×
01.05.2019
219.017.47c3

Результат интеллектуальной деятельности: МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ СПЛАВ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к металлургии, а именно к сплавам на основе висмута, предназначенным для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры. Магниторезистивный сплав на основе висмута содержит, мас.%: сурьма 5,1437216 - 5,7737629, олово 0,000006 - 0,0001, висмут – остальное. Сплав характеризуется высоким значением магнитосопротивлением в температурном диапазоне 90-300 К, что обеспечивает высокую эффективность датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, 2 табл., 3 пр.

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, содержащих сурьму и олово, предназначенных для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры измерения магнитных полей, магнитотермоэлектрических преобразователей энергии и других электронных приборов, использующих в своей работе высокое значение магнитосопротивления.

Известны сплавы на основе висмута, обладающие достаточно высокими значениями магнитосопротивления в температурном диапазоне 90-300 К.

К таким сплавам относятся:

- сплав на основе висмута, содержащий сурьму 1,6 мае. (Bi0.096Sb0.04), обладающий высоким магнитосопротивлением (МС) [1];

- магнитотермоэлектрический сплав на основе висмута, содержащий сурьму 4,436-4,7107 мае, теллур 0,00054-0,00066 мас. %, висмут остальное [2],

- гальванотермомагнитный сплав на основе висмута, содержащий сурьму 0,58-2,98 мае, олово 0,00002 - 0,00012 мае, висмут остальное [3].

Наиболее близким по своему составу к предложенному сплаву является магниторезистивный сплав на основе висмута, содержащий мае. сурьму 9,3388-9,3393; олово 0,000050-0,000070; висмут остальное [4].

Однако недостатком сплава является низкое магнитосопротивление (МС) в области температур 90-300 К и магнитных полях до 1.15 Тл.

Технической задачей изобретения является повышение МС сплава на основе висмута.

Техническим результатом является создание сплава для изготовления эффективных датчиков контрольно-измерительной аппаратуры.

Поставленные техническая задача и технический результат достигаются в результате того, что в сплав на основе висмута, содержащий сурьму, дополнительно вводят олово при следующем содержании компонентов, мас. %:

Сурьма: 5,1437216 - 5,7737629

Олово: 0,000006 - 0,0001

Висмут: остальное.

Пример реализации изобретения.

В качестве основы предлагаемого сплава был взят известный двухкомпонентный сплав на основе висмута, содержащий сурьму 5,1437216-5,7737629 мае. В этот сплав был введен третий компонент - олово в количестве 0,000006-0,0001 мае.

Таким образом, существенным отличительным признаком заявляемого сплава является наличие в нем в качестве третьего компонента олова.

В результате введения олова было достигнуто повышение МС предлагаемого сплава, по сравнению с известным.

Для измерения МС предлагаемого сплава методом вытягивания из расплава по Чохральскому были получены монокристаллы следующих составов, приведенные в таблице 1.

При получении монокристаллов использовали висмут марки Ви-0000, предварительно прошедший капельную очистку в вакууме, сурьмы ОСЧ-18-4 и олово ОВЧ-0000. Кристаллы выращивали в атмосфере гелия особой чистоты. После выращивания монокристаллов из них вырезались на электроискровом станке образцы в форме параллелепипеда размерами 3×4×15 мм3 таким образом, чтобы их большее ребро было параллельно тригональной оси, а второе по величине - бинарной оси элементарной ячейки. МС измеряли в криостате специальной конструкции двухзондовым методом в магнитных полях 0,1-1,15 Тл. Ток направляли вдоль тригональной оси, а магнитное поле - перпендикулярно бинарной оси.

МС определяли как отношение разности сопротивлений в магнитном поле р(В) и без магнитного поля р(0) к сопротивлению без магнитного поля в процентах

Величины максимальных значений МС предлагаемого сплава и известного сплава при температуре 90 К в магнитном поле приведены в таблице 2.

Из данных таблицы 2 следует, что все составы предлагаемого сплава имеют более высокие значения МС, чем МС известного сплава.

Нижний предел концентрации сурьмы в предлагаемом сплаве (5,1437216 мае.) определяется тем, что при меньшем ее содержании в сплаве увеличение МС не наблюдается в сравнении с предлагаемым сплавом вследствие уменьшения энергетического зазора запрещенной зоны до нуля. Верхний предел концентрации сурьмы в предлагаемом сплаве (5,7737629 мае.) определяется тем, что МС уменьшается в сравнении с предлагаемым сплавом из-за увеличения энергетического зазора и ухудшения совершенства структуры монокристаллов.

Выбор предельных концентраций олова в предлагаемом сплаве связан тем, что добавка олова в количестве менее 0,000006 мае. является минимальной, при которой обеспечивается достижение поставленной в предлагаемом изобретении цели повышение МС сплава на основе висмута, содержащих сурьму в количестве от 5,1437216 до 5,7737629 мае. включительно, а добавка олова в количестве 0,0001 является максимальной, при которой наблюдается не рост МС, а его снижение.

Влияние столь малых добавок олова на МС монокристаллов сплавов на основе висмута, содержащих 5,1437216-5,7737629 мае. сурьмы, может быть связано с изменением зонной структуры, близкой с безщелевому состоянию, при низких температурах. Известно, что такие сплавы называют (ЗД) Дирак полуметаллами и в них наблюдается возрастание электрофизических свойств в магнитном поле.

Ослабление влияния олова на МС сплавов висмут-сурьма при увеличении содержания в них сурьмы связано с тем, что увеличение его содержания в сплавах сопровождается увеличением энергетического зазора запрещенной зоны, снижающего влияние магнитного поля.

Особенности влияния олова на МС в сплавах висмут-сурьма связано с изменением удельного электросопротивления и подвижности носителей тока при низких температурах, приводящих к безщелевому состоянию зонной структуры.

Реализация предлагаемого сплава, обладающего более высоким МС по сравнению с известными сплавами, позволяет изготавливать из него контрольно-измерительную аппаратуру измерения магнитных полей, приборов для сверхвысоких частот и магнитотермоэлектрических преобразователей энергии, расширить область их применения в тех областях науки и техники, где к изделиям из монокристаллов сплавов висмута с сурьмой предъявляются требования высокого МС.

Источники информации

1. Yue, Z. J. Semimetal-semiconductor transition and giant linear magnetoresistances in three-dimensional Dirac semimetal Bi0.96Sb0.04 single crystals / Z.J. Yue, X. Wang, S.S. Yan. Applied Physics Letters. - 2015. -V. 107.- 112101.

2. Авторское свидетельство СССР №513368 «Магнитотермоэлектрический сплав на основе висмута», МПК С22С 12/00, опубл. 25.06.76.

3. Патент РФ №2044092 «Гальваномагнитный сплав на основе висмута» МПК С22С 12/00, опубл. 20.09.1995

4. Kozhemyakin G.N., Zayakin S.A. Magnetoresistance in doped Bio.85Sbo.15 single crystals. Journal of Applied Physics. - 2017. - V. 122. - 205102.

Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 39 items.
25.08.2018
№218.016.7f79

Перестраиваемое волоконно-оптическое фокусирующее устройство

Изобретение относится к устройствам для фокусировки лазерного излучения, предназначено для интегрирования в волоконно-оптические системы, где требуется оперативная подстройка фокусирующих свойств волоконных световодов. Устройство содержит последовательно расположенные и оптически связанные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664787
Дата охранного документа: 22.08.2018
30.08.2018
№218.016.8184

Фтор-проводящий стеклообразный твердый электролит

Изобретение относится к области фтор-проводящих твердых электролитов, обладающих высокой анионной электропроводностью по ионам фтора. Фтор-проводящий твердый электролит на основе фторидного стекла PbF+InF+BaF имеет состав, мол. %: PbF 7-54, InF 11-49, BaF 7-32, AlF 2-20 и LiF 10-20. Электролиты...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002665314
Дата охранного документа: 29.08.2018
07.09.2018
№218.016.8472

Способ создания механолюминесцентных сенсоров для визуализации и регистрации механических воздействий

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для создания элементов визуализации, записи и исследования механических воздействий сложной пространственной формы в зависимости от времени. Заявленный способ создания механолюминесцирующих сенсорных элементов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002666162
Дата охранного документа: 06.09.2018
15.11.2018
№218.016.9da9

Способ получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках в ленгмюровской ванне

Изобретение относится к биотехнологии, в частности к способу получения упорядоченных пленок лизоцима на твердых подложках. Готовят маточный раствор лизоцима в буфере с концентрацией, соответствующей началу кристаллизации лизоцима. Фильтруют раствор лизоцима и центрифугируют. Параллельно готовят...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002672410
Дата охранного документа: 14.11.2018
05.12.2018
№218.016.a330

Магниторезистивный сплав на основе висмута

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673870
Дата охранного документа: 30.11.2018
13.12.2018
№218.016.a61e

Установка для топо-томографических исследований образцов

Использование: для исследования совершенства монокристаллических слоев. Сущность изобретения заключается в том, что установка для исследования образцов содержит источник рентгеновского излучения и установленные по ходу рентгеновского луча блок с кристаллом-монохроматором, гониометр с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002674584
Дата охранного документа: 11.12.2018
08.02.2019
№219.016.b846

Неконкурентный ингибитор тимидинфосфорилаз

Изобретение относится к области биохимии. Предложен неконкурентный ингибитор тимидинфосфорилаз пептидной природы H-Trp-Met(О)-Phe-NH. Изобретение обеспечивает получение неконкурентного ингибитора тимидинфосфорилаз пептидной природы, который потенциально можно использовать для лечения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002679148
Дата охранного документа: 06.02.2019
29.03.2019
№219.016.ee52

Способ лазероиндуцированного возбуждения сверхинтенсивного пузырькового кипения

Изобретение относится к технологиям передачи тепла, а именно к передаче тепла от сосредоточенного источника в жидкость, и может быть использовано, например, в биотехнологии и медицине, в частности для эффективного нагрева тканей с целью деструкции патологических образований. Заявленный способ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002682848
Дата охранного документа: 21.03.2019
19.04.2019
№219.017.294e

Жидкая фотополимеризующаяся композиция для лазерной стереолитографии

Изобретение относится к жидкой фотополимеризующейся композиции (ФПК) для лазерной стереолитографии. Композиция содержит 96-98 вес.% смеси ди(мет)-акриловых олигомеров и (мет)акрилового мономера и 2-4 вес.% фотоинициатора 2,2′-диметокси-2-фенилацетофенона. Указанная смесь содержит 16-33 вес.%...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002685211
Дата охранного документа: 16.04.2019
07.06.2019
№219.017.750e

Беспроводное устройство для измерения температуры

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава. Беспроводное устройство для измерения температуры, содержащее термодатчик, блок питания и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002690719
Дата охранного документа: 05.06.2019
Showing 1-3 of 3 items.
05.12.2018
№218.016.a330

Магниторезистивный сплав на основе висмута

Изобретение относится к сплавам на основе висмута, которые могут быть использованы для изготовления датчиков контрольно-измерительной аппаратуры, например датчиков Холла. Сплав на основе висмута содержит, мас. %: сурьма 5,1437216-5,7737629, теллур 0,0000006-0,0003188, висмут – остальное. Сплав...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002673870
Дата охранного документа: 30.11.2018
02.09.2019
№219.017.c5ef

Устройство для выращивания кристаллов вертикальным методом бриджмена

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов полупроводников вертикальным методом Бриджмена. Устройство содержит корпус 1 с размещенной внутри него теплоизоляцией 2, два последовательно установленных нагревателя 3, 5 и тигель 6 с рабочей камерой, имеющий возможность осевого...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002698830
Дата охранного документа: 30.08.2019
14.05.2023
№223.018.54a6

Устройство для измерения термо-эдс тонких пленок

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения термо-ЭДС в тонких пленках металлических, полупроводниковых термоэлектрических материалов. Сущность: устройство для измерения термо-ЭДС тонких пленок длиной L и шириной S, содержит термопары и средства для замера ЭДС....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002737341
Дата охранного документа: 27.11.2020
+ добавить свой РИД