09.05.2019
№219.017.4ca3
Результат интеллектуальной деятельности: СТРУКТУРА С КИРАЛЬНЫМИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫМИ СВОЙСТВАМИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)
Вид РИД
Изобретение
№ охранного документа
0002317942
Дата охранного документа
27.02.2008
Аннотация:
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в микрооптомеханике, технике СВЧ, инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского диапазона, где нужны структуры с киральными электромагнитными свойствами. Сущность изобретения: в структуре с киральными электромагнитными свойствами, содержащей искусственный твердотельный киральный элемент, киральный элемент выполнен в виде многослойной оболочки с функциональным электромагнитным слоем киральной геометрической формы, причем кривизна оболочки обеспечена напряженными формообразующими слоями. Предложены два варианта способа изготовления структуры с киральными электромагнитными свойствами. Изобретение направлено на расширение функциональных возможностей и области применения структур с киральными электромагнитными свойствами, повышение селективности взаимодействия структур с волнами различной круговой поляризации, расширение спектрального диапазона электромагнитного излучения, в котором реализуются киральные электромагнитные свойства искусственных структур на основе твердотельных элементов, повышение воспроизводимости заданных киральных электромагнитных свойств структуры, расширение возможностей интеграции структур с киральными электромагнитными свойствами с интегральными схемами, повышение прочности структур с киральными электромагнитными свойствами. 3 н. и 28 з.п. ф-лы, 10 ил.
1.Структураскиральнымиэлектромагнитнымисвойствами,содержащаяискусственныйтвердотельныйкиральныйэлемент,отличающаясятем,чтокиральныйэлементвыполненввидемногослойнойоболочкисфункциональнымэлектромагнитнымслоемкиральнойгеометрическойформы,причемкривизнаоболочкиобеспеченанапряженнымиформообразующимислоями.12.Структурапоп.1,отличающаясятем,чтоонавыполненаввидемассиваодинаковыхилиразличныхкиральныхэлементовввидеоболочек,связанныхмеждусобойпосредствомобщегодляоболочекслоя,и/илиподложки,илиобъемнойматрицы.23.Структурапоп.1,отличающаясятем,чтоформообразующиеслоивыполненыввидепсевдоморфныхмонокристаллическихпленоквеществ,имеющихвсвободномсостоянииразличныепериодыкристаллическойрешетки;функциональныйэлектромагнитныйслойвыполненизметалла,полупроводникаилидиэлектрика;толщинаоболочекравнаот10до10м.34.Структурапоп.1,отличающаясятем,чтоформообразующиеслоивыполненысиспользованиемпарыматериаловGaAsиInGaAs,илиSiиSiGe,илиAuиTi,илиAuиNi,илиCrиSiGe,илиCrиSi.45.Структурапоп.2,отличающаясятем,чтоонавыполненасзаданнойнеоднородностьюмассива,обеспечивающейнеоднородностькиральныхэлектромагнитныхсвойств.56.Структурапоп.1,отличающаясятем,чтоформаиматериалкиральногоэлементавыбранытак,чтозначениярезонансныхчастотэлектромагнитныхколебанийкиральныхэлементовзаданывпределахдиапазонарабочихчастотэлектромагнитногоизлучения.67.Структурапоп.1или2,отличающаясятем,чтоконструктивныеэлементыструктурывыполненысиспользованиемматериалов,изменяющихсвоиэлектромагнитныесвойстваподдействиемэлектромагнитногоизлучения.78.Структурапоп.1или2,отличающаясятем,чтокиральныйэлемент/киральныеэлементывыполненыввидеоболочки,упругодеформируемойвпределах,обеспечивающихизменениекиральныхэлектромагнитныхсвойствструктуры.89.Структурапоп.2,отличающаясятем,чтоонадополнительноснабженауправляющимиполупроводниковымиэлементами,изменяющимикиральныеэлектромагнитныесвойстваструктуры.910.Способизготовленияструктурыскиральнымиэлектромагнитнымисвойствами,отличающийсятем,чтонаподложкеизготавливаютмногослойныйпленочныйэлемент,причемматериалы,геометриюивнутренниенапряженияегослоевзадаютобеспечивающимивпоследствиикиральныеэлектромагнитныесвойстваготовойструктуры,приэтомнастадииизготовленияпленочногоэлементасоздаютформообразующиенапряженныеслои,функциональныйэлектромагнитныйслой,азатемпутемотделенияпленочногоэлементаотподложкитрансформируютегоподдействиемвнутреннихнапряженийвоболочку,представляющуюсобойкиральныйэлемент.1011.Способпоп.10,отличающийсятем,чтоприизготовлениимногослойногопленочногоэлементанаподложкеформируютвсеконструктивныеслоипленочногоэлемента,приэтомпосредствомпланарнойтехнологииформируютрисункислоев,втомчислерисунки,задающиеконтурыпленочногоэлемента,причемрисунокфункциональногоэлектромагнитногослояформируютобеспечивающимприобретениеэтимслоемкиральнойформыпритрансформациипленочногоэлементавоболочку.1112.Способпоп.10или11,отличающийсятем,чтотолщинумногослойногопленочногоэлементазадаютот10до10м,причемвыполняютфункциональныйэлектромагнитныйслойсрисунком,несимметричнымкакотносительнонаправленияизгибания,такинаправления,перпендикулярногонаправлениюизгибания,приэтомрисункислоевпленочногоэлементаформируютспомощьюлитографии;последующееотделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемудаленияматериалаэлемента,лежащегоподпленочнымэлементом,обеспечиваязасчетэтогонаправленноеизгибаниепленочногоэлемента.1213.Способпоп.10,отличающийсятем,чтонаподложкепредварительновыращиваютжертвенныйслой,отделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемселективногобоковоготравленияжертвенногослоя.1314.Способпоп.10,отличающийсятем,чтоотделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемселективноготравленияподложки.1415.Способпоп.10,отличающийсятем,чтоформообразующиеслоиформируютпутемэпитаксииизкристаллическихвеществсразличнымипостояннымирешетки,соблюдаяусловияпсевдоморфногороста,илиформообразующиеслоиформируютизметаллов,имеющихразличныекоэффициентытермическогорасширенияимодулиЮнга,функциональныйэлектромагнитныйслойвыполняютизметалла,илиполупроводника,илидиэлектрика.1516.Способпоп.10,отличающийсятем,чтоформообразующиеслоивыполняютсиспользованиемпарыматериаловGaAsиInGaAs,илиSiиSiGe,илиAuиTi,илиAuиNi,илиCrиSiGe,илиCrиSi.1617.Способпоп.10,отличающийсятем,чтонаподложкеизготавливаютмассиводинаковыхилиразныхмногослойныхпленочныхэлементов,имеющихсвязьилинеимеющихсвязимеждусобойпосредствомобщегослоя,сохраняющегосяприотделениипленочныхэлементовотподложкиитрансформацииихвоболочку.1718.Способпоп.10,отличающийсятем,чтопослеформированияоболочекихпереносятсподложкинадругойнесущийэлементилиразмещаютвобъеметрехмернойматрицы.1819.Способпоп.10или18,отличающийсятем,чтоприизготовленииструктурыиспользуютматериалы,изменяющиесвоиэлектромагнитныесвойстваподдействиемэлектромагнитногоизлучения.1920.Способпоп.10,отличающийсятем,чтовструктуреформируютуправляющийполупроводниковыйэлемент,обуславливающийизменениекиральныхэлектромагнитныхсвойствструктуры.2021.Способизготовленияструктурыскиральнымиэлектромагнитнымисвойствами,отличающийсятем,чтонаподложкеизготавливаютмногослойныйпленочныйэлемент,причемматериалы,геометриюивнутренниенапряженияегослоевзадаютобеспечивающимикиральнуюформуоболочки,образующейсяприотделениипленочногоэлементаотподложки,затемпутемотделенияпленочногоэлементаотподложкитрансформируютегоподдействиемвнутреннихнапряженийвоболочкукиральнойформы,послечегонаносятнаоболочкуфункциональныйэлектромагнитныйслой,обеспечиваяегокиральнуюформу.2122.Способпоп.21,отличающийсятем,чтоприизготовлениимногослойногопленочногоэлементанаподложкеформируютмногослойнуютвердотельнуюпленку,содержащуюформообразующиеслои,внутренниминапряжениямикоторыхотносительнодругдругаобеспеченавпоследствиилокальнаякривизнаготовойоболочки,методамипланарнойтехнологииформируютрисункислоев,втомчислерисунки,задающиеконтурыпленочногоэлемента,нанесениефункциональногоэлектромагнитногослояосуществляютпутемхимическогоосаждения.2223.Способпоп.21или22,отличающийсятем,чтотолщинумногослойногопленочногоэлементазадаютот10до10м,причемконтурыпленочногоэлементаформируютнесимметричнымикакотносительнонаправленияегоизгибаподдействиемвнутреннихнапряжений,такинаправления,перпендикулярногонаправлениюегоизгиба,приэтомрисункислоевпленочногоэлементаформируютспомощьюлитографии,последующееотделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемудаленияматериалаэлемента,лежащегоподпленочнымэлементом,обеспечиваязасчетэтогонаправленноеизгибаниепленочногоэлемента.2324.Способпоп.21,отличающийсятем,чтонаподложкепредварительновыращиваютжертвенныйслой,отделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемселективногобоковоготравленияжертвенногослоя.2425.Способпоп.21,отличающийсятем,чтоотделениепленочногоэлементаотподложкиосуществляютпутемселективноготравленияподложки.2526.Способпоп.21,отличающийсятем,чтоформообразующиеслоиформируютпутемэпитаксииизкристаллическихвеществсразличнымипостояннымирешетки,соблюдаяусловияпсевдоморфногороста,илиформообразующиеслоиформируютизметаллов,имеющихразличныекоэффициентытермическогорасширенияимодулиЮнга,функциональныйэлектромагнитныйслойвыполняютизметалла.2627.Способпоп.21,отличающийсятем,чтоформообразующиеслоивыполняютсиспользованиемпарыматериаловGaAsиInGaAs,илиSiиSiGe,илиAuиTi,илиAuиNi,илиCrиSiGe,илиCrиSi.2728.Способпоп.21,отличающийсятем,чтонаподложкеизготавливаютмассиводинаковыхилиразныхмногослойныхпленочныхэлементов,имеющихсвязьилинеимеющихсвязимеждусобойпосредствомобщегослоя,сохраняющегосяприотделениипленочныхэлементовотподложкиитрансформацииихвоболочку.2829.Способпоп.21,отличающийсятем,чтопослеформированиякиральныхэлементовихпереносятсподложкинадругойнесущийэлементилиразмещаютвобъеметрехмернойматрицы.2930.Способпоп.21или29,отличающийсятем,чтоприизготовленииструктурыиспользуютматериалы,изменяющиесвоиэлектромагнитныесвойстваподдействиемэлектромагнитногоизлучения.3031.Способпоп.21,отличающийсятем,чтовструктуреформируютуправляющийполупроводниковыйэлемент,позволяющийизменятькиральныеэлектромагнитныесвойстваструктуры.31
Источник поступления информации:
Роспатент
Showing 1-5 of 5 items.
20.03.2019
№219.016.e605
Способ изготовления наносенсора
Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных кремниевых химических и биосенсоров для автоматизированного контроля окружающей среды, в экологии, в химическом производстве, в биологии и медицине. Изобретение направлено на снижение размеров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002359359
Дата охранного документа: 20.06.2009
09.05.2019
№219.017.4bfa
Полая наноигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне, в медицине, биохимии, цитологии и т.п. Изобретение позволяет повысить технологичность и расширить функциональный диапазон изделий. Сущность изобретения: в полой наноигле в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002341299
Дата охранного документа: 20.12.2008
09.05.2019
№219.017.4d64
Способ ионизации атомарных или молекулярных потоков и устройство для его осуществления
Изобретение относится к электронике и может быть использовано для ионизации атомарных или молекулярных потоков и формирования ионных пучков в полупроводниковой технологии в области молекулярно-лучевой эпитаксии. Способ ионизации включает многократную бомбардировку атомов или молекул ускоренными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002370849
Дата охранного документа: 20.10.2009
06.07.2019
№219.017.a765
Способ создания окисных пленок
Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Способ заключается в том, что электрод подводят к поверхности подложки, затем на электрод...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002268952
Дата охранного документа: 27.01.2006
10.07.2019
№219.017.ad17
Солнечный элемент (варианты)
Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002383083
Дата охранного документа: 27.02.2010
Showing 1-9 of 9 items.
10.04.2014
№216.012.b349
Способ получения слоя фторографена
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511613
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb37
Датчик магнитного поля и способ его изготовления
Изобретение может быть использовано для создания миниатюрных датчиков для трехосевой магнитометрии. Датчик магнитного поля содержит сенсорные узлы, реализованные на использовании эффекта Холла, которые выполнены в составе криволинейной оболочки с системой слоев. В системе слоев присутствуют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513655
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.01.2015
№216.013.19d4
Способ получения приборных графеновых структур
Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538040
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.09.2015
№216.013.7d18
Биорезорбируемая полимерная клеточная матрица
Изобретение относится к медицине и представляет собой биорезорбируемую полимерную клеточную матрицу для тканеинженерии. Матрица содержит каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов. Каркас выполнен собираемым из N ориентированных друг относительно друга двумерных матриц с N≥1...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563621
Дата охранного документа: 20.09.2015
10.06.2016
№216.015.4506
Способ изготовления киральной структуры
Использование: для создания новых перестраиваемых искусственных электромагнитных сред на основе тонкопленочных металл-полупроводниковых и металлических оболочек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления киральной электромагнитной структуры включает изготовление N...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586454
Дата охранного документа: 10.06.2016
13.01.2017
№217.015.854e
Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603160
Дата охранного документа: 20.11.2016
25.08.2017
№217.015.d16c
Способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани
Изобретение относится к области фармацевтики и представляет собой способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани, заключающийся в том, что изготавливают литографией комплект двумерных матриц в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622009
Дата охранного документа: 08.06.2017
09.05.2019
№219.017.4bfa
Полая наноигла в интегральном исполнении и способ ее изготовления
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне, в медицине, биохимии, цитологии и т.п. Изобретение позволяет повысить технологичность и расширить функциональный диапазон изделий. Сущность изобретения: в полой наноигле в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002341299
Дата охранного документа: 20.12.2008
06.07.2019
№219.017.a839
Способ изготовления датчика скорости потока газа и жидкости
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. Сущность изобретения: в способе изготовления датчика скорости потока газа и жидкости на планарной поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002353998
Дата охранного документа: 27.04.2009
