×
10.08.2016
216.015.55ac

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов полупроводникового прибора. Изобретение обеспечивает снижение плотности дефектов, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора формируют контакты на основе GeMoW с легированным слоем германия. Для формирования контактов проводят при давлении 10 Па нанесение слоя германия, легированного мышьяком As концентрацией 10-10 см, толщиной 15 нм методом электронно-лучевого испарения, а затем ВЧ-распылением наносят слой молибдена Мо 15 нм и вольфрама W 300 нм, при плотности ВЧ-мощности 0,7 Вт/см, давлении Ar 0,8 Па, с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин. 1 табл.
Основные результаты: Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку кремния, процессы нанесения, формирования контактов, отличающийся, тем, что формирование контактов проводят нанесением при давлении 10 Па слоя германия толщиной 15 нм, легированного мышьяком As концентрацией 10-10 см, а затем ВЧ-распылением слоя молибдена Мо толщиной 15 нм и вольфрама W толщиной 300 нм, при плотности ВЧ-мощности 0,7 Вт/см, давлении Ar 0,8 Па, с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактов полупроводникового прибора.

Известен способ [Заявка 2133964 Япония, МКИ H01L 29/46] изготовления полупроводникового прибора путем формирования слоя TiN, добавлением 1-10 ат. % углерода С. Такая добавка к TiN предохраняет его от появления механических напряжений и растрескивания после термообработок. В таких приборах наличие лигатуры приводит к увеличению сопротивления и ухудшения характеристик приборов.

Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5100838 США, МКИ H01L 21/283] путем формирования самосовмещенных контактов, позволяющих облегчить процесс создания топологического рисунка вышележащих слоев. Поверхность окисленной подложки кремния последовательно покрывается слоями WSi2 и SiO2, которые затем стравливаются с образованием регулярных проводящих линий, разделенных зазором. На боковых стенках ступенок проводящих линий формируются изолирующие SiO2-спейсеры, уменьшающие ширину зазора. Поверхность структуры покрывается полностью заполняющим объем зазора вторым проводящим слоем, который затем стравливается. Процесс травления заканчивается в тот момент, когда удаляется слой второго проводящего материала толщиной, соответствующей толщине первого проводящего слоя. Далее объем зазора снова заполняется проводящим материалом.

Недостатками способа являются: высокая дефектность; низкая технологичность; образование механических напряжений.

Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение надежности и увеличение процента выхода годных.

Задача решается путем формирования контактов на основе GeMoW с легированным слоем германия мышьяком As концентрацией 1019-1020 см-3 и с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин.

Технология способа состоит в следующем: перед нанесением контактов естественный окисел стравливался с поверхности образцов в растворе HCl : Н2О (1:1) в течение 30 с, с последующей промывкой в деоионизованной воде и сушкой в потоке сухого азота. Затем образцы загружались через шлюз в вакуумную камеру, в которой после откачки до давления 10-5 Па вначале получали слой германия легированного мышьяком, пленки германия Ge легировались As концентрацией 1019-1020 см-3, толщиной 15 нм методом электронно-лучевого испарения, а затем ВЧ-распылением наносили слой молибдена Мо 15 нм и вольфрам W 300 нм, при плотности ВЧ-мощности 0,7 Вт/см2, давлении Ar 0,8 Па, с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин.

По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице 1. Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 20,3%.

Технический результат: снижение плотности дефектов, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов.

Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям. Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования контактов на основе GeMoW с легированным слоем германия мышьяком As концентрацией 1019-1020 см-3 и с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин позволяет повысить процент выхода годных и улучшить их надежность.

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку кремния, процессы нанесения, формирования контактов, отличающийся, тем, что формирование контактов проводят нанесением при давлении 10 Па слоя германия толщиной 15 нм, легированного мышьяком As концентрацией 10-10 см, а затем ВЧ-распылением слоя молибдена Мо толщиной 15 нм и вольфрама W толщиной 300 нм, при плотности ВЧ-мощности 0,7 Вт/см, давлении Ar 0,8 Па, с последующей термообработкой в форминг-газе при температуре 800°С в течение 7-15 мин.
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 46 items.
27.02.2013
№216.012.2ca1

Электронно-оптический преобразователь

Изобретение относится к электронной технике, в частности к электронно-оптическим преобразователям инфракрасного излучения с высокой разрешающей способностью. Технический результат: повышение разрешающей способности, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476952
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.02.2013
№216.012.2ca4

Способ формирования легированных областей полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - снижение плотности дефектов в полупроводниковых структурах, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002476955
Дата охранного документа: 27.02.2013
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.02.2014
№216.012.9ff8

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения - в способе изготовления полупроводникового диода для формирования пассивирующего покрытия последовательно наносят пять слоев, включающие слой термического диоксида кремния толщиной 0,54 мкм и несколько...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002506660
Дата охранного документа: 10.02.2014
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
Showing 1-10 of 89 items.
27.10.2013
№216.012.7b4f

Способ изготовления полупроводникового прибора

Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор формируют путем двойной имплантации в область канала сфокусированными пучками ионов бора дозой 6×10-6×10 см с энергией 20 кэВ и ионов мышьяка с энергией 100 кэВ дозой (1-2)×10 см...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002497229
Дата охранного документа: 27.10.2013
10.05.2014
№216.012.c1b1

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора на подложку из монокристаллического кремния с термически выращенным слоем окиси кремния...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515334
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.05.2014
№216.012.c1b2

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления полупроводниковой структуры в предварительно аморфизированную поверхность кремниевой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002515335
Дата охранного документа: 10.05.2014
10.07.2014
№216.012.dc54

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженным сопротивлением затвора. В способе изготовления полупроводникового прибора электрод затвора формируют путем последовательного нанесения...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522182
Дата охранного документа: 10.07.2014
20.07.2014
№216.012.df38

Способ изготовления тонкопленочного транзистора

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с пониженной плотностью дефектов. В способе изготовления тонкопленочного транзистора в качестве подложки используют сильнолегированные...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522930
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.09.2014
№216.012.f515

Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002528574
Дата охранного документа: 20.09.2014
27.01.2015
№216.013.2095

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной плотностью дефектов. Задача решается путем обработки структур кремний на сапфире с эпитаксиальным слоем кремния ионами водорода в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539789
Дата охранного документа: 27.01.2015
27.01.2015
№216.013.20a1

Способ изготовления тонкого слоя диоксида кремния

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкого подзатворного слоя диоксида кремния с высокой диэлектрической прочностью. Изобретение обеспечивает повышение диэлектрической прочности диоксида кремния,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002539801
Дата охранного документа: 27.01.2015
10.05.2015
№216.013.4a87

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления контактно-барьерной металлизации прибора. Изобретение обеспечивает снижение значений плотности дефектов, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002550586
Дата охранного документа: 10.05.2015
20.07.2015
№216.013.6282

Способ изготовления полупроводниковой структуры

Использование: для производства полупроводниковых приборов, в частности в технологии изготовления биполярных транзисторов с низкой плотностью дефектов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводникового прибора включает нанесение эпитаксиального слоя,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002556765
Дата охранного документа: 20.07.2015
+ добавить свой РИД