Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления защитной изолирующей пленки.

Известен способ изготовления прибора [Патент 5306945 США, МКИ H01L 29/34], предотвращающий влияние подвижных ионов на функциональные характеристики и надежность, покрытой тонким оксидным слоем и слоем борофосфоросиликатным стеклом, формированием рамки из вольфрама или сплава вольфрама, расположенная в соответствующей прямоугольной канавке на периферии кристалла. Нижняя поверхность рамки контактирует с легированной полоской р+ или n+ типа, расположенной в подложке комформно с рамкой. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.

Известен способ изготовления прибора [Патент 5362686 США, МКИ H01L 21/02] с защитной изолирующей пленкой. На полупроводниковой подложке выполняют разводку межсоединений для данного прибора, после чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку оксинитрида кремния, используя метод осаждения из паровой фазы силана и азотсодержащего газа.

Недостатками этого способа являются:

- повышенные значения тока утечки;

- низкая технологичность;

- высокая дефектность.

Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.

Задача решается формированием пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-90 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.

Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости, ориентации (100) формируют активные области прибора и разводку межсоединений для данного прибора по стандартной технологии. После чего наносят на подложку и систему межсоединений пленку арсенид силикатного стекла. Пленку арсенид силикатного стекла формируют толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-90 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы.

Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,2%.

Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.

Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования пленки арсенид силикатного стекла толщиной 350 нм со скоростью осаждения 2,2 нм/с, окислением SiH4 и AsH3 при температуре 500°С, подавая в реактор 1% SiH4 в потоке аргона 380 см³/мин, 1% AsH3 в потоке аргона 50 см³/мин и кислород 80-100 см³/мин, с последующим отжигом при температуре 600°С в течении 50 с, позволяет повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.