×
13.03.2020
220.018.0b07

Результат интеллектуальной деятельности: Тигель для выращивания кристаллов на затравку

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002716447
Дата охранного документа
11.03.2020
Аннотация: Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2. Технический результат состоит в упрощении конструкции, позволяющем осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлекать кристалл без отрыва от затравки. 2 ил.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов из расплава на затравку.

Известен тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку [Ya-bu Shuichi. Apparatus and method for manufacturing single crystal. JP 2006219352 (A)] - прототип, в котором затравочная камера выполнена в виде глухого отверстия в хвостовике тигля, просверленного с внутренней стороны тигля.

Основной недостаток конструкции состоит в том, что в такой затравочной камере сложно размещать затравку, так как ее нужно вводить с внутренней стороны тигля. При большой глубине и небольшом внутреннем диаметре корпуса тигля установить затравку вручную становится невозможным и требуется специальное приспособление. Кроме того, такой тигель сложен в изготовлении - затравочная камера должна быть соосна с хвостовиком и корпусом тигля, а разметка и высверливание камеры возможны только внутри тигля. Сложным оказывается и извлечение кристалла, так как во многих реальных процессах роста кристаллов затравку может заклинить в затравочной камере. В результате кристалл при извлечении может оторваться от затравки, что приведет к образованию трещин и других повреждений.

Задачей настоящего изобретения является упрощение конструкции, позволяющее осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлечение кристалла без отрыва от затравки.

Поставленная задача решается тем, что в известном тигле, состоящем из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.

Пример конкретного исполнения такого тигля показан на Фиг. 1 (сборочный чертеж) и Фиг. 2 (деталировка), где 1 - корпус тигля, 2 - хвостовик, 3 - затравочная камера, 4 - пробка.

Тигель работает следующим образом. Затравка помещается в затравочную камеру 3 со стороны хвостовика 2. Затем затравочная камера закрывается пробкой 4. В корпус тигля 1 помещается исходная загрузка для выращивания кристалла. Тигель устанавливается на шток ростовой установки и проводится процесс выращивания кристалла. По окончании процесса тигель извлекается из ростовой установки, пробка 4 выкручивается из хвостовика 2, а кристалл извлекается путем механического выталкивания его вместе с затравкой со стороны хвостовика (через затравочную камеру).

Предлагаемая конструкция тигля упрощает процесс разметки и высверливания затравочной камеры, так как эти работы могут быть выполнены со стороны хвостовика. Сквозная затравочная камера позволяет легко устанавливать затравку, например, вручную, независимо от высоты и внутреннего диаметра корпуса тигля, так как установка затравки производится со стороны хвостовика. Извлечение выращенного кристалла путем механического выталкивания его вместе с затравкой через затравочную камеру исключает отрыв кристалла от затравки.

Резьбовое соединение пробки 4 с хвостовиком 2 выбрано из соображений надежности крепления.

Тигель может быть использован в процессах роста кристаллов из расплава методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями.

Материал тигля может быть выбран в зависимости от свойств соединения, кристалл которого выращивается. Например, для халькогенидов цинка и кадмия, имеющих высокие температуры плавления (ZnS, CdS, ZnSe, CdSe), учитывая химическую агрессивность их расплавов и паров, можно использовать графит.

Тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку, состоящий из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, отличающийся тем, что затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Тигель для выращивания кристаллов на затравку
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 91 items.
10.03.2016
№216.014.c143

Способ изготовления высокотемпературного фильтрующего материала для агрессивных жидкостей и газов

Изобретение относится к области химической технологии. Способ изготовления включает пропитку углеродных волокон расплавленным кремнием с удалением избыточного кремния растворением в смеси плавиковой и азотной кислот. Полученный фильтрующий материал образован нитями карбида кремния в текстильной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002576439
Дата охранного документа: 10.03.2016
10.05.2016
№216.015.3dc7

Фотохромное люминесцентное стекло

Изобретение относится к области материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Фотохромное люминесцентное стекло содержит оксид европия EuO в концентрации 0,43-0,49% (мас.) и тетраборат лития LiBO (остальное). Стекло интенсивно люминесцирует при воздействии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002583967
Дата охранного документа: 10.05.2016
27.05.2016
№216.015.426a

Способ увеличения размеров алмазов

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002585634
Дата охранного документа: 27.05.2016
12.01.2017
№217.015.580f

Трещиностойкие волокнистые керамические композиты

Изобретение относится к области высокотемпературных керамических материалов и может быть использовано при разработке конструкционных композитов с хрупкими компонентами. Трещиностойкие волокнистые керамические композиты содержат керамические матрицы и оксидные волокна. Используют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002588534
Дата охранного документа: 27.06.2016
13.01.2017
№217.015.7e6d

Способ нанесения газоплотного покрытия из карбида кремния

Изобретение относится к области термозащитных и антиокислительных покрытий, и может быть использовано для повышения химической инертности и температуры эксплуатации материалов, используемых в авиакосмической промышленности, топливо-энергетическом комплексе и др. Способ нанесения газоплотного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601049
Дата охранного документа: 27.10.2016
13.01.2017
№217.015.823a

Способ нанесения массивов углеродных нанотрубок на металлические подложки

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано для изготовления автоэлектронных эмиттеров. Углеродные нанотрубки осаждают на металлические подложки в дуговом реакторе в рабочей атмосфере на основе инертного газа, содержащей водород 8-10 об.% и гелий - остальное. Металлические...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601335
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.8350

Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод

Изобретение относится к области элементной базы терагерцовой оптотехники, в частности к волноводам для передачи терагерцового излучения. Сапфировый терагерцовый фотонно-кристаллический волновод представляет собой диэлектрическое тело, в котором имеются параллельные каналы, расположенные в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601770
Дата охранного документа: 10.11.2016
25.08.2017
№217.015.b151

Неорганический монокристаллический сцинтиллятор

Изобретение относится к новым неорганическим кристаллическим сцинтилляционным материалам на основе бромида лантана, легированного церием, и может быть использовано для регистрации ионизирующего излучения – гамма-квантов, рентгеновского излучения, космических излучений, элементарных частиц в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613057
Дата охранного документа: 15.03.2017
25.08.2017
№217.015.bf3a

Способ получения опорных плит для обжига керамических изделий

Изобретение относится к области огнеупорных материалов и направлено на создание опорных плит (лещадок) для высокотемпературного обжига керамических изделий, таких как посуда, электроизоляторы и т.п. Для изготовления таких плит создан способ получения двухслойного кремний-углеродного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617133
Дата охранного документа: 21.04.2017
25.08.2017
№217.015.bf9d

Состав электрода накопителя электроэнергии

Изобретение относится к области материалов для создания конденсаторов, используемых в силовой электротехнике. Состав электрода накопителя электроэнергии, содержащий смесь активного углерода со связующим, отличается тем, что он содержит несколько слоев активного углерода в структурной форме...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002617114
Дата охранного документа: 21.04.2017
Showing 21-30 of 48 items.
21.03.2019
№219.016.eb97

Электрод для дуговой плавки металлов

Изобретение относится к электроду для дуговой плавки металлов и может быть использовано для плавления металлических порошков, прецизионной сварки тонколистовых металлов и изготовления деталей сложной геометрической формы в среде защитных газов. Электрод для дуговой плавки металлов содержит...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682553
Дата охранного документа: 19.03.2019
28.06.2019
№219.017.9968

Устройство компенсации активных помех

Изобретение относится к радиолокации, может быть использовано в аппаратуре обнаружения целей на фоне комбинированных помех - активных излучений и пассивных отражений. Технический результат - повышение эффективности подавления активных помех, действующих по главному лепестку диаграммы...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002692690
Дата охранного документа: 26.06.2019
19.07.2019
№219.017.b631

Способ получения кристаллов cdas

Изобретение относится к области выращивания кристаллов диарсенида трикадмия. Кристаллы CdAs получают кристаллизацией капель расплава стехиометрического состава, свободно падающих в атмосфере аргона, находящегося под давлением 5±0,5 МПа, причем градиент температуры на пути падения капель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002694768
Дата охранного документа: 16.07.2019
02.10.2019
№219.017.cd28

Шнековый дозатор порошков тугоплавких металлов

Изобретение относится к устройствам для подачи порошков тугоплавких металлов и может быть использовано в различных отраслях промышленности, где требуется прецизионная подача порошков. Задачей настоящего изобретения является разработка шнекового дозатора порошков тугоплавких металлов для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701277
Дата охранного документа: 25.09.2019
03.10.2019
№219.017.d196

Способ изготовления образцов фуллерена с для спектроскопии

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов и может быть использовано в инфракрасной спектроскопии. Образцы фуллерена C для съемки спектров пропускания инфракрасного излучения изготавливают механическим втиранием порошка C в полированную поверхность бромида калия. Способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701823
Дата охранного документа: 01.10.2019
03.10.2019
№219.017.d1c0

Искусственный эритроцинкит

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия AlS - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701822
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d219

Тигель для выращивания кристаллов халькогенидов металлов вертикальной зонной плавкой

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель. Графитовый тигель состоит из корпуса и крышки 1, имеющей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701832
Дата охранного документа: 01.10.2019
04.10.2019
№219.017.d285

Способ получения кристаллов cosns

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов CoSnS, которые могут быть использованы в области экспериментальной физики как полуметаллический ферромагнетик, обладающий также свойствами полуметалла Вейля. Способ получения кристаллов CoSnS в вакуумированной ампуле из расплава...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701915
Дата охранного документа: 02.10.2019
26.10.2019
№219.017.db19

Способ пастилляции селенида цинка

Изобретение относится к технологии получения селенида цинка – широкозонного полупроводника, применяемого в технике в виде объемных поли- и монокристаллов, а также тонких пленок, получаемых термическим распылением кристаллической крошки, для которого наиболее подходящим является материал с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002704191
Дата охранного документа: 24.10.2019
19.12.2019
№219.017.ef3e

Устройство для измерения поверхностного натяжения расплавов сталагмометрическим методом

Устройство относится к измерительной технике для физических исследований свойств жидкостей. Устройство позволяет измерять поверхностное натяжение химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ с высокими (больше 0,1 МПа) давлениями собственных паров над жидкой фазой, находящихся в инертной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002709422
Дата охранного документа: 17.12.2019
+ добавить свой РИД