×
28.03.2020
220.018.1131

Результат интеллектуальной деятельности: Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002717799
Дата охранного документа
25.03.2020
Аннотация: Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. Для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа во вторую часть производят вручную или автоматически. В качестве газа возможно применение воздуха. Технический результат – повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Способ относятся к области техники связанной с получением искусственных кристаллов из растворов.

Известен способ выращивания кристаллов из раствора, в котором осуществляют отвод раствора из кристаллизатора с последующим его возвращением в кристаллизатор (RU 185230 U1, 27.11.2018).

Недостатком способа является то, что при выращивании кристалла происходит значительное снижение уровня раствора и его концентрации, что отрицательно сказывается на качестве кристалла.

Технической задачей изобретения является обеспечение поддержания постоянной концентрации и уровня раствора в кристаллизаторе.

Техническим результатом является повышение качества кристалла при одновременном упрощении процесса выращивания.

Указанный результат достигается в результате того, что в способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающим отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую. При этом для поддержания постоянного уровня в первой части из нее отводят в сборник конденсата, размещенный вне кристаллизатора, объем раствора, который равен объему раствора, вытесненного из второй части. Подачу газа, например, воздуха во вторую часть производят вручную или автоматически.

На фигуре представлена схема устройства для реализации предлагаемого способа.

Устройство содержит кристаллизационный стакан 1, заполненный маточным раствором. На стакане 1 герметично установлена крышка 2. в которой выполнено отверстие большого диаметра для прохода паров растворителя (показаны стрелками), как правило воды, испаряющихся с поверхности маточного раствора. Сверху к крышке прикреплен конденсатор 3. В крышке 2 выполнена кольцевая канавка 4, в полости которой собираются стекающие по стенкам конденсатора 3 капли растворителя. Внутри кристаллизационного стакана 1 размещен кристаллоносец 5, приводимый во вращение электродвигателем (не показан) посредством оси 6. Нижняя секция 7 кристаллоносца 5 выполнена в форме перевернутого стакана и снабжена лопастями 8 для перемешивания маточного раствора. Наличие секции 7 приводит к разделению общего объема раствора в кристаллизаторе на две части - первую, которая заполняет объем кристаллизатора за исключение объема внутри секции 7, и вторую, которая составляет объем секции 7. Внутри секции 7 размещена трубка 9, подключенная через клапан 10 к источнику сжатого газа (не показан). Для контроля за уровнем раствора в кристаллизационном стакане 1 применен датчик 11. Полость канавки 4 через трубку 12 подключена к насосу 13, в качестве которого может применяться перистальтический насос. Насос 13 обеспечивает подачу жидкости из полости канавки 4 в сборник 14 конденсата. Выращиваемый кристалл, размещенный на кристаллоносце 5, обозначен позицией 15.

Способ реализуют следующим образом.

После сборки кристаллизатора его полость заполняют насыщенным маточным раствором. При этом весь объем внутри полости секции 7 заполнен раствором. Приводят во вращение кристаллоносец, обеспечивая перемешивание раствора внутри полости секции 7 посредством лопастей 8. Начинается рост кристалла 15, в результате чего концентрация и уровень раствора в кристаллизаторе начинают уменьшаться. Для предотвращения изменения концентрации и уровня от источника газа под давлением через клапан 10 по трубке 9 в полость секции 7 подают сжатый газ. Последний вытесняет раствор из полости секции 7, что обеспечивает поддержание уровня раствора в кристаллизаторе при уменьшении объема раствора внутри секции 7.

Одновременно идет процесс конденсации растворителя на стенке конденсатора. Капли конденсата стекают по стенке конденсатора в полость канавки 4 в крышке 2. Из полости канавки 4 жидкий растворитель по трубке 12 поступает в насос 13, например, перистальтический в сборник 14. Таким образом поддерживается равенство объема, вытесненного из полости в секции 7 путем подачи сжатого газа, и объема, который отводят из полости канавки 4. В результате этого уровень раствора и его концентрация в кристаллизаторе сохраняются постоянными.

Поддержание равенства названных объемов обеспечивают автоматической (по сигналу от датчика уровня 11) или ручной регулировкой функционирования клапана 12 и насоса 13. Достигаемое постоянство концентрации пресыщенного раствора в кристаллизаторе позволяет обеспечить высокое качество кристалла 15.

В результате поддержания постоянного уровня раствора в кристаллизаторе достаточно просто рассчитать сколько надо отбирать растворителя, чтобы кристалл рос с необходимой скоростью. Также преимуществом способа является возможность его реализации практически при использовании любого кристаллизатора. При этом нет необходимости в специальном устройстве для подпитки кристаллизатора раствором извне.

Проведенные эксперименты по выращиванию кристаллов подтвердили технологическую целесообразность его использование в промышленности.


Способ выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 39 items.
25.08.2017
№217.015.a2f2

Способ получения трёхмерных матриц

Изобретение может быть использовано для создания матриц для индивидуальных биоактивных имплантатов и искусственных органов. Для получения трехмерных матриц используют установку, состоящую из системы управления, трехкоординатной системы перемещения шприцевого диспенсера и рабочего резервуара. В...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607226
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a924

Способ активации процесса фотополимеризации ближним инфракрасным излучением

Изобретение относится к аддитивным технологиям, биотехнологии и медицине, а именно к cпособу получения трехмерных конструкций в объеме полимеризуемого материала. Способ характеризуется тем, что осуществляют облучение фотоктиватора глубоко проникающим в полимеризуемую композицию непрерывным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611395
Дата охранного документа: 21.02.2017
26.08.2017
№217.015.e479

Способ определения условий кристаллизации белков

Изобретение относится к химической промышленности. Способ кристаллизации белков предусматривает подготовку исходных растворов белка в буфере, фильтрование полученного раствора, центрифугирование и заполнение раствором капилляров. Первую часть полученных после центрифугирования белковых...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002626576
Дата охранного документа: 28.07.2017
29.12.2017
№217.015.f956

Конгруэнтно плавящийся фтор-проводящий твердый электролит mrf с флюоритовой структурой для высокотемпературных термодинамических исследований

Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов (ФТЭЛ). Предложены фтор-проводящие твердые электролиты MRV с флюоритовой структурой в монокристаллической форме для высокотемпературных термодинамических исследований химических веществ, содержащие фториды щелочноземельного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639882
Дата охранного документа: 25.12.2017
20.01.2018
№218.016.1887

Способ микроструктурирования поверхности прозрачных материалов

Изобретение относится к способу микроструктурирования поверхности прозрачных материалов путем формирования отверстий, каналов и других структур с помощью воздействия сфокусированным лазерным лучом на границу прозрачного материала и поглощающей жидкости, и может быть использовано, например, для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635494
Дата охранного документа: 13.11.2017
20.01.2018
№218.016.1bf5

Способ получения сложного гидросульфатфосфата цезия состава cs(hso)(hpo)

Изобретение относится к неорганической химии, в частности к синтезу сложного гидросульфатфосфата цезия состава Cs(HSO)(HPO), который может быть использован в качестве среднетемпературного твердого протонпроводящего материала. Cs(HSO)(HPO) получают методом твердофазного синтеза из шихты с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002636713
Дата охранного документа: 27.11.2017
10.05.2018
№218.016.3ed7

Способ получения структурированных гидрогелей

Изобретение относится к медицине, в частности к биомедицинскому материаловедению, и раскрывает метод получения гидрогелей с заданными механическими свойствами и архитектоникой. Способ включает формирование тонких слоев жидкой фотополимеризующейся композиции, содержащей 3 масс. % раствор...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002648514
Дата охранного документа: 26.03.2018
29.05.2018
№218.016.5506

Дифрактометр

Изобретение относится к устройствам для проведения рентгенодифракционных исследований материалов. Дифрактометр содержит источник рентгеновского излучения, размещенные за ним последовательно по ходу рентгеновского луча первую щелевую диафрагму, первый гониометр, вторую щелевую диафрагму, второй...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002654375
Дата охранного документа: 18.05.2018
01.07.2018
№218.016.692e

Способ выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах mf-cef

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF-CeF, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Способ включает кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из смеси фторидов одного или...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002659274
Дата охранного документа: 29.06.2018
08.07.2018
№218.016.6d97

Способ упрочнения гидрогелей

Изобретение относится к медицине, а именно к тканевой инженерии и регенеративной медицине, и предназначено для восстановления различных дефектов ткани. Для упрочнения гидрогелей осуществляют обработку гидрогелевого скаффолда в реакторе в среде сверхкритического диоксида углерода при температуре...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002660588
Дата охранного документа: 06.07.2018
Showing 1-3 of 3 items.
20.10.2014
№216.012.ff32

Способ выращивания кристаллов из раствора и устройство для осуществления

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов, предназначенных для использования в оптико-электронных устройствах. Способ выращивания кристаллов из пересыщенного раствора включает испарение растворителя с поверхности пересыщенного раствора, находящегося внутри кристаллизационного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002531186
Дата охранного документа: 20.10.2014
09.05.2019
№219.017.4eec

Устройство для выращивания кристаллов биологических макромолекул

Изобретение относится к кристаллографии, а более конкретно - к устройству для выращивания кристаллов биологических макромолекул, например кристаллов белка. В настоящее время весьма перспективным направлением в области выращивания кристаллов биологических макромолекул является кристаллизация...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002424383
Дата охранного документа: 20.07.2011
16.05.2023
№223.018.5f4b

Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к устройствам для выращивания кристаллов из растворов, например к технике скоростного выращивания кристаллов группы КДР (KHPO), в том числе, в промышленных масштабах. Устройство для выращивания кристаллов из раствора при...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002745770
Дата охранного документа: 31.03.2021
+ добавить свой РИД