×
25.08.2017
217.015.b96a

БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к области радиоэлектроники. Технический результат: повышение коэффициента усиления по напряжению разомкнутого мультидифференциального операционного усилителя при сохранении высокой стабильности нулевого уровня. Для этого предложен биполярно-полевой мультидифференциальный операционный усилитель, который содержит первый (1) входной биполярный транзистор, первый (2) вход устройства, первый (3) входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, второй (4) вход устройства, второй (5) входной биполярный транзистор, третий (6) вход устройства, второй (7) входной полевой транзистор с управляющим р-n переходом, четвертый (8) вход устройства, токовое зеркало (9), первую (10) шину источника питания, буферный усилитель (11), вторую (12) шину источника питания, первый (13) и второй (14) дополнительные резисторы, первый (15), второй (16) и третий (17) дополнительные биполярные транзисторы, первый (18) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, четвертый (19), пятый (20) и шестой (21) дополнительные биполярные транзисторы, второй (22) дополнительный токостабилизирующий двухполюсник. 1 з.п. ф-лы, 9 ил.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано в качестве прецизионного устройства усиления широкополосных сигналов.

В современной микроэлектронике находят применение так называемые мультидифференциальные операционные усилители (МОУ), обладающие (в сравнении с классическими ОУ) рядом неоспоримых преимуществ по схемам включения и их параметрам [1-17]. Сегодня МОУ реализуются на биполярных [1, 2] и полевых транзисторах [3-12], а также в виде гибридных схемотехнических решений, содержащих биполярные и полевые транзисторы с управляющим р-n переходом [13-16]. Последний подкласс МОУ при его реализации на основе технологии ОАО «Интеграл» (г. Минск) [17] отличается высокой радиационной стойкостью и, в этой связи, относится к достаточно перспективной элементной базе.

Однако для получения в таких МОУ повышенных коэффициентов усиления по напряжению при ограничениях на число основных каскадов (не больше двух) необходима специальная схемотехника, учитывающая ограничения биполярно-полевой технологии [17], которая обеспечивает радиационную стойкость микроэлектронных изделий до 1 Мрад и выдерживает поток нейтронов до 1013 н./см2.

Ближайшим прототипом заявляемого устройства является МОУ по патенту RU 2523124, фиг. 3. Он содержит (фиг. 1) первый 1 входной биполярный транзистор, база которого соединена с первым 2 входом устройства, эмиттер первого 1 входного биполярного транзистора связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен со вторым 4 входом устройства, второй 5 входной биполярный транзистор, база которого соединена с третьим 6 входом устройства, эмиттер второго 5 входного биполярного транзистора связан с истоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен с четвертым 8 входом устройства, токовое зеркало 9, согласованное с первой 10 шиной источника питания, выход которого подключен ко входу буферного усилителя 11, вторую 12 шину источника питания.

Существенный недостаток известного МОУ состоит в том, что из-за применения входных полевых транзисторов, которые характеризуются малой крутизной, в нем не обеспечиваются высокие значения коэффициента усиления по напряжению. Таким образом, МОУ-прототип с двухкаскадной архитектурой имеет ограниченные области использования.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении коэффициента усиления по напряжению разомкнутого МОУ при сохранении высокой стабильности нулевого уровня (малых напряжениях смещения нуля).

Поставленная задача достигается тем, что в биполярно-полевом мультидифференциальном операционном усилителе фиг. 1, содержащем первый 1 входной биполярный транзистор, база которого соединена с первым 2 входом устройства, эмиттер первого 1 входного биполярного транзистора связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен со вторым 4 входом устройства, второй 5 входной биполярный транзистор, база которого соединена с третьим 6 входом устройства, эмиттер второго 5 входного биполярного транзистора связан с истоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен с четвертым 8 входом устройства, токовое зеркало 9, согласованное с первой 10 шиной источника питания, выход которого подключен ко входу буферного усилителя 11, вторую 12 шину источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - эмиттер первого 1 входного биполярного транзистора связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом через первый 13 дополнительный резистор, эмиттер второго 5 входного биполярного транзистора связан с истоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом через второй 14 дополнительный резистор, коллекторы первого 1 и второго 5 входных биполярных транзисторов связаны с первой 10 шиной источника питания, сток первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами первого 15, второго 16 и третьего 17 дополнительных биполярных транзисторов, эмиттеры которых соединены со второй 12 шиной источника питания, причем между стоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом и второй 12 шиной источника питания включен первый 18 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, сток второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами четвертого 19, пятого 20 и шестого 21 дополнительных биполярных транзисторов, эмиттеры которых соединены со второй 12 шиной источника питания, причем между стоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом и второй 12 шиной источника питания включен второй 22 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, коллекторы второго 16 и пятого 20 дополнительных биполярных транзисторов подключены к истоку первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, коллекторы третьего 17 и шестого 21 дополнительных биполярных транзисторов подключены к истоку второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, коллектор первого 15 дополнительного биполярного транзистора соединен со входом токового зеркала 9, а коллектор четвертого 19 дополнительного биполярного транзистора связан с выходом токового зеркала 9.

На чертеже фиг. 1 показана схема МОУ-прототипа, а на чертеже фиг. 2 - схема заявляемого устройства в соответствии с п. 1 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии п. 2 формулы изобретения.

На чертеже фиг. 4 приведена схема заявляемого устройства фиг. 2 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск).

На чертеже фиг. 5 показаны амплитудно-частотные характеристики коэффициента усиления по напряжению операционного усилителя фиг. 4 без отрицательной обратной связи (верхний график) и с отрицательной обратной связью (нижний график).

На чертеже фиг. 6 приведена зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля схемы фиг. 4 при воздействии температуры и потока нейтронов.

На чертеже фиг. 7 приведена схема заявляемого устройства фиг. 3 в среде PSpice на радиационно-зависимых моделях интегральных транзисторов АБМК_1_4 НПО «Интеграл» (г. Минск) для случая его неинвертирующего включения в схеме со 100% отрицательной обратной связью, которая вводится на базу транзистора Q2. При этом для уменьшения выходного сопротивления в схеме предусмотрен буферный усилитель (Gain=1). В схеме также используется традиционная цепь коррекции АЧХ (конденсатор С1).

На чертеже фиг. 8 показаны амплитудно-частотные характеристики операционного усилителя фиг. 7 без отрицательной обратной связи и с отрицательной обратной связью (ООС).

На чертеже фиг. 9 приведена зависимость систематической составляющей напряжения смещения нуля схемы фиг. 7 при воздействии температуры и потока нейтронов при отсутствии разброса параметров элементов, а также идеальных токовом зеркале 9 и буферном усилителе 11.

Биполярно-полевой мультидифференциальный операционный усилитель фиг. 2 содержит первый 1 входной биполярный транзистор, база которого соединена с первым 2 входом устройства, эмиттер первого 1 входного биполярного транзистора связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен со вторым 4 входом устройства, второй 5 входной биполярный транзистор, база которого соединена с третьим 6 входом устройства, эмиттер второго 5 входного биполярного транзистора связан с истоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, затвор которого соединен с четвертым 8 входом устройства, токовое зеркало 9, согласованное с первой 10 шиной источника питания, выход которого подключен ко входу буферного усилителя 11, вторую 12 шину источника питания. При этом эмиттер первого 1 входного биполярного транзистора связан с истоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом через первый 13 дополнительный резистор, эмиттер второго 5 входного биполярного транзистора связан с истоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом через второй 14 дополнительный резистор, коллекторы первого 1 и второго 5 входных биполярных транзисторов связаны с первой 10 шиной источника питания, сток первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами первого 15, второго 16 и третьего 17 дополнительных биполярных транзисторов, эмиттеры которых соединены со второй 12 шиной источника питания, причем между стоком первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом и второй 12 шиной источника питания включен первый 18 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, сток второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами четвертого 19, пятого 20 и шестого 21 дополнительных биполярных транзисторов, эмиттеры которых соединены со второй 12 шиной источника питания, причем между стоком второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом и второй 12 шиной источника питания включен второй 22 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, коллекторы второго 16 и пятого 20 дополнительных биполярных транзисторов подключены к истоку первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, коллекторы третьего 17 и шестого 21 дополнительных биполярных транзисторов подключены к истоку второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом, коллектор первого 15 дополнительного биполярного транзистора соединен со входом токового зеркала 9, а коллектор четвертого 19 дополнительного биполярного транзистора связан с выходом токового зеркала 9.

Для уменьшения влияния напряжения Эрли первого 15 и четвертого 19 дополнительных биполярных транзисторов на напряжение смещения нуля Uсм МОУ в схему фиг. 2 вводится цепь смещения статического уровня 23, выполненная, например, на основе стабилитрона, резисторов или каких-либо источников опорного напряжения.

На чертеже фиг. 3, в соответствии с п. 2 формулы изобретения, сток первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами первого 15, второго 16 и третьего 17 дополнительных биполярных транзисторов через эмиттерно-базовый переход первого 23 вспомогательного транзистора, коллектор которого соединен с первой 10 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 12 шиной источника питания через первый 24 вспомогательный резистор, сток второго 7 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом связан с объединенными базами четвертого 19, пятого 20 и шестого 21 дополнительных биполярных транзисторов через эмиттерно-базовый переход второго 25 вспомогательного транзистора, коллектор которого связан с первой 10 шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй 12 шиной источника питания через второй 26 вспомогательный резистор. Кроме этого, в схеме фиг. 3 предусмотрена традиционная цепь коррекции амплитудно-частотной характеристики 27 в виде корректирующего конденсатора Ск.

Рассмотрим работу МОУ фиг. 2 в статическом режиме для случая, когда все входы МОУ связаны с общей шиной. В этом включении МОУ эмиттерные токи первого 1 и второго 5 входных биполярных транзисторов зависят от сопротивлений первого 13 и второго 14 дополнительных резисторов, определяются геометрией первого 3 и второго 7 входных полевых транзисторов и зависят от величины их тока истока Iси=I0. Для входной цепи МОУ можно записать следующее уравнение Кирхгофа:

где Uэб.1≈0,7В - статическое напряжение эмиттер-база транзистора 1;

- заданный уровень статического тока коллектора первого 15 и четвертого 19 дополнительных биполярных транзисторов;

I0 - ток первого 18 и второго 22 дополнительных токостабилизирующих двухполюсников;

- напряжение затвор-исток первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом при токе стока, равном Iсз=I0.

В уравнении (1) известными величинами являются Uэб.1≈0,7В, а также напряжение Uзи.3 при заданном токе I0, которое определяется по стоко-затворной характеристике первого 3 (второго 7) входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом.

Таким образом, задаваясь величиной статического тока первого 15 и четвертого 19 дополнительных биполярных транзисторов, из уравнения (1) можно найти необходимую величину сопротивлений первого 13 (второго 14) дополнительного резистора, при котором в схеме МОУ фиг. 2 устанавливается необходимый статический режим.

Для дифференциального входного сигнала МОУ переменные составляющие коллекторных токов третьего 17 и пятого 20 дополнительных биполярных транзисторов компенсируют друг друга в цепи истока первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом и не влияют на работу схемы. Поэтому общий коэффициент усиления МОУ фиг. 2, например, для входа 4, определяется произведением

где Ky1 - коэффициент передачи напряжения uвх со входа 2 МОУ в цепь стока первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом;

Ky2 - коэффициент передачи напряжения от базы первого 15 дополнительного биполярного транзистора ко входу буферного усилителя 11;

Ky11≈1 - коэффициент передачи по напряжению буферного усилителя 11.

При этом

где Rэкв.сз - эквивалентное сопротивление в цепи стока первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом;

SДК - крутизна преобразования напряжения на входе 2 в приращение тока стока первого 3 входного полевого транзистора с управляющим р-n переходом.

Для Ky2 можно найти

где rэ=rэ15=rэ19 - дифференциальное сопротивление эмиттерных переходов первого 15 и четвертого 19 дополнительных биполярных транзисторов;

Rэкв.11 - эквивалентное сопротивление во входной цепи буферного усилителя 11;

ϕт=26 мВ - температурный потенциал;

- статически ток коллектора первого 15 и четвертого 19 дополнительных биполярных транзисторов.

Эквивалентное сопротивление Rэкв.сз определяется уравнением:

где yвых.3 - выходная проводимость первого 3 полевого транзистора с управляющим р-n переходом по цепи стока;

yвх.15, yвх.16, yвх.17 - входные проводимости по цепи базы первого 15, второго 16 и третьего 17 дополнительных биполярных транзисторов;

y18 - выходная проводимость первого 18 дополнительного токостабилизирующего двухполюсника.

Приближенно можно считать, что

где β=β15≈β16≈β17 - коэффициент усиления по току базы транзисторов 15, 16, 17;

ϕт=26 мВ - температурный потенциал;

- статический ток эмиттера транзисторов 15, 16, 17, 19, 20, 21.

Таким образом, общий коэффициент усиления МОУ

Анализ полученных выше уравнений показывает, что в заявляемом МОУ фиг. 2 коэффициент усиления по напряжению достигает значений 60-80 дБ. В схеме фиг. 3, соответствующей п. 2 формулы изобретения, этот параметр Ky принимает значение порядка 100 дБ, что достаточно для его многих применений. Данные выводы подтверждаются результатами компьютерного моделирования фиг. 5 и фиг. 8.

Таким образом, предлагаемый МОУ с двухкаскадной архитектурой имеет достаточно высокое усиление по напряжению (фиг. 8) - около 100 дБ и близкое к нулю напряжение смещения нуля (Uсм) (фиг. 9) (при отсутствии разброса параметров элементов и идеальных токовом зеркале 9 и буферном усилителе 11).

Представленный выше расчет параметров и компьютерное моделирование позволяют сделать вывод о том, что предлагаемое устройство имеет существенные преимущества в сравнении с известным по коэффициенту усиления в разомкнутом включении и может найти широкое применение в прецизионных системах преобразования радиотехнических сигналов.

Источники информации

1. Патент WO 03/04328, фиг. 6.

2. Патентная заявка US 2008/0186091, фиг. 4.

3. Патент US 6469576, фиг. 2

4. Патент US 7205799, фиг. 4, фиг. 5.

5. A.c. СССР 537435, фиг.1.

6. Патент US 6388519, фиг. 36.

7. Патентная заявка US 2003/0006841, фиг. 1.

8. Патентная заявка US 2013/0099782, фиг. 2.

9. Патент US 6255807, фиг. 5.

10. Патент US 6400225, фиг. 3.

11. Патентная заявка US 2003/0132803, фиг. 7.

12. Патент US 6977526, фиг. 1.

13.Патент RU 2517699, фиг.3.

14. The main connection circuits of the radiation-hardened differential difference amplifier based on the bipolar and field effect technological process / N.N. Prokopenko, O.V. Dvomikov, N.V. Butyrlagin, A.V. Bugakova // 2014 12th International conference on actual problems of electronic instrument engineering (APEIE - 2014) proceedings in 7 Volumes; Novosibirsk, October 2-4, 2014. - Novosibirsk State Technical University. - Vol. 1. - P. 29-34 DOI: 10.1109 / APEIE.2014.7040870 (фиг. 2).

15. Крутчинский, С.Г. Входные каскады дифференциальных и мультидифференциальных операционных усилителей с высоким ослаблением синфазного напряжения [Текст] / С.Г. Крутчинский, А.Е. Титов, М.С. Цыбин // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем: Сборник трудов. - М.: ИППМ РАН, 2010. - С. 537-542. - ISSN 2078-7707.

16. Прокопенко Н.Н., Дифференциальные и мультидифференциальные усилители в элементном базисе радиационно-стойкого техпроцесса АБМК_1.5 [Текст] / Прокопенко Н.Н., Серебряков А.И., Бутырлагин Н.В. // Известия ЮФУ. Технические науки. Тематический выпуск «Проблемы управления в топливно-энергетических комплексах и энергосберегающие технологии». 2014. - №5 (154). - С. 58-66.

17. Элементная база радиационно-стойких информационно-измерительных систем: монография / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, С.Г. Крутчинский; под общ. ред. д.т.н. проф. Н.Н. Прокопенко; ФГБОУ ВПО «Южно-Рос. гос. ун-т. экономики и сервиса». - Шахты: ФГБОУ ВПО «ЮРГУЭС», 2011. - 208 с.

18. Основные свойства, параметры и базовые схемы включения мультидифференциальных операционных усилителей с высокоимпедансным узлом / Н.Н. Прокопенко, О.В. Дворников, П.С. Будяков // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (233), Москва, ОАО «Пульсар», 2014 г. С. 53-64.


БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВОЙ МУЛЬТИДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 358 items.
27.01.2013
№216.012.215a

Избирательный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является повышение добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f. Избирательный усилитель, содержит первый (1) входной транзистор, источник входного сигнала (2),...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474039
Дата охранного документа: 27.01.2013
27.01.2013
№216.012.215b

Избирательный усилитель

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п. Техническим результатом является повышение добротности АЧХ усилителя и его коэффициента...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474040
Дата охранного документа: 27.01.2013
10.02.2013
№216.012.24ea

Операционный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является уменьшение входного статического тока ОУ, а также повышение быстродействия ОУ при импульсных входных сигналах. Операционный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы, неинвертирующий вход...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474952
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.02.2013
№216.012.24eb

Дифференциальный усилитель с расширенным диапазоном изменения входного синфазного сигнала

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является расширение допустимого диапазона изменения входных синфазных сигналов на 0,7÷0,8, что является существенным улучшением одного из важных качественных показателей ДУ. Дифференциальный усилитель с расширенным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474953
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.02.2013
№216.012.24ec

Токовое зеркало

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является повышение точности передачи малых входных токов токового зеркала Вильсона при его реализации на p-n-p транзисторах с изоляцией p-n переходами на подложку. Токовое зеркало содержит первый (1) входной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474954
Дата охранного документа: 10.02.2013
20.02.2013
№216.012.28b1

Избирательный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является повышение добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f. Избирательный усилитель содержит источник сигнала (1), связанный со входом устройства (2), первый (3)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475937
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.02.2013
№216.012.28b2

Избирательный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является повышение добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по напряжению на частоте квазирезонанса f. Избирательный усилитель содержит входной транзистор (1), эмиттер которого через первый (2)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475938
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.02.2013
№216.012.28b3

Избирательный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах СВЧ-фильтрации радиосигналов систем сотовой связи, спутникового телевидения, радиолокации и т.п. Технический результат заключается в повышении добротности АЧХ усилителя и его коэффициента усиления по...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475939
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.02.2013
№216.012.28b4

Радиационно-стойкий дифференциальный усилитель

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является повышение стабильности коэффициента усиления по напряжению при радиационном воздействии. Радиационно-стойкий дифференциальный усилитель содержит входной дифференциальный каскад (1) с общей эмиттерной цепью...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475940
Дата охранного документа: 20.02.2013
20.02.2013
№216.012.28b5

Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является обеспечение высокой стабильности статического режима дифференциального усилителя и повышение значения его коэффициента усиления по напряжению. Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002475941
Дата охранного документа: 20.02.2013
Showing 1-10 of 240 items.
20.04.2014
№216.012.bb74

Быстродействующий аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники, радиотехники и связи. Технический результат заключается в расширении в несколько раз предельного частотного диапазона обрабатываемых входных сигналов АЦП за счет снижения погрешности передачи входных дифференциальных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002513716
Дата охранного документа: 20.04.2014
10.05.2014
№216.012.c282

Быстродействующий драйвер дифференциальной линии связи

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления и преобразования аналоговых сигналов, в структуре «систем на кристалле» и «систем в корпусе» различного функционального назначения (например, операционных усилителей, работающих на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515543
Дата охранного документа: 10.05.2014
27.05.2014
№216.012.cacc

Быстродействующий датчик физических величин с потенциальным выходом

Изобретение относится к области информационно-измерительной техники и автоматики и может быть использовано в датчиках, обеспечивающих измерение различных физических величин. Техническим результатом является повышение быстродействия датчика за счет минимизации влияния внутренней емкости 2...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517682
Дата охранного документа: 27.05.2014
27.05.2014
№216.012.cadc

Широкополосный аттенюатор для быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов

Широкополосный аттенюатор для быстродействующих аналоговых и аналого-цифровых интерфейсов относится к области измерительной техники, электротехники, радиотехники и связи и может использоваться в структуре различных интерфейсов, в измерительных приборах, быстродействующих аналого-цифровых (АЦП)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002517698
Дата охранного документа: 27.05.2014
10.06.2014
№216.012.cfea

Сверхбыстродействующий параллельный аналого-цифровой преобразователь с дифференциальным входом

Изобретение относится к области измерительной и вычислительной техники, радиотехники и связи. Технический результат: расширение в несколько раз частотного диапазона обрабатываемых сигналов АЦП за счет снижения погрешности передачи входных дифференциальных напряжений от источников входных...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002518997
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d149

Управляемый усилитель и смеситель аналоговых сигналов на базе дифференциального каскада дарлингтона

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в радиоприемных устройствах, фазовых детекторах и модуляторах, а также в системах умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого с входов канала «X» зависит от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519348
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d190

Широкополосный повторитель напряжения

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является расширение диапазона рабочих частот широкополосного повторителя напряжения при наличии емкости на выходе С, которая не может быть уменьшена по объективным причинам - является неотъемлемой частью цепи...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519419
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.06.2014
№216.012.d19a

Измерительный усилитель с управляемыми параметрами амплитудно-частотной характеристики

Изобретение относится к области измерительной техники, радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации. Технический результат заключается в увеличении затухания выходного сигнала в диапазоне низких частот при повышенной и достаточно...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519429
Дата охранного документа: 10.06.2014
10.07.2014
№216.012.dbc8

Быстродействующий драйвер емкостной нагрузки

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления и преобразования аналоговых и цифровых импульсных сигналов в устройствах различного функционального назначения, работающих на емкостную нагрузку. Достигаемый технический результат -...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522042
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.e026

Компенсационный стабилизатор напряжения

Устройство относится к области электротехники. Технический результат заключается в получении температурно-стабильного выходного напряжения и снижении минимальной разности напряжения вход-выход стабилизатора. Для этого предложен стабилизатор напряжения, содержащий первый и второй транзисторы,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523168
Дата охранного документа: 20.07.2014
+ добавить свой РИД