×
27.12.2014
216.013.1621

СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Вид РИД

Изобретение

Юридическая информация Свернуть Развернуть
№ охранного документа
0002537089
Дата охранного документа
27.12.2014
Краткое описание РИД Свернуть Развернуть
Аннотация: Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств методом перевернутого монтажа. Согласно изобретению способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств включает сдавливание индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, при этом микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу. Изобретение обеспечивает возможность повышения надежности стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ), исключая возможность закорачивания соседних микроконтактов. 5 ил.
Основные результаты: Способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, отличающийся тем, что с целью повышения надежности стыковки микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу.
Реферат Свернуть Развернуть

Изобретение относится к технологии сборки гибридных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) методом перевернутого монтажа.

В методе перевернутого монтажа для гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) используются индиевые микроконтакты, создаваемые на обоих кристаллах, с последующей стыковкой. Стыковка индиевых микроконтактов происходит посредством их сдавливания. При этом возникает деформация обоих микроконтактов с взаимной диффузией индия и формируется надежный механический и электрический контакт.

В известных способах гибридизации ["Method for electrically interconnecting large contact arrays using eutectic alloy bumping", US 6,550,665 B1, apr.22, 2003] индиевые микроконтакты выполняются в виде квадратных или круглых контактов, с практически одинаковым геометрическим размером для обоих кристаллов (БИС считывания и МФЧЭ).

Одним из недостатков указанного метода гибридизации является вероятность закорачивания микроконтактов одного кристалла микроконтактами другого кристалла при небольшой погрешности их совмещения (фиг.1, здесь и далее: поз.1 - микроконтакт БИС считывания, поз.2 - микроконтакт МФЧЭ). Закорачивание индиевых микроконтактов происходит уже при погрешности совмещения более величины зазора между микроконтактами на кристалле, что обычно составляет величину 3-10 мкм при шаге микроконтактов 10-35 мкм.

Задача изобретения - повысить надежность стыковки, исключив возможность закорачивания соседних микроконтактов.

Технический результат достигается тем, что индиевые микроконтакты на обоих кристаллах имеют конфигурацию вытянутых прямоугольников, причем размер каждого микроконтакта одного кристалла меньше зазора между микроконтактами другого кристалла, как по вертикали, так и по горизонтали. При этом микроконтакты на кристаллах БИС и МФЧЭ расположены под углом, например 90°, по отношению к друг другу (фиг.2, 3).

Тем самым достигается следующий результат.

1. Исключается возможность закорачивания соседних микроконтактов при совмещении, т.к. размеры и конфигурация микроконтактов подобраны так, что даже в самом худшем случае совмещения микроконтакты не смогут закоротиться (фиг.4, 5).

2. Исключается сдвиг микроконтактов во время стыковки (эффект «соскальзывания») за счет образования «замка» по индию (фиг.3, поз.3).

3. Возможность проведения повторной стыковки при неудачном попадании микроконтактов одного кристалла в зазоры между микроконтактами другого кристалла, микроконтакты при этом практически не деформированы.

Способ гибридизации кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, отличающийся тем, что с целью повышения надежности стыковки микроконтакты выполняют в форме вытянутых прямоугольников с размерами сторон менее зазоров между микроконтактами, как по вертикали, так и по горизонтали, причем микроконтакты на кристаллах БИС и матрицы фоточувствительных элементов расположены под углом по отношению к друг другу.
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
СПОСОБ ГИБРИДИЗАЦИИ КРИСТАЛЛОВ БИС СЧИТЫВАНИЯ И МАТРИЦЫ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Источник поступления информации: Роспатент

Showing 1-10 of 27 items.
10.02.2013
№216.012.24c8

Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474918
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.08.2013
№216.012.5e57

Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных инфракрасных фотоприемных устройств

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных ИК ФПУ включает установку ФПУ на заданном расстоянии от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489772
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.09.2013
№216.012.6912

Способ изготовления индиевых микроконтактов ионным травлением

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492545
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.06.2014
№216.012.d005

Многоэлементный ик фотоприемник

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519024
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.07.2014
№216.012.de97

Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522769
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.deb8

Способ изготовления микроконтактов матричных фотоприемников

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. В способе изготовления микроконтактов матричных фотоприемников согласно изобретению формируют на пластине с матрицами БИС или фотодиодными матрицами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522802
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.e26e

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523752
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.ed09

Способ сборки ик-фотоприемника

Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip) и может быть использовано для выравнивания зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526489
Дата охранного документа: 20.08.2014
27.09.2014
№216.012.f7d8

Комбинированный регенеративный теплообменник

Изобретение относится к газовым микрокриогенным машинам, а именно к регенеративным теплообменникам. В комбинированном регенеративном теплообменнике, включающем теплоизоляционный корпус, насадку, находящуюся внутри корпуса, насадка состоит из двух частей: со стороны "теплого" конца...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529285
Дата охранного документа: 27.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc64

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530458
Дата охранного документа: 10.10.2014
Showing 1-10 of 44 items.
10.02.2013
№216.012.24c8

Способ обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых моп мультиплексоров

Изобретение относится к технологии изготовления и способам тестирования матричных или линейных МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых электрических дефектов матричных или линейных кремниевых МОП мультиплексоров на кремниевую пластину с годными кристаллами МОП...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002474918
Дата охранного документа: 10.02.2013
10.08.2013
№216.012.5e57

Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных инфракрасных фотоприемных устройств

Изобретение относится к способам измерения параметров инфракрасных матричных фотоприемных устройств (ИК ФПУ), работающих в режиме накопления. Способ измерения квантовой эффективности и темнового тока фоточувствительных элементов матричных ИК ФПУ включает установку ФПУ на заданном расстоянии от...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002489772
Дата охранного документа: 10.08.2013
10.09.2013
№216.012.6912

Способ изготовления индиевых микроконтактов ионным травлением

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения: в способе изготовления индиевых микроконтактов пластину с матрицами БИС или фотодиодными матрицами защищают перфорированной в местах...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002492545
Дата охранного документа: 10.09.2013
10.06.2014
№216.012.d005

Многоэлементный ик фотоприемник

Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002519024
Дата охранного документа: 10.06.2014
20.07.2014
№216.012.de97

Способ изготовления индиевых микроконтактов с помощью позитивного обращаемого фоторезиста

Использование: для получения индиевых микроконтактов и соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. Сущность изобретения заключается в том, что на полупроводниковую пластину с металлическими площадками для формирования индиевых микроконтактов наносят слой позитивного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522769
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.deb8

Способ изготовления микроконтактов матричных фотоприемников

Изобретение относится к технологии получения индиевых микроконтактов для соединения больших интегральных схем (БИС) и фотодиодных матриц. В способе изготовления микроконтактов матричных фотоприемников согласно изобретению формируют на пластине с матрицами БИС или фотодиодными матрицами...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002522802
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.07.2014
№216.012.e26e

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных бис считывания

Изобретение относится к тестированию матричных БИС считывания и может быть использовано для определения координат скрытых дефектов типа утечек сток-исток, которые невозможно обнаружить до стыковки кристаллов БИС считывания и матрицы фоточувствительных элементов. На кремниевой пластине с годными...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002523752
Дата охранного документа: 20.07.2014
20.08.2014
№216.012.ed09

Способ сборки ик-фотоприемника

Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip) и может быть использовано для выравнивания зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, с...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002526489
Дата охранного документа: 20.08.2014
27.09.2014
№216.012.f7d8

Комбинированный регенеративный теплообменник

Изобретение относится к газовым микрокриогенным машинам, а именно к регенеративным теплообменникам. В комбинированном регенеративном теплообменнике, включающем теплоизоляционный корпус, насадку, находящуюся внутри корпуса, насадка состоит из двух частей: со стороны "теплого" конца...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002529285
Дата охранного документа: 27.09.2014
10.10.2014
№216.012.fc64

Способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных структур ingaas/inp

Изобретение может быть использовано в системах лазерной локации, обнаружения лазерного излучения, ИК-спектрометрии, многоспектральных ВОЛС, а также нового поколения систем ночного видения. Согласно изобретению изготовление многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n-структур...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002530458
Дата охранного документа: 10.10.2014
+ добавить свой РИД