09.05.2019
№219.017.4bfa
Результат интеллектуальной деятельности: ПОЛАЯ НАНОИГЛА В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ
Вид РИД
Изобретение
№ охранного документа
0002341299
Дата охранного документа
20.12.2008
Аннотация:
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне, в медицине, биохимии, цитологии и т.п. Изобретение позволяет повысить технологичность и расширить функциональный диапазон изделий. Сущность изобретения: в полой наноигле в интегральном исполнении трубка связана с кристаллом-подложкой посредством изогнутого пленочного элемента и жестко закреплена. Трубку и изогнутый пленочный элемент изготавливают из пленочной структуры с механически напряженными слоями, выращенной на кристалле-подложке в виде псевдоморфных монокристаллических пленок веществ с различными периодами кристаллической решетки в свободном состоянии. Формируют контур освобождаемой области пленочной структуры от связи с кристаллом-подложкой. Освобождаемая область содержит участки, предназначенные для формирования трубки и изогнутого пленочного элемента. Геометрия участков, внутренние механические напряжения и толщины слоев прецизионно задают позиционирование трубки и ее диаметр. Направленным травлением материала под освобождаемыми механически напряженными слоями отделяют первый участок от кристалла-подложки, трансформируя его за счет напряжений в трубку, а затем второй участок, изгибающийся за счет напряжений и обеспечивающий позиционирование трубки. Для жесткой связи выполняют закрепляющий элемент.2 н. и 15 з.п. ф-лы, 9 ил.
1.Полаянаноиглавинтегральномисполнении,содержащаятрубкуизмеханическинапряженныхслоев,связаннуюскристаллом-подложкой,отличающаясятем,чтоонасоединенаскристаллом-подложкойизогнутымпленочнымэлементомизмеханическинапряженныхслоев,обеспечивающимпозиционированиетрубкиотносительнокристалла-подложки,ижесткозакрепленаскристаллом-подложкойпосредствомзакрепляющегоэлемента.12.Полаянаноиглапоп.1,отличающаясятем,чтомеханическинапряженныеслоивыполненыввидепсевдоморфныхмонокристаллическихпленоквеществ,имеющихвсвободномсостоянииразличныепериодыкристаллическойрешеткииливвидепленокматериалов,имеющихразличныекоэффициентытермическогорасширенияимодулиЮнга,илисиспользованиемипервых,ивторых.23.Полаянаноиглапоп.1,отличающаясятем,чтомеханическинапряженныеслоивыполненысиспользованиемпарыматериаловGaAsиInGaAs,илиSiиSiGe,илиAuиTi,илиCrиSiGe,илиCrиSi;либотрехвидовматериаловSi,иSiGe,иCr;либочетырехвидовSi,SiGe,Au,TiилиGaAs,InGaAs,Au,Ti.34.Полаянаноиглапоп.1,отличающаясятем,чтосуммарныетолщинымеханическинапряженныхслоевтрубкиимеханическинапряженныхслоевизогнутогопленочногоэлементаравныот5·10до,10м,приэтомконкретноезначениетолщинымеханическинапряженныхслоевтрубкизаданоисходяизполучениятребуемогодиаметратрубки,аконкретноезначениетолщинымеханическинапряженныхслоевизогнутогопленочногоэлементазаданоисходяиздостижениятребуемогопозиционированиятрубкиотносительнокристалла-подложки.45.Полаянаноиглапоп.1,отличающаясятем,чтозакрепляющийэлементвыполненизполимеризованногорезиста.56.Способизготовленияполойнаноиглывинтегральномисполнении,заключающийсявтом,чтонакристалле-подложкеизготавливаютмногослойнуюпленочнуюструктурусмеханическинапряженнымислоями,послечегоформируютконтуросвобождаемойобластипленочнойструктурыоткристалла-подложки,отличающийсятем,чтоосвобождаемуюобластьпленочнойструктурыформируютсодержащейучасток,предназначенныйдляформированиятрубки,иучасток,предназначенныйдляформированияизогнутогопленочногоэлемента,обеспечивающегопозиционированиетрубкиотносительнокристалла-подложки,азатемпоследовательноосвобождаютпервыйизуказанныхучастков,трансформируяегозасчетмеханическихнапряженийвтрубку,ивторойучасток,изгибающийсязасчетмеханическихнапряжений,итемсамымобеспечивающийпозиционированиетрубкиотносительнокристалла-подложки,послечегозакрепляюттрубкунакристалле-подложке.67.Способпоп.6,отличающийсятем,чтоприизготовлениимногослойнойпленочнойструктурысмеханическинапряженнымислоямиформируютконструктивныеслоитрубкииизогнутогопленочногоэлемента,обеспечивающегопозиционированиетрубки.78.Способпоп.6,отличающийсятем,чтонакристалле-подложкепередизготовлениеммногослойнойпленочнойструктурывыращиваютжертвенныйслой.89.Способпоп.6или7,отличающийсятем,чтотолщинумногослойнойпленочнойструктурызадаютот5·10до10м,причемтолщинаучастка,предназначенногодляформированиятрубки,итолщинаучастка,предназначенногодляформированияизогнутогопленочногоэлемента,одинаковаяилиразная.910.Способпоп.6,отличающийсятем,чтоконтуросвобождаемойобластипленочнойструктурыформируютпутемлитографииипоследующеготравления,приэтомрисунок,задающийконтур,формируютобеспечивающимпервомуучасткуприобретениеформытрубки,авторомуучастку-приобретениекриволинейнойконфигурации,обеспечивающейтребуемоепозиционированиетрубкивпространстве.1011.Способпоп.6или10,отличающийсятем,чторисунокпервогоучасткаирисуноквторогоучасткаформируютнесимметричнымиотносительноусловнойразделяющейихграницы.1112.Способпоп.6,отличающийсятем,чтопоследовательноеосвобождениепервогоивторогоуказанныхучастковоткристалла-подложкиосуществляютпутемселективноготравлениякристалла-подложки.1213.Способпоп.8,отличающийсятем,чтопоследовательноеосвобождениепервогоивторогоуказанныхучастковоткристалла-подложкиосуществляютпутемселективноготравленияжертвенногослоя.1314.Способпоп.6,отличающийсятем,чтопоследовательноосвобождаютпервыйизуказанныхучастков,трансформируяегозасчетмеханическихнапряженийвтрубку,ивторойучасток,изгибающийсязасчетмеханическихнапряженийитемсамымобеспечивающийпозиционированиетрубкиотносительнокристалла-подложки,путемреализациинаправленноготравления,задающегонаправлениеизгибанияосвобождаемыхучастков,анаправлениеизгибаниязадаютвпроцессеформированияконтураосвобождаемойобластипленочнойструктуры.1415.Способпоп.7,отличающийсятем,чтоконструктивныеслоиформируютпутемэпитаксииизкристаллическихвеществсразличнымипостояннымирешетки,соблюдаяусловияпсевдоморфногороста,илиихформируютвакуумнымнапылениемизматериалов,имеющихразличныекоэффициентытермическогорасширенияимодулиЮнга,илиихформируютсочетаниемпервогоивторого.1516.Способпоп.7или15,отличающийсятем,чтоконструктивныеслоиформируютсиспользованиемпарыматериаловGaAsиInGaAs,илиSiиSiGe,илиAuиTi,илиCrиSiGe,илиCrиSi;либотрехвидовматериаловSi,иSiGe,иCr;либочетырехвидовSi,SiGe,Au,TiилиGaAs,InGaAs,Au,Ti.1617.Способпоп.6,или12,или13,отличающийсятем,чтозакреплениетрубкинакристалле-подложкеосуществляюттем,чтозакрепляющийэлементформируютспомощьюлитографии,приэтомнакристалл-подложкуструбкойиизогнутымпленочнымэлементомнаносятслойрезиста,участокслоярезиста,всредекоторогорасположенатрубкасизогнутымпленочнымэлементом,подвергаютвоздействиюсветаилиэлектронногопучка,осуществляятакимобразомполимеризациюрезиста,аучасткинеполимеризованногорезистаудаляют.17
Источник поступления информации:
Роспатент
Showing 1-3 of 3 items.
09.05.2019
№219.017.4ca3
Структура с киральными электромагнитными свойствами и способ ее изготовления (варианты)
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в микрооптомеханике, технике СВЧ, инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского диапазона, где нужны структуры с киральными электромагнитными свойствами. Сущность изобретения: в структуре с киральными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002317942
Дата охранного документа: 27.02.2008
09.05.2019
№219.017.4d52
Способ изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002371674
Дата охранного документа: 27.10.2009
06.07.2019
№219.017.a839
Способ изготовления датчика скорости потока газа и жидкости
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. Сущность изобретения: в способе изготовления датчика скорости потока газа и жидкости на планарной поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002353998
Дата охранного документа: 27.04.2009
Showing 1-10 of 10 items.
10.04.2014
№216.012.b349
Способ получения слоя фторографена
Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для использования при создании современных тонкопленочных полупроводниковых приборов и структур наноэлектроники. В способе получения слоя фторографена от объемного графита отделяют слой требуемой толщины и размещают его на подложке. Затем...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002511613
Дата охранного документа: 10.04.2014
20.04.2014
№216.012.bb37
Датчик магнитного поля и способ его изготовления
Изобретение может быть использовано для создания миниатюрных датчиков для трехосевой магнитометрии. Датчик магнитного поля содержит сенсорные узлы, реализованные на использовании эффекта Холла, которые выполнены в составе криволинейной оболочки с системой слоев. В системе слоев присутствуют...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513655
Дата охранного документа: 20.04.2014
20.07.2014
№216.012.deb6
Способ изготовления массива нанотрубок для трансфекции клеток
Изобретение относится к медицине, биохимии, цитологии, нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне для введения сред. В способе изготовления массива нанотрубок для трансфекции клеток на кристалле-подложке изготавливают многослойную пленочную...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522800
Дата охранного документа: 20.07.2014
10.01.2015
№216.013.19d4
Способ получения приборных графеновых структур
Использование: для разработки наноразмерных приборов на основе гетероструктур с использованием слоев графена и мультиграфена. Сущность изобретения заключается в том, что выращивают на подложке-доноре слой графена, который затем покрывают вспомогательной для переноса графенового слоя пленкой....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002538040
Дата охранного документа: 10.01.2015
20.09.2015
№216.013.7d18
Биорезорбируемая полимерная клеточная матрица
Изобретение относится к медицине и представляет собой биорезорбируемую полимерную клеточную матрицу для тканеинженерии. Матрица содержит каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов. Каркас выполнен собираемым из N ориентированных друг относительно друга двумерных матриц с N≥1...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002563621
Дата охранного документа: 20.09.2015
10.06.2016
№216.015.4506
Способ изготовления киральной структуры
Использование: для создания новых перестраиваемых искусственных электромагнитных сред на основе тонкопленочных металл-полупроводниковых и металлических оболочек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления киральной электромагнитной структуры включает изготовление N...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002586454
Дата охранного документа: 10.06.2016
13.01.2017
№217.015.854e
Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603160
Дата охранного документа: 20.11.2016
25.08.2017
№217.015.d16c
Способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани
Изобретение относится к области фармацевтики и представляет собой способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани, заключающийся в том, что изготавливают литографией комплект двумерных матриц в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622009
Дата охранного документа: 08.06.2017
09.05.2019
№219.017.4ca3
Структура с киральными электромагнитными свойствами и способ ее изготовления (варианты)
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в микрооптомеханике, технике СВЧ, инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского диапазона, где нужны структуры с киральными электромагнитными свойствами. Сущность изобретения: в структуре с киральными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002317942
Дата охранного документа: 27.02.2008
06.07.2019
№219.017.a839
Способ изготовления датчика скорости потока газа и жидкости
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. Сущность изобретения: в способе изготовления датчика скорости потока газа и жидкости на планарной поверхности...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002353998
Дата охранного документа: 27.04.2009
