×
19.06.2019
219.017.84e2

Результат интеллектуальной деятельности: ФЕРРИТОВЫЙ МАТЕРИАЛ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к области металлургии, а именно к ферритовым материалам, используемым в технике СВЧ. Техническим результатом изобретения является снижение значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJ, повышение выхода годных невзаимных развязывающих СВЧ устройств путем повышения стабильности значений намагниченности - J в рабочем интервале температур -60-+85°С при сохранении высоких значений намагниченности насыщения - J и низких значений тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь в миллиметровом диапазоне длин волн. Технический результат достигается тем, что предложен ферритовый материал на основе Li-феррошпинели, содержащий оксиды лития, титана, цинка, марганца, железа и фторид лития при следующем соотношении компонентов, в вес.%: оксид лития LiO - 2,753-3,39, оксид титана TiO - 0,001-5,71, оксид цинка ZnO - 7,67-7,903, оксид марганца MnO - 4,12-6,21, оксид железа FeО - 76,98-83,285, фторид лития LiF - 0,20-0,40. 1 табл.

Изобретение относится к технике СВЧ, в частности к ферритовым материалам, предназначенным для создания невзаимных развязывающих СВЧ устройств: вентилей, циркуляторов, работающих в интервале температур -60-+85°С, миллиметрового диапазона длин волн.

Создание указанных невзаимных развязывающих СВЧ-устройств требует ферритовых материалов, обладающих:

- высокими значениями намагниченности насыщения - Js порядка - 380 кА/м;

- низкими значениями температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка менее 0,1%/град в рабочем интервале температур -60-+85°С миллиметрового диапазона длин волн;

- высокой стабильностью значений намагниченности насыщения в вышеуказанном интервале температур;

- низкими значениями тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь - (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка 6×10-4.

Ферритовые материалы параметрического ряда LiZn в совокупности с другими компонентами могут обеспечивать указанные параметры.

Известен ферритовый материал на основе Li-феррошпинели [1], содержащий следующие компоненты, вес.%:

Оксид лития Li2О3,01-3,53
Оксид титана TiO20,1-2,97
Оксид цинка ZnO4,11-4,22
Оксид марганца MnO22,21-6,47
Оксид ниобия Nb2О51,32-2,36
Оксид железа Fe2O381,48-88,21

Рентгеноструктурный анализ данного ферритового материала показывает наличие основной фазы шпинели и второй фазы - LiNbO3, образующейся в результате взаимодействия оксидов лития и ниобия, который:

- во-первых, распределясь по границам зерен, препятствует их росту и тем самым обеспечивает высокую однородность микроструктуры - зернистость, низкую пористость и высокую плотность,

- во-вторых, ниобат лития (LiNbO3) является хорошим диэлектриком с сопротивлением, равным 1014 Ом/см и его наличие в ферритовом материале в совокупности с оксидом марганца обеспечивает ферритовому материалу низкие значения тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка 6×10-4 в миллиметровом диапазоне длин волн.

Наличие оксида титана в ферритовом материале в совокупности с оксидом цинка с одной стороны повышает значения намагниченности насыщения - Js, но с другой стороны уменьшает температуру Кюри - а, следовательно, увеличивает значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs.

Таким образом, данный ферритовый материал обладает высокими значениями намагниченности насыщения - Js порядка 360 кА/м, низкими значениями тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка 6×10-4 и высокими значениями температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка 0,15%/град, последнее затрудняет использование данного ферритового материала в невзаимных развязывающих СВЧ-устройствах, работающих в интервале температур -60-+85°С, миллиметрового диапазона длин волн, из-за:

- во-первых, повышения требований к настройке параметров невзаимных развязывающих СВЧ-устройств, связанные с запасом по прямым и обратным потерям в рабочей полосе частот при комнатной температуре,

- во-вторых, низкого выхода годных невзаимных развязывающих СВЧ-устройств, способных работать в указанном выше интервале температур.

Известен ферритовый материал на основе Li-феррошпинели, содержащей, вес.%:

Оксид лития Li2O2,62-3,5
Оксид титана TiO20,09-2,95
Оксид цинка ZnO3,76-3,98
Оксид марганца MnO22,14-5,77
Оксид ниобия Nb2O51,31-2,06
Оксид молибдена МоО30,78-1,11
Оксид железа Fe2О384,60-85,35

прототип [2].

Рентгеноструктурный анализ данного ферритового материала показывает, как и в первом аналоге, наличие основной фазы шпинели и второй фазы - LiNbO3, который обеспечивает вышеназванные преимущества ферритового материала - аналога, а именно достаточно высокие значения намагниченности насыщения - Js, низкие значения тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка 6,8×10-4 и данному ферритовому материалу.

Кроме того, наличие в данном ферритовом материале дополнительно оксида молибдена обеспечивает по сравнению с аналогом еще более повышение намагниченности насыщения - Js порядка 380 кА/м, а также уменьшение значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка 0,1%/град.

Однако и данные значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs ферритового материала являются недостаточными для использования и данного ферритового материала в невзаимных развязывающих СВЧ-устройствах, работающих в интервале температур -60-+85°С, миллиметрового диапазона длин волн.

Кроме того, данный ферритовый материал отличается низкой стабильностью значений намагниченности насыщения - Js в вышеуказанном интервале температур, что определяет и низкий выход годных невзаимных развязывающих СВЧ-устройств.

Техническим результатом изобретения является снижение значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs, повышение выхода годных невзаимных развязывающих СВЧ-устройств путем повышения стабильности значений намагниченности насыщения - Js в рабочем интервале температур -60-+85°С при сохранении высоких значений намагниченности насыщения - Js и низких значений тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) миллиметрового диапазона длин волн.

Технический результат достигается тем, что известный ферритовый материал на основе Li-феррошпинели, содержащий оксиды лития, титана, цинка, марганца, железа, дополнительно содержит фторид лития в количестве 0,20-0,40 при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Оксид лития Li2O2,753-3,39
Оксид титана TiO20,001-5,71
Оксид цинка ZnO7,67-7,903
Оксид марганца MnO24,12-6,21
Оксид железа Fe2О376,98-83,285
Фторид лития LiF0,20-0,40

Наличие фторида лития в количестве 0,20-0,40 в совокупности с другими компонентами и указанном их соотношении в ферритовом материале обеспечивает:

- во-первых, снижение значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs в рабочем интервале температур -60-+85°С,

- во-вторых, стабильность значений намагниченности насыщения - Js в вышеуказанном интервале температур.

Это стало возможным в результате замещения ионов кислорода с отрицательной валентностью О-2 на более электроотрицательный ион фтора F1-, что приводит к образованию цепочек в кристаллической решетке в виде октаэдров (FeO6-xFx) и тетраэдров (Fe3O4-xFx), и, как следствие, к уменьшению параметров кристаллической решетки с 8,375 до 8,361-8,367 Å, что в свою очередь приводит к усилению обменного процесса взаимодействия вышеназванных цепочек и, как следствие, как было сказано выше:

- во-первых, снижению значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs в рабочем интервале температур -60-+85°С,

- во-вторых, повышению стабильности значений намагниченности насыщения - Js в вышеуказанном интервале температур.

При этом указанное соотношение компонентов обеспечивает сохранение высоких значений намагниченности насыщения - Js и низких значений тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) миллиметрового диапазона длин волн.

Последние обеспечиваются в том числе снижением электропроводности ферритового материала благодаря наличия в нем фторида лития.

Наличие фторида лития в количестве менее 0,20 и более 0,40 вес.% нежелательно, так как приводит:

- во-первых, к образованию низкой однородности микроструктуры - разнозернистости, повышению пористости и снижению плотности,

- во-вторых, к повышению значений температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs,

- в-третьих, увеличению значений тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)).

Пример 1.

Ферритовый материал изготавливают по стандартной керамической технологии.

Берут оксид лития, оксид титана, оксид цинка, оксид марганца, оксид железа, фторид лития в количестве в вес.% 3,18, 3,78, 7,67, 4,12, 81,25, 0,3 соответственно.

При этом фторид лития берут сверхстехиометрического состава.

Затем смесь исходных компонентов прокаливают последовательно при следующих температурах и в течение времени:

400°С - 1 час,

500°С - 2 часа,

725°С - 5 часов,

после чего шихту размалывают, вводят в нее раствор поливинилового спирта, прессуют из нее заготовки и проводят их окончательное спекание последовательно при следующих температурах и в течение времени:

100°С - 1 час,

200°С - 1 час,

350°С - 2 часа,

1050-1125°С - 7 часов, при скорости нагрева, равной 100°С/час.

После окончания спекания образцы ферритового материала охлаждают до 700°С, при скорости охлаждения, равной 100°С/час.

Примеры 2-5.

Аналогично были изготовлены образцы ферритового материала, но при других соотношениях компонентов, как указанных в формуле изобретения (примеры 2-3), так и выходящих за ее пределы (примеры 4-5).

Также были изготовлены образцы ферритового материала согласно соотношению компонентов прототипа.

На изготовленных образцах ферритового материала были измерены значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs в рабочем интервале температур -60-+85°С, значения намагниченности насыщения - Js, значения тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь

(tgδ=∑(tgδ+tgδμ)).

Результаты приведены в таблице 1.

Как видно из таблицы, образцы ферритового материала, изготовленные при соотношении компонентов, в том числе и фторида лития, указанные в формуле изобретения (примеры 1-3) имеют:

- низкие значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка 0,058%/град,

- высокие значения намагниченности насыщения - Js порядка 380 кА/м,

- низкие значения тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка (7,0-8,2)×10-4.

Образцы же ферритового материала, изготовленные при соотношении компонентов, в том числе и фторида лития, выходящих за пределы, указанные в формуле изобретения (примеры 4-5), имеют высокие значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка 0,13%/град. Кроме того, наблюдается значительное повышение значений тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) (порядка (1,3-1,7)×10-3.

Таким образом, предложенный ферритовый материал по сравнению с ферритовым материалом, описанным в прототипе имеет:

- во-первых, низкие значения температурного коэффициента намагниченности насыщения - TKJs порядка 0,058%/град (прототип порядка 0,07%/град) в рабочем интервале температур -60-+85°С,

- во-вторых, обеспечивает стабильность значений намагниченности насыщения - Js, а следовательно, повышение выхода годных невзаимных развязывающих СВЧ-устройств, работающих в вышеуказанном интервале температур.

При этом предложенный ферритовый материал сохраняет:

- высокие значения намагниченности насыщения - Js порядка 380 кА/м,

- низкие значения тангенса угла суммарных диэлектрических и магнитных потерь (tgδ=∑(tgδ+tgδμ)) порядка (7,0-8,2)×10-4.

Это позволит использовать предлагаемый ферритовый материал для создания невзаимных развязывающих СВЧ-устройств: вентилей, циркуляторов, работающих в интервале температур -60-+85°С, миллиметрового диапазона длин волн.

Источники информации

1. Патент РФ №2247436, МПК7 H 01 F 1/34, опубл. 27.02.05 г., бюл. №6.

2. Патент РФ №2247437, МПК7 H 01 F 1/34, опубл. 27.02.05 г., бюл. №6.

№№ п/пСоотношение компонентов, вес.%Результаты измерений параметров образцов ферритового материала
Li2OTiO2ZnOMnO2Fe2O3LiFМоО3Nb2O5TKJs %/град -60-+85°СJs кА/м(tgδ=∑(tgδ+tgδμ))
13,183,787,674,1281,250,300,083607,6×10-4
22,7530,0017,9036,05883,2850,200,113808,2×10-4
33,395,717,716,2176,980,400,0583407,0×10-4
43,183,787,674,1281,250,080,153601,3×10-3
53,183,787,674,1281,250,500,133501,7×10
Прототип2,951,33,854,0385,09-0,931,850,13806,8×10-4
2,620,093,765,7784,60-1,112,060,134057,5×10-4

ФерритовыйматериалнаосновеLi-феррошпинели,содержащийоксидылития,титана,цинка,марганца,железа,отличающийсятем,чтоферритовыйматериалдополнительносодержитфторидлитияприследующемсоотношениикомпонентов,вес.%:ОксидлитияLiO2,753-3,39ОксидтитанаTiO0,001-5,71ОксидцинкаZnO7,67-7,903ОксидмарганцаMnO4,12-6,21ОксиджелезаFeO76,98-83,285ФторидлитияLiF0,20-0,40c0c1211none982

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 62 items.
11.03.2019
№219.016.d8c6

Окно ввода и/или вывода энергии свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к выходным устройствам электронных СВЧ-приборов. Техническим результатом является повышение надежности, выхода годных приборов при снижении потерь мощности СВЧ. Окно ввода и/или вывода энергии СВЧ выполнено в виде диэлектрической пластины из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313865
Дата охранного документа: 27.12.2007
11.03.2019
№219.016.d8ca

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат изобретения - увеличение величины ослабления СВЧ-сигнала, снижение величины модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала и снижение массогабаритных характеристик. Переключатель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313866
Дата охранного документа: 27.12.2007
11.03.2019
№219.016.d9ba

Припой для пайки

Изобретение может быть использовано при пайке различных элементов изделий электронной техники из оксидных диэлектрических материалов между собой либо с элементами из металлов, в частности из меди, или из их сплавов, прежде всего, элементов электровакуумных изделий СВЧ. Припой получен при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002374056
Дата охранного документа: 27.11.2009
20.03.2019
№219.016.e379

Флюс для низкотемпературной пайки

Флюс может быть использован в производстве электронной и радиоэлектронной аппаратуры при сборке узлов и блоков на печатных платах и гибридных интегральных схем. Флюс содержит производную канифоли в виде резината щелочного металла и водорастворимый спирт или смесь водорастворимых спиртов при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002263569
Дата охранного документа: 10.11.2005
20.03.2019
№219.016.e3b8

Способ изготовления мощных транзисторов свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления мощных транзисторов СВЧ и МИС на их основе. Сущность изобретения: способ изготовления мощных транзисторов СВЧ, заключающийся в формировании на лицевой стороне полупроводниковой пластины топологии транзисторов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285976
Дата охранного документа: 20.10.2006
20.03.2019
№219.016.e97d

Устройство для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения пленок с использованием электромагнитного излучения. Устройство содержит вакуумную реакционную камеру, размещенный в камере электрически изолированный подложкодержатель в виде полой усеченной составной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002467093
Дата охранного документа: 20.11.2012
29.03.2019
№219.016.ef30

Способ пайки алюминия и его сплавов

Изобретение может быть использовано при высокотемпературной пайке погружением в расплавленные соли пастообразными припоями системы алюминий-кремний эвтектического состава, преимущественно, при пайке прецизионных изделий СВЧ-техники с различной толщиной стенок. Порошкообразный припой - пасту...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285593
Дата охранного документа: 20.10.2006
29.03.2019
№219.016.ef37

Металлизированная пластина алмаза и способ ее изготовления

Изобретения могут быть использованы для монтажа элементов электронной техники. Техническим результатом изобретения является обеспечение высоких электрофизических параметров путем исключения деградации свойств пластины алмаза, при сохранении высокой адгезии металла к алмазу. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002285977
Дата охранного документа: 20.10.2006
29.03.2019
№219.016.f121

Способ изготовления транзистора свч с управляющим электродом т-образной конфигурации субмикронной длины

Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Сущность изобретения: способ изготовления транзистора СВЧ с управляющим электродом Т-образной конфигурации субмикронной длины включает формирование на лицевой стороне полуизолирующей полупроводниковой пластины с активным слоем заданной структуры...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002390875
Дата охранного документа: 27.05.2010
29.03.2019
№219.016.f1b4

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Техническим результатом является возможность достижения нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения, снижение прямых потерь,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002311704
Дата охранного документа: 27.11.2007
Showing 21-30 of 43 items.
20.02.2019
№219.016.c09b

Диск из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них

Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. Технический результат изобретения - повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002308118
Дата охранного документа: 10.10.2007
20.02.2019
№219.016.c0d7

Устройство герметизирующее отключающее

Изобретение относится к области трубопроводного транспорта, а именно к оборудованию, используемому в качестве затвора для герметичного перекрытия трубопроводов, в частности газопроводов, водопроводов, нефтепроводов и других трубопроводных систем, для производства аварийных работ и ремонта на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002366853
Дата охранного документа: 10.09.2009
11.03.2019
№219.016.d7ea

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Аттенюатор СВЧ состоит, по крайней мере, из одного разряда, каждый из которых содержит резисторы, один из которых соединен последовательно, а другой - параллельно линиям передачи на входе и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002340048
Дата охранного документа: 27.11.2008
11.03.2019
№219.016.d8ca

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Технический результат изобретения - увеличение величины ослабления СВЧ-сигнала, снижение величины модуля коэффициента отражения СВЧ-сигнала и снижение массогабаритных характеристик. Переключатель...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002313866
Дата охранного документа: 27.12.2007
15.03.2019
№219.016.e02d

Устройство для временного укрытия зоны выполнения ремонтных или строительных работ на трубопроводах (варианты)

Изобретение относится к строительству трубопроводного транспорта и используется при выполнении сварочно-монтажных работ при строительстве и ремонте трубопроводов. Устройство состоит из каркасно-тентового сооружения, системы пневмоэлементов, установленных между арками, и тента с приспособлениями...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002280808
Дата охранного документа: 27.07.2006
20.03.2019
№219.016.e7bd

Способ изготовления изделий из ферритового материала для интегральных устройств свч

Изобретение относится к области электротехники, в частности к способу изготовления изделий из ферритового материала на основе параметрического ряда литиевой феррошпинели для интегральных устройств СВЧ. Способ включает приготовление шихты на основе оксидов упомянутого ферритового материала и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002420821
Дата охранного документа: 10.06.2011
29.03.2019
№219.016.f1b4

Аттенюатор свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах. Техническим результатом является возможность достижения нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения, снижение прямых потерь,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002311704
Дата охранного документа: 27.11.2007
29.03.2019
№219.016.f2f2

Устройство для генерирования электрических импульсов напряжения

Изобретение относится к радиоэлектронике, в частности к электровакуумным приборам СВЧ, предназначенным для генерирования сверхкоротких электрических импульсов напряжения со сверхвысокой частотой повторения, и может быть использовано, например, в радиолокации, радиопротиводействии и в других...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002379782
Дата охранного документа: 20.01.2010
29.03.2019
№219.016.f31f

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полупроводниковых приборах. Переключатель СВЧ содержит соединение трех линий передач с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ-сигнала, две другие - для выхода. Линии передачи на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002335832
Дата охранного документа: 10.10.2008
29.03.2019
№219.016.f39a

Переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к переключателям СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шотки. Техническим результатом изобретения является снижение массогабаритных характеристик и уменьшение прямых потерь СВЧ-сигнала. Это достигается введением в одну из линий передачи на выходе,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002306641
Дата охранного документа: 20.09.2007
+ добавить свой РИД