×
21.05.2020
220.018.1ea2

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002721338
Дата охранного документа
19.05.2020
Аннотация: Изобретение относится к акустическим способам неразрушающего контроля и может быть использовано при ультразвуковом монтаже проволок на платы для контроля качества монтажа любых видов керамических, фторопластовых и композитных подложек. Осуществляют измерение мгновенных значений тока преобразователя (I) и деформации проволоки (d) в процессе проведения микросварки. В отрезке времени после начала подачи ультразвуковой мощности в зону сварки осуществляют анализ результатов измерений. Проводят оценку размаха колебаний мгновенных значений тока УЗ преобразователя между их максимальным I и минимальным I значениями и оценку размаха колебаний мгновенных значений деформации проволоки между их максимальным d и минимальным d мгновенным значением. Вывод об отсутствии несплошностей соединения под контактной площадкой между подложкой и корпусом делают в случае I-I < 3 мА при линейном изменении деформации проволоки без колебаний ее мгновенных значений, а в случае I-I > 10 мА и d-d > 1 мкм делают вывод о наличии крупных несплошностей между соединяемыми объектами. Изобретение позволяет находить крупные дефекты без применения рентгеновской микроскопии, сделать выводы о наличии или отсутствии существенных дефектов в слое между соединяемыми объектами. 7 ил.

Изобретение относится к акустическим способам неразрушающего контроля и может применяться при ультразвуковом монтаже проволок на платы для контроля качества монтажа любых видов керамических, фторопластовых и композитных подложек как при клеевом, так и паяном соединениях. Оно может быть использовано на любых установках УЗ-микросварки, позволяющих непрерывно измерять ток УЗ преобразователя и деформацию проволок.

Известен патент US 4606490, описывающий процесс и аппаратуру контроля образования сварного соединения. Контроль осуществляется с помощью измерения тока УЗ-преобразователя во время приложения УЗ-вибраций к точке сварки. Изобретение направлено лишь на оценку поверхностных дефектов и не позволяет провести оценку наличия несплошностей в паяном или клеевом соединениях подложки и корпуса.

Также известен патент US 6308881, описывающий процесс и аппаратуру контроля образования сварного соединения. Оценка осуществляется через постоянный контроль деформации проволоки в точке сварки и импеданса УЗ-системы. Изобретение предлагает способ совершенствования качества сварки посредством организации контроля деформации проволоки в точке сварки и импенданса УЗ-системы и регулирования уровня вывода ультразвука для достижения определенных параметров качества сварки. Изобретение не предлагает возможности наглядной оценки наличия дефектов под контактной площадкой подложки.

Предлагаемое изобретение позволяет преодолеть недостатки известных технических решений в этой области. Осуществляется оценка изменения тока УЗ преобразователя, изменения деформации, и их продолжительности при увеличении мощности УЗ колебаний. Предлагаемое изобретение предоставляет достаточно простой и не затратный способ неразрушающего контроля качества монтажа подложек, при использовании которого возможно определение наличия имеющихся дефектов под контактной площадкой подложки, либо их отсутствие. Технический результат заявляемого способа состоит в совершенствовании техники контроля образования микросварных соединений между проволоками и контактными площадками подложек, позволяющем выявлять крупные дефекты в любых клеевых или паяных соединениях, например, подложек и корпусов приборов. Изобретение позволяет находить крупные дефекты без применения рентгеновской микроскопии. Кроме того, дает возможность заранее отбраковать дефектные приборы, тем самым уменьшая процент отказов годных при дальнейшей эксплуатации.

На Фиг. 1 представлена блок-схема предлагаемого способа. На начальном этапе прибор закрепляется в оснастке термостола установки УЗ-микросварки для исключения смещений и колебаний корпуса прибора при монтаже проволок. Далее осуществляется монтаж проволок на подложках с помощью термо-ультразвуковой микросварки обычным способом, например, при разварке поликоровых плат согласования мощного СВЧ транзистора за очень короткий интервал времени устанавливается механический контакт между двумя свариваемыми поверхностями (проволока и контактная площадка), далее, при приложении сварочного усилия, вибрирующий инструмент начинает деформировать проволоку, через проволоку-подложку-корпус транзистора происходит поглощение ультразвуковых колебаний (осцилляций), энергия которых идет на образование сварного соединения между проволокой и металлизацией. Параллельно производится автоматическое построение графиков изменения тока преобразователя и деформации проволоки в течение процесса сварки, которое может быть осуществлено с помощью стандартного оборудования. Ток УЗ-преобразователя рассчитывается из измерения падения напряжения на низкоомном резисторе в выходной цепи генератора, деформация проволоки определяется линейным датчиком положения сварочной головки. На основе произведенных измерений производится оценка профилей тока преобразователя и деформации. Если в системе есть механические вибрации, ухудшающие акустические условия в зоне сварки, то это можно наблюдать на графике изменения тока преобразователя в виде затухающих или незатухающих колебаний. Если, после начала подачи ультразвуковой мощности в зону сварки, флуктуации тока незначительны и разница между максимумом и минимумом составляет не более 3 мА, например, как это изображено на Фиг. 2, а деформация меняется линейно и без колебаний, например, как это изображено на Фиг. 4, то в данном случае можно утверждать об отсутствии крупного дефекта под контактной площадкой. В данном случае, характер изменения тока преобразователя указывает на дефект, связанный с металлизацией контактной площадки, ее загрязнением. Однако, если, после начала подачи ультразвуковой мощности в зону сварки, наблюдаются значительные колебания тока преобразователя и разница между минимумом и максимумом составляет более 10 мА, например, как это изображено на Фиг. 3, присутствуют колебания деформации с размахом более 1 мкм, например, как это изображено в выделенной красным контуром области на Фиг. 5, то это указывает на крупный дефект под контактной площадкой подложки, при этом, как правило, площадь дефекта составляет более 20% от площади подложки.

На Фиг. 2 представлен график изменения колебаний тока ультразвукового преобразователя при выполнении сварок на бездефектной подложке с течением времени. Незначительные флуктуации вызваны металлизацией контактных площадок и неидеальностью ультразвуковой системы.

На Фиг. 3 представлен график изменения колебаний тока ультразвукового преобразователя при выполнении сварок для случая присутствия крупных дефектов под контактной площадкой подложки с течением времени. Затухание колебаний происходит только к самому концу цикла сварки.

На Фиг. 4 представлен график изменения деформации проволоки в точке сварки на бездефектной подложке с течением времени.

На Фиг. 5 представлен график изменения деформации проволоки в точке сварки для случая присутствия крупных дефектов под контактной площадкой подложки с течением времени.

На Фиг. 6 представлен контрастный рентгеновский снимок паяного слоя с небольшими дефектами под поликоровыми платами внутрисогласованного СВЧ транзистора. На Фиг. 7 представлен контрастный рентгеновский снимок крупнодефектного паяного слоя под поликоровыми платами внутрисогласованного СВЧ транзистора. Профили изменения тока УЗ преобразователя и деформации на Фиг. 2,4 соответствуют сваркам, выполненным в выделенных красных контуром областях на Фиг. 7 - отсутствуют крупные области несплошности, а Фиг. 3, 5 соответствуют сваркам, выполненным в выделенных областях на Фиг. 6 - под платой присутствуют крупные дефекты.

Способ выявления несплошностей в местах осуществления ультразвуковой микросварки, включающий осуществление измерений мгновенных значений тока преобразователя (I) и деформации проволоки (d) в процессе проведения микросварки, отличающийся тем, что в отрезке времени после начала подачи ультразвуковой мощности в зону сварки осуществляют анализ результатов таких измерений, состоящий в оценке размаха колебаний мгновенных значений тока УЗ преобразователя между их максимальным I и минимальным I значениями и оценке размаха колебаний мгновенных значений деформации проволоки между их максимальным d и минимальным d мгновенным значением, при этом вывод об отсутствии несплошностей соединения под контактной площадкой между подложкой и корпусом делают в случае I-I < 3 мА при линейном изменении деформации проволоки без колебаний ее мгновенных значений, а в случае I-I > 10 мА и d-d > 1 мкм делают вывод о наличии крупных несплошностей между соединяемыми объектами.
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА МОНТАЖА ПОДЛОЖЕК ВО ВРЕМЯ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ МИКРОСВАРКИ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 23 items.
25.08.2017
№217.015.cd95

Паста для металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002619616
Дата охранного документа: 17.05.2017
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
20.01.2018
№218.016.1102

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633894
Дата охранного документа: 19.10.2017
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
10.05.2018
№218.016.47a3

Структура кристалла высоковольтного полупроводникового прибора, высоковольтной интегральной микросхемы (варианты)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650814
Дата охранного документа: 17.04.2018
18.05.2018
№218.016.5121

Многоканальное коммутирующее устройство свч с изолированными электродами

Изобретение относится к полупроводниковым изделиям, предназначенным для СВЧ управляющих устройств. Сущность изобретения заключается в том, что коммутирующее устройство СВЧ с изолированными электродами изготовлено на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653180
Дата охранного документа: 07.05.2018
13.11.2018
№218.016.9ca5

Свч переключатель с изолированными электродами

Использование: для создания нового поколения СВЧ элементной базы и МИС СВЧ на основе графена. Сущность изобретения заключается в том, что переключатель СВЧ изготовлен на графене, где в качестве подложки использован кремний, затем последовательно размещены слой оксида кремния (SiO),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672159
Дата охранного документа: 12.11.2018
20.05.2019
№219.017.5cd1

Металлокерамический корпус силового полупроводникового модуля на основе высокотеплопроводной керамики и способ его изготовления

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов силовых полупроводниковых модулей. Техническим результатом изобретения является создание герметичного металлокерамического корпуса силового полупроводникового модуля, обладающего низкими...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688035
Дата охранного документа: 17.05.2019
Showing 1-2 of 2 items.
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.05.2019
№219.017.5d32

Способ сборки гибридной фотоэлектрической схемы при непараллельном монтаже элементов

Изобретение относится к электронной технике, а именно, касается технологии изготовления гибридных микросхем, и может быть использовано в производстве гибридных фотоэлектрических сборок путем микросварки. В частности, в инфракрасной фотоэлектронике используются гибридные сборки...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688037
Дата охранного документа: 17.05.2019
+ добавить свой РИД