×
03.07.2020
220.018.2dda

Результат интеллектуальной деятельности: Способ получения TiMnAl

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и алюминия в капсулу из титана, закрытие крышкой из титана и проведение плавки во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку проводят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут с последующей закалкой расплава до комнатной температуры. Обеспечивается получение объемных слитков с однородным составом. 3 ил., 2 пр.

Ti2MnAl - спин-поляризованный бесщелевой полупроводник, перспективный материал для спинтроники.

Известен способ [Wuwei Feng, Xiao Fu, Caihua Wan, Zhonghui Yuan, Xiufeng Han, Nguyen Van Quang, Sungiae Cho. Spin gapless semiconductor like Ti2MnAl film as a new candidate for spintronics application. Phys. Status Solidi RRL 9, No. 11, 641-645 (2015)]-прототип, в котором Ti2MnAl получают путем магнетронного распыления мишени из элементарных Ti, Mn и Al. Основной недостаток способа-прототипа состоит в том, что он позволяет получать только тонкие пленки Ti2MnAl, а для ряда предполагаемых применений требуется объемный материал.

Задачей данного изобретения является получение Ti2MnAl в виде объемных слитков.

Эта задача решается в предлагаемом способе получения Ti2MnAl из элементарных Ti, Mn и Al за счет того, что навески марганца и алюминия помещают в капсулу из титана, закрывают крышкой из титана, а затем подвергают плавке во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавка производится в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730 градусов Цельсия в течение 15-20 минут, а последующая кристаллизация расплава осуществляется путем закалки до комнатной температуры.

Предлагаемым способом получены объемные слитки Ti2MnAl. На Фиг. 1 показано электронномикроскопическое изображение скола слитка, на поверхности которого в 10 точках был проведен микрорентгеноспектральный анализ, подтвердивший соответствие состава слитка заданному (Ti2MnAl). Образцы из полученных слитков демонстрируют характерную для Ti2MnAl зависимость магнитосопротивления от приложенного поля при температуре 15 К (Фиг. 2), что также подтверждает однородность состава слитков.

Параметры процесса выбраны экспериментально. При температуре ниже 1700 градусов Цельсия не происходит полного взаимного растворения компонентов сплава. Это, вероятно, обусловлено образованием тугоплавких промежуточных соединений, в том числе таких, которые остаются в равновесии с жидкой фазой вплоть до температуры плавления титана, являющегося наиболее тугоплавким компонентом в Ti2MnAl. (Температура плавления титана, по разным данным, составляет от 1668 до 1671 град. Цельсия). Увеличение температуры плавки свыше 1730 град. Цельсия не дает дальнейшего положительного эффекта.

При продолжительности плавки менее 15 минут не происходит полной гомогенизации расплава и состав полученных слитков не является однородным. Увеличение продолжительности свыше 20 минут не дает дальнейшего положительного эффекта.

Пример 1.

В капсулу из титана с крышкой из титана помещают навески марганца и алюминия. Масса титановой капсулы вместе с крышкой и массы навесок Mn и Al имеют соотношение, стехиометрическое для состава Ti2MnAl. Капсулу закрывают крышкой. Плавку проводят в атмосфере аргона. Для проведения процесса используют индукционную печь для плавки во взвешенном состоянии. Температура плавки 1700 град. Цельсия. Продолжительность плавки 20 минут. По окончании плавки индуктор печи отключают, левитация расплава прекращается, полученный материал падает на водоохлаждаемую медную подложку, поверхность которой имеет комнатную температуру. Получен объемный слиток Ti2MnAl, имеющий однородный состав по данным микрорентгеноспектрального анализа. На Фиг. 3 показан полученный слиток, расколотый для подготовки образцов для проведения микрорентгеноспектрального анализа.

Пример 2.

В капсулу из титана с крышкой из титана помещают навески марганца и алюминия. Масса титановой капсулы вместе с крышкой и массы навесок Mn и Al имеют соотношение, стехиометрическое для состава Ti2MnAl. Капсулу закрывают крышкой. Плавку проводят в атмосфере аргона. Для проведения процесса используют индукционную печь для плавки во взвешенном состоянии. Температура плавки 1730 град. Цельсия. Продолжительность плавки 15 минут. По окончании плавки индуктор печи отключают, левитация расплава прекращается, полученный материал падает на водоохлаждаемую медную подложку, поверхность которой имеет комнатную температуру. Получен объемный слиток Ti2MnAl, имеющий однородный состав по данным микрорентгеноспектрального анализа. На Фиг. 1 показан скол этого слитка, на поверхности скола в 10 точках был проведен микрорентгеноспектральный анализ. На Фиг. 2 показана зависимость магнитосопротивления от приложенного поля (при температуре 15 К), также подтверждающая однородность состава слитка.

Способ получения TiMnAl из элементарных титана, марганца и алюминия, отличающийся тем, что навески марганца и алюминия помещают в капсулу из титана, закрывают крышкой из титана, а затем подвергают плавке во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку производят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут, а последующую кристаллизацию расплава осуществляют путем закалки до комнатной температуры.
Способ получения TiMnAl
Способ получения TiMnAl
Способ получения TiMnAl
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 51-60 of 91 items.
19.07.2019
№219.017.b631

Способ получения кристаллов cdas

Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694768
Дата охранного документа: 16.07.2019
17.08.2019
№219.017.c102

Детектор субтерагерцового излучения на основе графена

Изобретение относится к области детекторов электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне частот с использованием нелинейного плазменного отклика двумерной электронной системы. Сущность изобретения: детектор на основе графена, содержащий нелинейный элемент на наноструктуре с двумерной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002697568
Дата охранного документа: 15.08.2019
02.10.2019
№219.017.cd28

Шнековый дозатор порошков тугоплавких металлов

Изобретение относится к устройствам для подачи порошков тугоплавких металлов и может быть использовано в различных отраслях промышленности, где требуется прецизионная подача порошков. Задачей настоящего изобретения является разработка шнекового дозатора порошков тугоплавких металлов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701277
Дата охранного документа: 25.09.2019
03.10.2019
№219.017.d196

Способ изготовления образцов фуллерена с для спектроскопии

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C в полированную поверхность бромида калия. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701823
Дата охранного документа: 01.10.2019
03.10.2019
№219.017.d1c0

Искусственный эритроцинкит

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701822
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d219

Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701832
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
26.10.2019
№219.017.db19

Способ пастилляции селенида цинка

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704191
Дата охранного документа: 24.10.2019
19.12.2019
№219.017.ef3e

Устройство для измерения поверхностного натяжения расплавов сталагмометрическим методом

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709422
Дата охранного документа: 17.12.2019
21.12.2019
№219.017.f00f

Способ электроэрозионной обработки поверхности молибдена

Изобретение относится к электроэрозионной обработке поверхности металлов и сплавов, используемой для повышения твердости, жаропрочности и коррозионной стойкости деталей машин. Предложен способ получения покрытия из карбида молибдена на детали из молибдена, включающий электроэрозионную обработку...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709548
Дата охранного документа: 18.12.2019
Showing 41-49 of 49 items.
20.04.2023
№223.018.4c95

Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002751059
Дата охранного документа: 07.07.2021
20.04.2023
№223.018.4cda

Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002755023
Дата охранного документа: 09.09.2021
21.04.2023
№223.018.4fc4

Способ синтеза шпинели ganbse

Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNbSe из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле. Твердофазную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745973
Дата охранного документа: 05.04.2021
14.05.2023
№223.018.56cc

Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002732334
Дата охранного документа: 15.09.2020
15.05.2023
№223.018.5c25

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c26

Сверхпроводящая цепь с эффектом близости

Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002753673
Дата охранного документа: 19.08.2021
15.05.2023
№223.018.5c68

Опора тигля для выращивания кристаллов

Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002759623
Дата охранного документа: 16.11.2021
16.05.2023
№223.018.5ecf

Электродуговой способ получения слитков timnal

Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника TiMnAl. Способ получения слитков сплава TiMnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002754540
Дата охранного документа: 03.09.2021
16.05.2023
№223.018.6357

Электродуговой способ получения прецизионного сплава timnal

Изобретение относится к области металлургии прецизионных сплавов и может быть использовано для получения сплава Гейслера. Осуществляют сплавление смеси порошков алюминия, марганца и титана в гарнисаже плазмой дугового разряда напряжением от 65 до 70 В и током от 8 до 10 А в атмосфере гелия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002776576
Дата охранного документа: 22.07.2022
+ добавить свой РИД