×
20.02.2019
219.016.c09b

Результат интеллектуальной деятельности: ДИСК ИЗ АЛМАЗОСОДЕРЖАЩЕГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ И ИЗДЕЛИЙ ИЗ НИХ

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов. Технический результат изобретения - повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно повышения точности геометрических размеров и уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них, особенно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ и их элементов, а также повышение срока годности алмазного диска. Сущность изобретения: в диске из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них, выполненном с зернистостью, заданной обрабатываемым материалом, в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал. Диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, при этом демпфирующая прослойка выполнена толщиной, равной 1/10-2/3 зернистости алмазосодержащего материала. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе полупроводниковых и ферритовых материалов.

Высокая твердость и хрупкость материалов электронной техники и миниатюризация изделий их них предъявляют особые требования при их механической обработке, в том числе их резке, а именно:

- к точности геометрических размеров,

- наличию сколов.

При механической обработке материалов электронной техники и изделий из них, в том числе их резке, широко используют диски из алмазосодержащего материала, далее алмазный диск, которые изготавливают либо из проката, либо гальваническим способом.

При резке алмазными дисками в системе шпиндель - оправка - алмазный диск возникает вибрация, которая усиливается с увеличением скорости резки, и как следствие вибрации имеет место:

- во-первых, ухудшение качества обработки, в том числе повышение как количества сколов, так и размера каждого из них,

- во-вторых, снижение эффективности работы алмазного диска,

- в-третьих, снижение срока годности алмазного диска.

С целью уменьшения вибраций при резке используют различные приемы - как технические, так и технологические.

Известно устройство для резки пластин из кремния, в котором алмазный диск изготовлен гальваническим способом, при этом в качестве основы для нанесения алмазосодержащего слоя используют магнитный материал (1).

С целью снижения вибраций и, следовательно, уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них алмазный диск помещают в соленоид.

Однако это не эффективно при резке ферритовых материалов, в силу их магнитных свойств происходит прилипание и засаливание поверхности алмазного диска стружкой материала резки и ухудшение режущих его свойств, а следовательно, качества резки и снижение срока службы алмазного диска.

Известно устройство для резки пластин кремния, в котором алмазный диск закрепляют в оправке определенным образом, а именно он не должен выступать из оправки более чем на 1,5 от толщины разрезаемой пластины (2).

Это позволило уменьшить вибрацию режущей кромки алмазного диска, но не уменьшило вибрацию в системе шпиндель - оправка - алмазный диск, следовательно, не обеспечивается должное качество резки, в том числе с точки зрения наличия сколов.

Известно устройство для резки монокристаллов полупроводникового материала на пластины, в котором с целью повышения качества резки, в том числе уменьшения наличия сколов, в мастику, с помощью которой закрепляют монокристалл полупроводникового материала на держатель, который располагают в систему шпиндель - оправка - алмазный диск, вводят в качестве наполнителя абразивный порошок зернистостью 10 мкм и более (3).

Наличие абразивного порошка в мастике позволило в процессе резки проводить правку режущей кромки алмазного диска.

Но, с другой стороны, сам абразив приводит к быстрому износу выступающих зерен режущей кромки алмазного диска, что снижает срок его службы.

Кроме того, при резке вязких полупроводниковых материалов, таких как антимонид индия, происходит быстрое засаливание режущей кромки алмазного диска, то есть заполнение и уплотнение материалом резки пространства между выступающими алмазными зернами и тем самым снижение эффективности работы алмазного диска, а увеличение нагрузки на него может привести к разрушению материала резки.

Известно устройство для резки монокристаллов полупроводникового материала на пластины, в котором в мастику в качестве наполнителя вводят стружку полупроводниковых материалов, полученных после резки алмазным диском с той же зернистостью, с которой режут и данный монокристалл полупроводникового материала (4).

Мастика с таким наполнителем исключает засаливание выступающих зерен режущей кромки алмазного диска, что обеспечивает стабильность и эффективность его работы и тем самым повышает качество резки, а также увеличивает срок его годности.

Однако в силу непрозрачности материала мастики это затруднительно для резки гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ (ГИС и МИС) и их элементов, так как требует дополнительных технических решений с точки зрения возможности осуществления самой операции резки.

И в случае ее осуществления не обеспечиватся высокое качество, прежде всего точности геометрических размеров, наличия сколов и размера каждого из них, а, следовательно, и высокий выход годных.

Техническим результатом изобретения является повышение выхода годных путем повышения качества обработки, а именно повышения точности геометрических размеров и уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них, особенно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ и их элементов, а также повышение срока годности алмазного диска.

Технический результат достигается тем, что в известном диске из алмазосодержащего материала для обработки материалов электронной техники и изделий из них, выполненном с зернистостью, заданной обрабатываемым материалом, в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал, диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, при этом демпфирующая прослойка выполнена из эластичного материала толщиной, равной 1/10-2/3 зернистости алмазосодержащего материала.

Количество чередующихся слоев алмазосодержащего материала определяет как тип механической обработки, например либо резка, либо шлифовка, так и тип обрабатываемого материала.

При резке их количество должно быть минимально, а при шлифовке наоборот.

Соединение демпфирующей прослойки со слоями алмазосодержащего материала выполнено либо клеем, либо сваркой.

Демпфирующая прослойка выполнена из эластичного материала, например термостойкой резины.

Сущность изобретения

Как было сказано выше, при резке алмазными дисками в системе шпиндель - оправка - алмазный диск возникает вибрация.

Алмазный диск, в котором в качестве основы алмазосодержащего материала берут жесткий материал, а диск выполнен, по меньшей мере, из двух чередующихся слоев алмазосодержащего материала, между которыми расположена и соединена с ними демпфирующая прослойка, выполненная из эластичного материала и с указанной толщиной, обеспечивает следующий эффект.

Во-первых, демпфирующая прослойка поглощает часть энергии колебаний и тем самым снижает вибрацию в системе шпиндель - оправка - алмазный диск.

Следовательно, наличие демпфирующей прослойки повышает качество обработки, в том числе снижает как количество сколов, так и размер каждого из них, и, следовательно, повышает выход годных.

При этом указанный эффект усиливается с увеличением количества чередующихся слоев алмазосодержащего материала и соответственно демпфирующих прослоек между ними.

Во-вторых, вследствие меньших контактных давлений в зоне резания глубина внедрения алмазных зерен в обрабатываемую поверхность снижается. В результате чего происходит резка с меньшими нарушениями структуры обрабатываемого материала. Это аналогично использованию алмазного диска с меньшей зернистостью, т.е. процесс резки многослойным диском является менее теплонапряженным, что также снижает как количество сколов, так и размер каждого из них вдоль зоны резания и, следовательно, повышает выход годных.

Выполнение алмазосодержащего материала на жесткой основе повышает:

во-первых, износостойкость алмазного диска и, следовательно, стабильность его работы в процессе резки и тем самым обеспечивает высокую точность геометрических размеров и, следовательно, повышает выход годных,

во-вторых, срок годности алмазного диска.

Выполнение демпфирующей прослойки с толщиной как менее 1/10, так и более 2/3 зернистости алмазосодержащего материала не желательно, так как в первом случае теряются демпфирующие свойства алмазного диска, во втором происходит его разрушение.

Изобретение поясняется чертежом.

На фиг.1 изображен алмазный диск, состоящий из трех чередующихся слоев алмазосодержащего материала, где

- алмазосодержащие слои - 1,

- демпфирующие прослойки между ними - 2.

Пример

Для обработки материалов электронной техники и изделий из них широко используют устройство типа DS 150.

Устройство имеет высокоскоростной шпиндель на аэростатических опорах с возможностью вращения с частотой 20000-40000 об/мин, на который устанавливают оправку с алмазным диском, координатный стол с вакуумным столиком для закрепления обрабатываемых материалов и видеоконтрольное устройство.

Рассмотрим, например, резку ферритовой пластины толщиной 1 мм с кристаллической структурой граната и с выполненными на ней элементами ГИС на платы.

Ферритовую пластину наклеивают на носитель в виде пластины из гетинакса, располагают ее на координатном столике и закрепляют ее посредством вакуума.

В процессе резки координатный столик вместе с ферритовой пластиной перемещается со скоростью, которая определяется обрабатываемым материалом, в данном случае равной 2 мм/сек.

Алмазный диск выполнен из трех чередующихся слоев алмазосодержащего материала 1, выполненных из проката ОСТ 11317000-85, ТУ2-037-550-86, с зернистостью, равной 60/40 мкм, что определено экспериментально для ферритовых материалов и является оптимальным для данных материалов и демпфирующих прослоек 2 между ними, выполненных из материала - термостойкий резины из силикона марки Silicone «Krass» толщиной, равной 1/3 зернистости алмазосодержащего материала, в данном примере это составляет 20 мкм.

Алмазный диск располагают и закрепляют в оправке.

Включают установку и осуществляют резку.

Для охлаждения алмазного диска в зону резки подается вода автоматически.

Примеры 2-3

Аналогично примеру 1 была проведена резка аналогичных ферритовых пластин, но при других значениях толщины демпфирующих прослоек, указанных в формуле изобретения.

Пример 4

Для сравнения аналогично примеру 1 была проведена резка аналогичной ферритовой пластины алмазным диском, выполненным только из одного слоя алмазосодержащего материала, выполненного не на жесткой основе, без демпфирующей прослойки, - прототип.

Полученные в результате резки образцы элементов плат ГИС из ферритового и кремниевого материала были исследованы на предмет наличия сколов и их размеров, а также выхода годных.

Данные приведены в таблице.

Из таблицы видно:

- во-первых, уменьшилось как количество сколов вдоль линии резания - не превышает 2 штук/мм, так и размер каждого из них - не превышает 30 мкм (примеры 1-3 как для ферритового, так и кремниевого материала) против 4 штук/мм и 60 мкм соответственно в прототипе,

- во-вторых, повысился выход годных изделий более чем в 3 раза.

Таким образом, предложенный алмазный диск для обработки материалов электронной техники и изделий из них обеспечит по сравнению с прототипом:

- во-первых, повышение выхода годных изделий более чем в 3 раза путем повышения качества обработки, в том числе уменьшения как количества сколов, так и размера каждого из них,

- во-вторых, повышение срока годности алмазного диска. Это особенно важно при обработке гибридных и монолитных интегральных схем СВЧ.

Источники информации

1. Авт. св. СССР №255386, кл. 21а4. опубл. Бюл. №33, 1969 г.

2. Патент Великобритании №1098398, кл. Н1К, B3D.

3. Запорожский И.П., Лапшинов Б.А. Обработка полупроводниковых материалов. - М. Высшая школа, 1988 г., стр.38-54.

4.Патент РФ №2137251, кл. H01L 21/304, опубл. 10.09.99 г.

Таблица
№ п/пПараметры, указанные в формуле изобретенияРезультаты испытаний
Обрабатываемый материалЗернистость алмазосодержащ его материала, мкмТолщина демпфирущей прослойки, мкмКоличество сколов вдоль линии резания, штук/ммРазмер сколов, мкмВыход годных, %
1ферритовый60/40201,4менее 3095
260/4061,8менее 3093
360/40401,6менее 3096
1кремниевый20/14101,3менее 2091
221,6менее 2090
3151,4менее 2093
прототипферритовый60/40отсутствует4менее 6030

1.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизних,выполненныйсзернистостью,заданнойобрабатываемымматериалом,отличающийсятем,чтовкачествеосновыалмазосодержащегоматериалаберутжесткийматериал,дисквыполнен,поменьшеймере,издвухчередующихсяслоевалмазосодержащегоматериала,междукоторымирасположенаисоединенаснимидемпфирующаяпрослойка,приэтомдемпфирующаяпрослойкавыполненаизэластичногоматериала,толщинойравной1/10-2/3зернистостиалмазосодержащегоматериала.12.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтоколичествочередующихсяслоевалмазосодержащегоматериалаопределяеттипобработки,напримерлиборезка,либошлифовка.23.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтосоединениедемпфирующейпрослойкисослоямиалмазосодержащегоматериалавыполненолибоклеем,либосваркой.34.Дискизалмазосодержащегоматериаладляобработкиматериаловэлектроннойтехникииизделийизнихпоп.1,отличающийсятем,чтодемпфирующаяпрослойкавыполненаизэластичногоматериала,напримертермостойкойрезины.4

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 62 items.
10.01.2013
№216.012.18f7

Устройство для вакуумного нанесения материала

Изобретение относится к вакуумной технике, а именно к устройствам для вакуумного нанесения материалов, предназначенных, прежде всего, для использования в электронной технике. Устройство для вакуумного нанесения материала содержит вакуумную камеру, в которой расположены испаритель наносимого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002471883
Дата охранного документа: 10.01.2013
20.01.2013
№216.012.1df8

Смеситель свч

Изобретение относится к электронной технике. Достигаемый технический результат - расширение рабочего диапазона частот, в том числе включая крайне высокие, снижение потерь преобразования. Смеситель СВЧ содержит коаксиально-волноводный тройник в виде отрезка прямоугольного волновода, коаксиальную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002473166
Дата охранного документа: 20.01.2013
10.02.2013
№216.012.24cb

Интегральная схема свч

Изобретение относится к электронной технике, а именно интегральным схемам СВЧ, и может быть широко использовано в электронной технике СВЧ, в частности в радиолокационных станциях с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик, повышение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474921
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.04.2013
№216.012.34e0

Двухканальный переключатель свч

Изобретение относится к технике СВЧ. Двухканальный переключатель СВЧ содержит три линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ сигнала, две другие - для выхода, отрезок линии передачи, два полевых транзистора с барьером Шотки....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002479079
Дата охранного документа: 10.04.2013
20.06.2013
№216.012.4c24

Способ изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для электронной техники свч

Изобретение относится к способу изготовления изделий из огнеупорного керамического материала для использования в электронной технике СВЧ: муфеля печи, лодочки и их элементов. Поверхность частиц оксида алюминия увлажняют поверхностно-активным веществом, смешивают частицы оксида алюминия и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485074
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4de9

Устройство для измерения полного сопротивления двухполюсника на свч

Изобретение относится к измерительной технике на СВЧ и может использоваться при проектировании изделий электронной техники СВЧ различного назначения. Техническим результатом выступает расширение рабочей полосы частот и снижение погрешности измерений, а также упрощение конструкции и возможность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485527
Дата охранного документа: 20.06.2013
20.06.2013
№216.012.4e47

Способ изготовления мощного транзистора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления мощного транзистора СВЧ включает формирование на лицевой стороне полупроводниковой подложки топологии, по меньшей мере, одного кристалла транзистора, формирование электродов транзистора, формирование, по меньшей мере, одного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002485621
Дата охранного документа: 20.06.2013
10.08.2013
№216.012.5e55

Гибридная интегральная схема свч

Изобретение относится к гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР). Технический результат - улучшение электрических характеристик гибридных интегральных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489770
Дата охранного документа: 10.08.2013
27.09.2013
№216.012.7055

Устройство для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на свч

Заявлено устройство относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на СВЧ. Техническим результатом заявленного устройства выступает упрощение и повышение точности устройства для измерения параметров рассеяния четырехполюсника на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494408
Дата охранного документа: 27.09.2013
27.09.2013
№216.012.70ab

Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора свч

Изобретение относится к электронной технике. Способ изготовления корпуса мощного полупроводникового прибора СВЧ включает изготовление высокотеплопроводного основания и рамки из металла или сплава металлов, изготовление выводов, совмещение рамки с выводами и высокотеплопроводного основания,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002494494
Дата охранного документа: 27.09.2013
Showing 1-10 of 25 items.
10.07.2015
№216.013.6025

Способ получения композиционного материала псевдосплава

Заявленное изобретение относится к порошковой металлургии. Готовят шихту из металлических компонентов заданного состава псевдосплава путем их перемешивания, полученную шихту прессуют. Проводят отжиг заготовки в вакууме при давлении не более 1,33×10 Па, при температуре не ниже 300°С и не выше...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556154
Дата охранного документа: 10.07.2015
20.04.2016
№216.015.34d9

Способ изготовления эмиссионно-активного сплава катода

Изобретение относится к области электронной техники. Способ изготовления эмиссионно-активного сплава катода для электровакуумных приборов СВЧ включает приготовление исходных компонентов сплава заданного соотношения на основе, по меньшей мере, двух компонентов, при этом одного из них -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581151
Дата охранного документа: 20.04.2016
13.01.2017
№217.015.8db2

Устройство для прессования порошковых материалов изделий электронной техники

Изобретение относится к прессованию изделий электронной техники из порошкового материала. Устройство содержит расположенное горизонтально основание пресса, нижний пуансон, размещенный основанием на горизонтальной поверхности основания пресса, и верхний пуансон, матрицу с замкнутой рабочей...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604552
Дата охранного документа: 10.12.2016
25.08.2017
№217.015.a8ad

Способ получения наноразмерных частиц гексаферрита бария

Изобретение относится к области наноразмерной технологии и может быть использовано для создания носителей информации с высокой плотностью записи, магнитных сенсоров с высокой чувствительностью и т.п., а также для применения в области медицины. Способ получения наноразмерных частиц гексаферрита...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611442
Дата охранного документа: 22.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa74

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната стронция и оксида железа проводят в кислой среде, содержащей полиакриловую кислоту и изопропиловый спирт при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611814
Дата охранного документа: 01.03.2017
25.08.2017
№217.015.abde

Способ получения наноразмерных частиц гексаферрита стронция

Изобретение относится к области наноразмерной технологии и может быть использовано для создания носителей информации с высокой плотностью записи, магнитных сенсоров с высокой чувствительностью и т.п., а также для применения в области медицины. Способ получения наноразмерных частиц гексаферрита...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002612289
Дата охранного документа: 06.03.2017
25.08.2017
№217.015.b435

Способ измельчения смеси карбоната бария и оксида железа в производстве гексаферритов бария

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Мокрое измельчение стехиометрической смеси карбоната бария и оксида железа проводят в кислой среде, содержащей полиакриловую кислоту и изопропиловый спирт при следующем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614005
Дата охранного документа: 22.03.2017
25.08.2017
№217.015.b4d9

Способ измельчения смеси карбоната стронция и оксида железа в производстве гексаферритов стронция

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов стронция. Технический результат - повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита стронция больше 235 кА/м и повышение активности при измельчении смеси исходных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002614171
Дата охранного документа: 23.03.2017
25.08.2017
№217.015.ba00

Способ измельчения смеси карбоната бария и оксида железа в производстве гексаферритов бария

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Технический результат - повышение активности при измельчении смеси исходных ферритообразующих компонентов в производстве гексаферрита бария, обеспечивающей снижение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615565
Дата охранного документа: 05.04.2017
25.08.2017
№217.015.ba4a

Способ измельчения смеси карбоната бария и оксида железа в производстве гексаферритов бария

Изобретение относится к технологии магнитотвердых ферритов и может быть использовано при изготовлении гексаферритов бария. Технический результат - повышение коэрцитивной силы по намагниченности гексаферрита бария больше 230 кА/м и повышение активности при измельчении смеси исходных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615562
Дата охранного документа: 05.04.2017
+ добавить свой РИД