×
29.05.2018
218.016.5995

Результат интеллектуальной деятельности: УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ОТ ПЫЛЕВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЧАСТИЦ

Вид РИД

Изобретение

№ охранного документа
0002655339
Дата охранного документа
25.05.2018
Аннотация: Изобретение относится к устройствам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Устройство включает узел (1) зарядки пылевых металлических частиц и узел (2) отклонения пылевых металлических частиц, установленные между источником (3) пылевых металлических частиц и первым оптическим элементом (4) литографического оборудования. Узел (2) отклонения пылевых металлических частиц включает отклоняющие электроды (21) по обе стороны от оси (7) источника пылевых металлических частиц, подключенные к первому источнику постоянного высокого электрического напряжения. Узел (1) зарядки пылевых металлических частиц включает систему (5) формирования потока электронов, расположенную по одну сторону от оси (7) источника (3) пылевых металлических частиц, и собирающий электрод (6), расположенный по другую сторону от оси (7) источника (3) пылевых металлических частиц. Система (5) формирования потока электронов состоит из параллельных друг другу и последовательно расположенных перпендикулярно оси (7) источника (3) пылевых металлических частиц запирающего перфорированного электрода (8), подключенного к источнику (18) постоянного электрического напряжения, эмиттера (9) электронов, соединенного с источником (14) постоянного электрического тока, формирующего заземленного электрода (10) и ускоряющего электрода (11), подключенного к источнику (17) импульсного высокого электрического напряжения, к которому также подсоединен и собирающий электрод (6). Технический результат: повышение эффективности отклонения пылевых металлических частиц и защиты оптических элементов оборудования. 3 з.п. ф-лы, 5 ил.

Изобретение относится к устройствам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим.

К такому литографическому оборудованию относится оптическая нанолитография в глубоком ультрафиолете (Junichi Fujimoto, Tamotsu Abe, Satoshi Tanaka, Takeshi Ohta, Tsukasa Hori, Tatsuya Yanagida, Hiroaki Nakarai, Hakaru Mizoguchi, J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 11(2), 021111, pp 1-14, Apr-Jun 2012). Источником ультрафиолета в таком оборудовании служит Sn плазма, при этом вместе с генерацией плазмы с оловянной мишени идет эрозия материала в виде микрокапель и кластеров, так называемых пылевых частиц. Поэтому одним из наиболее важных требований, возникающих при разработке источника глубокого ультрафиолета, является необходимость полного предотвращения попадания пылевых металлических частиц (например, кластеров и атомов Sn) на поверхность зеркала коллектора, поскольку осаждение даже слоя толщиной 1 нм ухудшает коэффициент отражения зеркала на 10%, что существенно влияет на его срок службы.

В последние годы разработаны устройства отчистки и защиты поверхности рабочих элементов в различных установках от загрязнения продуктами, возникающими в процессе работы этих установок.

Известно устройство удаления загрязняющих частиц с поверхности оборудования, производящего полупроводниковые изделия (см. заявка ЕР 0790642, МПК С23С 16/02, С23С 16/44, H01J 37/32, H01L 21/00, H01L 21/306, H01L 21/677, опубликована 20.08.1997), включающее рабочую камеру, источник ионизованного газа и систему электродов, которые могут устанавливаться как в рабочей камере, так и в узлах транспортировки подложек. На электроды подают разность потенциалов 1000-15000 В. Устройство осуществляет зарядку загрязняющих частиц в ионизованном газе и удаление их с поверхности полупроводниковых изделий за счет ускорения в электрическом поле.

Известное устройство позволяет существенно снизить степень загрязнения поверхности полупроводниковых изделий, однако оно не предназначено для отчистки рабочих элементов установок от пленок и пылевых частиц с сильной адгезией к поверхности.

Известно устройство защиты литографического оборудования от пылевых частиц (см. заявка РСТ WO 2011110467, МПК В08В 06/00, C23F 01/08, G03B 07/52, G03F 07/20, опубликована 15.09.2011), включающее источник электрического напряжения, систему электродов, установленных с противоположных сторон пути пучка ультрафиолетового излучения, и контроллер для задания режимов электрического напряжения на системе электродов. Устройство удаляет пылевые частицы электрическим полем, формируемым на пути распространения излучения в глубоком ультрафиолете.

Однако известное устройство не защищает оптические элементы литографического оборудования от незаряженных пылевых частиц.

Известно устройство защиты литографического оборудования от пылевых частиц (см. заявка US 2005140945, МПК G03B 27/52, G03B 27/54 G03F 07/00, G03F 07/20, опубликована 30.06.2005), включающее источник плазмы, в котором реализуется зарядка пылевых частиц, систему соленоидов для создания магнитного поля на пути движения заряженных пылевых частиц, а также систему удерживающих поверхностей, на которые под действием магнитного поля оседают заряженные пылевые частицы.

Известное устройство позволяет отклонять ионы и кластеры, однако оно не обеспечивает ослабления потока частиц нанометрового размера на элементы литографического оборудования, поскольку такие частицы не захватываются магнитным полем.

Известно устройство защиты литографического оборудования от пылевых, в том числе металлических, частиц (см. ЕР 1434095, МПК G03F 07/20, опубликована 30.06.2004), совпадающее с настоящим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятое за прототип. Устройство-прототип включает узел зарядки пылевых металлических частиц и узел отклонения пылевых металлических частиц, установленные между источником пылевых металлических частиц и первым оптическим элементом. Узел зарядки пылевых металлических частиц выполнен в виде источника газоразрядной плазмы, включающего систему подачи газа и первую систему электродов, которые создают сильное электрическое поле в потоке газа и осуществляют пробой газа, что создает плазму. Узел отклонения пылевых металлических частиц выполнен в виде второй системы электродов, которые создают электрическое поле вдоль поверхности защищаемого первого оптического элемента. Устройство осуществляет зарядку пылевых частиц в плазме электрического разряда и их отклонение под воздействием электрического поля в сторону от поверхности защищаемого первого оптического элемента литографического оборудования.

Устройство-прототип не обеспечивает достаточно эффективного отклонения заряженных пылевых частиц от поверхности защищаемого первого оптического элемента электрическим полем, так как использование в узле зарядки частиц плазмы газового разряда не позволяет заряжать пылевые металлические частицы выше плавающего потенциала, который определяется температурой электронов в плазме газового разряда и составляет всего несколько десятков вольт.

Задачей заявляемого изобретения является разработка такого устройства защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц, которое бы обеспечивало повышенную эффективность отклонения пылевых металлических частиц от поверхности защищаемого первого оптического элемента за счет зарядки частиц до более высоких потенциалов.

Поставленная задача решается тем, что устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц включает узел зарядки пылевых металлических частиц и узел отклонения пылевых металлических частиц, установленные между источником пылевых металлических частиц и первым оптическим элементом литографического оборудования. Узел отклонения пылевых металлических частиц включает отклоняющие электроды по обе стороны от оси источника пылевых металлических частиц, подключенные к первому источнику постоянного высокого электрического напряжения. Новым в устройстве является то, что узел зарядки пылевых металлических частиц содержит систему формирования потока электронов, расположенную по одну сторону от оси источника пылевых металлических частиц, и собирающий электрод, расположенный по другую сторону от оси источника пылевых металлических частиц. Новым также является то, что система формирования потока электронов состоит из параллельных друг другу и последовательно расположенных перпендикулярно оси источника пылевых металлических частиц запирающего перфорированного электрода, подключенного к источнику постоянного электрического напряжения, эмиттера электронов, соединенного с источником постоянного электрического тока, формирующего заземленного электрода и ускоряющего электрода, подключенного к источнику импульсного высокого электрического напряжения, к которому также подсоединен собирающий электрод.

Для уменьшения влияния пространственного заряда потока электронов между ускоряющим и собирающим электродами может быть установлено два параллельных сетчатых электрода, разнесенных по разные стороны от оси источника пылевых металлических частиц и подключенных ко второму источнику постоянного высокого электрического напряжения.

Эмиттер электронов может быть выполнен в виде цилиндрических вольфрамовых спиралей, эквидистантно разнесенных друг от друга в одной плоскости и закрепленных на диэлектрической рамке.

В формирующем заземленном электроде и в ускоряющем электроде могут быть выполнены одинаковые прямоугольные отверстия, соответствующие цилиндрическим вольфрамовым спиралям эмиттера электронов и расположенные напротив этих спиралей.

Собирающий электрод может быть выполнен в виде металлической пластины.

Настоящее устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц поясняется чертежами, где:

на рис. 1 приведено схематическое изображение устройства защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц;

на рис. 2 схематически изображено одно из возможных воплощений эмиттера электронов;

на рис. 3 показан вид сверху на одно из возможных воплощений формирующего электрода;

на рис. 4 изображен вид сверху на одно из возможных воплощений ускоряющего электрода;

на рис. 5 показан вид сверху на одно из возможных воплощений запирающего электрода.

Устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц состоит (рис. 1) из двух узлов: узла 1 зарядки пылевых металлических частиц и узла 2 отклонения пылевых металлических частиц. Узлы 1, 2 устанавливают на общей основе (на чертеже не показана) располагают в вакуумной камере (на чертеже не показана) между источником 3 пылевых металлических частиц и первым оптическим элементом 4 литографического оборудования (рис. 1). Узел 1 зарядки пылевых металлических частиц включает систему 5 формирования потока электронов, расположенную по одну сторону от оси 7 источника 3 пылевых металлических частиц, и собирающий электрод 6, расположенный по другую сторону от оси 7 источника 3 пылевых металлических частиц. Система 5 формирования потока электронов состоит из параллельных друг другу и последовательно расположенных перпендикулярно оси 7 источника 3 пылевых металлических частиц запирающего перфорированного электрода 8, эмиттера 9 электронов, заземленного формирующего электрода 10 и ускоряющего электрода 11. Электроды 8, 9, 10, и 11 системы 5 формирования потока электронов предпочтительно выполняют плоскими, они могут быть скреплены, например, четырьмя винтами, пропущенными через керамические шайбы (на чертеже не показаны). Крепление электродов 8, 9, 10, и 11 через шайбы обеспечивает электрическую изоляцию их между собой. Собирающий электрод 6 служит коллектором электронов, он установлен, например, на керамическом держателе напротив ускоряющего электрода 11. Собирающий электрод 6 располагают напротив ускоряющего электрода 11 так, что область между ними перекрывает весь поток пылевых металлических частиц от источника 3 пылевых металлических частиц. Эмиттер 9 электронов выполнен, например, в виде набора цилиндрических вольфрамовых спиралей 12, эквидистантно разнесенных друг от друга в одной плоскости и закрепленных, например, на диэлектрической рамке 13 (рис. 2). Спирали 12 параллельно подключены к источнику 14 постоянного электрического тока, который обеспечивает протекание тока по спиралям 12 и их нагрев. В формирующем заземленном электроде 10 выполнены прямоугольные отверстия 15, которые соответствуют спиралям 12 эмиттера 9 электронов и располагаются напротив этих спиралей 6 (рис. 3). Прямоугольные отверстия 16 в ускоряющем 11 электроде соответствуют отверстиям 15 в формирующем электроде 10 и расположены напротив отверстий 15 (рис. 4). На ускоряющий электрод 11 подают импульсное высокое электрическое напряжение от источника 17 импульсного высокого электрического напряжения. К собирающему электроду 6 также прикладывают импульсное высокое напряжение от источника 17 импульсного высокого электрического напряжения. Запирающий электрод 8 расположен позади эмиттера 9 электронов. Для ограничения потока электронов в направлении, обратном собирающему электроду 6, на запирающий электрод 8 подают напряжение отрицательной полярности от источника питания. Запирающий электрод 8 подключен к источнику 18 постоянного электрического напряжения отрицательной полярности для ограничения потока электронов в направлении, обратном собирающему электроду 6. Запирающий электрод 8 представляет собой перфорированную металлическую пластину с отполированной поверхностью (рис. 5), что обеспечивает высокий коэффициент отражения излучения, генерируемого спиралями 12 эмиттера 9, и соответственно снижает нагрев запирающего электрода 8. Большое количество отверстий в запирающем электроде 8 обеспечивает выход излучения из системы 5 формирования потока электронов, что снижает ее нагрев. Заземленный формирующий электрод 10 обеспечивает фокусировку потока электронов для увеличения его плотности. Ускоряющий электрод 11 обеспечивает вытягивание электронов через отверстия 15 в формирующем электроде 10 и ускорение электронов до требуемой энергии за счет приложенного к нему напряжения от источника 17 импульсного высокого электрического напряжения. В узле 2 отклонения пылевых металлических частиц по обе стороны от оси 7 источника 3 пылевых металлических частиц установлены параллельные, например, плоские отклоняющие электроды 21. Отклоняющие электроды 21 располагают на пути распространения пылевых металлических частиц позади узла 1 зарядки пылевых металлических частиц так, что электрическое поле между ними (нормаль к плоскости электродов 21) оказывается перпендикулярным оси 7 источника 3 пылевых металлических частиц. Отклоняющие электроды 21 подключены к первому источнику 22 постоянного высокого электрического напряжения. В области между собирающим электродом 6 и ускоряющим электродом 11 могут быть установлены сеточные электроды 19 для уменьшения влияния пространственного заряда потока электронов. В этом случае на сеточные электроды 19 подают постоянное высокое электрическое напряжение от второго источника 20 постоянного высокого электрического напряжения, например от 10 тысяч вольт до 20 тысяч вольт.

Настоящее устройство защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц работает следующим образом. Устройство удаляет пылевые металлические частицы, которые генерируются в источнике 3 в процессе формирования Sn плазмы, например, с помощью лазерного облучения оловянной мишени. Образовавшиеся пылевые металлические частицы распространяются от источника 3 к первому оптическому элементу 4 (системе зеркал литографического оборудования). Пылевые металлические частицы попадают в узел зарядки 1 пылевых металлических частиц. Система 5 формирования потока электронов создает поток электронов от эмиттера 9 электронов к собирающему электроду 6. Поток электронов формируется за счет пропускания электрического тока через эмиттер 9 электронов, а также за счет подачи импульса высокого напряжения от источника 17 импульсного высокого электрического напряжения к ускоряющему электроду 11 и собирающему электроду 6, а также к сеточным электродам 19 при их наличии. Импульс высокого напряжения на источнике 17 импульсного высокого электрического напряжения генерируется при запуске источника 3 пылевых металлических частиц за счет подачи синхроимпульса импульса на источник 17 импульсного высокого электрического напряжения. Формируемый поток электронов заряжает пылевые металлические частицы. При попадании пылевых металлических частиц в узел 2 отклонения пылевых металлических частиц поток частиц отклоняется сильным электрическим полем, которое формируется между двумя отклоняющими электродами 21 за счет создания между ними разности потенциалов первым источником 22 постоянного высокого электрического напряжения. В потоке электронов скорость зарядки пылевых металлических частиц в несколько раз меньше, чем скорость зарядки в плазме газового разряда, используемой в устройстве-прототипе, но при этом электроны могут заряжать частицы до больших значений заряда, что повышает эффективность их отклонения в электромагнитном поле. Отсутствие плазмы газового разряда также позволяет снизить концентрацию атомов в области отклоняющего электрического поля, и это позволяет прикладывать к отклоняющим электродам 21 разность напряжений в десятки тысяч Вольт и, тем самым, увеличить отклоняющее электрическое поле на порядок. Это повышает эффективность отклонения пылевых металлических частиц и повышает эффективность защиты оптических элементов литографического оборудования.

Пример. Для экспериментальной проверки работоспособности устройства защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц был собран макет устройства, в котором мишень из олова чистотой 99,99% облучалась импульсами излучения Nd:YAG-лазера. Облучение мишени проводилось в вакууме с давлением остаточного воздуха 10-4 Па. Длительность лазерных импульсов составляла 30 нс, энергия в импульсе 0,3 Дж, частота повторения импульсов 60 Гц, время облучения 5 минут. В процессе облучения мишень вращалась со скоростью 2 оборота в минуту, соответственно фокус лазерного излучения смещался по поверхности мишени. При этом часть материала с мишени эмитировалась в виде капель, а на мишени формировалась канавка в форме кольца. Эмитированные с мишени частицы олова разлетались во все стороны от плоскости мишени. В качестве защищаемого элемента использовали кварцевый датчик скорости нанесения пленок размером 1 см, который моделировал элемент оптики литографического оборудования и располагался под мишенью на расстоянии 15 см. Измерения скорости напыления олова на датчик проводили с помощью контроллера STC-2000A. Для того чтобы ослабить поток частиц олова на датчик и при этом не препятствовать потокам электромагнитного излучения, на участке между мишенью и датчиком формировали системой формирования потока электронов ленточный пучок электронов плотностью 2,5 мА/см2, шириной 1 см, высотой Х=4 см и длиной 5 см. Энергия электронов в пучке (Еэл) составляла 1,3⋅10-15 Дж. Пучок электронов был направлен перпендикулярно направлению потока пылевых частиц олова в области их пересечения. Пылевые частицы олова, которые попадали в поток электронов, заряжались. На участке за пучком электронов и до датчика, который защищали от пылевых частиц, было создано двумя плоскими электродами отклоняющее электрическое поле напряженностью 2 кВ/см. Размер области электрического поля составлял 5 см в высоту (от пучка электронов до датчика), 7 см в ширину (размер электродов, формирующих поле) и 4 см в длину (расстояние между электродами). Без включения потока электронов и отклоняющего электрического поля скорость напыления пылевых частиц олова на датчик составляла примерно 0,5 нм/с. При включении пучка электронов и отклоняющего электрического поля, скорость напыления пылевых частиц олова на датчик падала до 0,12 нм/с, то есть в 4,16 раза.


УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ОТ ПЫЛЕВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЧАСТИЦ
УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ОБОРУДОВАНИЯ ОТ ПЫЛЕВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЧАСТИЦ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 41-50 of 114 items.
13.01.2017
№217.015.81e0

Способ измерения магнитного поля

Изобретение относится к способам измерения магнитного поля и включает воздействие на кристалл карбида кремния гексагонального или ромбического политипа, содержащего спиновые центры с основным квадруплетным спиновым состоянием, вдоль его кристаллографической оси с симметрии сфокусированным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601734
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.83bb

Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера

Изобретение относится к области контроля полупроводниковых устройств. Способ оценки качества гетероструктуры полупроводникового лазера включает воздействие на волноводный слой гетероструктуры полупроводникового лазера световым излучением, не испытывающим межзонное поглощение в его активной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601537
Дата охранного документа: 10.11.2016
13.01.2017
№217.015.91ea

Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора

Группа изобретений относится к составам материалов для атомной энергетики, в частности к жертвенным материалам. Оксидный материал ловушки расплава активной зоны ядерного реактора, включающий AlO, FeO и/или FeO, первую целевую добавку в виде GdO или EuO, или SmO и вторую целевую добавку в виде...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002605693
Дата охранного документа: 27.12.2016
25.08.2017
№217.015.9b70

Четырехпереходный солнечный элемент

Четырехпереходный солнечный элемент включает последовательно выращенные на подложке (1) из p-Ge четыре субэлемента (2), (3), (4), (5), соединенные между собой туннельными p-n переходами (6, 7, 8), метаморфный градиентный буферный слой (9) между первым (2) и вторым (3) субэлементами и контактный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002610225
Дата охранного документа: 08.02.2017
25.08.2017
№217.015.a56c

Оптический магнитометр

Изобретение относится к области измерения магнитных полей и касается оптического магнитометра. Магнитометр включает генератор низкой частоты, конденсатор, по меньшей мере одну катушку электромагнита, активный материал виде кристалла карбида кремния, содержащий по меньшей мере один спиновый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607840
Дата охранного документа: 20.01.2017
25.08.2017
№217.015.a5d3

Способ изготовления фотоэлемента на основе gaas

Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaAs включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии на подложке n-GaAs базового слоя n-GaAs, легированного оловом или теллуром, толщиной 10-20 мкм и слоя p-AlGaAs, легированного цинком, при х=0,2-0,3 в начале роста и при х=0,10-0,15 в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002607734
Дата охранного документа: 10.01.2017
25.08.2017
№217.015.a9ae

Солнечный концентраторный модуль

Солнечный концентраторный модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами (4) Френеля на внутренней стороне фронтальной панели (3), тыльную панель (9) с фоконами (6) и солнечные элементы (7), снабженные теплоотводящими основаниями (8). Теплоотводящие основания (8)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611693
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.a9ce

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей

Система управления платформой концентраторных солнечных модулей содержит платформу (6) с концентраторными каскадными солнечными модулями, оптический солнечный датчик (24), выполненный в виде CMOS матрицы, подсистему (7) азимутального вращения, подсистему (8) зенитального вращения, включающую...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611571
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aa69

Метаморфный фотопреобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано для создания солнечных элементов. Метаморфный фотопреобразователь включает подложку (1) из GaAs, метаморфный буферный слой (2) и по меньшей мере один фотоактивный p-n-переход (3), выполненный из InGaAs и включающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611569
Дата охранного документа: 28.02.2017
25.08.2017
№217.015.aaa3

Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам создания наногетероструктур для фотопреобразующих и светоизлучающих устройств. Способ изготовления наногетероструктуры со сверхрешеткой включает выращивание на подложке GaSb газофазной эпитаксией из металлоорганических...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611692
Дата охранного документа: 28.02.2017
Showing 1-6 of 6 items.
25.08.2017
№217.015.cec9

Катализатор для гидроизомеризации дизельного топлива

Изобретение относится к катализатору для гидроизомеризации дизельного топлива, который может быть использован для получения низкозастывающего дизельного топлива с высокими выходом целевого продукта. Катализатор получен на основе наночастиц металлов платиновой группы, нанесенных на твердый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002620813
Дата охранного документа: 30.05.2017
25.08.2017
№217.015.d0e5

Катализатор для процессов высокотемпературного окисления со

Изобретение относится к катализатору для процессов высокотемпературного окисления СО и может быть использован для удаления СО, образующегося в процессах регенерации катализаторов каталитического крекинга, протекающих при температурах 600÷700°С. Катализатор получен на основе наночастиц металлов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621350
Дата охранного документа: 02.06.2017
26.08.2017
№217.015.d8d8

Способ защиты литографического оборудования от пылевых металлических частиц

Изобретение относится к способам защиты рабочих элементов литографического оборудования от потоков пылевых частиц, в которых запыление элементов оптики продуктами распыления мишени при ее облучении лазерным излучением является критическим. Способ включает зарядку пылевых металлических частиц и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002623400
Дата охранного документа: 26.06.2017
20.01.2018
№218.016.0ffc

Способ получения наночастиц и устройство для его осуществления

Группа изобретений относится к получению металлических наночастиц. Способ включает формирование потока ускоряемых металлических микрочастиц, плавление металлических микрочастиц, подачу потока образовавшихся жидких микрокапель в область цилиндрического осесимметричного электростатического поля,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633689
Дата охранного документа: 16.10.2017
04.04.2018
№218.016.32ed

Способ получения катализаторов гидроочистки углеводородного сырья на основе аморфных металлических наночастиц

Изобретение относится к способу получения катализаторов гидроочистки углеводородного сырья на основе аморфных металлических наночастиц относится к области нефтепереработки и может быть использован для очистки от серосодержащих и азотсодержащих соединений дизельного топлива и дизельно-масляных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002645354
Дата охранного документа: 21.02.2018
19.12.2018
№218.016.a8a8

Способ упрочнения поверхности вольфрамовой пластины

Изобретение относится к обработке и упрочнению поверхности вольфрамовой пластины, подвергающейся интенсивным тепловым нагрузкам, в частности, в установках термоядерного синтеза, в которых вольфрам используют в качестве материала первой стенки и пластин дивертора. Проводят воздействие на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002675194
Дата охранного документа: 17.12.2018
+ добавить свой РИД