×
01.05.2019
219.017.47c3

Результат интеллектуальной деятельности: МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к металлургии, а именно к сплавам на основе висмута, предназначенным для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры. Магниторезистивный сплав на основе висмута содержит, мас.%: сурьма 5,1437216 - 5,7737629, олово 0,000006 - 0,0001, висмут – остальное. Сплав характеризуется высоким значением магнитосопротивлением в температурном диапазоне 90-300 К, что обеспечивает высокую эффективность датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, содержащих сурьму и олово, предназначенных для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры измерения магнитных полей, магнитотермоэлектрических преобразователей энергии и других электронных приборов, использующих в своей работе высокое значение магнитосопротивления.

Известны сплавы на основе висмута, обладающие достаточно высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К.

К таким сплавам относятся:

- сплав на основе висмута, содержащий сурьму 1,6 мае. (Bi0.096Sb0.04), обладающий высоким магнитосопротивлением (МС) [1];

- магнитотермоэлектрический сплав на основе висмута, содержащий сурьму 4,436-4,7107 мае, теллур 0,00054-0,00066 мас. %, висмут остальное [2],

- гальванотермомагнитный сплав на основе висмута, содержащий сурьму 0,58-2,98 мае, олово 0,00002 - 0,00012 мае, висмут остальное [3].

Наиболее близким по своему составу к предложенному сплаву является магниторезистивный сплав на основе висмута, содержащий мае. сурьму 9,3388-9,3393; олово 0,000050-0,000070; висмут остальное [4].

Однако недостатком сплава является низкое магнитосопротивление (МС) в области температур 90-300 К и магнитных полях до 1.15 Тл.

Технической задачей изобретения является повышение МС сплава на основе висмута.

Техническим результатом является создание сплава для изготовления эффективных датчиков контрольно-измерительной аппаратуры.

Поставленные техническая задача и технический результат достигаются в результате того, что в сплав на основе висмута, содержащий сурьму, дополнительно вводят олово при следующем содержании компонентов, мас. %:

Сурьма: 5,1437216 - 5,7737629

Олово: 0,000006 - 0,0001

Висмут: остальное.

Пример реализации изобретения.

В качестве основы предлагаемого сплава был взят известный двухкомпонентный сплав на основе висмута, содержащий сурьму 5,1437216-5,7737629 мае. В этот сплав был введен третий компонент - олово в количестве 0,000006-0,0001 мае.

Таким образом, существенным отличительным признаком заявляемого сплава является наличие в нем в качестве третьего компонента олова.

В результате введения олова было достигнуто повышение МС предлагаемого сплава, по сравнению с известным.

Для измерения МС предлагаемого сплава методом вытягивания из расплава по Чохральскому были получены монокристаллы следующих составов, приведенные в таблице 1.

При получении монокристаллов использовали висмут марки Ви-0000, предварительно прошедший капельную очистку в вакууме, сурьмы ОСЧ-18-4 и олово ОВЧ-0000. Кристаллы выращивали в атмосфере гелия особой чистоты. После выращивания монокристаллов из них вырезались на электроискровом станке образцы в форме параллелепипеда размерами 3×4×15 мм3 таким образом, чтобы их большее ребро было параллельно тригональной оси, а второе по величине - бинарной оси элементарной ячейки. МС измеряли в криостате специальной конструкции двухзондовым методом в магнитных полях 0,1-1,15 Тл. Ток направляли вдоль тригональной оси, а магнитное поле - перпендикулярно бинарной оси.

МС определяли как отношение разности сопротивлений в магнитном поле р(В) и без магнитного поля р(0) к сопротивлению без магнитного поля в процентах

Величины максимальных значений МС предлагаемого сплава и известного сплава при температуре 90 К в магнитном поле приведены в таблице 2.

Из данных таблицы 2 следует, что все составы предлагаемого сплава имеют более высокие значения МС, чем МС известного сплава.

Нижний предел концентрации сурьмы в предлагаемом сплаве (5,1437216 мае.) определяется тем, что при меньшем ее содержании в сплаве увеличение МС не наблюдается в сравнении с предлагаемым сплавом вследствие уменьшения энергетического зазора запрещенной зоны до нуля. Верхний предел концентрации сурьмы в предлагаемом сплаве (5,7737629 мае.) определяется тем, что МС уменьшается в сравнении с предлагаемым сплавом из-за увеличения энергетического зазора и ухудшения совершенства структуры монокристаллов.

Выбор предельных концентраций олова в предлагаемом сплаве связан тем, что добавка олова в количестве менее 0,000006 мае. является минимальной, при которой обеспечивается достижение поставленной в предлагаемом изобретении цели повышение МС сплава на основе висмута, содержащих сурьму в количестве от 5,1437216 до 5,7737629 мае. включительно, а добавка олова в количестве 0,0001 является максимальной, при которой наблюдается не рост МС, а его снижение.

Влияние столь малых добавок олова на МС монокристаллов сплавов на основе висмута, содержащих 5,1437216-5,7737629 мае. сурьмы, может быть связано с изменением зонной структуры, близкой с безщелевому состоянию, при низких температурах. Известно, что такие сплавы называют (ЗД) Дирак полуметаллами и в них наблюдается возрастание электрофизических свойств в магнитном поле.

Ослабление влияния олова на МС сплавов висмут-сурьма при увеличении содержания в них сурьмы связано с тем, что увеличение его содержания в сплавах сопровождается увеличением энергетического зазора запрещенной зоны, снижающего влияние магнитного поля.

Особенности влияния олова на МС в сплавах висмут-сурьма связано с изменением удельного электросопротивления и подвижности носителей тока при низких температурах, приводящих к безщелевому состоянию зонной структуры.

Реализация предлагаемого сплава, обладающего более высоким МС по сравнению с известными сплавами, позволяет изготавливать из него контрольно-измерительную аппаратуру измерения магнитных полей, приборов для сверхвысоких частот и магнитотермоэлектрических преобразователей энергии, расширить область их применения в тех областях науки и техники, где к изделиям из монокристаллов сплавов висмута с сурьмой предъявляются требования высокого МС.

Источники информации

1. Yue, Z. J. Semimetal-semiconductor transition and giant linear magnetoresistances in three-dimensional Dirac semimetal Bi0.96Sb0.04 single crystals / Z.J. Yue, X. Wang, S.S. Yan. Applied Physics Letters. - 2015. -V. 107.- 112101.

2. Авторское свидетельство СССР №513368 «Магнитотермоэлектрический сплав на основе висмута», МПК С22С 12/00, опубл. 25.06.76.

3. Патент РФ №2044092 «Гальваномагнитный сплав на основе висмута» МПК С22С 12/00, опубл. 20.09.1995

4. Kozhemyakin G.N., Zayakin S.A. Magnetoresistance in doped Bio.85Sbo.15 single crystals. Journal of Applied Physics. - 2017. - V. 122. - 205102.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 21-30 of 39 items.
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
04.10.2019
№219.017.d284

Кластер установок для выращивания кристаллов из раствора

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002701940
Дата охранного документа: 02.10.2019
17.10.2019
№219.017.d6c7

Фтор-проводящий композитный электролит и способ его получения

Изобретение относится к фтор-проводящим твердым электролитам (ФТЭЛ), которые используются в различных областях ионики твердого тела, электрохимии, сенсорных систем и низковольтной энергетики, а также к способу его получения. Фтор-проводящий композитный электролит получают кристаллизацией...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002702905
Дата охранного документа: 14.10.2019
18.10.2019
№219.017.d753

Композитный протонопроводящий материал и способ его получения

Изобретение может быть использовано при создании протонообменных мембран, применяемых в топливных элементах на основе водорода. Композитный протонопроводящий материал имеет состав xCs(HSO)(HPO)-(1-х)AlPO, где х=0,5-0,9. Способ получения композитного материала включает получение гидроксида...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002703246
Дата охранного документа: 15.10.2019
17.01.2020
№220.017.f622

Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса

Изобретение относится к области спектроскопии, а именно к устройствам для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в жидкостях и сверхкритических флюидах при высоком давлении. Реактор высокого давления для регистрации спектров электронного парамагнитного резонанса (ЭПР)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002711218
Дата охранного документа: 15.01.2020
28.03.2020
№220.018.1131

Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002717799
Дата охранного документа: 25.03.2020
24.06.2020
№220.018.29cc

Способ получения наностержней никеля с регулируемым аспектным отношением

Изобретение относится к области металлургии, в частности к способам получения никелевых наностержней цилиндрической формы с заданным аспектным отношением. Способ включает изготовление трековой полимерной матрицы, имеющей сквозные каналы-поры, на одну из сторон которой наносят слой меди с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002724264
Дата охранного документа: 22.06.2020
22.07.2020
№220.018.3562

Способ лечения открытоугольной формы глаукомы, устройство для его осуществления и рабочий инструмент

Группа изобретений относится к офтальмологии. Способ лечения открытоугольной формы глаукомы путем обеспечения оттока водянистой влаги через склеру в проекции цилиарного тела посредством серии лазерных аппликаций по его периметру. В месте каждой конкретной аппликации с помощью рабочего...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002727036
Дата охранного документа: 17.07.2020
12.04.2023
№223.018.4310

Способ синхронизированной регистрации рентгеновского излучения и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме при облучении образца рентгеновским излучением

Использование: для синхронизированной регистрации рентгеновского и вторичного флуоресцентного излучения в монофотонном режиме. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют облучение исследуемого образца рентгеновским излучением с последующей регистрацией флуоресцентного излучения от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793568
Дата охранного документа: 04.04.2023
20.04.2023
№223.018.4d95

Способ изготовления зонных пластин

Способ изготовления зонных пластин, в котором формируют блок из стеклянных пластин двух сортов, имеющих различную плотность и диэлектрическую проницаемость, но одинаковую площадь и объем, располагая пластины первого и второго сорта поочередно. С обеих сторон блока находятся пакеты пластин из...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002793078
Дата охранного документа: 28.03.2023
Showing 1-3 of 3 items.
05.12.2018
№218.016.a330

Магниторезистивный сплав на основе висмута

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673870
Дата охранного документа: 30.11.2018
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
14.05.2023
№223.018.54a6

Устройство для измерения термо-эдс тонких пленок

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002737341
Дата охранного документа: 27.11.2020
+ добавить свой РИД