×
25.08.2017
217.015.cd95

Результат интеллектуальной деятельности: ПАСТА ДЛЯ МЕТАЛЛИЗАЦИИ АЛЮМОНИТРИДНОЙ КЕРАМИКИ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002619616
Дата охранного документа
17.05.2017
Аннотация: Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности из металлизированной высокотеплопроводной алюмонитридной (AlN) керамики. Техническим результатом настоящего изобретения является повышение адгезии металлизации к керамике, что позволяет осуществлять высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода. Указанный технический результат обеспечивается тем, что в состав пасты для металлизации алюмонитридной керамики, включающий молибден и марганец, введен тальк при следующих соотношениях компонентов, мас. %: Мо 78-80, Mn 5, тальк 15-17. 1 табл.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для изготовления электронных приборов большой мощности.

В настоящее время в электронной технике все большее применение находит высокотеплопроводная алюмонитридная (A1N) керамика. При этом особенное внимание уделяется решению вопросов, связанных с ее металлизацией. Безуспешными оказались попытки металлизировать A1N керамику известными пастами для металлизации алюмооксидной керамики.

В известном способе металлизации (1) электропроводные элементы выполняют в виде слоев из порошкообразных смесей тугоплавких металлов вольфрама, и/или молибдена, и/или никеля с керамической добавкой того же состава, что и керамика. Электропроводящие элементы при этом вжигают в алюмонитридную подложку совместно и одновременно с ее спеканием в защитной газовой атмосфере азота в смеси с водородом или без него при той же высокой температуре в диапазоне 1700-1900°С. Однако используемый состав для металлизации пригоден только для металлизации сырых, неспеченных керамических изделий и не предназначен для металлизации спеченных пластин, отшлифованных в размер.

Известна металлизационная паста (2), предназначенная для металлизации алюмонитридной керамики, включающая молибден, марганец и SiO2.

Данную пасту можно использовать для металлизации алюмооксидной керамики. Данное техническое решение не может обеспечить достаточную адгезию металлизации к алюмонитридной керамике при пайке высокотемпературным припоем, в то время как во многих случаях, например в корпусах полупроводниковых приборов, требуется адгезия 5 кг/мм и более.

Наиболее близким техническим решением является состав пасты (3) для металлизации алюмонитридной керамики, включающей молибден, марганец, оксид кремния и оксид магния при следующих соотношениях компонентов (масс. доля), %:

Мо - 78-80

Mn – 5

SiO2 - 10-15

MgO - 5.

Техническим результатом настоящего изобретения является паста для металлизации A1N керамики с повышенной адгезией металлизации к керамике и допускающая высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что в состав пасты для металлизации алюмонитридной керамики, включающий молибден и марганец, введен тальк при следующих соотношениях компонентов (масс. доля), %:

Мо - 78-80

Mn – 5

Тальк - 15-17.

Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.

Паста на основе тугоплавких металлов для металлизации A1N керамики, обеспечивающая повышенную адгезию металлизации к керамике и допускающая высокотемпературную пайку металлизированной керамики в среде водорода, получена благодаря введению в состав пасты, содержащей молибден и марганец, нового компонента, а именно талька, в заявленных соотношениях. Устойчивый к среде водорода переходный слой между A1N керамикой и электропроводящим слоем металлизации с повышенной адгезией металлизации к керамике обеспечивается за счет комплексного взаимодействия молибдена, марганца и входящих в состав талька 31,7% MgO, 63,5% SiO2 и 4,8% Н2О. Поскольку в составе талька содержится H2O, не требуется предварительного окисления алюмонитридной керамики. Состав пасты вместо молибдена может содержать вольфрам.

Введение в состав более высокого количества талька по сравнению с заявленным соотношением (масс. доля), %: Мо - 78-80, Mn - 5, тальк - 15-17, не приводит к повышению адгезии металлизации к A1N керамике, но снижает электропроводность металлизации.

Пример. Пасту получали смешиванием порошков из материалов с составами, приведенными в таблице 1. Порошки смешивали в шаровой мельнице. За основу связки использовали поливинилбутираль с терпиниолом. Затем пасту наносили через сеткотрафарет на пластины из A1N керамики и помещали в высокотемпературную печь. Вжигание металлизации проводили в среде водорода при температурах 1340-1380°С в течение 60 минут.

На полученных образцах была замерена прочность сцепления металлизации с керамикой после пайки припоем на основе серебра при температуре 820°С. Прочность сцепления металлизации с керамикой, в сравнении с прототипом, существенно увеличилась.

Результаты измерений приведены в таблице 1.

Источники информации

1. Патент РФ №2154361 от 10.08.2000.

2. В.Н. Батыгин, И.И. Метелкин, A.M. Решетников. Вакуумно-плотная керамика и ее спаи с металлами. - М.: Энергия, 1973, с. 254-255.

3. Патент РФ №2528815 от 24.07.2014.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 27 items.
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6bd2

Способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для электронных приборов большой мощности. Сущность изобретения заключается в том, что перед операциями металлизации алюмонитридной керамики проводят предварительную термообработку керамики в перегретых парах воды при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559160
Дата охранного документа: 10.08.2015
29.12.2017
№217.015.f290

Устройство для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки (варианты)

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к вариантам устройства для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки. В первом варианте устройство включает трубку-кожух со штуцером и уплотнительную эластичную манжету, расположенную в верхней части трубки-кожуха....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637820
Дата охранного документа: 07.12.2017
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
20.01.2018
№218.016.1102

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633894
Дата охранного документа: 19.10.2017
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
10.05.2018
№218.016.47a3

Структура кристалла высоковольтного полупроводникового прибора, высоковольтной интегральной микросхемы (варианты)

Использование: полупроводниковая техника, силовая электроника, высоковольтные полупроводниковые приборы и микросхемы. Технический результат: повышенное напряжение пробоя кристалла высоковольтного прибора или микросхемы за счет уменьшенного влияния краевых полей в структуре кристалла. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002650814
Дата охранного документа: 17.04.2018
Showing 1-10 of 16 items.
20.09.2014
№216.012.f606

Металлизационная паста и способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники, в частности металлизации алюмонитридной керамики с высокой теплопроводностью для электронных приборов с высокой рассеиваемой мощностью. Изобретение позволяет получать металлизированные изделия из алюмонитридной керамики с повышенной адгезией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528815
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.07.2015
№216.013.6892

Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002558323
Дата охранного документа: 27.07.2015
10.08.2015
№216.013.6bd2

Способ металлизации алюмонитридной керамики

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для электронных приборов большой мощности. Сущность изобретения заключается в том, что перед операциями металлизации алюмонитридной керамики проводят предварительную термообработку керамики в перегретых парах воды при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002559160
Дата охранного документа: 10.08.2015
29.12.2017
№217.015.f290

Устройство для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки (варианты)

Группа изобретений относится к медицинской технике, а именно к вариантам устройства для чрескожного удаления фрагментов камней из полости почки. В первом варианте устройство включает трубку-кожух со штуцером и уплотнительную эластичную манжету, расположенную в верхней части трубки-кожуха....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002637820
Дата охранного документа: 07.12.2017
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
20.01.2018
№218.016.1102

Способ плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения изолирующих диэлектрических покрытий на гетероструктурах нитрид-галлиевых полупроводниковых приборов

Изобретение относится к технологии осаждения изолирующих и пассивирующих диэлектрических покрытий на подложках типа AlGaN/AlN/GaN методом плазмо-стимулированного атомно-слоевого осаждения из металлоорганических прекурсоров таким образом, чтобы получить сниженные токи утечки и пассивацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633894
Дата охранного документа: 19.10.2017
20.01.2018
№218.016.1acc

Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов путем бесфлюсовой пайки в защитной среде и может быть использовано при сборке кристаллов в корпуса силовых и усилительных приборов. Способ пайки кристаллов дискретных полупроводниковых приборов к корпусу включает...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636034
Дата охранного документа: 20.11.2017
20.01.2018
№218.016.1d9e

Псевдоморфное коммутирующее устройство на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий. Коммутирующее устройство является псевдоморфным, изготовленным на базе гетероструктуры AlGaN/InGaN, а емкостный элемент представляет собой конденсатор. Кроме того, коммутирующее устройство включает подложку из сапфира, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640966
Дата охранного документа: 12.01.2018
20.01.2018
№218.016.1e2b

Псевдоморфный ограничитель мощности на основе гетероструктуры algan/ingan

Изобретение относится к области полупроводниковых изделий и может быть использовано при создании нового поколения СВЧ элементной базы и интегральных схем на основе гетероструктур широкозонных полупроводников. Технический результат: повышение надежности устройства и плотности носителей,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002640965
Дата охранного документа: 12.01.2018
01.07.2018
№218.016.6963

Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении мощных гибридных СВЧ интегральных схем повышенной надежности, герметизируемых шовно-роликовой или лазерной сваркой. Техническим результатом изобретения является обеспечение герметизации корпуса...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659304
Дата охранного документа: 29.06.2018
+ добавить свой РИД