения микрокристаллов csso(ti) из водного раствора

Изобретение относится к области получения микрокристаллов CsSO-TI, являющихся люминофорами и сцинтилляторами для регистрации ионизирующих излучений в медицине, системах безопасности, в мониторинге окружающей среды. Микрокристалл CsSO-TI получают из ненасыщенного водного раствора, содержащего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002772758
Дата охранного документа: 25.05.2022
20.04.2023
№223.018.4b41

Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза

Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза включает нагрев порошка алмаза 5 в графитовом контейнере в среде вакуума с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002773320
Дата охранного документа: 01.06.2022
21.04.2023
№223.018.4fc0

Волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии

Изобретение относится к оптике, а именно к устройствам для передачи и преобразования пучков терагерцового излучения. Заявленный волновод с субволновой фокусировкой для терагерцовой эндоскопии включает полую трубку, на внешней поверхности которой имеется оболочка. Внутренний диаметр трубки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002790924
Дата охранного документа: 28.02.2023
Showing 41-49 of 49 items.
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
+ добавить свой РИД