×
10.04.2016
216.015.2e96

Результат интеллектуальной деятельности: СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР

Вид РИД

Изобретение

Аннотация: Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Сборка фоточувствительного модуля на растр заключается в том, что приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, а осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить, то нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и сварки выводов на растр. При типичном количестве контактных площадок (~30 шт.) на БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр осуществляют с помощью штатного контактного устройства с фиксированным расположением зондов (типично из вольфрама), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания, которое позволяет осуществлять равномерную нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении до рабочей температуры жидкого азота. Изобретение позволяет бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.

Изобретение относится к конструкции матричных полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения.

Известен способ изготовления матричного фотоприемника, описанный в патенте RU 2343590 C1, в котором утоньшенный фоточувствительный элемент, приклеенный криостойким клеем к толстой несущей подложке из кремния, гибридизировался холодной сваркой с помощью индиевых микроконтактов к кремниевой БИС считывания. Полученный фоточувствительный модуль приклеивался криостойким клеем на растр (типично из сапфира) обычным способом, как показано на фиг. 2. Фоточувствительный модуль с толстой кремниевой пластиной (2), гибридизированный с БИС считывания (1), приклеивался криостойким клеем к растру (3). При этом, для обеспечения растекания клея до толщины 3-5 мкм, необходимой для надежного соединения при охлаждении до температуры жидкого азота, осуществлялась нагрузка (более 1 кг/см2) через прозрачный толстый диск из сапфира (5) (толщиной 1 мм) посредством зондовой головки (4) (типично из латуни или нержавеющей стали) давящей в центр сапфирового диска (5). Достаточно толстый диск из сапфира требуется для более равномерного распределения нагрузки по площади фоточувствительного модуля при давлении точечного зонда в центр. Одновременно происходит фиксация фоточувствительного модуля относительно растра после подстройки ориентации фоточувствительного модуля относительно растра, которая проводится под инструментальным микроскопом по меткам совмещения, расположенным на растре (3) и БИС считывания (1). Такой способ сборки фоточувствительного модуля на растр допустим, так как давление осуществляется на толстую кремниевую подложку (толщиной более 300 мкм) и на индиевые микроконтакты, которые выдерживают гораздо большее давление при гибридизации фоточувствительного элемента и БИС считывания (более 15 кг/см2).

Однако такой способ сборки фоточувствительного модуля на растр недопустим в случае сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (как правило, до толщины 8-12 мкм из InSb), так как при такой толщине полупроводиковые ориентированные кристаллы становятся чрезвычайно хрупкими и ломкими даже при незначительном механическом воздействии. Такой способ изготовления матричного фотоприемника (варианты) описан в патенте RU 2460174 C1, а серийные характеристики исследованых МФПУ - в [1].

Задача предложенного изобретения заключается в создании технологичного и бездефектного способа сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр.

Сущность изобретения поясняется чертежами:

На фиг. 1 показан рисунок, поясняющий способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент.

На фиг. 2 показан рисунок, поясняющий обычный способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего толстый фоточувствительный элемент.

На фиг. 3 показан рисунок, поясняющий способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, при помощи шести симметрично расположенных зондовых головок.

На фиг. 4 показана фотография, поясняющая способ сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, с помощью контактного устройства с фиксированным расположением зондов (УКФ), предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания.

Технический результат достигается тем, что сборка (фиг. 1) фоточувствительного модуля (1), содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент (2) (типично до толщины 8-12 мкм из InSb), на растр (3) отличается тем, что приклейку криостойким клеем на растр фоточувствительного модуля осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов (обычно из латуни или нержавеющей стали), которые находятся точно на контактных площадках БИС считывания, предназначенных для вывода сигналов посредством сварки (обычно золотых) выводов на растр. Поскольку давить на утоньшенный фоточувствительный элемент недопустимо, то остается периферийная область шириной обычно не более 500 мкм под действие прижима. Однако осуществлять давление по всей периферийной области небезопасно, так как в этой области находится схема БИС считывания, которую можно повредить. Поэтому нагрузку необходимо осуществлять на наиболее защищенные от повреждения области, которыми являются контактные площадки, предназначенные для тестирования БИС считывания и разварки на растр. На фиг. 1 показан способ сборки фоточувствительного модуля на растр при помощи двух симметрично расположенных зондов. Однако для более равномерного распределения давления на БИС считывания используют, например, конструкцию из шести симметрично расположенных зондов, как показано на фиг. 3. В общем случае нагрузку осуществляют с помощью многоконтактной зондовой головки с симметричным расположением 2n (n=1, 2…) зондов, где число зондов n ограничено размерами зондовых головок. При типичном количестве контактных площадок (~16 шт.) на одну сторону БИС считывания приклейку криостойким клеем фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр в одном из способов осуществляют с помощью УКФ, предназначенного для контроля кристаллов БИС считывания. Такие контактные устройства хорошо известны и описаны в многочисленных патентах (см. ссылки, например, в патенте US 8410806 В2). Наиболее подходящими для сборки фоточувствительного модуля на растр из этих контактных устройств являются контактные устройства с фиксированным расположением зондов, которые выпускаются многочисленными фирмами [2-5]. Такие устройства используют достаточно жесткие зонды из вольфрама с давлением 0.06 г/мкм2, что обеспечивает в среднем давление порядка 1 кг/см2 при типичном количестве контактных площадок порядка 30 шт. на кристалл БИС считывания, что позволяет осуществлять нагрузку на фоточувствительный модуль с величиной, необходимой для уменьшения клеевого слоя до толщины 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение криостойким клеем при охлаждении фоточувствительного модуля до рабочей температуры жидкого азота. Таким образом, предложенные способы сборки на растр фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, позволяют бездефектно и качественно проводить сборку фоточувствительного модуля на растр во время приклейки криостойким клеем.

Предлагаемый способ сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр был опробован на предприятии - изготовителе при создании экспериментальных и опытных образцов матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия. Однако предлагаемый способ сборки применим и к матричным фотоприемным устройствам на основе других полупроводниковых материалов.

Пример способа сборки фоточувствительного модуля, содержащего утоньшенный фоточувствительный элемент, на растр показан на фиг. 1.

На растр из лейкосапфира диаметром 16,6 мм с разводкой из золотых дорожек и напылением с тыльной стороны молибдена наклеивался при помощи криостойкого клея марки «УК-1» матричный фоточувствительный элемент на основе антимонида индия, утоньшенный до толщины 12 мкм. Фоточувствительный элемент имел формат 640×512 с количеством элементов 327680 и шагом 15 мкм. В качестве прижима при приклейке использовалось симметричное двухзондовое приспособление. Метки совмещения, расположенные на растре и на БИС считывания, использовались для их совместной ориентации, которая проводилась под инструментальным микроскопом типа МИ ИМЦ 100×50. Благодаря двум зондам из латуни технологично и бездефектно осуществлялась нагрузка величиной ~1 кг на фоточувствительный модуль для уменьшения толщины клеевого слоя до 3-5 мкм, обеспечивающей прочное соединение при охлаждении фоточувствительного модуля до рабочей температуры жидкого азота.

Литература

1. Болтарь К.О., Власов П.В., Лопухин Α.Α., Полунеев В.В., Рябова А.А. Характеристики серийных матричных фотоприемных устройств на основе антимонида индия формата 320×256. Успехи прикладной физики, 2013, №6, том 1, с. 733-738.

2. Автомат зондового контроля ЭМ-6290 компании ПЛАНАР-СО, ОАО, Минск (Беларусь).

http://planar-so.all.biz/m/avtomat-zondovogo-kontrolya-em-6290-g176176

3. Устройство контактное с фиксированным расположением зондов - УКФ, КБТЭМ-СО, УП, Минск (Беларусь).

http://belarus.oborudunion.ru/companv.php?comp=2461065

4. Устройства для зондового контроля полупроводниковых приборов, НП ООО СПЕКТРИН, Минская область, г. Держинск (Беларусь).

http://www.spektrin.com/ru/about/

5. Устройства контактные с фиксированной топологией зондов УКФ, УП «Аранэй», Минская область, Минский район, район деревни Боровая 1 (Беларусь).

http://araney.com/ru/production/probe_cards/


СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
СПОСОБ СБОРКИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ НА РАСТР
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 11-20 of 30 items.
27.12.2014
№216.013.161d

Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига

Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов....
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537085
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.12.2014
№216.013.1621

Способ гибридизации кристаллов бис считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537089
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.03.2015
№216.013.35f3

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545295
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.08.2015
№216.013.72d5

Способ коррекции топологии бис

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560967
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.12.2015
№216.013.9a7a

Ик матричный фотоприёмник с охлаждаемой диафрагмой и способ изготовления диафрагмы

Изобретение относится к области создания детекторов излучения и касается фотоприемника ик-излучения с диафрагмой. Фотоприемник содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма состоит из средней конусной детали, крышки, дискового основания и экрана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571171
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.12.2015
№216.013.9b81

Матрица фоточувствительных элементов

Изобретение относится к матрицам фоточувствительных элементов (МФЧЭ), используемых в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) для тепловизионных систем обзора. МФЧЭ включает широкозонную полупроводниковую подложку, толщина которой не менее чем на порядок превышает диффузионную длину...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571434
Дата охранного документа: 20.12.2015
27.01.2016
№216.014.bd27

Способ изготовления матричного фотоприемника

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573714
Дата охранного документа: 27.01.2016
20.04.2016
№216.015.3644

Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель

Использование: для создания многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения заключается в том, что способ сборки матричного модуля на держатель содержит стадии нанесения криостойкого клея на тыльную поверхность растра матричного модуля и на держатель, ориентации матричного модуля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581439
Дата охранного документа: 20.04.2016
12.01.2017
№217.015.5ee4

Способ повышения безотказности матричных фотоэлектронных модулей

Изобретение предназначено для повышения безотказности матричных фотоэлектронных модулей (ФЭМ), работающих в условиях космического пространства или предназначенных для работы в других условиях, требующих высокой безотказности устройств регистрации и невозможности их замены в течение длительного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590214
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.834b

Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу

Изобретение относится к области производства фотоприемных устройств и касается узла установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ. Узел расположен в корпусе с оптическим входным окном и содержит охлаждаемый светоограничительный экран, включающий в себя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601384
Дата охранного документа: 10.11.2016
Showing 11-20 of 42 items.
27.12.2014
№216.013.1621

Способ гибридизации кристаллов бис считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002537089
Дата охранного документа: 27.12.2014
27.03.2015
№216.013.35f3

Способ химико-механического полирования пластин арсенида галлия

Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в технологии изготовления приборов, в том числе матричных большого формата на основе арсенида галлия. Способ включает обработку пластин вращающимся полировальником и полирующим составом,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002545295
Дата охранного документа: 27.03.2015
20.08.2015
№216.013.72d5

Способ коррекции топологии бис

Изобретение относится к вопросам проектирования схемотехники и топологии интегральных схем и может быть использовано для коррекции топологии БИС, гибридных тонко- и толстопленочных микросхем, а также совмещенных ГИС. Кроме того, предложенный способ может быть использован также и для...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002560967
Дата охранного документа: 20.08.2015
20.12.2015
№216.013.9a7a

Ик матричный фотоприёмник с охлаждаемой диафрагмой и способ изготовления диафрагмы

Изобретение относится к области создания детекторов излучения и касается фотоприемника ик-излучения с диафрагмой. Фотоприемник содержит держатель, фоточувствительный элемент, приклеенный на растре, и диафрагму. Диафрагма состоит из средней конусной детали, крышки, дискового основания и экрана,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571171
Дата охранного документа: 20.12.2015
20.12.2015
№216.013.9b81

Матрица фоточувствительных элементов

Изобретение относится к матрицам фоточувствительных элементов (МФЧЭ), используемых в матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) для тепловизионных систем обзора. МФЧЭ включает широкозонную полупроводниковую подложку, толщина которой не менее чем на порядок превышает диффузионную длину...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002571434
Дата охранного документа: 20.12.2015
27.01.2016
№216.014.bd27

Способ изготовления матричного фотоприемника

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изобретение обеспечивает утоньшение базовой области фоточувствительного элемента с получением требуемого качества и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002573714
Дата охранного документа: 27.01.2016
20.04.2016
№216.015.3644

Способ сборки фоточувствительного модуля на держатель

Использование: для создания многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения заключается в том, что способ сборки матричного модуля на держатель содержит стадии нанесения криостойкого клея на тыльную поверхность растра матричного модуля и на держатель, ориентации матричного модуля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002581439
Дата охранного документа: 20.04.2016
12.01.2017
№217.015.5ee4

Способ повышения безотказности матричных фотоэлектронных модулей

Изобретение предназначено для повышения безотказности матричных фотоэлектронных модулей (ФЭМ), работающих в условиях космического пространства или предназначенных для работы в других условиях, требующих высокой безотказности устройств регистрации и невозможности их замены в течение длительного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002590214
Дата охранного документа: 10.07.2016
13.01.2017
№217.015.834b

Узел установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ик мфпу

Изобретение относится к области производства фотоприемных устройств и касается узла установки уровня и спектрального состава регистрируемого излучения в ИК МФПУ. Узел расположен в корпусе с оптическим входным окном и содержит охлаждаемый светоограничительный экран, включающий в себя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002601384
Дата охранного документа: 10.11.2016
25.08.2017
№217.015.b386

Способ повышения прочности стыковки кристаллов

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники, а именно к технологии сборки полупроводниковых приборов, и может быть использовано для гибридизации матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. В способе повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613617
Дата охранного документа: 21.03.2017
+ добавить свой РИД