×
06.07.2020
220.018.2fb7

Результат интеллектуальной деятельности: Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы. Технический результат состоит в уменьшении проводимости магнитопровода и достигается использованием вставки из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм. 3 ил.

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в электрометаллургии в качестве гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги постоянного тока, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Известно, что трансформация импульсов электроэнергии однополярного тока затруднительна по причине насыщения рабочей индукции магнитопровода трансформатора в соответствии с кривой намагничивания для данного материала. При небольшой мощности (например, управляющие сигналы на базу/затвор силовых транзисторов) возможна передача энергии с помощью трансформатора без существенных потерь полезного сигнала по частной петле намагничивания вблизи области насыщения магнитопровода, при этом индукция изменяется в пределах от остаточной Вr до (в пределе) индукции насыщения Bs. Схематично частная петля намагничивания показана на фиг.1 заштрихованной областью. У самых лучших представителей класса ферромагнетиков остаточная индукция примерно равна половине индукции насыщения [Силовая электроника от простого к сложному / Семенов Б.Ю. - М.: СОЛОН-Пресс, 2005. - 419 с]. В таких условиях работы магнитопровод трансформатора работает наименее эффективно. Для однотактных преобразователей предложенные схемы трансформации однополярного тока сильно ограничивают регулировочные характеристики источников силового электропитания и требуют введения в схему дополнительных элементов для защиты силовых транзисторов от потенциального пробоя вследствие возникновения ЭДС самоиндукции. Поэтому необходима разработка простых способов снижения остаточной индукции в магнитопроводе силового трансформатора без значительного усложнения схем.

В процессе развития импульсной электротехники наиболее интересные технологические решения этой проблемы предлагались в цепях двуполярного тока, где явление насыщения рабочей индукции магнитопровода имеет туже природу и объясняется подмагничиванием сердечника силового трансформатора кратковременными постоянными токами, возникающими из-за асимметрии импульсов, вызванной рядом причин схемотехнического характера.

Введение обратной связи по потоку рассеяния или току намагничивания силового трансформатора реализовано в импульсном преобразователе напряжения [И.В. Фомин // Патент РФ №2035833 от 20.05.1995] и [Тупиков Н.Г. и др. // Патент РФ №2410829 от 27.01.2011] - аналог. В этом случае, при увеличении тока подмагничивания, коррекция длительности управляющих импульсов производится в каждом такте управления. Такое схемное решение связано со значительными сложностями измерения контролируемых параметров (потока рассеивания и тока подмагничивания). При значительной асимметрии импульсов, вызванной разбросом параметров силовых транзисторов, ошибок монтажа ВЧ дросселей и топологии печатных плат, рост тока через первичную обмотку трансформатора может происходить с большой скоростью, и тогда ограничение длительности импульсов не успевает скорректировать асимметрию, компаратор отключает силовой каскад, что приводит к нарушению нормального режима работы преобразователя. Таким образом, наличие значительной инерционности переходных процессов в цепях обратной связи может приводить к выходу из строя силовых ключей и аварийным ситуациям. Такой преобразователь никак не предусматривает снижение остаточной индукции, что ограничивает его применение в качестве источника питания высокочастотной дуги однополярного тока.

Включение разделительного конденсатора в первичную обмотку силового трансформатора приводит к симметрированию положения рабочей петли гистерезиса в резонансных схемах [Особенности работы высокочастотного силового трансформатора в схеме последовательного резонансного инвертора. / С. Земан, А. Осипов, О. Сандырев. - Силовая Электроника. - №1. - 2007] - аналог. В этом случае ток подмагничивания силового трансформатора полностью отсутствует за счет того, что среднее значение тока разделительного конденсатора в установившемся режиме равно нулю. Такое техническое решение наиболее эффективно в резонансных схемах, однако при ступенчатом скачке напряжения с определенной величиной асимметрии возникают низкочастотные колебания, приводящие к завышению рабочей индукции трансформатора и нарушению нормального режима работы преобразователя. Для устранения этих колебаний необходимо, чтобы длительность фронта скачка напряжения не превышала постоянную времени колебательного процесса, что вызывает определенные сложности при расчете разделительной емкости. Устройство никак не предусматривает снижение остаточной индукции, что ограничивает его применение в качестве источника питания высокочастотной дуги однополярного тока.

Устранение асимметричного режима работы трансформатора путем введения немагнитного зазора [Б. Гусев, Д. Овчинников / Мостовой преобразователь с удвоителем тока при подмагничивании сердечника трансформатора // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. Вып. 5.] - прототип - является эффективным техническим решением в борьбе с подмагничиванием магнитопровода и позволяет уменьшить смещение частного цикла петли намагничивания при воздействии значительных асимметрий. Размагничивающий эффект зазора, приводит к сдвигу петли гистерезиса и заметному снижению магнитной проницаемости магнитопровода при уменьшении остаточной индукции, в связи с этим значительно увеличивается полезный размах индукции. Малые величины зазора фактически не влияют на потери в магнитопроводе, однако оказывают необходимый размагничивающий эффект, исключающий быстрое насыщение магнитопровода при действии однополярного тока. Такое устройство магнитопровода трансформатора наиболее простое, однако снизить остаточную индукцию до нуля и полностью устранить ток подмагничивания не удается, вследствие чего приходится увеличивать запас рабочей индукции по отношению к индукции насыщения, которая должна включать постоянный уровень, обусловленный током подмагничивания. Для повышения устойчивости к воздействию тока подмагничивания необходимо увеличение немагнитного зазора магнитопровода, что не всегда возможно из-за возрастания потерь на перемагничивание и значительного роста тока намагничивания трансформатора. Устройство не пригодно для снижения остаточной индукции до нуля и трансформации импульсов электроэнергии однополярного тока.

Задачей настоящего изобретения является разработка трансформатора импульсов электроэнергии однополярного тока с нулевой остаточной индукцией магнитопровода для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Технический результат достигается за счет использования вставки из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм. На фиг. 1, 2 представлена схема трансформатора со вставкой из неодимового магнита. На фиг. 3 изображен трансформатор со вставкой из неодимового магнита. Цифрами обозначены: (1) - магнитопровод трансформатора; (2) - вставка из неодимового магнита; (3) - обмотки трансформатора. Вектор индукции неодимового магнита, расположенного в зазоре магнитопровода, ориентирован навстречу вектору индукции однополярного тока, протекающего в обмотках трансформатора, и служит для снижения остаточной индукции магнитопровода Вr до нуля и, как следствие, для увеличения КПД трансформатора. В качестве магнитопровода использовали феррит марки М2000НМ со следующими характеристиками: коэрцитивная сила Нс=16 А/м; остаточная индукция Вr=0,14 Тл; индукция насыщения Bs=0,38 Тл [LTspice: компьютерное моделирование электронных схем. / Володин В.Я. - СПб. - БХВ-Петербург, 2010, - 400 с]. Работа трансформатора импульсов электроэнергии однополярного тока на частоте 60 кГц с различной скважностью импульсов S=1,1; S=2; S=10 напряжением 500 В и током от 0,5 до 1 А характеризуется следующими примерами.

Пример 1. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена до В1=0,15Тл. КПД трансформатора равен 82% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Пример 2. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена до В2=0,4 Тл. КПД трансформатора равен 92% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Пример 3. Вставка из неодимового магнита предварительно намагничена в поле соленоида без сердечника до Н=18А/м. КПД трансформатора равен 79% при различной скважности импульсов S=1,1; S=2; S=10 и токах в диапазоне 0,5 - 1 А.

Из приведенных примеров видно, что наиболее эффективным является случай, где вставка из неодимового магнита намагничена до величины индукции насыщения Bs феррита М200НМ - материла сердечника силового трансформатора.

Таким образом, предложенный трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока со вставкой из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенной в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм может служить для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.

Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока по частной петле намагничивания, отличающийся тем, что для уменьшения остаточной намагниченности до нуля используется вставка из неодимового магнита с аксиальным расположением полюсов, помещенная в зазор магнитопровода трансформатора толщиной 1 мм.
Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока
Трансформатор импульсов электроэнергии однополярного тока
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 91 items.
10.03.2016
№216.014.c143

Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии. Способ изготовления включает пропитку углеродных волокон расплавленным кремнием с удалением избыточного кремния растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. Полученный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576439
Дата охранного документа: 10.03.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
27.05.2016
№216.015.426a

Способ увеличения размеров алмазов

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585634
Дата охранного документа: 27.05.2016
12.01.2017
№217.015.580f

Трещиностойкие волокнистые керамические композиты

Изобретение относится к области высокотемпературных керамических материалов и может быть использовано при разработке конструкционных композитов с хрупкими компонентами. Трещиностойкие волокнистые керамические композиты содержат керамические матрицы и оксидные волокна. Используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002588534
Дата охранного документа: 27.06.2016
13.01.2017
№217.015.7e6d

Способ нанесения газоплотного покрытия из карбида кремния

Изобретение относится к области термозащитных и антиокислительных покрытий, и может быть использовано для повышения химической инертности и температуры эксплуатации материалов, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе и др. Способ нанесения газоплотного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601049
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.823a

Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601335
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.8350

Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод

Изобретение относится к области элементной базы терагерцовой оптотехники, в частности к волноводам для передачи терагерцового излучения. Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод представляет собой диэлектрическое тело, в котором имеются параллельные каналы, расположенные в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601770
Дата охранного документа: 10.11.2016
25.08.2017
№217.015.b151

Неорганический монокристаллический сцинтиллятор

Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613057
Дата охранного документа: 15.03.2017
25.08.2017
№217.015.bf3a

Способ получения опорных плит для обжига керамических изделий

Изобретение относится к области огнеупорных материалов и направлено на создание опорных плит (лещадок) для высокотемпературного обжига керамических изделий, таких как посуда, электроизоляторы и т.п. Для изготовления таких плит создан способ получения двухслойного кремний-углеродного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617133
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.bf9d

Состав электрода накопителя электроэнергии

Изобретение относится к области материалов для создания конденсаторов, используемых в силовой электротехнике. Состав электрода накопителя электроэнергии, содержащий смесь активного углерода со связующим, отличается тем, что он содержит несколько слоев активного углерода в структурной форме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617114
Дата охранного документа: 21.04.2017
Showing 21-30 of 34 items.
21.12.2019
№219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709548
Дата охранного документа: 18.12.2019
06.02.2020
№220.017.ff42

Способ пространственной стабилизации дуги

Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги. Способ пространственной стабилизации...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002713186
Дата охранного документа: 04.02.2020
13.03.2020
№220.018.0b07

Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716447
Дата охранного документа: 11.03.2020
25.03.2020
№220.018.0f34

Способ изготовления холодного катода

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде. После этого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717526
Дата охранного документа: 23.03.2020
28.03.2020
№220.018.115d

Коллинеарный электрод

Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717841
Дата охранного документа: 26.03.2020
03.07.2020
№220.018.2dda

Способ получения timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002725229
Дата охранного документа: 30.06.2020
20.04.2023
№223.018.4abb

Устройство защиты цепей питания постоянного тока от короткого замыкания

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике для повышения надежности работы цепей питания постоянного тока напряжением 310 В при работе на индуктивную нагрузку. Технический результат достигается за счет того, что в схеме прототипа драйвер «нижнего плеча»...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002778553
Дата охранного документа: 22.08.2022
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
+ добавить свой РИД